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1. 发明申请

WO2008152041A2 LASERVERSTÄRKERSYSTEM 审中-公开
标题翻译：激光放大器系统
公开(公告)号：WO2008152041A2
公开(公告)日：2008-12-18
申请号：PCT/EP2008/057243
申请日：2008-06-10
申请人： LANDESSTIFTUNG BADEN-WÜRTTEMBERG GGMBH , DEMARIA, Frank , RINALDI, Fernando , GIESEN, Adolf , BRAUCH, Uwe , SAFONOV, Ivan
发明人： DEMARIA, Frank , RINALDI, Fernando , GIESEN, Adolf , BRAUCH, Uwe , SAFONOV, Ivan
IPC分类号： H01S5/343 , H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18375 , B82Y20/00 , H01S5/024 , H01S5/041 , H01S5/14 , H01S5/18377 , H01S5/3416 , H01S5/34313
摘要： Um ein Laserverstärkersystem, umfassend einen mit einem Kühlkörper thermisch gekoppeltem Festkörper mit einem laseraktiven Volumenbereich, in welchem in mehreren, sich parallel zueinander erstreckenden Flächen jeweils mindestens eine laseraktive Quantenstruktur aus Halbleitermaterial angeordnet ist und in welchem die Quantenstrukturen durch Barrierenstrukturen voneinander getrennt sind, eine ein Pumpstrahlungsfeld erzeugende Pumpstrahlungsquelle und eine ein Laserverstärkerstrahlungsfeld definierende Verstärkeroptik, derart zu verbessern, dass eine weniger genaue Anordnung der Quantenstrukturen erforderlich ist, wird vorgeschlagen, dass die Quantenstrukturen mindestens eine Quantenstrukturengruppe bilden, innerhalb von welcher die zwischen jeweils zwei der Quantenstrukturen liegenden Barrierenstrukturen als Tunnelbarrierenstrukturen ausgebildet sind und ein Tunneln von Ladungsträgern zwischen den jeweils an diese Tunnelbarrierenstrukturen angrenzenden Quantenstrukturen zulassen.
摘要翻译：一种激光放大器系统，包括一个带散热片热耦合固体用激光活性卷区域，其中，在多个相互平行延伸的面的半导体材料的激光活性量子结构至少被设置在每一种情况下和在其中量子结构通过屏障结构，一个泵浦辐射场分离产生泵浦辐射源和改善这样的方式，量子结构的不太精确的布置要求限定放大器光学激光放大器的辐射场中，提出的是，量子结构形成至少一个量子结构基团，在其内位于两个量子结构之间的屏障结构形成为隧道势垒结构，以及允许的相邻之间的电荷载体隧道分别于所述隧穿势垒结构量子结构，

2. 发明申请

WO2008152041A3 LASER AMPLIFIER SYSTEM 审中-公开
标题翻译：激光放大器系统
公开(公告)号：WO2008152041A3
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：PCT/EP2008057243
申请日：2008-06-10
申请人： LANDESSTIFTUNG BADEN WUERTTEMB , DEMARIA FRANK , RINALDI FERNANDO , GIESEN ADOLF , BRAUCH UWE , SAFONOV IVAN
发明人： DEMARIA FRANK , RINALDI FERNANDO , GIESEN ADOLF , BRAUCH UWE , SAFONOV IVAN
IPC分类号： H01S5/343 , H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18375 , B82Y20/00 , H01S5/024 , H01S5/041 , H01S5/14 , H01S5/18377 , H01S5/3416 , H01S5/34313
摘要： The invention relates to a laser amplifier system comprising a solid element (10) that is thermally coupled to a heat sink (20) and has a laser-active volume area (50) in which at least one respective laser-active quantum structure (54) made of semiconducting material is arranged on several parallel surfaces (52) and in which the quantum structures (54) are separated from one another by means of barrier structures (56), a pump radiation source (72) that generates a pump radiation field (70), and an amplifier lens system (40, 42, 80) that defines a laser amplifier radiation field (30). In order to improve said laser amplifier system in such a way that the quantum structures (54) can be arranged in a less accurate manner, the quantum structures (54) form at least one quantum structure group (60), within which the barrier structures (58) located between two of the quantum structures (54) are designed as tunnel barrier structures and allow charge carriers to be tunneled between the quantum structures (54) bordering said tunnel barrier structures.
摘要翻译：在每种情况下设置一个激光放大器系统，包括：与热沉（20）热耦合的固体本体（10）具有一激光器激活卷区域（50），其中在多个半导体材料的相互平行延伸的表面（52）的至少一个激光活性量子结构（54）的并且其中所述量子结构（54）由屏障结构（56）彼此分离，产生一个泵浦辐射场（70），激励辐射源（72），并限定（30）放大器光学激光放大器的辐射场（40，42，80），以提高这样的该量子结构的不太精确的装置（54）是必要的，至少一个量子结构组（60），其内位于两个量子结构（54）屏障结构（58）之间被提出的量子结构（54）的形式，形成为一个隧道势垒结构是和betwee的电荷载体隧道 Ñ允许分别在所述隧穿势垒结构量子结构相邻的第（54）。

3. 发明申请

WO1998000760A1 LITHOGRAPHY EXPOSURE DEVICE AND LITHOGRAPHY PROCEDURES 审中-公开
标题翻译：光刻曝光装置和方法LITHOGRAPHIE-
公开(公告)号：WO1998000760A1
公开(公告)日：1998-01-08
申请号：PCT/EP1997003053
申请日：1997-06-12
申请人： DEUTSCHE FORSCHUNGSANSTALT FÜR LUFT- UND RAUMFAHRT E.V. , INSTITUT FÜR MIKROELEKTRONIK STUTTGART (STIFTUNG DES ÖFFENTLICHEN RECHTS) , BRAUCH, Uwe , OPOWER, Hans , HÖFFLINGER, Bernd , SPRINGER, Reinhard
发明人： DEUTSCHE FORSCHUNGSANSTALT FÜR LUFT- UND RAUMFAHRT E.V. , INSTITUT FÜR MIKROELEKTRONIK STUTTGART (STIFTUNG DES ÖFFENTLICHEN RECHTS)
IPC分类号： G03F07/20
CPC分类号： G03F7/7005 , G03F7/70383 , G03F7/704
摘要： To create a lithography exposure device comprising a retainer (38) for a substrate (36), an exposure unit (10, 12, 14, 16) for producing a light spot on the light-sensitive layer (34) of the substrate, a motion unit (40) for producing apparent motion between the exposure unit and the retainer and a control unit for controlling the intensity and position of the light spot on the light-sensitive layer, with which device one can more effectively produce small structures within a short time by lithography, the invention proposes that the exposure unit comprises a plurality of solid-state lasers (10), that the focusing unit (16) guides the laser beam of each solid-state laser to a light spot of a defined light spot pattern and that the entire light spot pattern and the retainer are displaceable relative to each other in an exposure motional direction and that the light spots of the light spot pattern which correspond to the form of the partial areas to be exposed can be activated or deactivated.
摘要翻译：光刻曝光设备，其包括用于在衬底用于生成所述衬底的所述感光层（34）上产生一个光点，移动单元（40）的插座（38）（36），曝光单元（10，12，14，16）来创建所述打印单元和所述容器和用于光敏层上的光点的强度和位置的控制的控制之间的相对运动与通过以极高的效率小的结构可以在很短的时间来产生光刻装置，它建议，所述曝光单元包括：多个半导体激光器的（10），在该光束引导装置（16），每个半导体激光器的执行激光辐射到定义的光点图案的光点，并且，虽然对应于形状德光点图案的光点的整个光点图案和插座中暴露的运动相对于彼此可动的方向， R可以被启动或停用是暴露部分。

4. 发明申请

WO2009024462A1 LASERVERSTÄRKERSYSTEM 审中-公开
标题翻译：激光放大器系统
公开(公告)号：WO2009024462A1
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：PCT/EP2008/060303
申请日：2008-08-05
申请人： LANDESSTIFTUNG BADEN-WÜRTTEMBERG GGMBH , BRAUCH, Uwe , GIESEN, Adolf , DEMARIA, Frank
发明人： BRAUCH, Uwe , GIESEN, Adolf , DEMARIA, Frank
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/04 , H01S5/14
CPC分类号： H01S5/14 , B82Y20/00 , H01S5/024 , H01S5/041 , H01S5/18358 , H01S5/3432 , H01S5/34353
摘要： Um bei einem Laserverstärkersystem umfassend einen Festkörper (10) mit einem laseraktiven Volumenbereich (50), in welchem ein laseraktives Quantenstruktursystem aus Halbleitermaterial angeordnet ist und in welchem das mindestens eine Quantenstruktursystem (60) zwischen beiderseits desselben angeordneten Barrierenstrukturen (64) angeordnet ist, eine Pumpstrahlungsquelle (72) und eine ein Laserverstärkerstrahlungsfeld definierende Verstärkeroptik (40), das mindestens eine Quantenstruktursystem (60) an die Pumpstrahlung (70), als auch an das Laserverstärkerstrahlungsfeld (30) anzukoppeln, wird vorgeschlagen, dass beiderseits des laseraktiven Volumenbereichs (50) jeweils ein Reflektorsystem (42, 46, 48) angeordnet ist, welche das Pumpstrahlungsfeld (30) derart reflektieren, dass sich in dem laseraktiven Volumenbereich ein lokal stehender Pumpstrahlungsintensitätsverlauf ausbildet, welcher in einem mittigen Bereich zwischen den Reflektorsystemen innerhalb des Quantenstruktursystems (60) Intensitätswerte von mindestens 60% des lokal nächstliegenden Intensitäts-Maximums aufweist und dass die Reflektorsysteme (42, 46, 48) das Laserverstärkerstrahlungsfeld (30) derart reflektieren, dass sich ein lokal stehender Verstärkerstrahlungsintensitätsverlauf ausbildet, welcher in dem mittigen Bereich innerhalb desselben mindestens einen Quantenstruktursystems (60) Intensitätswerte von mindestens 60% der lokal nächstliegenden Intensitäts-Maximums aufweist.
摘要翻译：为了使激光放大器系统，其包括固体主体（10）具有激光活性卷区域（50），在该半导体材料的激光活性量子结构系统被布置和其中两个边之间的至少一个量子结构系统（60）其设置屏障结构（64），一个泵浦辐射源（72）和限定所述放大器光学器件（40），所述至少一个量子结构系统（60），以将泵浦辐射（70）以连接以及到激光放大器辐射场（30）的激光放大器的辐射场，它建议，所述激光器激活卷区域（50）在每种情况下一个两侧反射器系统（42，46,48）布置，其反映泵浦辐射场（30），使得形成于激光器激活卷区，局部固定的泵辐射强度分布（在量子结构系统6内的反射器系统之间的中心区域具有0）的局部接近的强度最大的至少60％的强度值和所述反射器系统（42，46,48）的激光放大器的辐射场（30）反映，使得局部稳定放大器的辐射强度曲线的形式，其在相同的至少一个内的中心区域具有量子结构系统（60）的最近的局部强度最大值的至少60％的强度值。

5. 发明申请

WO2003100922A2 LASERVERSTÄRKERSYSTEM 审中-公开
标题翻译：激光放大器系统
公开(公告)号：WO2003100922A2
公开(公告)日：2003-12-04
申请号：PCT/EP2003/005270
申请日：2003-05-20
申请人： UNIVERSITÄT STUTTGART INSTITUT FÜR STRAHLWERKZEUGE , GIESEN, Adolf , BEYERTT, Svent-Simon , BRAUCH, Uwe
发明人： GIESEN, Adolf , BEYERTT, Svent-Simon , BRAUCH, Uwe
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/041 , B82Y20/00 , H01S3/094084 , H01S3/09415 , H01S3/2308 , H01S5/024 , H01S5/141 , H01S5/183 , H01S5/341 , H01S5/423 , H01S2301/02
摘要： Um ein Laserverstärkersystem umfassend einen mit einem Kühlkörper thermisch gekoppelten Festkörper mit einem laseraktiven Volumenbereich, in welchem in mindestens einer Fläche mindestens eine sich zumindest über Teilbereiche der Fläche erstreckende laseraktive Verstärkerstruktur aus Halbleitermaterial angeordnet ist, eine ein Pumpstrahlungsfeld erzeugende Pumpstrahlungsquelle zum optischen Pumpen des laseraktiven Volumenbereichs und eine ein den laseraktiven Volumenbereich durchsetzendes Laserverstärkerstrahlungsfeld definierende Verstärkeroptik möglichst effizient zu betreiben, wird vorgeschlagen, dass die Absorption von Pumpstrahlung aus dem Pumpstrahlungsfeld in der laseraktiven Verstärkerstruktur gleich oder grösser als die Absorption von Pumpstrahlung durch eine an die Verstärkerstruktur angrenzende Umgebungsstruktur ist und dass das Pumpstrahlungsfeld so verläuft, dass es die Verstärkerstruktur mehrfach durchsetzt.
摘要翻译：包括一个带散热片的激光放大系统热耦合具有激光活性卷区域固体，其中，在至少一个表面的至少一个延伸lasant放大器结构至少在所述表面的部分区域设置的半导体材料的，所涉及的泵辐射场产生泵浦辐射源用于光学泵浦激光活性卷区，和通过释放激光放大器的辐射场有效地限定所述放大器光学器件可以操作一个激光活性卷区，故建议从在激光活性放大器结构的泵浦辐射场泵激辐射的吸收比泵激辐射的由邻近周围结构的增益的结构和在一个层中的吸收等于或大于所述泵浦辐射场，从而运行，它通过放大器结构多次。

6. 发明申请

WO2007087959A1 HALBLEITERANORDNUNG FÜR EINEN OPTISCH GEPUMPTEN OBERFLÄCHENEMITTIERENDEN HALBLEITERLASER 审中-公开
标题翻译：半导体布置于光学泵浦表面发射半导体激光器
公开(公告)号：WO2007087959A1
公开(公告)日：2007-08-09
申请号：PCT/EP2007/000124
申请日：2007-01-09
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , SCHULZ, Nicola , RATTUNDE, Marcel , WAGNER, Joachim , BEYERTT, Svent-Simon , BRAUCH, Uwe , KÜBLER, Thomas , GIESEN, Adolf
发明人： SCHULZ, Nicola , RATTUNDE, Marcel , WAGNER, Joachim , BEYERTT, Svent-Simon , BRAUCH, Uwe , KÜBLER, Thomas , GIESEN, Adolf
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/04 , H01S5/14 , H01S5/34
CPC分类号： H01S5/14 , B82Y20/00 , H01S5/02484 , H01S5/041 , H01S5/18383 , H01S5/34306
摘要： 1. Halbleiteranordnung für einen optisch gepumpten oberflächenemittierenden Halbleiterlaser 2. Bei einer Halbleiteranordnung für einen optisch gepumpten oberflächenemittierenden Halbleiterlaser mit einem Halbleiterkörper (2) mit mehreren Gruppen (9, 10, 11, 12, 13) von Quantentöpfen und mit wenigstens einer zwischen zwei Gruppen angeordneten Absorptionsschicht (3, 4, 5, 6, 7, 8), die in einem Resonator angeordnet sind, ist gemäß der Erfindung vorgesehen, dass wenigstens zwei Gruppen von Quantentöpfen voneinander verschiedene Anzahlen von Quantentöpfen aufweisen. Die Struktur kann durch diese Maßnahme dahingehend optimiert werden, dass auch bei einer ungleichmäßigen Verteilung des Pumpfeldes in jedem der Quantentöpfe vergleichbare Ladungsträgerdichten erzeugt werden.
摘要翻译：布置1.一种半导体器件，光学泵浦表面发射半导体激光器2中的半导体器件的用于光学泵浦表面发射半导体激光器包括一半导体本体的情况下（2），具有量子阱的多个组（9，10，11，12，13）和两个基团之间的至少一个吸收层（3，4，5，6，7，8），其被布置在谐振器中根据本发明的该量子阱的至少两个基团具有彼此量子阱的不同数量的设置。该结构可以通过这个措施，可比较的电荷载流子密度也在每个量子阱的泵场的非均匀分布而产生被优化。

7. 发明申请

WO2003100922A3 OPTISCH GEPUMPTER HALBLEITERLASER 审中-公开
公开(公告)号：WO2003100922A3
公开(公告)日：2003-12-04
申请号：PCT/EP2003/005270
申请日：2003-05-20
申请人： UNIVERSITÄT STUTTGART INSTITUT FÜR STRAHLWERKZEUGE , GIESEN, Adolf , BEYERTT, Svent-Simon , BRAUCH, Uwe
发明人： GIESEN, Adolf , BEYERTT, Svent-Simon , BRAUCH, Uwe
IPC分类号： H01S5/14
摘要： Um ein Laserverstärkersystem umfassend einen mit einem Kühlkörper (16) thermisch gekoppelten Festkörper (10) mit einem laseraktiven Volumenbereich (24), in welchem in mindestens einer Fläche (26A, 26B, 26C) mindestens eine sich zumindest über Teilbereiche der Fläche erstreckende laseraktive Verstärkerstruktur (30a, 30b, 30c) aus Halbleitermaterial angeordnet ist, eine ein Pumpstrahlungsfeld (70) erzeugende Pumpstrahlungsquelle (72) zum optischen Pumpen des laseraktiven Volumenbereichs (24) und eine ein den laseraktiven Volumenbereich durchsetzendes Laserverstärkerstrahlungsfeld definierende Verstärkeroptik (60) möglichst effizient zu betreiben, wird vorgeschlagen, dass die Absorption von Pumpstrahlung aus dem Pumpstrahlungsfeld (70) in der laseraktiven Verstärkerstruktur (30a, 30b, 30c) gleich oder grösser als die Absorption von Pumpstrahlung durch eine an die Verstärkerstruktur angrenzende Umgebungsstruktur (34a, 34b, 34c) ist und dass das Pumpstrahlungsfeld so verläuft, dass es die Verstärkerstruktur (30a, 30b, 30c) mehrfach durchsetzt.

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