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1. 发明申请

WO2013126927A2 SYSTEMS AND METHODS FOR LASER SPLITTING AND DEVICE LAYER TRANSFER 审中-公开
标题翻译：用于激光分裂和器件层转移的系统和方法
公开(公告)号：WO2013126927A2
公开(公告)日：2013-08-29
申请号：PCT/US2013/027826
申请日：2013-02-26
申请人： SOLEXEL, INC.
发明人： YONEHARA, Takao , RANA, Virendra, V. , SEUTTER, Sean , MOSLEHI, Mehrdad, M. , TAMILMANI, Subramanian
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/268 , B23K26/00
CPC分类号： H01L21/7813 , B23K26/0006 , B23K26/0054 , B23K26/0057 , B23K26/0093 , B23K26/0622 , B23K26/082 , B23K26/0869 , B23K26/244 , B23K26/702 , B23K2201/40 , B23K2203/52 , B42D25/00 , B81C1/0038 , B81C1/0088 , B81C2201/0192 , B81C2201/0194 , H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/76254 , H01L21/76259 , H01L25/0657 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/1892 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , Y02E10/547 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： Methods and systems are provided for the split and separation of a layer of desired thickness of crystalline semiconductor material containing optical, photovoltaic, electronic, micro-electro-mechanical system (MEMS), or optoelectronic devices, from a thicker donor wafer using laser irradiation.
摘要翻译：提供了用于将包含光学，光伏，电子，微电子机械系统（MEMS）或光电子器件的期望厚度的晶体半导体材料的层分离和分离成的方法和系统，使用激光照射的更厚的施主晶片。

2. 发明申请

WO2016162428A1 VERFAHREN ZUR MATERIALSPARENDEN WAFERHERSTELLUNG UND WAFERVERARBEITUNG 审中-公开
标题翻译：方法节约材料外延片生产及硅片加工的
公开(公告)号：WO2016162428A1
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：PCT/EP2016/057632
申请日：2016-04-07
申请人： SILTECTRA GMBH
发明人： SCHILLING, Franz , DRESCHER, Wolfram , RICHTER, Jan
IPC分类号： B28D1/22 , B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00357 , B23K26/0057 , B28D1/221 , B81C1/0038 , B81C2201/0192 , H01L21/76251 , H01L31/1804 , H01L31/1896
摘要： Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrschichtanordnung. Das erfindungsgemäße Verfahren umfasst dabei mindestens die Schritte: Bereitstellen eines Spendersubstrats (2) zum Abtrennen einer Festkörperschicht (4), insbesondere eines Wafers; Erzeugen von Modifikationen (12), insbesondere mittels LASER-Strahlen (10), in dem Spendersubstrat (2) zum Vorgeben eines Rissverlaufs; Bereitstellen eines Trägersubstrats (6) zum Aufnehmen der Festkörperschicht (4); Anbonden des Trägersubstrats (6) mittels einer Bondingschicht (8) an dem Spendersubstrat (2), wobei das Trägersubstrat (6) zur Erhöhung der mechanischen Festigkeit der abzutrennenden Festkörperschicht (4) für die Weiterverarbeitung vorgesehen ist, Anordnen oder Erzeugen einer Spannungserzeugungsschicht (16) an dem Trägersubstrat (6); Thermisches Beaufschlagen der Spannungserzeugungsschicht (16) zum Erzeugen von Spannungen in dem Spendersubstrat (2), wobei durch die Spannungserzeugung ein Riss ausgelöst wird, der sich entlang des vorgegebenen Rissverlaufs zum Abtrennen der Festkörperschicht (4) vom Spendersubstrat (2) ausbreitet, so dass sich die Festkörperschicht (4) mit dem angebondeten Trägersubstrat (6) abtrennt.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于生产多层结构。在这种情况下本发明的方法至少包括以下步骤：提供用于分离的固体层（4），特别是晶片的施主衬底（2）; 产生修改（12），特别是通过在所述施主衬底（2），用于设置所述疾病的俯视激光射线（10）的装置; 提供了一个支撑基板（6），用于接收所述固体层（4）; 通过在施主衬底上的结合层（8）的装置接合在支撑基板（6）（2），其中，所述支撑基板（6），以增加用于进一步处理分离的固体层（4）的机械强度被提供，放置或产生电压产生层（16）到支撑衬底（6）; 沿着预定断裂用于分离固体层（4），从而使热施加在所述施主衬底（2），其特征在于，裂缝是由电压产生发起产生电压的电压产生层（16），从所述施主衬底（2）传播所述固体层（4）与所述angebondeten支撑基板（6）被分离出来。

3. 发明申请

WO2013126927A3 SYSTEMS AND METHODS FOR LASER SPLITTING AND DEVICE LAYER TRANSFER 审中-公开
标题翻译：用于激光分割和器件层传输的系统和方法
公开(公告)号：WO2013126927A3
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：PCT/US2013027826
申请日：2013-02-26
申请人： SOLEXEL INC
发明人： YONEHARA TAKAO , RANA VIRENDRA V , SEUTTER SEAN , MOSLEHI MEHRDAD M , TAMILMANI SUBRAMANIAN
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/00 , H01L21/268
CPC分类号： H01L21/7813 , B23K26/0006 , B23K26/0054 , B23K26/0057 , B23K26/0093 , B23K26/0622 , B23K26/082 , B23K26/0869 , B23K26/244 , B23K26/702 , B23K2201/40 , B23K2203/52 , B42D25/00 , B81C1/0038 , B81C1/0088 , B81C2201/0192 , B81C2201/0194 , H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/76254 , H01L21/76259 , H01L25/0657 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/1892 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , Y02E10/547 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： Methods and systems are provided for the split and separation of a layer of desired thickness of crystalline semiconductor material containing optical, photovoltaic, electronic, micro-electro-mechanical system (MEMS), or optoelectronic devices, from a thicker donor wafer using laser irradiation.
摘要翻译：提供的方法和系统用于使用激光照射从较厚的施主晶片分离和分离含有光学，光电，电子，微电子机械系统（MEMS）或光电子器件的期望厚度的结晶半导体材料的层。

4. 发明申请

WO2016162096A1 VERFAHREN ZUM VERLUSTARMEN HERSTELLEN VON MEHRKOMPONENTENWAFERN 审中-公开
标题翻译：方法损失POOR使更多的组件WAFERS
公开(公告)号：WO2016162096A1
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：PCT/EP2015/064104
申请日：2015-06-23
申请人： SILTECTRA GMBH
IPC分类号： H01L21/762 , B23K26/00 , B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00357 , B23K26/0057 , B28D1/221 , B81C1/0038 , B81C2201/0192 , H01L21/76251 , H01L31/1804 , H01L31/1896
摘要： Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Mehrkomponentenwafers, insbesondere eines MEMS-Wafers. Das erfindungsgemäße Verfahren umfasst dabei mindestens die Schritte: Bereitstellen eines Bondwafers (2), wobei zumindest ein Oberflächenanteil (4) des Bondwafers (2) durch eine Oxidschicht ausgebildet wird, Bereitstellen eines Spenderwafers (6), wobei der Spenderwafer (6) dicker ist als der Bondwafer (2), In Kontakt bringen des Spenderwafers (6) mit dem durch die Oxidschicht gebildeten Oberflächenanteil (4) des Bondwafers (2), Bilden einer Mehrschichtanordnung (8) durch Verbinden des Spenderwafers (6) und des Bondwafers (2) im Bereich des Kontakts, Erzeugen von Modifikationen (18) im Inneren des Spenderwafers (6) zum Vorgeben eines Ablösebereichs (11) zum Trennen der Mehrschichtanordnung (8) in einen Abtrennteil (14) und einen Verbindungsteil (16), wobei die Erzeugung der Modifikationen (18) vor Bildung der Mehrschichtanordnung (8) oder nach der Bildung der Mehrschichtanordnung (8) erfolgt, Trennen der Mehrschichtanordnung entlang dem Ablösebereich infolge einer durch die Erzeugung einer ausreichenden Anzahl an Modifikationen bewirkten Schwächung der Mehrschichtanordnung oder infolge einer Erzeugung von mechanischen Spannungen in der Mehrschichtanordnung, wobei der Verbindungsteil (16) am Bondwafer (2) verbleibt und wobei der abgespaltete Abtrennteil (14) eine größere Dicke aufweist als der Verbindungsteil (16).
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于制造多组分晶片，特别是MEMS晶片。在这种情况下本发明的方法包括至少以下步骤：提供一个接合晶片（2），其中至少一个表面部分（4）的接合晶片的（2）是通过提供施体晶片的氧化层（6）形成，其中所述施体晶片（6）比更厚的接合晶片（2），使进给体晶片的接触（6）与由所述结合晶片的氧化膜表面部分（4）形成的空间（2）由所述施体晶片（6）和上述接合晶片的键合（8）形成的多层组件（2）一种用于在分隔部件（14）分离所述的多层结构（8）的设置的释放区域（11）的施体晶片（6）和连接部分（16），所述修饰的，其中所述生成的内部接触的面积，产生修改（18）（ 18）发生形成多层结构（8）或形成多层结构（8）的前后，分离沿着分离区中的多层结构作为由Erzeug结果 UNG足够数量引起的多层结构的或作为生成在多层结构的机械应力，的结果削弱其中所述连接部分（16）保持在接合晶片上的修改的（2），并且其中所述切割的分隔部件（14）具有比所述连接部具有更大的厚度（16 ）。

5. 发明申请

WO2014206737A1 METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING CAVITIES FILLED WITH A SACRIFICAL MATERIAL 审中-公开
标题翻译：制造半导体结构的方法，包括填充有材料的CAVIITY
公开(公告)号：WO2014206737A1
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：PCT/EP2014/062137
申请日：2014-06-11
申请人： SOITEC
发明人： SADAKA, Mariam , ESCARNOT, Ludovic
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00047 , B81B1/002 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00158 , B81C2201/0105 , B81C2201/014 , B81C2201/0192
摘要： Methods of forming semiconductor structures comprising one or more cavities (106), which may be used in the formation of microelectromechanical system (MEMS) transducers, involve forming one or more cavities in a first substrate (100), providing a sacrificial material (110) within the one or more cavities, bonding a second substrate (120) over the a surface of the first substrate, forming one or more apertures (140) through a portion of the first substrate to the sacrificial material, and removing the sacrificial material from within the one or more cavities. Structures and devices are fabricated using such methods.
摘要翻译：形成可用于形成微机电系统（MEMS）换能器的一个或多个空腔（106）的半导体结构的方法包括在第一基板（100）中形成一个或多个空腔，提供牺牲材料（110）在所述一个或多个空腔内，将第二基板（120）接合在所述第一基板的表面上，形成通过所述第一基板的一部分到所述牺牲材料的一个或多个孔（140），以及从所述第一基板一个或多个腔。使用这种方法制造结构和装置。

6. 发明申请

WO2012163783A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES MOS-TRANSISTORS 审中-公开
标题翻译：用于生产MOS晶体管
公开(公告)号：WO2012163783A1
公开(公告)日：2012-12-06
申请号：PCT/EP2012/059675
申请日：2012-05-24
申请人： ELMOS SEMICONDUCTOR AG , KLEINSCHMIDT, Frank , TEN HAVE, Arnd
发明人： KLEINSCHMIDT, Frank , TEN HAVE, Arnd
IPC分类号： B81C1/00 , G01L9/00 , H01L21/764
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B2201/0264 , B81C1/00246 , B81C2201/0192 , G01L9/0045
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur mit vergrabenem Hohlraum (64), bei dem ein erstes Halbleitersubstrat (10) mit einer Oberseite (22) bereitgestellt wird und in der Oberseite (22) des ersten Halbleitersubstrats (10) eine Vertiefung ausgebildet wird. Ferner wird ein zweites Halbleitersubstrat (26) mit Kristallgitterebenen und einer Oberseite (28) bereitgestellt, die sich im Wesentlichen parallel zu den Kristallgitterebenen erstreckt, und eine der Kristallgitterebenen, die sich in einem gewünschten Abstand von der Oberseite (28) des zweiten Halbleitersubstrats (26) befindet, zur Erzeugung einer Sollbruchebene mittels Ionenimplantation geschwächt wird. Das zweite Halbleitersubstrat (26) wird mit seiner Oberseite (28) auf der Oberseite (22) des ersten Halbleitersubstrats (10) unter Vakuumbedingungen verbondet, wobei das zweite Halbleitersubstrat (26) zur Bildung eines vergrabenen Hohlraums (60) die Vertiefung (20) in der Oberseite (22) des ersten Halbleitersubstrats (10) überdeckt. Das zweite Halbleitersubstrat wird (26) entlang der Sollbruchebene zum Verbleib einer Membranschicht (34) auf der Oberseite (22) des ersten Halbieitersubstrats (10) gespalten.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于与掩埋空腔（64），其中提供了一种具有顶部（22），在第一半导体基板（10）一种制造半导体结构和在所述第一半导体基板的上侧（22）（10）的凹部形成。此外，设置有晶格平面的第二半导体基板（26）和上侧（28），其基本上平行于晶体晶格面，并相交于从所述第二半导体基板的所述顶部（28）的期望距离的晶格面（26 ）的，用于产生通过离子注入预定的断裂强度越弱。第二半导体基板（26）结合，其上表面（28）上的真空条件下的第一个半导体衬底（10）的顶部（22），所述第二半导体基板（26），以形成在掩埋空腔（60），凹部（20）在第一半导体衬底的所述顶侧（22）（10）覆盖。在第二半导体衬底被切割（26）沿着预定断裂面保留在第一Halbieitersubstrats（10）的顶部（22）上的薄膜层（34）。

7. 发明申请

WO02005344A1 METHOD FOR CUTTING A BLOCK OF MATERIAL AND FOR FORMING A THIN FILM 审中-公开
标题翻译：切割材料块和形成薄膜的方法
公开(公告)号：WO02005344A1
公开(公告)日：2002-01-17
申请号：PCT/FR2001/002239
申请日：2001-07-11
IPC分类号： H01L21/265 , B81C1/00 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/301 , H01L21/762 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76254 , B81C1/0038 , B81C2201/0191 , B81C2201/0192 , H01L21/2007 , Y10T156/1153 , Y10T156/1158 , Y10T156/1184 , Y10T156/1911 , Y10T156/1967
摘要： The invention concerns a method for cutting a block of material (10) comprising the following steps: a) forming in the block a buried zone (12), embrittled by at least an ion-inserting step, the buried zone delimiting at least a surface part (14) of the block; b) forming at the embrittled zone at least an incipient cleavage (30, 36) using first separating means selected among inserting a tool, injecting a fluid, a heat treatment and/or ion implantation of an ionic species different from that inserted during the preceding step; and c) separating at the embrittled zone of the surface part (14) of the block a remaining part (16), called mass part, from the incipient cleavage (30, 36) using second means, different from the first separation means and selected among heat treatment and/or applying mechanical forces exerted between the surface part and the embrittled zone. The invention is useful for making micro-electronic, optoelectronic or micro-mechanical components,
摘要翻译：本发明涉及一种用于切割材料块（10）的方法，包括以下步骤：a）在块中形成通过至少离子插入步骤脆化的掩埋区（12），所述掩埋区限定至少一个表面块的部分（14）; b）使用第一分离装置在脆化区形成至少初始裂缝（30,36），所述第一分离装置选自插入工具，注入流体，热处理和/或离子注入与之前插入的离子种类不同的离子物质步; 以及c）使用与所述第一分离装置不同的第二装置，将所述块的表面部分（14）的脆化区域从称为质量部分的剩余部分（16,36）从初始裂缝（30,36）分离并选择在热处理和/或施加施加在表面部分和脆化区域之间的机械力之间。本发明可用于制造微电子，光电子或微机械部件，

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