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    • 2. 发明申请
    • VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM ANLEGEN EINER SPANNUNG AN EINE VIELZAHL VON SILIZIUMSTÄBEN IN EINEM CVD-REAKTOR
    • 设备和方法产生电压硅棒的各种CVD反应器
    • WO2013064229A2
    • 2013-05-10
    • PCT/EP2012/004483
    • 2012-10-26
    • CENTROTHERM SITEC GMBHVOLLMAR, WilfriedGRUNDMANN, Frank
    • VOLLMAR, WilfriedGRUNDMANN, Frank
    • H02M5/12
    • C23C16/24C23C16/4418H02M5/12H02M5/257
    • Es ist eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Anlegen einer Spannung an eine Vielzahl von Siliziumstäben in einem CVD-Reaktor beschrieben. Es sind jeweils eine Reihenschaltung, in der die Siliziumstäbe als Widerstände einsetzbar sind, wenigstens eine erste, wenigstens eine zweite und wenigstens eine dritte Stromversorgungseinheit sowie wenigstens eine Kurzschlusseinrichtung vorgesehen. Die Kurzschlusseinheit ist geeignet steuerbar die äußeren Enden der Reihenschaltung miteinander und mit Erde zu verbinden. Ferner ist wenigstens eine Steuereinheit zum Steuern der ersten, zweiten und dritten Stromversorgungseinheiten sowie der Kurzschlusseinrichtung vorgesehen, wobei die erste Stromversorgungseinheit eine Vielzahl von ersten Transformatoren aufweist, deren Ausgänge jeweils mit wenigstens einem Siliziumstab in der Reihe verbunden sind, wobei die zweite Stromversorgungseinheit eine Vielzahl von zweiten Transformatoren aufweist, deren Ausgänge jeweils mit wenigstens derselben Anzahl von Siliziumstäben wie die ersten Transformatoren in der Reihe verbunden sind, und zwar parallel zu einem oder mehreren der ersten Transformatoren, und wobei die dritte Stromversorgungseinheit Ausgänge aufweist, die mit der Reihe von Siliziumstäben verbunden sind, und zwar parallel zu den ersten und zweiten Transformatoren. Die Kurzschlusseinrichtung weist eine die äußeren Enden der Reihenschaltung verbindende Leitung auf, in der wenigstens ein Widerstand oder eine Sekundärseite eines Transformators und wenigstens ein Schalter vorgesehen sind. Die Steuereinheit ist mit wenigstens einem Strommesser zum Messen eines Stromflusses durch den Widerstand oder einem Spannungsmesser zum Messen einer Spannung an der Primärseite des Transformators verbunden.
    • 它是用于将电压施加到在所述的CVD反应器中的多个硅棒的设备和方法。 在每种情况下的串联电路,其中所述的硅棒被用作电阻器,至少一个第一,至少一个第二和至少一个第三供电单元和至少一个短路设备被提供。 所述短路单元适于可控地连接的串联电路的外端部和到一起接地。 此外,用于控制第一,第二和第三电源装置和短路装置的控制单元至少被设置,其中所述第一电源单元包括多个第一变压器,其输出是各自与至少一个硅棒连接在所述系列中,其中,所述第二电源单元包括多个的 具有第二变压器,它们的输出分别连接到至少相同数量的硅棒作为系列中的第一变压器,并且其中所述第三电源单元包括与一个或更多个第一变压器的并联,并且其输出端连接到硅棒的数量 平行于第一和第二变压器。 短路装置具有的串联电路的连接线,电阻器或变压器的次级侧和至少一个开关的外端部在所述至少提供。 所述控制单元被连接到至少一个电流表,用于测量通过该电阻或电流流动为在变压器的初级侧测量的电压的电压表。
    • 3. 发明申请
    • KUGELGELENK
    • WO2009121354A1
    • 2009-10-08
    • PCT/DE2009/050014
    • 2009-04-02
    • ZF Friedrichshafen AGSOKOLIHS, DirkGRUNDMANN, FrankAHLERT, Sonja
    • SOKOLIHS, DirkGRUNDMANN, FrankAHLERT, Sonja
    • F16C11/06F16J3/04F16J15/52
    • F16C11/0671F16C11/0628Y10T403/32729
    • Es wird ein Kugelgelenk für ein Kraftfahrzeug vorgestellt. Dieses weist ein Gehäuse (1) und einen in dem Gehäuse (1) dreh- und schwenkbar gelagerten Kugelzapfen (2) sowie einen Dichtungsbalg (3) auf, wobei der Dichtungsbalg (3) mit einem ersten Dichtungsbalgrand (4) an dem Kugelzapfen (2) und mit einem zweiten Dichtungsbalgrand (5) an dem Gehäuse (1) dichtend anliegt. Der einteilige Dichtungsbalg (3) verfügt zwischen seinen Dichtungsbalgrändern (4, 5) über zumindest zwei Abschnitte (6, 7) unterschiedlicher Geometrie, von denen ein erster Abschnitt (6) eine bauchige Kontur bildet und ein zweiter Abschnitt (7) eine Erstreckung entlang der Außenoberfläche (8) und in Richtung der Längsachse (9) des Gehäuses (1) aufweist. Erfindungsgemäß ist die Innenoberfläche (10) des zweiten Abschnittes (7) des Dichtungsbalges (3) und/oder die hierzu korrespondierende Außenoberfläche (8) des Gehäuses (1) mit einer Oberflächengeometrie mit wechselnder Verlaufsrichtung ausgestattet.
    • 它提出了一种用于机动车辆的球窝接头。 这包括一个壳体(1)和在所述壳体(1)可旋转地和可转动地安装球轴颈(2)和一个密封的波纹管(3),其中,所述密封波纹管(3)具有第一密封波纹管边缘(4)上的球销(2 密封),并与第二密封在壳体上波纹边缘(5)(1)。 单件式密封波纹管(3)具有其Dichtungsbalgrändern之间(4,5)通过至少两个部分(6,7)不同的几何形状,其中第一部分(6)形成的球形轮廓和第二部分(7)具有沿着所述延伸 外表面(8)并且在纵向轴的方向(9)的壳体(1)。 根据本发明,所述第二部分的内表面(10)(7)的密封波纹管(3)和/或与其对应的外表面(8)的壳体(1)设置有与改变横列方向的表面几何形状。
    • 5. 发明申请
    • DEVICE AND METHOD FOR APPLYING A VOLTAGE TO A PLURALITY OF SILICON RODS IN A CVD REACTOR
    • 设备和方法产生电压硅棒的各种CVD反应器
    • WO2013064229A3
    • 2013-07-18
    • PCT/EP2012004483
    • 2012-10-26
    • CT THERM SITEC GMBHVOLLMAR WILFRIEDGRUNDMANN FRANK
    • VOLLMAR WILFRIEDGRUNDMANN FRANK
    • H02M5/12H02M5/257
    • C23C16/24C23C16/4418H02M5/12H02M5/257
    • The invention relates to a device and a method for applying a voltage to a plurality of silicon rods in a CVD reactor. In each case, a series circuit, in which the silicon rods can be used as resistors, at least one first, at least one second and least one third power supply unit and at least one short-circuit device are provided. The short-circuit unit can be controlled in a suitable way to connect the outer ends of the series circuit to one another and to ground. At least one control unit for controlling the first, second and third power supply units and the short-circuit device is also provided, wherein the first power supply unit has a plurality of first transformers, the outputs of which are each connected to at least one silicon rod in the series, wherein the second power supply unit has a plurality of second transformers, the outputs of which are each connected to at least the same number of silicon rods as the first transformers in the series, specifically in parallel with one or more of the first transformers, and wherein the third power supply unit has outputs which are connected to the series of silicon rods, specifically in parallel with the first and second transformers. The short-circuit device has a line connecting the outer ends of the series circuit, in which line at least one resistor or a secondary side of a transformer and at least one switch are provided. The control unit is connected to at least one ammeter for measuring a current flow through the resistor or to a voltmeter for measuring a voltage on the primary side of the transformer.
    • 描述了用于在CVD反应器中向多个硅棒施加电压的装置和方法。 在每种情况下,提供其中硅棒可用作电阻器的串联连接,提供至少一个第一,至少一个第二和至少一个第三电源单元以及至少一个短路装置。 短路单元可适当地控制以将串联电路的外端彼此连接并接地。 此外,用于控制第一,第二和第三电源装置和短路装置的控制单元至少被设置,其中所述第一电源单元包括多个第一变压器,其输出是各自与至少一个硅棒连接在所述系列中,其中,所述第二电源单元包括多个的 具有第二变压器,它们的输出分别连接到至少相同数量的硅棒作为系列中的第一变压器,并且其中所述第三电源单元包括与一个或更多个第一变压器的并联,并且其输出端连接到硅棒的数量 ,平行于第一和第二变压器。 短路装置具有的串联电路的连接线,电阻器或变压器的次级侧和至少一个开关的外端部在所述至少提供。 所述控制单元被连接到至少一个电流表,用于测量通过该电阻或电流流动为在变压器的初级侧测量的电压的电压表。
    • 6. 发明申请
    • VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM HERSTELLEN VON SILIZIUM
    • 方法和设备硅的生产
    • WO2012031776A1
    • 2012-03-15
    • PCT/EP2011/004559
    • 2011-09-09
    • CENTROTHERM SITEC GMBHGRUNDMANN, FrankHUSSY, Stefan
    • GRUNDMANN, FrankHUSSY, Stefan
    • C01B33/035C30B11/00
    • C01B33/035
    • Es ist ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Herstellen von Silizium, insbesondere ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Herstellen eines Siliziumingots beschrieben. Bei dem Verfahren zum Herstellen von Silizium sind die folgenden Schritte vorgesehen: Einleiten eines Silane enthaltenden Prozessgases in eine Prozesskammer, Erwärmen wenigstens eines innerhalb der Prozesskammer angeordneten ersten, aktiv beheizbaren Elements mittels Widerstandsheizung oder ein innerhalb des ersten Elements liegenden Heizelements auf eine erste Temperatur, die in einem Temperaturbereich liegt, bei dem sich aus dem Prozessgas Silizium auf dem wenigstens einen Element abscheidet, um eine Siliziumschicht hierauf auszubilden, Erwärmen wenigstens eines innerhalb der Prozesskammer benachbart zu dem wenigstens einen ersten Element angeordneten zweiten, passiv beheizbaren Elements durch das wenigstens eine erste Element auf eine erste Temperatur, die in einem Temperaturbereich liegt, bei dem sich aus dem Prozessgas Silizium auf dem wenigstens einen zweiten Element abscheidet, um eine Siliziumschicht hierauf auszubilden, anschliessendes Erwärmen des wenigstens einen ersten Elements, des wenigstens einen zweiten Elements und/oder der darauf ausgebildeten Siliziumschicht auf eine zweite, höhere Temperatur, die in einem Temperaturbereich liegt, bei dem die Siliziumschicht wenigstens teilweise schmilzt und von dem wenigstens einen ersten und zweiten Element in flüssiger Form abfliesst, und Sammeln des flüssigen Siliziums. Die Vorrichtung zum Herstellen von Silizium, weist folgendes auf: wenigstens eine erste Prozesskammer, wenigstens ein in der Prozesskammer angeordnetes erstes, aktiv beheizbares Element, wenigstens eine steuerbare Heizvorrichtung die geeignet ist, das wenigstens eine erste Element aktiv mittels Widerstandsheizung oder ein innerhalb des ersten Elements liegende Heizeinheit auf erste und/oder zweite Temperaturen zu erwärmen, wobei die erste Temperatur in einem Temperaturbereich liegt, bei dem sich Silizium aus einem Silane enthaltenden Prozessgas auf dem wenigstens einen Element abscheiden kann, um eine Siliziumschicht hierauf auszubilden, und wobei die zweite Temperatur in einem Temperaturbereich liegt, bei dem eine auf dem wenigstens einen Element ausgebildete Siliziumschicht wenigstens teilweise schmilzt und von dem wenigstens einen Element in flüssiger Form abfliesst, wenigstens ein in der Prozesskammer benachbart zum wenigstens einen ersten Element angeordnetes zweites, passiv beheizbares Element, das durch das erste Element auf die erste und/oder zweite Temperatur erwärmbar ist, und wenigstens eine Anordnung zum kontrollierten Sammeln und/oder Ableiten von flüssigen Silizium, dass von dem wenigstens einen Element abfliesst.
    • 它是一种方法和一种用于制造所述的硅锭的方法和设备制造硅,特别是一种装置。 在制造硅的方法中,步骤:将含硅烷的工艺气体到处理腔室中,加热的至少内处理腔室设置的第一,活性可加热元件通过加热或位于第一部件内的加热元件至第一温度时,电阻的手段 是在从所述至少一个构件上的过程气体的硅分离而在其上形成硅层的温度范围内,加热邻近所述至少一个第一元件的至少一个通过所述至少一个第一元件排列的第二,被动可加热元件在处理室内 到第一温度,其位于其中从工艺气体中分离的所述至少一个第二硅构件上以在其上形成硅层的温度范围内,然后加热所述至少一个第一封 lements,所述至少一个第二元件和/或在其上的硅层到第二,更高的温度,这是在其中硅层至少部分地熔化并流出液体形式的至少一个第一和第二元件中的一个温度范围内形成,并且收集 的液体硅。 用于生产硅的设备,包括:至少一个第一处理室,至少一个被布置在所述处理室中的第一,主动可加热元件,至少一个可控制的加热装置,其适于电阻加热的至少一个第一元件主动装置或所述第一元件的内部 对第一和​​/或第二温度,其中所述第一温度是在该硅可以制成在含有处理气体的硅烷的一个温度范围内的至少沉积构件在其上形成硅层加热的基础加热装置,并且其中所述第二温度在 的温度范围内,其中至少部分熔化所述至少一个元件形成的硅层和流出液体形式的至少一种元素的,至少一个在至少一个第一元件处理室相邻设置的第二,被动储量 这是由第一元件加热至第一和/或第二温度和至少一个设备,用于受控的收集和/或液体硅排出流从所述至少一个元件远eizbares元件。
    • 7. 发明申请
    • CVD REACTOR/GAS CONVERTER AND ELECTRODE UNIT THEREFORE
    • CVD反应器/气体转换器和电极单元
    • WO2012031722A1
    • 2012-03-15
    • PCT/EP2011/004441
    • 2011-09-02
    • CENTROTHERM SITEC GMBHGRUNDMANN, Frank
    • GRUNDMANN, Frank
    • C23C16/08C23C16/24C23C16/44C23C16/509C23C16/448C23C16/458C01B33/035C23C16/46
    • C23C16/4401C01B33/035C23C16/08C23C16/24C23C16/4488C23C16/458C23C16/4585C23C16/46C23C16/509C30B25/105
    • A CVD reactor/gas converter, a process for vapor deposition or gas conversion and an electrode unit are described. The CVD reactor/gas converter comprises a casing, which forms a process chamber inside and comprises one casing wall having at least two feedthroughs. At least one pair of first electrode units spaced with respect to each other, which comprise at least one contact part located in the process chamber and a connection part extending through a corresponding feedthrough in the casing wall, as well as at least one pair of spaced second electrode units completely located inside the casing are provided. An electrically conductive bridge element connects the pair of second electrode units inside the casing. In the method for vapor deposition or gas conversion, a plurality of rods and connection elements or of rod pairs connected to each other is positioned in a process chamber in such a way that two first electrode units are electrically serially connected via the rods and the connection elements or via the rod pairs and at least one pair of the second electrode units. A desired gas atmosphere is adjusted inside the process chamber, and a voltage is applied to the two first electrode units, so as to achieve a current flow through the rods and connection elements or through the rod pairs. The electrode unit is provided for use in a CVD reactor/gas converter having a casing, which forms a process chamber inside and comprises a casing wall having at least one feedthrough. The electrode unit comprises an electrically conductive contact part, an electrically conductive connection part connected to the contact part and an electrically conductive plate element having a diameter, which is larger than the diameter of the feedthroughs. The plate element is fixable to the casing wall comprising the feedthroughs from the outside in such a way, that the plate element seals a corresponding feedthrough and directly or indirectly supports the connection part of the electrode unit in an electrically conductive manner.
    • 描述了CVD反应器/气体转换器,气相沉积或气体转化方法和电极单元。 CVD反应器/气体转换器包括壳体,其在内部形成处理室,并且包括具有至少两个馈通的一个壳体壁。 至少一对第一电极单元相对于彼此隔开,其包括位于处理室中的至少一个接触部分和延伸穿过壳体壁中的相应馈通件的连接部分,以及至少一对间隔开的 设置完全位于壳体内部的第二电极单元。 导电桥接元件将壳体内的一对第二电极单元连接起来。 在气相沉积或气体转化方法中,将彼此连接的多个杆和连接元件或杆对彼此定位在处理室中,使得两个第一电极单元通过杆电连接并连接 元件或经由杆对和至少一对第二电极单元。 在处理室内调节所需的气体气氛,并且向两个第一电极单元施加电压,以便实现通过杆和连接元件或通过杆对的电流。 提供电极单元用于具有壳体的CVD反应器/气体转换器,其在内部形成处理室,并且包括具有至少一个馈通的壳体壁。 电极单元包括导电接触部分,连接到接触部分的导电连接部分和具有大于馈通直径的直径的导电板元件。 板元件以这样的方式固定到包括来自外部的馈通的壳体壁,使得板元件密封相应的馈通,并以导电方式直接或间接地支撑电极单元的连接部分。