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1. 发明申请

WO2012017717A1 真空処理装置及びプラズマ処理方法审中-公开
标题翻译：真空加工设备和等离子体处理方法
公开(公告)号：WO2012017717A1
公开(公告)日：2012-02-09
申请号：PCT/JP2011/060625
申请日：2011-05-09
申请人：三菱重工業株式会社 , 中尾禎子 , 笹川英四郎 , 竹内良昭 , 宮園直之 , 大坪栄一郎
发明人：中尾　禎子 , 笹川　英四郎 , 竹内　良昭 , 宮園　直之 , 大坪　栄一郎
IPC分类号： C23C16/509 , H01L21/205 , H01L31/04 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/4412 , C23C16/4557 , C23C16/45578 , C23C16/46 , C23C16/511 , H01J37/32229 , H01L31/1804 , H01L31/1816 , H01L31/1824 , H01L31/1876 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：　リッジ電極及び基板の熱変形を抑制し、大型の基板にも安定したプラズマ処理が行える真空処理装置を提供する。プラズマが生成される排気側リッジ電極（２１ａ）及び基板側リッジ電極（２１ｂ）を有するリッジ導波管からなる放電室（２）と、高周波電力を方形導波管の基本伝送モードであるＴＥモードに変換して放電室（２）に伝送し、排気側リッジ電極（２１ａ）及び基板側リッジ電極（２１ｂ）の間にプラズマを発生させる一対の変換器と、基板側リッジ電極（２１ｂ）の外面側に設置されて温度を均等に加熱する均熱温調器（４０）と、排気側リッジ電極（２１ａ）の外面側に設置されてプラズマ処理が施される基板（Ｓ）の板厚方向の熱流束を制御する熱吸収温調ユニット（５０）とを有し、基板（Ｓ）を排気側リッジ電極（２１ａ）及び基板側リッジ電極（２１ｂ）の間に設置してプラズマ処理を施す。
摘要翻译：提供一种能够抑制脊电极和基板的热变形的真空处理装置，并且即使是大的基板也能够进行稳定的等离子体处理。该装置具有：由其中产生等离子体的脊形波导构成的放电室（2），具有放气侧脊电极（21a）和基板侧脊电极（21b）; 一对转换器，其通过将高频功率的模式转换为TE模式（即，矩形波导的基本传输模式）将高频电力传输到放电室（2），并且使得在空气之间产生等离子体 - 释放侧脊电极（21a）和基板侧脊电极（21b）; 均匀加热温度控制器（40），其设置在基板侧脊电极（21b）的外表面侧，并且进行均匀加热; 以及吸热温度控制单元（50），其设置在所述排气侧脊电极（21a）的外表面侧，并将基板（S）的厚度方向的热流量控制为被等离子体处理。基板（S）配置在放气侧隆起电极（21a）和基板侧隆起电极（21b）之间，对基板进行等离子体处理。

2. 发明申请

WO2011024534A1 多接合光電変換装置、集積型多接合光電変換装置、並びにその製造方法审中-公开
标题翻译：多功能光电转换器，集成式多功能光电转换器及其制造方法
公开(公告)号：WO2011024534A1
公开(公告)日：2011-03-03
申请号：PCT/JP2010/059857
申请日：2010-06-10
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所 , 三菱重工業株式会社 , 近藤道雄 , 鯉田崇 , 竹内良昭 , 坂井智嗣 , 山内康弘
发明人：近藤　道雄 , 鯉田　崇 , 竹内　良昭 , 坂井　智嗣 , 山内　康弘
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/043 , H01L2924/0002 , Y02E10/50 , H01L2924/00
摘要：　２端子構造を有し、且つ、先に積層された層による制約の少ない条件で後の層が積層される多接合光電変換装置、集積型多接合光電変換装置、並びにそれらの製造方法を提供することを目的とする。分光感度の異なる複数の光電変換セルを積層し、少なくとも光が入射する側と反対側の端部の光電変換セル（２、４）は、接続する側の最上層にそれぞれ導電性薄膜層（５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ）を有し、その他の光電変換セル（３）は接続する側の最上層及び最下層にそれぞれ導電性薄膜層（１６ａ、１６ｂ）を有し、最上層および最下層同士を透明絶縁材料中に導電性微粒子を含有した異方性導電接着層（６ａ、６ｂ）を介して接合させる。異方性導電接着層（６ａ、６ｂ）内の導電性微粒子が各層の積層方向の電気的接続、導電性薄膜層（５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ）が各接合材料である光電変換層（２、３、４）の横方向（面内方向）の電気的接続を行う。
摘要翻译：公开了具有双端子结构的多结光电转换器和集成多结光电转换器，其中在先前层叠的层的较少约束下层压层。还公开了一种制造这种转换器的方法。层叠光谱灵敏度彼此不同的多个光电转换单元。至少位于光接收端的光电转换单元（2,4）和另一端分别具有导电薄膜层（5a和5b，5c和5d），以在要连接的顶层上。另一个光电转换单元（3）分别在顶层和底层分别具有与之连接的导电薄膜层（16a，16b）。顶层和底层通过在透明绝缘材料中含有导电细颗粒的各向异性导电粘合剂层（6a，6b）连接到其它单元的顶层和底层。各向异性导电粘合剂层（6a，6b）中的导电性细颗粒沿着层叠的方向将层电连接，并且导电薄膜层（5a，5b，5c，5d）将光电转换层（2,3,4）作为要在横向（面内方向）上接合的材料。

3. 发明申请

WO2011104950A1 薄膜光電変換装置审中-公开
标题翻译：薄膜光电转换装置
公开(公告)号：WO2011104950A1
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：PCT/JP2010/070125
申请日：2010-11-11
申请人：三菱重工業株式会社 , 独立行政法人産業技術総合研究所 , 水野功一 , 竹内良昭 , 坂井智嗣 , 鶴我薫典 , 松井卓矢 , 近藤道雄 , ジャハイジュン
发明人：水野　功一 , 竹内　良昭 , 坂井　智嗣 , 鶴我　薫典 , 松井　卓矢 , 近藤　道雄 , ジャ　ハイジュン
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/076 , Y02E10/548
摘要：　ヘイズ率が高く、各光電変換層で得られる短絡電流値が均等化された、高効率の３接合型薄膜光電変換装置を提供することを目的とする。薄膜光電変換装置（１００）は、基板（１）上に、透明電極層（２）と、３つのシリコン系光電変換層（９１，９２，９３）とを順に備える。透明電極層（２）は、エッチング処理によって形成された基板（１）の表面を露出させる少なくとも１つの開口部（５）を有し、透明電極層（２）の広い波長領域の光に対するヘイズ率が、６０％以上である。
摘要翻译：提供一种高效率的三相薄膜光电转换装置，其中在每个光电转换层获得的短路电流值相等，并且具有高雾度因子。薄膜光电转换装置（100）在基板（1）上依次具有透明电极层（2）和三个硅光电转换层（91,92,93）。透明电极层（2）具有至少一个开口部分（5），其暴露基板（1）的表面并通过蚀刻工艺形成，并且雾度因子相对于透明电极层（2）的宽波长区域的光。

4. 发明申请

WO2008099524A1 光電変換装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：光电转换器及其制造方法
公开(公告)号：WO2008099524A1
公开(公告)日：2008-08-21
申请号：PCT/JP2007/065386
申请日：2007-08-06
申请人：三菱重工業株式会社 , 中野要治 , 竹内良昭 , 山口賢剛 , 山内康弘
发明人：中野要治 , 竹内良昭 , 山口賢剛 , 山内康弘
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/077 , H01L31/0236 , H01L31/056 , H01L31/076 , H01L31/182 , H01L31/1884 , Y02E10/52 , Y02E10/546 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要：　高い光電変換効率と高い生産性を両立した光電変換装置及びその製造方法を提供することを目的とする。透明絶縁性の基板１上に透明電極層２を設けてなる透明電極付き基板と、該透明電極付き基板の透明電極層２側に順次形成された、結晶質シリコン系半導体を主として有する光電変換層９２ならびに裏面電極層４とを少なくとも有してなる光電変換装置であって、前記透明電極付き基板の透明電極層２表面が、大小の凹凸が混在した形状であり、かつ分光ヘイズ率が５５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長で２０％以上であり、前記結晶質シリコン系半導体を主として有する光電変換層の膜厚が１.２μｍ以上２μｍ以下、かつラマン比が３．０以上８．０以下である光電変換装置９０を提供する。
摘要翻译：满足高光电转换效率和高生产率的光电转换器及其制造方法。光电转换器（90）具有透明电极的基板，透明电极层（2）设置在透明绝缘基板（1）上，至少具有主要包含晶体硅基半导体的光电转换层（92）和在基板的透明电极层（2）侧依次形成有透明电极的背面电极层（4）。具有透明电极的基板上的透明电极层（2）具有在550-800nm的波长下大而小的突起和凹陷共存的表面形状，光谱雾度率为20％以上。主要包含晶体硅基半导体的光电转换层的膜厚为1.2-2μm，拉曼比为3.0-8.0。

5. 发明申请

WO2011004621A1 真空処理装置审中-公开
标题翻译：真空加工设备
公开(公告)号：WO2011004621A1
公开(公告)日：2011-01-13
申请号：PCT/JP2010/052186
申请日：2010-02-15
申请人：三菱重工業株式会社 , 竹内良昭 , 西宮立享 , 宮原弘臣 , 中尾禎子
发明人：竹内　良昭 , 西宮　立享 , 宮原　弘臣 , 中尾　禎子
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/509 , H01L31/04 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/4401 , C23C16/24 , C23C16/4412 , C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32834 , H01L31/028 , H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/18 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , H01L31/1868 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要：　製膜される膜の高品質化を図るとともに、大面積化および製膜速度の高速化を図ることができる真空処理装置を提供する。互いに対向して配置され、間にプラズマを生成するリッジ電極を有するリッジ導波管からなる放電室（２）と、放電室（２）に隣接して配置され、リッジ電極に向かってプラズマの形成に用いられる母ガスを供給するガス供給部（１０）と、放電室（２）との間にガス供給部（１０）を挟む位置に配置され、プラズマによる処理が施される基板（Ｓ）と、少なくとも放電室（２）、ガス供給部（１０）および基板（Ｓ）を内部に収納する減圧容器（７）と、減圧容器（７）におけるガス供給部（１０）との間に放電室（２）を挟む位置に連通され、減圧容器（７）内部の圧力を低減させる排気部（９）と、が設けられている。
摘要翻译：提供了一种真空处理装置，其中制造的薄膜质量高，面积大，制造速度快。真空处理装置具有：放电室（2），包括具有脊状电极的脊状波导，所述脊状波纹彼此面对放置以在其间产生等离子体; 与排出室（2）相邻放置并将用于形成等离子体的母体气体供给脊状电极的气体供给单元（10）放置在所述气体供给单元（10）夹在所述排出室（2）和所述基板（S）之间并被等离子体处理的位置的基板（S）至少容纳排出室（2），气体供给单元（10）和内部的基板（S）的减压容器（7）以及排气单元（9），其在所述排气室（2）夹在所述减压容器（7）中的气体供给单元（10）与所述排气单元（7）之间的位置处与所述排放室（2）连通， 9）并且减压减压容器（7）内部的压力。

6. 发明申请

WO2010050035A1 光電変換装置の製造方法审中-公开
标题翻译：生产光电转换装置的方法
公开(公告)号：WO2010050035A1
公开(公告)日：2010-05-06
申请号：PCT/JP2008/069803
申请日：2008-10-30
申请人：三菱重工業株式会社 , 真島浩 , 浅草剛一 , 高野暁巳 , 山下信樹 , 竹内良昭
发明人：真島浩 , 浅草剛一 , 高野暁巳 , 山下信樹 , 竹内良昭
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/075 , H01L31/03762 , H01L31/0463 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要：ｉ型アモルファスシリコン層上にｎ型アモルファスシリコン層を設ける場合に、製膜速度を落とさず所望の結晶化率を得る事のできる、光電変換装置の製造方法を提供する。ｐ型アモルファスシリコン層を製膜するｐ層形成工程と、前記ｐ型アモルファスシリコン層上に、ｉ型アモルファスシリコン層を製膜するｉ層形成工程と、前記ｉ型アモルファスシリコン層上に、ｎ型アモルファスシリコン層を製膜するｎ型層形成工程と、を備え、前記ｎ層形成工程は、前記ｉ型アモルファスシリコン層上に、第１ｎ層を製膜する第１ｎ層形成工程と、前記第１ｎ層上に、第２ｎ層を製膜する第２ｎ層形成工程と、を備え、前記第１ｎ層形成工程の製膜条件は、前記第２ｎ層形成工程における製膜条件よりも、同じ下地基板上に製膜した場合に結晶化率が高くなるような条件である。
摘要翻译：本发明提供了一种制造光电转换装置的方法，当在i型非晶硅层上设置n型非晶硅层时，可以在不降低层形成速度的情况下实现期望的结晶速率。制造方法包括形成p型非晶硅层的p层形成步骤，在p型非晶硅层上形成i型非晶硅层的i层形成步骤，以及形成n型非晶硅层的n层形成步骤 n型非晶硅层。 n层形成步骤包括在i型非晶硅层上形成第一n层的第一n层形成步骤和在第一n层上形成第二n层的第二n层形成步骤。第一n层形成步骤在这样的层形成条件下进行，即当在相同的基底基板上形成层时，结晶速率高于在第二n层形成中形成层下层形成条件步。

7. 发明申请

WO2008026491A1 放電電極を用いる薄膜製造装置と、太陽電池の製造方法审中-公开
标题翻译：使用放电电极制造薄膜制造装置和太阳能电池制造方法
公开(公告)号：WO2008026491A1
公开(公告)日：2008-03-06
申请号：PCT/JP2007/066303
申请日：2007-08-22
申请人：三菱重工業株式会社 , 河野慎吾 , 大坪栄一郎 , 宮園直之 , 川村啓介 , 竹内良昭
发明人：河野慎吾 , 大坪栄一郎 , 宮園直之 , 川村啓介 , 竹内良昭
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/509
CPC分类号： C23C16/509 , C23C16/45563 , C23C16/4557 , C23C16/46 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32541 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/075 , H01L31/18 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要：　膜厚分布や膜質分布の発生を抑制することが可能な放電電極、薄膜製造装置、及び太陽電池の製造方法を提供する。放電電極は、互いに略平行にＸ方向に延びる２本の横構造２０と、この間に設けられ、互いに略平行にＹ方向へ延びる複数の縦構造２１ａとを備える。縦構造２１ａは、一方の端部３５ａを一方の横構造２０に、他方の端部３５ｂを他方の横構造２０に接続された電極本体３５と、ガスパイプ収容空間３６に配置されたガスパイプ４１と、多孔物体４０とを備える。開口部３８は、基板８に向かって開口し、多孔体４０により閉じられる。ガス拡散路３７は、ガスパイプ収容空間３６と開口部３８を連絡する。電極内側面３９は、ガスパイプ収容空間３６に面し、且つ、パイプ外側面４２ｂと対向する。ノズル孔群４２ｃは、第２方向に沿ってガスパイプ４１に配設され、電極内側面３９のガス拡散路３７とは反対側の部分３９ａを向いている。
摘要翻译：提供能够抑制膜厚分布和膜质量分布的产生的放电电极，薄膜制造装置和太阳能电池制造方法。放电电极设置有沿X方向彼此基本平行延伸的两个水平结构（20），以及多个垂直结构（21a），其通过沿Y方向基本上彼此平行地延伸设置在水平结构之间。垂直结构（21a）设置有电极主体（35），其中一端（35a）连接到一个水平结构（20），另一端（35b）连接到另一个水平结构（20）; 布置在气体管道存储空间（36）中的气体管道（41）; 和多孔体（40）。开口部（38）朝向基板（8）开口，并被多孔体（40）封闭。气体扩散路径（37）将气体管道存储空间（36）与开口部（38）连接。电极内表面（39）面向气体管道存储空间（36）和管道外表面（42b）。喷嘴孔群（42c）沿着第二方向布置在气体管道（41）上，以面对与电极内侧表面（39）上的气体扩散路径（37）相反的一侧的部分（39a）。

8. 发明申请

WO2012046606A1 光電変換装置の製造方法审中-公开
标题翻译：制造光电转换装置的方法
公开(公告)号：WO2012046606A1
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：PCT/JP2011/072262
申请日：2011-09-28
申请人：三菱重工業株式会社 , 独立行政法人産業技術総合研究所 , 中野慎也 , 竹内良昭 , 近藤道雄 , 松井卓矢
发明人：中野　慎也 , 竹内　良昭 , 近藤　道雄 , 松井　卓矢
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/075
CPC分类号： H01L31/202 , H01L31/03762 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：ｐ型結晶Ｇｅ（基板）／ｉ型非晶質シリコン半導体層／ｎ型非晶質シリコン半導体層からなるヘテロ接合セルを有する太陽電池の発電特性を向上させることのできる光電変換装置の製造方法を提供する。基板（ｐ型結晶Ｇｅ）（１１）上に、ｉ型非晶質シリコン半導体層（１２）とｎ型非晶質シリコン半導体層（１３）とが順に積層されたヘテロ接合セル（１）を備えた光電変換装置（１００）の製造方法であって、表面に形成された酸化膜を除去した基板（１１）を所定温度とした後に、真空チャンバ内に配置してＰＨ３に暴露させるＰＨ３暴露処理工程と、ＰＨ３暴露した基板上にｉ型非晶質シリコン半導体層（１２）を製膜するｉ層製膜工程と、ｉ型非晶質シリコン半導体層（１２）上にｎ型非晶質シリコン半導体層（１３）を製膜するｎ層製膜工程と、ｎ型非晶質シリコン半導体層上及び基板（１１）の裏面側の面に電極（２、３、４）を形成する電極形成工程とを備える。
摘要翻译：提供一种能够提高具有由p型结晶Ge（基板）/ i型非晶半导体层/ n型非晶硅半导体层形成的异质结电池的太阳能电池的发电特性的光电转换装置的制造方法。。制造方法是用于设置有i型非晶硅半导体层（12）和n型非晶硅半导体层（13）的异质结电池（1）的光电转换装置（100），其顺序层叠（p型结晶Ge）（11）。制造方法包括：PH3曝光处理步骤，其中将表面上形成的氧化膜从其中除去的基板（11）达到规定温度，然后放置在真空室中并暴露于PH3; 用于在PH3暴露的基板上制造用于i型非晶硅半导体层（12）的膜的i层膜生产步骤; 在i型非晶硅半导体层（12）上制造n型非晶硅半导体层（13）的n层制造工序。以及用于在所述基板（11）的所述n型非晶硅半导体层和所述背面侧的表面上形成电极（2,3,4）的电极形成工序。

9. 发明申请

WO2010061667A1 光電変換装置の製造方法审中-公开
标题翻译：光电转换装置的制造方法
公开(公告)号：WO2010061667A1
公开(公告)日：2010-06-03
申请号：PCT/JP2009/064425
申请日：2009-08-18
申请人：三菱重工業株式会社 , 山口賢剛 , 坂井智嗣 , 竹内良昭
发明人：山口　賢剛 , 坂井　智嗣 , 竹内　良昭
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/0745 , H01L31/077 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：　カバレージが良好なｎ層を高速で製膜することにより、高生産性と高変換効率とを両立させた光電変換装置の製造方法を提供する。プラズマＣＶＤ法により、基板（１）上にシリコン系の光電変換層（３）を形成する工程を含む光電変換装置（１００）の製造方法であって、前記光電変換層（３）を形成する工程が、結晶質シリコンからなるｉ層（４２）を形成する工程と、該ｉ層（４２）上に、水素希釈率０倍以上１０倍以下の条件でｎ層（４３）を形成する工程とを含むことを特徴とする光電変換装置（１００）の製造方法。
摘要翻译：公开了一种制造光电转换装置的方法，其中可以以高速率形成具有良好覆盖率的n层，并且可以实现高生产率和高转换效率。具体公开了一种用于制造光电转换装置（100）的方法，其包括通过等离子体CVD工艺在衬底（1）上形成硅光电转换层（3）的步骤。该方法的特征在于，形成光电转换层（3）的步骤包括形成包含晶体硅的i层（42）的子步骤，并在第i层（42）上形成n层（43）氢稀释率为0〜10倍的条件。

10. 发明申请

WO2004040631A1 プラズマ化学蒸着方法及びプラズマ化学蒸着装置审中-公开
标题翻译：等离子体化学蒸气沉积方法和等离子体化学气相沉积装置
公开(公告)号：WO2004040631A1
公开(公告)日：2004-05-13
申请号：PCT/JP2003/013821
申请日：2003-10-29
申请人：三菱重工業株式会社 , 真島浩 , 山田明 , 川村啓介 , 田頭健二 , 竹内良昭
发明人：真島浩 , 山田明 , 川村啓介 , 田頭健二 , 竹内良昭
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01J37/32174 , C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/32577
摘要：　高周波電力を伝送するケーブルの電気的特性を操作することによって、高周波電力間の位相差の発生を抑えて、膜厚の分布特性を均一化する方法を提供する。　基準長さを有する同軸ケーブル（１９ａ～１９ｈ及び２４ａ～２４ｈ）、真空ケーブル（２０ａ～２０ｈ及び２５ａ～２５ｈ）を配設し、実際に高周波電力を供給して基板上に製膜させた後、膜厚等の蒸着状態を観察する。　観察結果に基づいて、調整すべき基板上の箇所に対応する電極及び給電点に連通する同軸ケーブルの全長を変化させて再び配設し、先の操作と同様の高周波電力を供給して製膜させる。上記操作を繰り返すことによって、基板上の製膜分布を均一化する。
摘要翻译：通过操纵传输高频功率的电缆的电气特性来限制高频功率之间的相位差的出现，使膜厚分布特性均匀的方法。同轴电缆（19a-19h和24a-24h）和具有参考长度的真空电缆（20a-20h和25a-25h）被安装，实际上提供高频电力以在衬底上形成膜，然后气相沉积观察膜厚等条件。与基板上要调节的部分对应的电极和馈电点的整个长度根据观测结果而改变，再次安装，并且如上述操作那样提供高频电力形成一部电影。通过重复上述操作，使基板上的成膜分布均匀。

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