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    • 1. 发明申请
    • VERFAHREN ZUM AUFBRINGEN VON SCHICHTEN AUF SUBSTRATE MIT GEKRÜMMTEN OBERFLÄCHEN
    • 申请的程序LAYERS与曲表面的基底
    • WO2008031604A1
    • 2008-03-20
    • PCT/EP2007/008009
    • 2007-09-14
    • LEYBOLD OPTICS GMBHBECKMANN, RudolfFUHR, MarkusKLOSCH, Michael
    • BECKMANN, RudolfFUHR, MarkusKLOSCH, Michael
    • C23C16/513C23C16/455
    • C23C16/4558C23C16/513
    • Die Erfindung betrifft Verfahren zur Abscheidung von Schichten mit gleichmäßiger Schichtdickenverteilung auf zumindest einer gekrümmten Oberfläche eines Substrates (6) mittels eines Plasma-CVD-Prozesses, bei welchem ein Plasma- oder lonenstrahl (1) in Richtung zur Substratoberfläche durch eine dem Substrat (6) gegenüberliegende Plasma- oder lonenstrahlquelle (7) erzeugt wird, ein Prozessgas über ein Gaszufuhrsystem (12) stromab der Plasma- oder lonenstrahlquelle (7) eingelassen wird, wobei das Prozessgas mittels des Gaszufuhrsystems (12) definiert an der Oberfläche (14) des Substrates (6) verteilt wird und ein Gasfluss des Anregungsgases und eine Plasmaleistung der Plasma- oder lonenstrahlquelle eingestellt werden, bei welchen die Prozessgasmenge durch das angeregte Anregungsgas des Plasma- oder lonenstrahls an der Oberfläche des Substrates nahezu vollständig umgesetzt wird.
    • 本发明涉及一种用于沉积由等离子体CVD法的装置具有在衬底(6)中的至少一个弯曲表面的均匀的膜厚分布层的方法,其中,等离子体或离子束(1)的方向与基片表面由基板(6) 相对的等离子体或离子束源(7)被产生,经由气体供给系统的工艺气体(12)在等离子体或离子束源(7)被接纳,其中,所述处理气体由气体供给系统(12)在基板的表面(14)上的装置(限定的下游 6)是分布式的,并且激发气体的气体流量,等离子体或离子束源的等离子体功率被调整,其中工艺气体通过所述衬底的所述表面上的等离子体或离子束的激发激励气体量几乎完全反应。