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1. 发明申请

WO2011131429A1 FLÄCHENLICHTLEITER, LEUCHTE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES FLÄCHENLICHTLEITERS 审中-公开
标题翻译： AREA导光板，用于生产面积上的光头灯和方法
公开(公告)号：WO2011131429A1
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：PCT/EP2011/053992
申请日：2011-03-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRICK, Peter , HILLER, Uli , KAISER, Stephan , KUHN, Gerhard , MARKYTAN, Ales , MUSCHAWECK, Julius , NEUGIRG, Christian
发明人： BRICK, Peter , HILLER, Uli , KAISER, Stephan , KUHN, Gerhard , MARKYTAN, Ales , MUSCHAWECK, Julius , NEUGIRG, Christian
IPC分类号： F21V8/00 , G02B6/00
CPC分类号： G02B6/006 , G02B6/0041 , G02B6/0065
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des Flächenlichtleiters (1) weist dieser zumindest eine als Abstrahlfläche gestaltete Hauptseite (2) sowie mindestens einen ersten Bereich (11) und mindestens einen zweiten Bereich (22) auf. In Draufsicht auf die Hauptseite (1) gesehen sind der erste (11) und der zweite Bereich (22) benachbart angeordnet. Ein mittlerer Lichtauskoppelkoeffizient des zweiten Bereichs (22) ist um mindestens einen Faktor 2 von einem mittleren Lichtauskoppelkoeffizienten des ersten Bereichs (11) verschieden. Für den ersten (11) und den zweiten Bereich (22) beträgt, jeweils in einer Richtung senkrecht zu der Hauptseite (2) gesehen, ein Trübheitswert höchstens 0,15 und ein Transmissionskoeffizient mindestens 0,70.
摘要翻译：在此表面上的光导向装置（1）中的至少一个实施方案中具有至少一个构造为辐射主（2）和至少一个第一区域（11）和至少一个第二区域（22）。第一（11）和在主侧（1）俯视图所见的第二区域（22）相邻布置。 Lichtauskoppelkoeffizient第二区域（22）的介质是通过至少一个从第一区（11）的中间Lichtauskoppelkoeffizienten 2的倍数不同。对于第一个（11）和第二区域（22）在每种情况下在垂直的方向上看到的至多0.15的浊度值和至少0.70的透射系数的主面（2）。

2. 发明申请

WO2011037570A8 LIGHT-EMITTING DIODE AND METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING DIODE 审中-公开
标题翻译：发光二极管和制造发光二极管的方法
公开(公告)号：WO2011037570A8
公开(公告)日：2011-06-23
申请号：PCT/US2009058305
申请日：2009-09-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , NGUYEN FRANCIS , MCNATT JOHN , BRICK PETER , WEBER-RABSILBER SVEN
发明人： NGUYEN FRANCIS , MCNATT JOHN , BRICK PETER , WEBER-RABSILBER SVEN
IPC分类号： G09G3/32
CPC分类号： H05B33/0851 , G09G3/3406 , G09G2320/041 , G09G2320/0633 , G09G2320/064 , G09G2360/145 , H05B33/0824 , H05B33/089
摘要： A light-emitting diode includes at least one light-emitting diode chip, at least one control device, wherein each of the light-emitting diode chips is electrically connected to one of said at least one control devices, each of said at least one control devices comprises a data storage device in which brightness data for each light- emitting diode chip which is connected to said control device is stored, and the control device drives the connected light-emitting diode chip with a current which is selected according to stored brightness data for said light erniturig-diode chip.
摘要翻译：发光二极管包括至少一个发光二极管芯片，至少一个控制装置，其中每个发光二极管芯片电连接到所述至少一个控制装置中的一个，所述至少一个控制装置设备包括数据存储装置，在该数据存储装置中存储与所述控制装置连接的每个发光二极管芯片的亮度数据，并且控制装置以根据存储的亮度数据选择的电流驱动连接的发光二极管芯片用于所述发光二极管芯片。

3. 发明申请

WO2009039808A3 METHOD FOR PRODUCING A RADIATION-EMITTING COMPONENT AND RADIATION-EMITTING COMPONENT 审中-公开
标题翻译：用于生产辐射发光元件和辐射分量
公开(公告)号：WO2009039808A3
公开(公告)日：2009-10-15
申请号：PCT/DE2008001377
申请日：2008-08-18
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRICK PETER
发明人： BRICK PETER
IPC分类号： H01S5/40 , H01S5/00 , H01S5/10 , H01S5/20 , H01S5/22
CPC分类号： H01S5/4043 , H01S5/0035 , H01S5/1064 , H01S5/2004 , H01S5/22 , H01S5/3095 , H01S2301/18 , H01S2301/206
摘要： A method for producing a radiation-emitting component (1) is provided. A radiation characteristic in the far field is specified. From the predetermined radiation characteristic a refractive index profile is determined for the radiation-emitting component (1) in a direction extending perpendicular to a primary radiation direction of the component. A design for the component is determined such that the component has the previously determined refractive index profile. The component (1) is configured in accordance to the previously determined design. Furthermore, a radiation-emitting component is provided.
摘要翻译：提供了一种制造发射辐射的元件（1）的方法。在远场中的辐射被设置。从预定辐射图案，所述辐射发射元件（1）的折射率分布是在沿垂直于部件的方向的主发射方向确定。被确定用于所述部件的结构，使得组件具有先前确定的折射率分布。组分（1）被形成在按照预定的结构。此外，发射辐射的元件被指定。

4. 发明申请

WO2008000243A3 SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR BODY WITH VERTICAL EMISSION DIRECTION AND STABILISED EMISSION WAVELENGTH 审中-公开
标题翻译：具有垂直发射方向与REGULATED发射波长的面发光半导体BODY
公开(公告)号：WO2008000243A3
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：PCT/DE2007001148
申请日：2007-06-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRICK PETER , DIEHL WOLFGANG , LUTGEN STEPHAN
发明人： BRICK PETER , DIEHL WOLFGANG , LUTGEN STEPHAN
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/14 , H01S3/109 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/068 , H01S5/18358 , H01S5/18383
摘要： A surface emitting semiconductor body with vertical emission direction is disclosed, for use with a resonator and comprising a semiconductor layer sequence with an active region, wherein the semiconductor body has a wavelength stabilising form such that a peak wavelength of the radiation generated in the active region in a given operating range for the semiconductor body is stabilised against changes in output power of the radiation generated in the active region.
摘要翻译：提供了一种表面发射半导体本体具有垂直发射方向，这提供了一种用于操作具有谐振器和包括具有有源区，其中，在形成在半导体本体中的半导体层序列这样的波长稳定，即在一个预定的在有源区中产生的辐射的峰值波长在半导体本体的运行范围是稳定的对在有源区中产生的辐射的输出功率的变化。

5. 发明申请

WO2005048424A1 MONOLITHISCHER OPTISCH GEPUMPTER VCSEL MIT SEITLICH ANGEBRACHTEM KANTENEMITTER 审中-公开
标题翻译：带侧连接棱边发射单片光泵VCSEL
公开(公告)号：WO2005048424A1
公开(公告)日：2005-05-26
申请号：PCT/DE2004/002477
申请日：2004-11-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ALBRECHT, Tony , BRICK, Peter , LUTGEN, Stephan
发明人： ALBRECHT, Tony , BRICK, Peter , LUTGEN, Stephan
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/041 , H01S5/026 , H01S5/0425 , H01S5/14 , H01S5/183 , H01S5/209 , H01S5/4031 , H01S5/4056
摘要： Die Erfindung betrifft eine Halbleiterlaservorrichtung mit einem optisch gepumpten, oberflächenemittierenden Vertikalemitterbereich (2), der eine aktive strahlungserzeugende Vertikalemitterschicht (3) aufweist und mindestens eine monolithisch integrierte Pumpstrahlungsquelle (5) zum optischen Pumpen des Vertikalemitterbereichs (2), die eine aktive strahlungserzeugende Pumpschicht (6) aufweist. Erfindungsgemäß ist die Pumpschicht (6) der Vertikalemitterschicht (3) in vertikaler Richtung nachgeordnet und es ist eine leitende Schicht (13) zwischen der Vertikalemitterschicht (3) und der Pumpschicht (6) vorgesehen. Weiterhin ist auf der Seite der Halbleiterlaservorrichtung, die sich näher an der Pumpschicht (6) als an der leitenden Schicht (13) befindet, ein Kontakt (9) aufgebracht. Zwischen diesem Kontakt (9) und der leitenden Schicht (13) ist ein elektrisches Feld zur Erzeugung von Pumpstrahlung (7) durch Ladungsträgerinjektion anlegbar.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体激光装置与光泵浦表面发射（2）具有活性产生辐射的垂直发射层（3）垂直射极区和至少一个单片集成泵浦辐射源（5），用于光学泵浦所述垂直发射极区域（2），活性放射线产生泵层（6 ）了。根据本发明的垂直发射层（3）的泵层（6）在垂直方向的下游侧布置并且在垂直发射层（3）和泵层（6）之间的导电层（13）。此外，（9）接触是在半导体激光装置，其位于比所施加的导电层（13）更靠近所述泵层（6）的一侧。该接触（9）和导电层（13）之间的是用于通过载流子注入来产生泵浦辐射（7）可以被施加电场。

6. 发明申请

WO2011039005A1 LED-VERKEHRSSIGNAL 审中-公开
标题翻译： LED交通信号灯
公开(公告)号：WO2011039005A1
公开(公告)日：2011-04-07
申请号：PCT/EP2010/062415
申请日：2010-08-25
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH , BRICK, Peter
发明人： BRICK, Peter
IPC分类号： G09F9/33 , G08G1/095
CPC分类号： G09F9/33
摘要： Es wird ein LED-Verkehrssignal angegeben, das mindestens eine LED-Lichtquelle (10) mit mehreren oberflächenmontierbaren LEDs (1) umfasst. Den Lichtaustrittsflächen (2) der LEDs (1) ist eine Vorkollimiereinheit (3) nachgeordnet. Weiterhin umfasst das LED-Verkehrssignal eine der Vorkollimiereinheit (3) nachgeordnete Kollimiereinheit (5). Die Anzahl der oberflächenmontierbaren LEDs (1) der LED-Lichtquelle (10) beträgt nicht mehr als fünf.
摘要翻译：本发明提供一种LED交通信号灯，其包括至少一个LED光源（10），其具有多个表面安装LED（1）。所述光出射面（2）发光二极管（1）之后是Vorkollimiereinheit（3）。此外，LED交通信号灯包括：（3），布置准直器单元（5）下游的Vorkollimiereinheit之一。 LED光源（10）的表面安装的LED（1）的数目不超过五个。

7. 发明申请

WO2010048921A2 LUMINESCENT DIODE CHIP 审中-公开
标题翻译： LED芯片
公开(公告)号：WO2010048921A2
公开(公告)日：2010-05-06
申请号：PCT/DE2009001436
申请日：2009-10-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRICK PETER , LUCKNER HAGEN , SABATHIL MATTHIAS
发明人： BRICK PETER , LUCKNER HAGEN , SABATHIL MATTHIAS
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/387 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A luminescent diode chip is disclosed which comprises a series of semiconductor layers, including an active layer suitable for generating electromagnetic radiation, and a first electrical connection layer that touches and contacts the series of semiconductor layers in an electrically conducting manner. The first electrical connection layer touches and contacts the series of semiconductor layers especially by means of a plurality of contact surfaces. Said luminescent diode chip specifically has a non-homogeneous current density distribution or current distribution in the series of semiconductor layers as a result of a non-homogeneous distribution of a mass per unit area of the contact surfaces along a main direction in which the series of semiconductors extends.
摘要翻译：本发明提供一种LED芯片。这包括半导体层序列，其包括适合于产生电磁辐射有源层的装置，并且第一电连接层，其接触半导体层序列和导电接触。第一电连接层接触并且接触半导体层序列，尤其是具有多个接触表面。在LED芯片中，半导体层序列中的不均匀的电流密度分布或电流分布选择性地被接触面的表面密度的沿着半导体层序列的主延伸平面的不均匀分布调整。

8. 发明申请

WO2010034281A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL 审中-公开
标题翻译： OPTO电子元件
公开(公告)号：WO2010034281A1
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：PCT/DE2009/001228
申请日：2009-09-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRICK, Peter , ZITZLSPERGER, Michael , WEBER-RABSILBER, Sven
发明人： BRICK, Peter , ZITZLSPERGER, Michael , WEBER-RABSILBER, Sven
IPC分类号： G08G1/095 , G09F9/33 , H01L25/075 , H01L33/60
CPC分类号： H01L33/60 , G09F27/008 , H01L33/58 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauteil (10) angegeben, mit - zumindest einem Lumineszenzdiodenchip (1), der im Betrieb des optoelektronischen Bauteils elektromagnetische Strahlung (2) emittiert, - zumindest einer Abschirmung (3) gegen Fremdstrahlung (4), welche den Lumineszenzdiodenchip (1) nur stellenweise seitlich umgibt, wobei - jede Abschirmung (3) einstückig mit einer Komponente (20, 30, 40, 50) des optoelektronischen Bauteils (10) ausgebildet ist.
摘要翻译：本发明提供的光电元件（10），具有： - 至少一个LED芯片（1），其光电子器件（2）的操作过程中发射电磁辐射， - 至少一个屏蔽（3）从外部辐射（4），其（LED芯片1 ）仅部分地围绕侧面，其中 - 形成各屏蔽部（3）是具有部件（20，30，40，（50积分）的光电子器件10）的。

9. 发明申请

WO2010000232A1 OPTOELEKTRONISCHE VORRICHTUNG ZUR REDUZIERUNG VON ABSCHATTUNGSEFFEKTEN DER ELEKTRODEN DURCH KONZENTRATOREN 审中-公开
标题翻译：亚光电子装置以降低率先通过阴影集中
公开(公告)号：WO2010000232A1
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：PCT/DE2009/000882
申请日：2009-06-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRICK, Peter , MUSCHAWECK, Julius , FRANK, Joachim
发明人： BRICK, Peter , MUSCHAWECK, Julius , FRANK, Joachim
IPC分类号： H01L31/052 , H01L33/00 , H01L31/0224
CPC分类号： G02B19/0028 , F21K9/60 , G01J1/0411 , G01J1/0422 , H01L31/022408 , H01L31/022433 , H01L31/0547 , H01L33/38 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , Y02E10/52 , H01L2924/00
摘要： Es wird eine optoelektronische Vorrichtung (1) angegeben, die eine optische Einrichtung (3) mit einer optischen Struktur (4), die mehrere optische Elemente (4a) aufweist, sowie einen Strahlung emittierenden oder Strahlung empfangenden Halbleiterchip (2) mit einer Kontaktstruktur (6), die mehrere Kontaktelemente (6a) zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips (2) aufweist und von der optischen Struktur (4) vertikal beabstandet ist, umfasst, wobei die Kontaktelemente (6a) bei einer Projektion der Kontaktstruktur (6) in die Ebene der optischen Struktur (4) in Zwischenräumen zwischen den optischen Elementen (4a) angeordnet sind.
摘要翻译：本发明提供一种光电器件（1），该光学装置（3）与（4），其具有多个光学元件（4a）的光学结构，和一个发射辐射的或（2）具有一个接触结构辐射接收半导体芯片（6 ），具有多个接触元件（6a）在半导体芯片（2）和（4光学结构的电接触的）的垂直间隔的，其中在光学平面中的接触元件（6a）中的接触结构（6）的投影结构（4）中的光学元件（4A）之间的空间被设置。

10. 发明申请

WO2009082999A3 EDGE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER CHIP HAVING A STRUCTURED CONTACT STRIP 审中-公开
标题翻译：边缘发射半导体激光器芯片具有结构化STRIP
公开(公告)号：WO2009082999A3
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：PCT/DE2008002131
申请日：2008-12-18
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KOENIG HARALD , LAUER CHRISTIAN , BRICK PETER , SCHMID WOLFGANG , FEHSE ROBIN , STRAUSS UWE
发明人： KOENIG HARALD , LAUER CHRISTIAN , BRICK PETER , SCHMID WOLFGANG , FEHSE ROBIN , STRAUSS UWE
IPC分类号： H01S5/042 , H01S5/16 , H01S5/20 , H01S5/40
CPC分类号： H01S5/0425 , H01S5/0421 , H01S5/1053 , H01S5/16 , H01S5/162 , H01S5/2036 , H01S5/3095 , H01S5/4031 , H01S2301/206
摘要： The invention specifies an edge-emitting semiconductor laser chip having - an active zone (14) in which electromagnetic radiation is produced during operation of the semiconductor laser chip (1) and - at least one structured contact strip (2) which is structured in such a manner that charge carrier injection into the active zone (14) decreases towards a side of the semiconductor laser chip (1) on which a coupling-out facet (3) of the semiconductor laser chip (1) is situated.
摘要翻译：提供了一种边发射的半导体激光器芯片，其具有 - 一个有源区（14），其中，所述半导体激光器芯片的操作过程中产生的（1）电磁辐射，和 - 至少一个图案化的接触带（2），其被构造为使得载流子注入到有源区（14），以在半导体激光器芯片（1）的一个侧减小朝在其中输出小面（3）的半导体激光器芯片（1）。

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