基本信息:
- 专利标题： プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
- 专利标题（英）：Plasma treatment apparatus and method of plasma treatment
- 专利标题（中）：等离子体处理装置和等离子体处理方法
- 申请号：PCT/JP2008/054487 申请日：2008-03-12
- 公开(公告)号：WO2008126595A1 公开(公告)日：2008-10-23
- 发明人： 野沢 俊久 , 小谷 光司
- 申请人： 東京エレクトロン株式会社 , 野沢 俊久 , 小谷 光司
- 申请人地址： 〒1076325 東京都港区赤坂五丁目3番1号 Tokyo JP
- 专利权人： 東京エレクトロン株式会社,野沢 俊久,小谷 光司
- 当前专利权人： 東京エレクトロン株式会社,野沢 俊久,小谷 光司
- 当前专利权人地址： 〒1076325 東京都港区赤坂五丁目３番１号 Tokyo JP
- 代理机构： 萩原 康司
- 优先权： JP2007-102663 20070410
- 主分类号： H01L21/205
- IPC分类号： H01L21/205 ; C23C16/455 ; H01L21/3065 ; H05H1/46
摘要：
【課題】シャワープレートの温度を所望の温度に維持すると共に面内温度の均一性を向上させて、ガス供給部材の変形、歪みの発生を抑え、安定した基板の処理ができるようにする。 【解決手段】処理容器内に基板を収納し、処理ガスをプラズマ化して基板を処理するプラズマ処理装置であって、処理容器内に処理ガス供給用のガス供給部材が配置され、ガス供給部材の内部に、熱媒を流通させる熱媒流路が形成され、熱媒流路における熱媒の流通方向を変更させる流路切替機構を有する。
摘要（中）：
[问题]不仅将喷淋板的温度保持在期望的温度，而且可以提高其面内温度的均匀性，从而实现气体供给部件的任何变形或应变产生的抑制和基板的稳定处理。 解决问题的手段等离子体处理装置是将处理容器内的基材容纳在等离子体中，将处理气体转化为等离子体的处理装置，其中，处理气体供给用的供给部件配置在 所述处理容器，其中，所述气体供给部件设置有用于热介质循环的热介质流动通道，并且其中设置有流路切换装置，其能够沿热介质流路改变热介质的循环方向 。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |
| ----------------H01L21/205 | .....应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积 |