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1. 发明申请

WO2011102064A1 ｎ型半導体層上の電極の形成方法审中-公开
标题翻译：在n型半导体层上形成电极的方法
公开(公告)号：WO2011102064A1
公开(公告)日：2011-08-25
申请号：PCT/JP2010/073768
申请日：2010-12-28
申请人： JSR株式会社 , 周布本真也 , 石川悟司 , 佐古明理 , 山村哲也 , 有村雄一朗 , 花村政暁
发明人：周布本　真也 , 石川　悟司 , 佐古　明理 , 山村　哲也 , 有村　雄一朗 , 花村　政暁
IPC分类号： H01L21/28 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/3205 , H01L33/40 , H01S5/042
CPC分类号： H01L21/28575 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , H01L29/2003 , H01L33/40 , H01L2933/0016 , H01S5/0425
摘要：　本発明は、リフトオフ法によりｎ型半導体上に電極を良好に形成できる方法を提供することを目的とする。本発明のｎ型半導体層上の電極の形成方法は、化学増幅型ネガ型レジストを用いたリソグラフィー法によりｎ型半導体層上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターン間に金属膜を形成する工程と、前記レジストパターンを剥離し、前記ｎ型半導体層上に形成された前記金属膜からなる電極を得る工程とを含むことを特徴とする。
摘要翻译：公开了一种通过剥离工艺令人满意地在n型半导体上形成电极的方法。具体公开了一种在n型半导体层上形成电极的方法，其特征在于包括以下步骤：通过使用化学放大的负型抗蚀剂的光刻技术在n型半导体层上形成抗蚀剂图案; 在抗蚀剂图案之间形成金属膜; 并且分离抗蚀剂图案以产生包含金属膜并形成在n型半导体层上的电极。

2. 发明申请

WO2003095579A1 固体の一時的固定のための組成物および方法审中-公开
标题翻译：用于固定固体的组合物和方法
公开(公告)号：WO2003095579A1
公开(公告)日：2003-11-20
申请号：PCT/JP2003/005899
申请日：2003-05-12
申请人：ジェイエスアール株式会社 , 横山泰明 , 別所信夫 , 花村政暁
发明人：横山泰明 , 別所信夫 , 花村政暁
IPC分类号： C09J11/00
CPC分类号： B24B37/042 , B24B37/30 , H01L21/6835 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , Y10T428/1059
摘要： 2つの固体を相互に且つ一時的に堅固に固定する方法である。その方法は、2つの固体を、液晶化合物またはそれを含む組成物により、相互に且つ一時的に固定する一時的固定法である。この方法は、例えば1つの固体を半導体デバイス用ウエハの化学機械研磨用パッドとし、もう1つの固体をそれを固定するための定盤としたとき、半導体デバイス用ウエハをその上に固定して研磨するための、化学機械研磨用パッドの一時的固定法として用いられる。
摘要翻译：一种用于牢固地固定两种固体的方法。该方法是通过液晶化合物或含有它们的组合物相互临时固定两种固体的临时固定方法。该方法是用于化学机械抛光垫的临时固定方法，其中当例如使用固体作为半导体器件晶片的化学机械抛光垫时，使用另一种固体作为其上固定的表面板，半导体将器件晶片固定在其上并进行抛光。

3. 发明申请

WO2011092994A1 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法に用いられる感光性組成物审中-公开
标题翻译：用于生产半导体发光元件的方法，半导体发光元件和用于生产半导体发光元件的方法的光敏组合物
公开(公告)号：WO2011092994A1
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：PCT/JP2010/073774
申请日：2010-12-28
申请人： JSR株式会社 , 伊東宏和 , 石川悟司 , 山村哲也 , 花村政暁 , 有村雄一朗
发明人：伊東　宏和 , 石川　悟司 , 山村　哲也 , 花村　政暁 , 有村　雄一朗
IPC分类号： H01L33/14 , G03F7/075 , H01L21/312 , H01S5/323
CPC分类号： G03F7/0757 , G03F7/038 , G03F7/0388 , H01L33/007 , H01L33/145
摘要：　本発明は、電流阻止層を有する半導体発光素子の製造方法において、エッチングなどのプロセスを介さず、種々の位置や層上に種々の形状の電流阻止層を形成することが可能な、半導体発光素子の製造方法、当該半導体発光素子の製造方法によって得られる半導体発光素子、および当該半導体発光素子の製造方法に用いられる感光性組成物を提供することを目的とする。本発明は、電流阻止層を有する半導体発光素子の製造方法において、リソグラフィー法により感光性組成物から得られるパターンを形成し、該パターンを電流阻止層とすることを特徴とする。
摘要翻译：本发明提供一种具有电流阻挡层的半导体发光元件的制造方法，其中，可以在层上的各个位置上形成各种形状的电流阻挡层，而不涉及蚀刻工艺。还提供了通过所述半导体发光元件的制造方法获得的半导体发光元件和用于制造半导体发光元件的所述方法中使用的光敏组合物。制造具有电流阻挡层的半导体发光元件的方法包括通过光刻法形成可由光敏组合物获得的图案，其特征在于所述图案变为电流阻挡层。

4. 发明申请

WO2008123388A1 硬化性樹脂組成物、保護膜および保護膜の形成方法审中-公开
标题翻译：可固化树脂组合物，保护膜和形成保护膜的方法
公开(公告)号：WO2008123388A1
公开(公告)日：2008-10-16
申请号：PCT/JP2008/055994
申请日：2008-03-21
申请人： JSR株式会社 , 藤岡昌泰 , 飯島孝浩 , 上田二朗 , 花村政暁 , 山内英樹 , 谷本加奈子
发明人：藤岡昌泰 , 飯島孝浩 , 上田二朗 , 花村政暁 , 山内英樹 , 谷本加奈子
IPC分类号： C08G81/00 , G02B5/20
CPC分类号： C09D183/10
摘要：オキシラニル基、オキセタニル基およびアリル基よりなる群から選ばれる少なくとも１種の官能基を有する重合性不飽和化合物を含有する重合体、およびこの重合体と熱により架橋反応しうる官能基を含有するカラ－フィルタの保護膜用シロキサンオリゴマ－を含有する硬化性樹脂組成物。表面の平坦性が低い基体であっても、その基体上に平坦性の高い硬化膜を形成することができ、しかも、透明性および表面硬度が高く、耐熱耐圧性、耐酸性、耐アルカリ性、耐スパッタ性などの各種の耐性に優れた光デバイス用保護膜を形成するためにに用いられる硬化性樹脂組成物の提供する。
摘要翻译：本发明公开了含有聚合物的固化性树脂组合物，该聚合物含有具有至少一个选自环氧乙烷基，氧杂环丁烷基和烯丙基的官能团的聚合性不饱和化合物和滤色剂保护膜用硅氧烷低聚物，其含有通过加热与聚合物交联的官能团。固化性树脂组合物即使在表面平坦度低的基材上也能够形成平坦度高的固化膜。该固化性树脂组合物用于形成具有高透明度和高表面硬度的光学器件用保护膜，同时具有优异的耐热耐压性，耐酸性，耐碱性和耐溅射性等各种电阻。

5. 发明申请

WO2011065215A1 ポジ型感放射線性組成物、硬化膜及びその形成方法审中-公开
标题翻译：正性辐射敏感性组合物，固化膜及其形成方法
公开(公告)号：WO2011065215A1
公开(公告)日：2011-06-03
申请号：PCT/JP2010/069856
申请日：2010-11-08
申请人： JSR株式会社 , 花村政暁 , 一戸大吾
发明人：花村　政暁 , 一戸　大吾
IPC分类号： G03F7/023 , G03F7/004 , G03F7/075
CPC分类号： G03F7/0757 , G03F7/0045 , G03F7/0233
摘要：　本発明の目的は、耐熱性、透明性、耐溶媒性及び低誘電性に優れた硬化膜、並びに電圧保持率が高い液晶セルを形成するために好適に用いられ、かつ十分な放射線感度、及び現像後の加熱工程における耐メルトフロー性に優れたポリシロキサン系ポジ型感放射線性組成物、その組成物から形成される硬化膜、並びにその硬化膜の形成方法を提供することである。本発明は、［Ａ］シロキサンポリマー、［Ｂ］キノンジアジド化合物、及び［Ｃ］［Ｂ］キノンジアジド化合物の極大吸収波長より短い極大吸収波長を有する感放射線性酸発生剤を含有するポジ型感放射線性組成物である。
摘要翻译：公开了一种聚硅氧烷正性辐射敏感性组合物，其在显影后的加热步骤中具有足够的辐射灵敏度和优异的熔体流动阻力，并且有利地用于形成：具有优异的耐热性，透明性，耐溶剂性和低介电性能; 以及具有高电压保持率的液晶单元。进一步公开了由该组合物形成的固化膜，以及形成固化膜的方法。正性辐射敏感性组合物含有[A]硅氧烷聚合物[B]醌二叠氮化合物和[C]具有最大吸收波长的辐射敏感性酸发生剂，其比[B ]醌二叠氮化合物。

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