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1. 发明申请

WO2013077576A1 마이크로 플루이딕 반도체 센서 审中-公开
标题翻译：微流体半导体传感器
公开(公告)号：WO2013077576A1
公开(公告)日：2013-05-30
申请号：PCT/KR2012/009410
申请日：2012-11-08
申请人： (주)실리콘화일 , 이도영
发明人： 이도영
IPC分类号： G01N33/52 , G01N35/08 , G01K7/01 , G01N21/27
CPC分类号： G01K7/01 , B01L3/502746 , B01L2300/0816 , B01L2300/0867 , B01L2300/0874 , B01L2400/086
摘要： 반도체 기판의 전면에 형성된 상기 반도체 센서, 반도체 기판의 배면에 형성된 요홈, 반도체 기판의 배면에 형성된 마이크로 플루이딕 채널을 포함하되, 요홈이 형성된 상기 반도체 기판의 두께는 상기 마이크로 플루이딕 채널이 형성된 상기 반도체 기판의 두께보다 같거나 얇은 것을 특징으로 하는 마이크로 플루이딕 반도체 센서가 개시되었다.
摘要翻译：公开了一种微流体半导体传感器。微流体半导体传感器包括：设置在半导体衬底的前表面上的半导体传感器; 限定在所述半导体衬底的背面中的凹槽; 以及限定在半导体衬底的背表面中的微流体通道。具有凹槽的半导体衬底的厚度等于具有微流体通道的半导体衬底的厚度。

2. 发明申请

WO2013073796A2 이중 감지 기능을 가지는 기판 적층형 이미지 센서 审中-公开
标题翻译：双层感应的多层图像传感器
公开(公告)号：WO2013073796A2
公开(公告)日：2013-05-23
申请号：PCT/KR2012/009409
申请日：2012-11-08
申请人： (주)실리콘화일 , 이도영
发明人： 이도영
CPC分类号： H01L27/14647 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14641
摘要： 본 발명은 제1 기판에 제1 내지 제4 포토다이오드를 두고, 제2 기판에 제5 포토다이오드를 두어 이들 기판을 적층하여 결합할 때 제1 내지 제4 포토다이오드와 제5 포토다이오드도 결합되어 한 픽셀의 구성요소로서의 완전한 포토다이오드가 되게 하고, 필요에 따라서는 각 포토다이오드에서 개별적으로 감지된 신호들을 선택적으로 읽어내거나 또는 합산하여 읽어낼 수 있도록 하는 이중 감지 기능을 가지는 기판 적층형 이미지 센서에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명은 제1 기판에 형성된 제1 내지 제4 포토다이오드를 형성하고, 제2 기판에 제5 포토다이오드를 형성하여 상기 제1 내지 제4 포토다이오드와 상기 제5 포토다이오드가 서로 전기적으로 접촉되어 상기 제1 기판과 제2 기판의 픽셀 어레이 크기를 다르게 하여 제1 기판과 제2 기판의 센서 해상도를 다르게 함을 특징으로 한다.
摘要翻译：在本发明中，当第一至第四光电二极管设置在第一基板上并且第五光电二极管设置在第二基板上时，第一至第四光电二极管并且第五光电二极管耦合在一起以提供完整的光电二极管作为像素的组成部分并且可选地具有双重感测功能以选择性地读取或求和来自每个光电二极管的感测信号基板堆叠型图像传感器本发明涉本发明通过向电另外四个图像形成二极管中的第一实现这一点，并形成在所述第二基板的第一至第四光电二极管和形成在第一衬底上的第五光电二极管的第五光电二极管使第一基板和第二基板的像素阵列的尺寸彼此不同，使得第一基板和第二基板的传感器分辨率不同。

3. 发明申请

WO2013022269A3 이중 감지 기능을 가지는 기판 적층형 이미지 센서 审中-公开
公开(公告)号：WO2013022269A3
公开(公告)日：2013-02-14
申请号：PCT/KR2012/006293
申请日：2012-08-08
申请人： (주)실리콘화일 , 이도영
发明人： 이도영
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/335
摘要： 본 발명은 기판을 적층한 이미지 센서에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판 적층형 이미지 센서는 제1 기판에 제1 포토다이오드를 형성하고, 제2 기판에 제2 포토다이오드를 형성한 다음, 양 기판을 서로 정렬하여 접착함에 의해 양 포토다이오드가 전기적으로 결합하여 한 픽셀내의 완전한 포토다이오드를 이루는 것을 특징으로 한다.

4. 发明申请

WO2015072723A1 기판 분리형 3차원 적층구조의 이미지센서 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：基板分离型三维芯片堆叠图像传感器及其制造方法
公开(公告)号：WO2015072723A1
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：PCT/KR2014/010803
申请日：2014-11-11
申请人： (주)실리콘화일
发明人： 원준호 , 이도영
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14634 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14685 , H01L27/1469
摘要： 본 발명은 이미지센서 회로를 제1 반도체 칩과 제2 반도체 칩으로 나누어 구현한 후 제1 반도체 칩 및 제2 반도체 칩을 구성하는 각각의 기판에 대해 기판 자체를 물리적으로 분리시킴으로써 노이즈 특성을 개선시킨 기판 분리형 3차원 적층구조의 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 하나의 반도체 기판에 여러 개의 회로 블록이 형성되어 있을지라도 기판을 물리적으로 분리시킴으로써 기판이 서로 독립적으로 작용하게 되는 장점이 있다.
摘要翻译：本发明涉及通过分别实现作为第一半导体芯片的图像传感器电路和第二半导体芯片来提高噪声特性的基板分离型三维芯片堆叠图像传感器，并且物理地分离形成第一半导体的基板芯片和第二半导体芯片及其制造方法。本发明的优点在于，即使在一个半导体衬底上形成多个电路块，物理上分离衬底，使得分离的衬底独立地工作。

5. 发明申请

WO2015064982A1 스택 메모리 장치 및 그 동작 방법 审中-公开
标题翻译：堆叠存储器件及其操作方法
公开(公告)号：WO2015064982A1
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：PCT/KR2014/010123
申请日：2014-10-27
申请人： (주)실리콘화일
发明人： 안상욱 , 정희찬 , 이용운 , 안희균 , 이도영
IPC分类号： H01L23/50 , H01L23/12 , H01L23/48
CPC分类号： G11C5/025 , G11C5/063 , G11C8/06 , G11C8/10 , H01L23/48 , H01L23/481 , H01L25/0657 , H01L2225/06541 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 스택 메모리 장치 및 그 동작 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 스택 메모리 장치는, 제1 타입의 메모리 셀이 행 방향과 열 방향으로 반복 배열되되, 상기 제1 타입의 메모리 셀 각각에는 덤프 라인이 연결된 셀 어레이가 하나 이상 포함된 제1 메모리 칩; 및 제2 타입의 메모리 셀이 행 방향과 열 방향으로 반복 배열되되, 상기 제2 타입의 메모리 셀 각각에는 덤프 라인이 연결된 셀 어레이가 하나 이상 포함된 제2 메모리 칩;을 구비하고, 상기 제1 타입의 메모리 셀의 상기 덤프라인에는 제1 패드가 연결되고, 상기 제2 타입의 메모리 셀의 상기 덤프라인에는 제2 패드가 연결되되, 상기 제1 패드와 상기 제2 패드는 일대일로 대응되는 구조를 갖는다.
摘要翻译：本发明提供了一种堆栈存储装置及其操作方法。根据本发明的堆叠存储器件提供有：第一存储器芯片，其中第一类型存储器单元在行方向和列方向上重复布置，并且包括一个或多个单元阵列，其中转储线是连接到每个第一类型存储单元; 以及第二存储器芯片，其中第二类型存储器单元在行方向和列方向上重复布置，并且包括一个或多个单元阵列，其中转储线连接到每个第二类型存储单元，其中第一焊盘被连接到第一类型存储单元的转储线和第二焊盘连接到第二类型存储单元的转储线，第一焊盘和第二焊盘具有一一对应关系。

6. 发明申请

WO2014178638A1 관통 실리콘 비아 제조방법 审中-公开
标题翻译：用于制造通孔硅的方法
公开(公告)号：WO2014178638A1
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：PCT/KR2014/003829
申请日：2014-04-30
申请人： (주)실리콘화일
发明人： 안희균 , 안상욱 , 이용운 , 정희찬 , 이도영
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/12
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/30604 , H01L21/6835 , H01L21/7684 , H01L2221/68327 , H01L2221/68359
摘要： 본 발명은 관통 실리콘 비아(TSV) 제조방법에 관한 것으로, 종래의 트렌치 절연 공정을 사용하여 간단히 관통 실리콘 비아(TSV)를 제조할 수 있으며, 관통 실리콘 비아(TSV)와 실리콘 사이의 전기적 절연을 효율적으로 달성할 수 있는 관통 실리콘 비아(TSV) 제조방법에 관한 것에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造通孔硅通孔（TSV）的方法，并且用于制造通孔硅通孔（TSV）的方法采用常规沟槽绝缘工艺，以容易地制造通孔硅通孔（TSV ），从而在通孔硅通孔（TSV）和硅之间实现有效的电绝缘。

7. 发明申请

WO2013100545A1 유기발광다이오드 패널의 휘도 보상 장치 审中-公开
标题翻译：用于有机发光二极管面板的发光补偿装置
公开(公告)号：WO2013100545A1
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：PCT/KR2012/011441
申请日：2012-12-26
申请人： (주)실리콘화일
发明人： 이도영 , 엄재원
IPC分类号： G09G3/30
CPC分类号： G09G3/3283 , G09G3/2003 , G09G3/30 , G09G3/3208 , G09G3/3225 , G09G3/3233 , G09G2320/0233 , G09G2320/029 , G09G2320/041 , G09G2320/0626 , G09G2320/0666 , G09G2360/145
摘要： 본 발명은 OLED 패널의 외곽부에 설치된 구동칩이 인접 위치에 설치된 기준 픽셀을 이용하여 디스플레이 영역에 배열된 화소 소자들에 대한 휘도 편차를 구하여 보상할 수 있도록 하는 기술에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 유기발광다이오드 패널 상에서 디스플레이 영역의 외곽부에 설치되어 상기 디스플레이 영역에 배열된 화소 소자와 대응되게 동작하는 기준화소 소자부 및, 상기 디스플레이 영역의 외곽부 중에서 상기 기준화소 소자부를 포함하는 영역에 장착되어, 상기 기준화소 소자부로부터 입사되는 광의 휘도값을 기준휘도값과 비교하여 그에 따른 휘도편차값을 구한 후 상기 휘도편차값에 따라 상기 디스플레이 영역에 배열된 화소 소자들의 구동을 제어하여 휘도편차가 보상된 광이 조사되도록 하는 구동칩을 포함하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于使OLED面板外部的驱动芯片能够通过使用在相邻位置处提供的参考像素来计算和补偿布置在显示区域中的像素元件的亮度偏差的技术。本发明包括：参考像素元件单元，设置在有机发光二极管面板上的显示区域的外部，并对应于布置在显示区域中的像素元件进行操作; 并且在显示区域的外部部分中配备有包括参考像素元件单元的区域中的驱动芯片将从参考像素元件单元入射的光的亮度值与参考亮度值进行比较，计算根据其的亮度偏差值，并且根据亮度偏差值来控制布置在显示区域中的像素元件的驱动，使得其亮度偏差被补偿的光被照射。

8. 发明申请

WO2014185669A1 스택 메모리 审中-公开
标题翻译：堆叠存储器
公开(公告)号：WO2014185669A1
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：PCT/KR2014/004207
申请日：2014-05-12
申请人： (주)실리콘화일
发明人： 안상욱 , 정희찬 , 이용운 , 이도영
IPC分类号： H01L23/538 , H01L25/16
CPC分类号： H01L25/0657 , G11C5/063 , G11C7/06 , G11C7/10 , G11C2207/005 , H01L23/49816 , H01L23/528 , H01L25/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2225/0651 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06572 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014
摘要： 여러 개의 기판을 겹쳐서 반도체 메모리를 형성하고, 각 기판에 있는 메모리 셀들은 데이터 덤프라인에 의해 연결된다. 메모리 셀과 데이터 덤프라인 사이에는 스위치가 개입될 수 있다. 데이터 덤프라인에 의해 각 기판의 데이터가 덤프될 때에는 기생성분에 의한 속도 감소 및 전력 소비의 증가 문제가 최소화된다. 또한 하나의 기판에는 메모리 셀을 포함한 코어회로가, 나머지의 기판에는 주변회로부가 배치될 수도 있다
摘要翻译：通过堆叠多个基板形成半导体存储器，并且通过数据转储线连接每个基板上的存储单元。交换机可以介入存储器单元和数据转储线之间。当每个基板的数据被数据转储线转储时，由于寄生成分而导致的速度下降和功耗增加的问题可以被最小化。此外，包括存储单元的核心电路可以设置在一个基板上，并且外围电路单元可以设置在剩余的基板上。

9. 发明申请

WO2014088240A1 온 칩 세포배양 관찰장치 및 온 칩 세포배양 관찰키트 审中-公开
标题翻译：用于观察片上细胞培养的装置和用于观察片上细胞培养物的装置
公开(公告)号：WO2014088240A1
公开(公告)日：2014-06-12
申请号：PCT/KR2013/010424
申请日：2013-11-15
申请人： (주)실리콘화일
发明人： 이도영 , 김송이 , 변경수
IPC分类号： C12M1/34 , C12M3/00 , C12Q1/04
CPC分类号： C12M41/36
摘要： 본 발명은 관찰부가 구현된 칩의 상부에 세포배양부를 설치하여 사용하며, 세포배양기는 관찰부와 서로 분리가 가능한 온 칩 세포배양 관찰장치 및 상기 온 칩 세포배양 관찰장치를 복수 개 포함하는 온 칩 세포배양 관찰키트를 개시(introduce)한다. 상기 온 칩 세포배양 관찰장치는, 기판의 표면에 형성된 하나의 관찰부 및 상기 하나의 관찰부의 상부에 배치되며 내부에서 세포를 배양하는 하나의 세포배양부를 포함하며, 상기 세포배양부는 상기 세포배양부의 하부를 커버하며 상기 관찰부의 상부와 접촉하는 바닥 및 상기 바닥 주변을 일정한 높이로 감싸는 격벽으로 둘러싸인다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于观察片上细胞培养的装置，其使用设置在具有观察部分的芯片上部的细胞培养部分，其中细胞培养箱可以与观察部分分离; 以及观察片上细胞培养的试剂盒，其包含多个用于观察片上细胞培养的装置。用于观察片上细胞培养的装置包括：形成在基板表面的一个观察部分; 以及一个细胞培养部分，其布置在所述一个观察部分的上部并在其中培养细胞，其中所述细胞培养部分被用于覆盖所述细胞培养部分的下部并与所述细胞培养部分的上部接触的底部包围观察部分和用于将底部的周边包围在预定高度的分隔物。

10. 发明申请

WO2014077601A1 온 칩 세포배양관찰 통합유닛 및 온 칩 세포배양관찰 통합키트 审中-公开
标题翻译：用于细胞培养观察的片上整合单元和用于细胞培养观察的片上集成包
公开(公告)号：WO2014077601A1
公开(公告)日：2014-05-22
申请号：PCT/KR2013/010347
申请日：2013-11-14
申请人： (주)실리콘화일
发明人： 이도영 , 김송이 , 변경수
IPC分类号： C12M1/34 , C12M3/00 , C12M1/42
CPC分类号： C12M23/12 , C12M41/36
摘要： 본 발명은 배양기와 관찰장비를 하나의 칩에 구현한 온 칩 세포배양관찰 통합유닛 및 온 칩 세포배양관찰 통합키트를 개시(introduce)한다. 상기 온 칩 세포배양관찰 통합유닛은, 하나의 관찰부 및 하나의 세포배양부를 포함한다. 상기 관찰부는 기판의 표면에 형성된다. 상기 세포배양부는 상기 관찰부의 상부에 형성되어 세포를 배양하며, 일정한 높이의 격벽으로 둘러 쌓여 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于细胞培养观察的片上集成单元，其中在一个芯片上实现培养箱和观察设备; 和用于细胞培养观察的片上集成试剂盒。用于细胞培养观察的片上集成单元包括一个观察部分和一个细胞培养部分。观察部分形成在基板的表面上。细胞培养部分形成在观察部分的上部以培养细胞，并被预定高度的分隔壁包围。

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