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1. 发明申请

WO2012010329A1 METHOD AND APPARATUS FOR IGNITING SILICON RODS OUTSIDE A CVD-REACTOR 审中-公开
标题翻译：用于在CVD反应器外点火的硅球的方法和装置
公开(公告)号：WO2012010329A1
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：PCT/EP2011/003724
申请日：2011-07-25
申请人： CENTROTHERM SITEC GMBH , VOLLMAR, Wilfried
发明人： VOLLMAR, Wilfried
IPC分类号： C01B33/035 , H02M5/22 , G05D23/19 , H02M5/12 , H02M5/25
CPC分类号： C23C16/24 , C01B33/035
摘要： A method and a device for igniting silicon rods outside a CVD-reactor for preparing silicon rods for subsequent processing in a CVD-reactor are described. In the method, a silicon rod is disposed inside an ignition device, and a first voltage is applied to the silicon rod by means of a first power supply unit, wherein the voltage is sufficient to ignite the silicon rod. Optionally, the silicon rod may be heated by means of a current flow and/or by means of an external heating unit to a temperature within a predetermined temperature range, thereafter. The silicon rod is removed from the ignition device and may be exposed to a depositing process inside a CVD-reactor, thereafter. The ignition of the silicon rod outside the CVD-reactor facilitates a new ignition for the depositing process. The device comprises a casing having a chamber for receiving at least one silicon rod. In the chamber, at least one pair of contact electrodes is arranged, in order to hold at least one silicon rod therebetween. Furthermore, a first power supply unit having at least one transformer is provided, wherein each output of the transformer is connected to one contacting electrode of a pair, respectively. The transformer comprises an open circuit voltage which is sufficiently high, in order to initialize a current flow in the silicon rod.
摘要翻译：描述了用于点燃CVD反应器外部的硅棒以制备用于在CVD反应器中进行后续处理的硅棒的方法和装置。在该方法中，将硅棒设置在点火装置的内部，并且通过第一电源单元向硅棒施加第一电压，其中电压足以点燃硅棒。任选地，硅棒可以通过电流和/或借助于外部加热单元加热至预定温度范围内的温度。硅棒从点火装置移除，然后暴露于CVD反应器内的沉积工艺。 CVD反应器外的硅棒点火有利于沉积过程的新点火。该装置包括具有容纳至少一个硅棒的腔室的壳体。在腔室中，布置有至少一对接触电极，以便在其间保持至少一个硅棒。此外，提供具有至少一个变压器的第一电源单元，其中变压器的每个输出分别连接到一对的一个接触电极。变压器包括足够高的开路电压，以便初始化硅棒中的电流。

2. 发明申请

WO2010121871A1 METHOD FOR MEASURING THE CONVERSION RATE DURING THE REACTION OF SILICON TETRACHLORIDE WITH HYDROGEN TO FORM TRICHLOROSILANE AND HYDROGEN CHLORIDE 审中-公开
标题翻译：用氢化硅氯化物与三氯硅烷和氢氯化物的反应测定转化率的方法
公开(公告)号：WO2010121871A1
公开(公告)日：2010-10-28
申请号：PCT/EP2010/053575
申请日：2010-03-18
申请人： CENTROTHERM SITEC GMBH , RISCHE, Daniel
发明人： RISCHE, Daniel
IPC分类号： C01B33/107
CPC分类号： C01B33/1071
摘要： The invention is related to a method for measuring the conversion rate of a reaction during the conversion of Silicon tetraxchloride with hydrogen to trichlorsilan and hydrogenchloride in a conversion reactor. It is an object of the invention to develop a method for measuring the conversion rate with a method which can be easily operated, requiring a low machine-aided effort and which is low failure and accident-sensitive. The method operates by measuring the amount of the reaction product hydrogenchloride formed during the conversion in the reactor by discharging a given sample of the reaction product hydrogenchloride from the gas mixture leaving the reactor in a given amount of a sample liquid and subsequent measuring of the pH value of the resulting aqueous Solution of the hydrogenchloride.
摘要翻译：本发明涉及一种在转化反应器中测量四氯化硅与氢气转化为三氯甲硅烷和氯化氢的反应转化率的方法。本发明的目的是开发一种用易于操作的方法来测量转换率的方法，需要较低的机器辅助力并且低故障和事故敏感性。该方法通过测量在反应器中转化期间形成的反应产物的氯化氢的量，通过从给出的量的样品液体离开反应器的气体混合物中排出来自反应产物的氯化氢的给定样品，随后测量pH 所得到的氯化氢水溶液的值。

3. 发明申请

WO2010049185A1 ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR PHASENANSCHNITT-STEUERUNG 审中-公开
标题翻译：安排和方法前沿控制
公开(公告)号：WO2010049185A1
公开(公告)日：2010-05-06
申请号：PCT/EP2009/058674
申请日：2009-07-08
申请人： CENTROTHERM SITEC GMBH , VOLLMAR, Wilfried
发明人： VOLLMAR, Wilfried
IPC分类号： H05B37/00
CPC分类号： H05B39/08 , G05F1/20 , H02M5/12 , H02M5/257
摘要： Der Erfindung, welche eine Anordnung und ein Verfahren zur Phasenanschnitt-Steuerung betrifft, liegt die Aufgabe zugrunde, eine Phasenanschnitt-Steuerung anzugeben, mit welcher der Aufwand und die Kosten bei der Herstellung und Funktionskontrolle vermindert werden. Diese Aufgabe wird anordnungsseitig dadurch gelöst, dass alle steuerbaren elektrischen Schaltmittel mit einem gemeinsamen Steller welcher einen ersten Eingang für ein erstes Steuersignal aufweist, verbunden sind. Die Aufgabe wird verfahrensseitig dadurch gelöst, dass der Sollwert einem Mittel zur Steuerung der steuerbaren elektrischer Schaltmittel als eine erste Eingangsgrösse vorgegeben wird, dass der jeweils durch ein Schaltmittel fliessende Strom gemessen und an das Mittel zur Steuerung der Schaltmittel als eine jeweilige zweite Eingangsgrösse übertragen wird, dass der aktuelle Wert der Spannung an der Last gemessen und an das Mittel zur Steuerung der Schaltmittel als eine dritte Eingangsgrösse übertragen wird, und dass das Mittel zur Steuerung der Schaltmittel gesteuert durch die erste, zweite und dritte Eingangsgrösse alle Schaltmittel steuert, wobei maximal zwei Schaltmittel gleichzeitig aktiv sind.
摘要翻译：本发明，其涉及一种装置和用于相位控制的方法，其目的是提供与该复杂度和成本可以在生产和功能控制来降低相位控制。这个目的是通过排列侧所有可控电气开关装置具有用于与公共控制器的第一控制信号的第一输入解决，被连接。对象是该方法，解决了，所述设定值是用于控制可控电气开关装置的装置设置为被测量在每种情况下流动的电流由一个开关装置和传送到用于控制该开关装置作为一个相应的第二输入变量的装置的第一输入值，该电压的当前值在负载被测量并且传送到用于控制开关装置的装置作为第三输入变量，并且用于控制开关装置的装置由所述第一，第二和第三输入可变控制所有的开关装置，控制其中一个最大的两个开关装置同时激活。

4. 发明申请

WO2011116990A1 ELECTRODE ARRANGEMENT 审中-公开
标题翻译：电极装置
公开(公告)号：WO2011116990A1
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：PCT/EP2011/001552
申请日：2011-03-28
申请人： CENTROTHERM SITEC GMBH , HAAGA, Jürgen , LECK, Michael
发明人： HAAGA, Jürgen , LECK, Michael
IPC分类号： C23C16/24 , C23C16/458 , C23C16/509 , C01B33/035 , H01J37/32
CPC分类号： C23C16/24 , C01B33/035 , C23C16/458 , C23C16/509 , H01J37/32 , H01J37/3255
摘要： An electrode arrangement for use in a CVD-reactor/converter and CVD-reactors/converters are described. The electrode arrangement has a shaft portion of an electrically conducting material, a head portion of an electrically conducting material, which is connected to the shaft portion in an electrically conducting manner, which head portion has a seal surface axially facing towards the shaft portion and a biasing unit. The biasing unit has at least one elastic element and an adjustment unit which may be coupled to the shaft portion, wherein the adjustment unit comprises adjustment means which are capable of compressing the elastic element between two counter surfaces, such that a restoring force of the elastic element acts in an axial direction of the shaft portion, in order to bias the axially facing seal surface at the head portion against a counter seal surface. The CVD-reactor/converter has a process chamber defining a process space, the process chamber comprising at least one through opening in its floor in which an electrode arrangement is received, such that the head portion is at least partially received in the process space, and the shaft portion is at least partially received in the through opening and is arranged outside the process space. The electrode arrangement may be of the above described type or of the type having a shaft portion of a first, electrically conducting material and a head portion of a second, electrically conducting material, wherein the head portion is completely made from the second electrically conducting material, which differs from the first material and which does not negatively influence the process within the CVD-reactor/converter, and wherein the head portion is removably attached in an electrically conducting manner on a first end of the shaft portion.
摘要翻译：描述了用于CVD反应器/转换器和CVD反应器/转换器的电极装置。电极装置具有导电材料的轴部分，导电材料的头部，其以导电方式连接到轴部分，该头部具有轴向面向轴部的密封表面和偏置单元。偏置单元具有至少一个弹性元件和可联接到轴部分的调节单元，其中调节单元包括能够在两个相对表面之间压缩弹性元件的调节装置，使得弹性元件的恢复力元件作用在轴部分的轴向方向上，以便将头部上的轴向面对的密封表面偏压抵靠对置密封表面。 CVD反应器/转换器具有限定处理空间的处理室，处理室包括其底部中的至少一个通孔，其中容纳电极装置，使得头部至少部分地被接收在处理空间中，并且所述轴部至少部分地被容纳在所述通孔中并且布置在所述处理空间的外部。电极布置可以是上述类型或具有第一导电材料的轴部分和第二导电材料的头部的类型，其中头部完全由第二导电材料制成，其与第一材料不同，并且不会对CVD反应器/转换器内的工艺产生负面影响，并且其中头部部分以导电的方式可拆卸地附接在轴部分的第一端上。

5. 发明申请

WO2013064229A2 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM ANLEGEN EINER SPANNUNG AN EINE VIELZAHL VON SILIZIUMSTÄBEN IN EINEM CVD-REAKTOR 审中-公开
标题翻译：设备和方法产生电压硅棒的各种CVD反应器
公开(公告)号：WO2013064229A2
公开(公告)日：2013-05-10
申请号：PCT/EP2012/004483
申请日：2012-10-26
申请人： CENTROTHERM SITEC GMBH , VOLLMAR, Wilfried , GRUNDMANN, Frank
发明人： VOLLMAR, Wilfried , GRUNDMANN, Frank
IPC分类号： H02M5/12
CPC分类号： C23C16/24 , C23C16/4418 , H02M5/12 , H02M5/257
摘要： Es ist eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Anlegen einer Spannung an eine Vielzahl von Siliziumstäben in einem CVD-Reaktor beschrieben. Es sind jeweils eine Reihenschaltung, in der die Siliziumstäbe als Widerstände einsetzbar sind, wenigstens eine erste, wenigstens eine zweite und wenigstens eine dritte Stromversorgungseinheit sowie wenigstens eine Kurzschlusseinrichtung vorgesehen. Die Kurzschlusseinheit ist geeignet steuerbar die äußeren Enden der Reihenschaltung miteinander und mit Erde zu verbinden. Ferner ist wenigstens eine Steuereinheit zum Steuern der ersten, zweiten und dritten Stromversorgungseinheiten sowie der Kurzschlusseinrichtung vorgesehen, wobei die erste Stromversorgungseinheit eine Vielzahl von ersten Transformatoren aufweist, deren Ausgänge jeweils mit wenigstens einem Siliziumstab in der Reihe verbunden sind, wobei die zweite Stromversorgungseinheit eine Vielzahl von zweiten Transformatoren aufweist, deren Ausgänge jeweils mit wenigstens derselben Anzahl von Siliziumstäben wie die ersten Transformatoren in der Reihe verbunden sind, und zwar parallel zu einem oder mehreren der ersten Transformatoren, und wobei die dritte Stromversorgungseinheit Ausgänge aufweist, die mit der Reihe von Siliziumstäben verbunden sind, und zwar parallel zu den ersten und zweiten Transformatoren. Die Kurzschlusseinrichtung weist eine die äußeren Enden der Reihenschaltung verbindende Leitung auf, in der wenigstens ein Widerstand oder eine Sekundärseite eines Transformators und wenigstens ein Schalter vorgesehen sind. Die Steuereinheit ist mit wenigstens einem Strommesser zum Messen eines Stromflusses durch den Widerstand oder einem Spannungsmesser zum Messen einer Spannung an der Primärseite des Transformators verbunden.
摘要翻译：它是用于将电压施加到在所述的CVD反应器中的多个硅棒的设备和方法。在每种情况下的串联电路，其中所述的硅棒被用作电阻器，至少一个第一，至少一个第二和至少一个第三供电单元和至少一个短路设备被提供。所述短路单元适于可控地连接的串联电路的外端部和到一起接地。此外，用于控制第一，第二和第三电源装置和短路装置的控制单元至少被设置，其中所述第一电源单元包括多个第一变压器，其输出是各自与至少一个硅棒连接在所述系列中，其中，所述第二电源单元包括多个的具有第二变压器，它们的输出分别连接到至少相同数量的硅棒作为系列中的第一变压器，并且其中所述第三电源单元包括与一个或更多个第一变压器的并联，并且其输出端连接到硅棒的数量平行于第一和第二变压器。短路装置具有的串联电路的连接线，电阻器或变压器的次级侧和至少一个开关的外端部在所述至少提供。所述控制单元被连接到至少一个电流表，用于测量通过该电阻或电流流动为在变压器的初级侧测量的电压的电压表。

6. 发明申请

WO2012048905A1 CRUCIBLE FOR SILICON AND CRUCIBLE ARRANGEMENT 审中-公开
标题翻译：可溶于硅和巧克力布置
公开(公告)号：WO2012048905A1
公开(公告)日：2012-04-19
申请号：PCT/EP2011/005210
申请日：2011-10-17
申请人： CENTROTHERM SITEC GMBH , HUSSY, Stephan , PROKOPENKO, Oleksandr , HOESS, Christian
发明人： HUSSY, Stephan , PROKOPENKO, Oleksandr , HOESS, Christian
IPC分类号： C30B11/00 , C30B29/06
CPC分类号： C30B11/002 , C30B11/003 , C30B29/06
摘要： A crucible for silicon is disclosed, comprising a bottom and at least eight outer side wall sections, which confine a receiving space having an octagonal cross-section. Furthermore, a crucible arrangement for silicon is disclosed, which comprises the above described crucible and an inner side wall element centered with respect to the receiving space, such as to form an annular space, together with the outer side wall sections. Additionally, an optional partition unit for a crucible for silicon is also de- scribed, wherein the partition unit comprises at least one partition element fitted to the shape of the receiving space/annular space, in order to separate the receiving space/annular space into at least two compartments.
摘要翻译：公开了一种用于硅的坩埚，其包括底部和至少八个外侧壁部分，其限制具有八边形横截面的容纳空间。此外，公开了一种用于硅的坩埚装置，其包括上述坩埚和相对于容纳空间居中的内侧壁元件，以及与外侧壁部分一起形成环形空间。此外，还描述了用于硅的坩埚的可选分隔单元，其中分隔单元包括装配到接收空间/环形空间的形状的至少一个分隔元件，以便将接收空间/环形空间分离成至少两个隔间。

7. 发明申请

WO2011157382A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM HERSTELLEN VON POLYKRISTALLINEN SILIZIUMBLÖCKEN 审中-公开
标题翻译：方法和设备制备多晶硅的积木
公开(公告)号：WO2011157382A1
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：PCT/EP2011/002858
申请日：2011-06-10
申请人： CENTROTHERM SITEC GMBH , HUSSY, Stephan , HOESS, Christian
发明人： HUSSY, Stephan , HOESS, Christian
IPC分类号： C03B11/00 , C30B11/04 , C30B29/06
CPC分类号： F27B14/04 , C01B33/021 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B11/04 , C30B29/06
摘要： Die Anmeldung beschreibt eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen eines polykristallinen Siliziumblocks, in einem in einer Prozesskammer angeordneten Schmelztiegel, der mit Siliziummaterial befüllt ist. Das Siliziummaterial wird im Schmelztiegel aufgeschmolzen um eine Siliziumschmelze zu bilden und wird anschließend unter die Erstarrungstemperatur des Siliziums abgekühlt. Während eines Abschnitts des Prozesses kann ein in der Prozesskammer befindliches, eine Durchgangsöffnung aufweisendes Plattenelement über der Siliziumschmelze angeordnet sein/werden und im Schmelztiegel unter die Erstarrungstemperatur der Siliziumschmelze; und eine Gasströmung wenigstens teilweise über die wenigstens eine Durchgangsöffnung in dem Plattenelement auf die Oberfläche der Siliziumschmelze gerichtet werden. Alternativ sind ein Verfahren und eine Schmelztiegelanordnung bestehend aus einem Schmelztiegel und einem Haltering beschrieben. Der Haltering kann auf oder oberhalb eines mit Siliziummaterial befüllten Schmelztiegel platziert werden, sodass zusätzliches Siliziummaterial derart in dem Haltering aufgenommen werden kann, dass das zusätzliche Siliziummaterial durch den Haltering oberhalb des Schmelztiegels gehalten wird. Beim Aufheizen des Siliziummaterials im Schmelztiegel und des zusätzlichen Siliziummaterials im Haltering wird eine Siliziumschmelze im Schmelztiegel gebildet die anschließend unter die Erstarrungstemperatur des Siliziums abgekühlt werden kann.
摘要翻译：该申请描述了一种装置和用于生产多晶硅锭，在设置于该坩埚，其填充有硅材料的处理腔室的气缸的方法。硅材料在坩埚中熔化到硅熔体中，以形成并随后冷却至低于硅的固化温度。在该过程的一部分可以在处理室中的玩具可以是位于硅熔体之上的通孔参展板构件/是在坩埚和下面的硅熔体的凝固温度; 和气体流至少部分地由通道开口在板构件上的至少所述硅熔体的表面被引导。可替代地，一种方法和一种坩埚组件被描述，由坩埚和一个保持环。保持环可以被放置在或高于填充有硅材料的坩埚，使得额外的硅材料可以在保持环内被接收，该额外的硅材料通过坩埚上方的保持环保持。期间在所述坩埚和在所述保持环的额外的硅材料中的硅材料的加热，形成在其然后可以低于硅的固化温度冷却所述坩埚的硅熔体。

8. 发明申请

WO2010115542A1 CLAMPING AND CONTACTING DEVICE FOR THIN SILICON RODS 审中-公开
标题翻译：用于薄硅棒的夹紧和接触装置
公开(公告)号：WO2010115542A1
公开(公告)日：2010-10-14
申请号：PCT/EP2010/001985
申请日：2010-03-29
申请人： CENTROTHERM SITEC GMBH , STUBHAN, Frank , LECK, Michael
发明人： STUBHAN, Frank , LECK, Michael
IPC分类号： C01B33/02
CPC分类号： C01B33/035 , C23C16/24 , C30B13/285
摘要： A clamping and contacting device for mounting and electrically contacting thin silicon rods in silicon deposition reactors is disclosed, the clamping and contacting device having a rod holder for receiving one end of a thin silicon rod. The rod holder comprises at least three contact elements disposed around a receiving space for the thin silicon rod. Each of the contact elements forms a contact surface facing towards a receiving space for electrically and mechanically contacts the thin silicon rod, wherein the contact surfaces of adjacent contact elements are spaced apart.
摘要翻译：公开了一种用于在硅沉积反应器中安装和电接触薄硅棒的夹紧和接触装置，夹紧和接触装置具有用于容纳薄硅棒的一端的杆保持器。棒保持器包括围绕用于薄硅棒的容纳空间设置的至少三个接触元件。每个接触元件形成面向容纳空间的接触表面，用于电和机械地接触薄硅棒，其中相邻接触元件的接触表面间隔开。

9. 发明申请

WO2013053495A1 BESCHICHTUNG FÜR EIN REAKTORGEFÄSS UND BESCHICHTUNGSVERFAHREN 审中-公开
标题翻译：涂料的反应容器和涂装工艺
公开(公告)号：WO2013053495A1
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：PCT/EP2012/004285
申请日：2012-10-12
申请人： CENTROTHERM SITEC GMBH , VOLLMAR, Wilfried
发明人： VOLLMAR, Wilfried
IPC分类号： C23C16/24 , C01B33/035 , C23C16/44
CPC分类号： C23C16/24 , B01J19/02 , B01J2219/00236 , C23C16/4404 , F28F13/18 , F28F2245/06
摘要： Bei einem Reaktor für die Abscheidung von Silizium aus der Gasphase mit einem Reaktorgefäß mit einer Innenfläche, die zumindest teilweise einen Prozessraum begrenzt, und einer Beschichtung auf wenigstens einem Teil der Innenfläche des Reaktorgefäßes kann eine Kostenreduzierung bei der Herstellung erreicht werden, indem eine Beschichtung vorgesehen wird, die eine erste Schicht aufweist, die wenigstens in einem oberen Bereich auf der Innenfläche des Reaktorgefäßes aufgebracht ist, die einen höheren Reflexionsgrad für Wärmestrahlung hat als die unbeschichtete Innenfläche des Reaktorgefäßes, und eine zweite Schicht, die in einem unteren Bereich der Innenfläche des Reaktorgefäßes aufgebracht ist, die einen höheren Reflexionsgrad für Wärmestrahlung hat als die unbeschichtete Innenfläche des Reaktorgefäßes. Die zweite Schicht ist wesentlich dicker als die erste Schicht. Ein Verfahren zur Herstellung der Beschichtung wird ebenfalls beschrieben. Der Reaktor ist dennoch robust und weist eine lange Lebensdauer auf.
摘要翻译：在用于硅的从气相中使用具有内表面至少部分地限定处理室中的反应器容器中，并且至少在所述反应器容器的内表面的一部分上的涂层，以降低制造成本的沉积的反应器可以通过提供一个涂层来实现具有第一层，其至少在其上部施加的反应器容器，其具有比所述反应器容器的未涂覆内表面的热辐射的反射率高的内表面上，并且这是在反应器容器的内表面的下部施加的第二层为，比所述反应器容器的未涂覆的内表面的热辐射的反射率高。所述第二层比所述第一层基本上厚。一种用于涂料的制备方法也被描述。该反应器是依然强劲，并具有很长的使用寿命。

10. 发明申请

WO2012031776A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM HERSTELLEN VON SILIZIUM 审中-公开
标题翻译：方法和设备硅的生产
公开(公告)号：WO2012031776A1
公开(公告)日：2012-03-15
申请号：PCT/EP2011/004559
申请日：2011-09-09
申请人： CENTROTHERM SITEC GMBH , GRUNDMANN, Frank , HUSSY, Stefan
发明人： GRUNDMANN, Frank , HUSSY, Stefan
IPC分类号： C01B33/035 , C30B11/00
CPC分类号： C01B33/035
摘要： Es ist ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Herstellen von Silizium, insbesondere ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Herstellen eines Siliziumingots beschrieben. Bei dem Verfahren zum Herstellen von Silizium sind die folgenden Schritte vorgesehen: Einleiten eines Silane enthaltenden Prozessgases in eine Prozesskammer, Erwärmen wenigstens eines innerhalb der Prozesskammer angeordneten ersten, aktiv beheizbaren Elements mittels Widerstandsheizung oder ein innerhalb des ersten Elements liegenden Heizelements auf eine erste Temperatur, die in einem Temperaturbereich liegt, bei dem sich aus dem Prozessgas Silizium auf dem wenigstens einen Element abscheidet, um eine Siliziumschicht hierauf auszubilden, Erwärmen wenigstens eines innerhalb der Prozesskammer benachbart zu dem wenigstens einen ersten Element angeordneten zweiten, passiv beheizbaren Elements durch das wenigstens eine erste Element auf eine erste Temperatur, die in einem Temperaturbereich liegt, bei dem sich aus dem Prozessgas Silizium auf dem wenigstens einen zweiten Element abscheidet, um eine Siliziumschicht hierauf auszubilden, anschliessendes Erwärmen des wenigstens einen ersten Elements, des wenigstens einen zweiten Elements und/oder der darauf ausgebildeten Siliziumschicht auf eine zweite, höhere Temperatur, die in einem Temperaturbereich liegt, bei dem die Siliziumschicht wenigstens teilweise schmilzt und von dem wenigstens einen ersten und zweiten Element in flüssiger Form abfliesst, und Sammeln des flüssigen Siliziums. Die Vorrichtung zum Herstellen von Silizium, weist folgendes auf: wenigstens eine erste Prozesskammer, wenigstens ein in der Prozesskammer angeordnetes erstes, aktiv beheizbares Element, wenigstens eine steuerbare Heizvorrichtung die geeignet ist, das wenigstens eine erste Element aktiv mittels Widerstandsheizung oder ein innerhalb des ersten Elements liegende Heizeinheit auf erste und/oder zweite Temperaturen zu erwärmen, wobei die erste Temperatur in einem Temperaturbereich liegt, bei dem sich Silizium aus einem Silane enthaltenden Prozessgas auf dem wenigstens einen Element abscheiden kann, um eine Siliziumschicht hierauf auszubilden, und wobei die zweite Temperatur in einem Temperaturbereich liegt, bei dem eine auf dem wenigstens einen Element ausgebildete Siliziumschicht wenigstens teilweise schmilzt und von dem wenigstens einen Element in flüssiger Form abfliesst, wenigstens ein in der Prozesskammer benachbart zum wenigstens einen ersten Element angeordnetes zweites, passiv beheizbares Element, das durch das erste Element auf die erste und/oder zweite Temperatur erwärmbar ist, und wenigstens eine Anordnung zum kontrollierten Sammeln und/oder Ableiten von flüssigen Silizium, dass von dem wenigstens einen Element abfliesst.
摘要翻译：它是一种方法和一种用于制造所述的硅锭的方法和设备制造硅，特别是一种装置。在制造硅的方法中，步骤：将含硅烷的工艺气体到处理腔室中，加热的至少内处理腔室设置的第一，活性可加热元件通过加热或位于第一部件内的加热元件至第一温度时，电阻的手段是在从所述至少一个构件上的过程气体的硅分离而在其上形成硅层的温度范围内，加热邻近所述至少一个第一元件的至少一个通过所述至少一个第一元件排列的第二，被动可加热元件在处理室内到第一温度，其位于其中从工艺气体中分离的所述至少一个第二硅构件上以在其上形成硅层的温度范围内，然后加热所述至少一个第一封 lements，所述至少一个第二元件和/或在其上的硅层到第二，更高的温度，这是在其中硅层至少部分地熔化并流出液体形式的至少一个第一和第二元件中的一个温度范围内形成，并且收集的液体硅。用于生产硅的设备，包括：至少一个第一处理室，至少一个被布置在所述处理室中的第一，主动可加热元件，至少一个可控制的加热装置，其适于电阻加热的至少一个第一元件主动装置或所述第一元件的内部对第一和/或第二温度，其中所述第一温度是在该硅可以制成在含有处理气体的硅烷的一个温度范围内的至少沉积构件在其上形成硅层加热的基础加热装置，并且其中所述第二温度在的温度范围内，其中至少部分熔化所述至少一个元件形成的硅层和流出液体形式的至少一种元素的，至少一个在至少一个第一元件处理室相邻设置的第二，被动储量这是由第一元件加热至第一和/或第二温度和至少一个设备，用于受控的收集和/或液体硅排出流从所述至少一个元件远eizbares元件。

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