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1. 发明申请

WO2013018546A1 有機トランジスタ及びその製造方法审中-公开
标题翻译：有机晶体管及其制造方法
公开(公告)号：WO2013018546A1
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/JP2012/068219
申请日：2012-07-18
申请人：国立大学法人大阪大学 , 地方独立行政法人大阪府立産業技術総合研究所 , 竹谷純一 , 植村隆文 , 宇野真由美
发明人：竹谷純一 , 植村隆文 , 宇野真由美
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L51/05
CPC分类号： H01L51/0545 , H01L29/1606 , H01L29/778 , H01L51/0516 , H01L51/105
摘要：　絶縁性の基板と、基板上に相互間に間隔を設けて配置され、各々台状平面を形成する一対の絶縁性の台座（２、３）と、一方の台座が形成する台状平面上に設けられたソース電極（４）と、他方の台座が形成する台状平面上に設けられたドレイン電極（５）と、一対の台座の間の基板上に設けられたゲート電極（６）と、ソース電極及びドレイン電極の上面に接触させて配置された有機半導体層（７）とを備える。ゲート電極と有機半導体層の下面とはギャップ領域（８）を介在させて上下方向に対向し、ギャップ領域に面する台座の側面は、上側端縁に対して下側端縁の方がゲート電極から遠ざかる側に後退した形状を有する。ソース、ドレイン電極と有機半導体層の間の接触抵抗を低減して、短チャネル化により高速応答性能を向上させ、かつ、短チャネル化に伴うソース、ドレイン電極とゲート電極間の短絡を回避可能である。
摘要翻译：有机晶体管具有：绝缘基板; 一对在基板上彼此间隔开的绝缘基座（2,3），每个基座形成台状平坦表面; 源极电极（4），布置在由一个基座形成的台状平坦表面上; 布置在由另一基座形成的台状平坦表面上的漏电极（5）; 布置在所述一对基座之间的所述基板上的栅电极（6）和与源电极和漏电极的上表面接触的有机半导体层（7）。栅电极和有机半导体层的下表面跨越间隙区域（8）彼此垂直地相对，并且面对间隙区域的基座的侧表面具有其中下侧边缘朝向侧面向后退的形状栅电极与上侧边缘相比较。源电极和漏电极与有机半导体层之间的接触电阻降低，通过缩短沟道来提高高速响应性能，并且伴随着沟道缩短的源极和漏极以及栅电极之间的短路可以是避免。

2. 发明申请

WO2009133891A1 縦型電界効果トランジスタ审中-公开
标题翻译：垂直场效应晶体管
公开(公告)号：WO2009133891A1
公开(公告)日：2009-11-05
申请号：PCT/JP2009/058360
申请日：2009-04-28
申请人：国立大学法人大阪大学 , 竹谷純一 , 宇野真由美
发明人：竹谷純一 , 宇野真由美
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC分类号： H01L29/7827 , H01L29/0657 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0696 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/51 , H01L29/78642 , H01L51/057
摘要：　単一の電界効果トランジスタ素子構造を形成する要素として、互いに対向する対の面領域に各々配置されたソース電極１及びドレイン電極２と、対の面領域の間に配置され、各々がソース電極からドレイン電極に亘って延在する複数の半導体チャンネル部３と、複数の半導体チャンネル部に接して配置されたゲート絶縁部４と、ゲート絶縁部に接して配置され、ゲート絶縁部を介して複数の半導体チャンネル部に対して一括して電界を作用させるゲート電極５とを備え、ゲート電極にゲート電圧を印加したときに、ゲート絶縁部を介して作用する電界により複数の半導体チャンネル部の各々に一括して電気伝導経路が形成される。複数の半導体チャンネル部の各々に電気伝導経路が形成され、電流量を容易に増大させることが可能である。しかも、漏れ電流が低減して、高いオン－オフ比が得られる。
摘要翻译：作为形成单个场效应晶体管元件结构的元件的垂直场效应晶体管设置有配置在彼此面对的一对表面区域上的源电极（1）和漏电极（2）多个半导体沟道部分（3），其布置在所述一对表面区域之间并且从所述源极电极延伸到所述漏极电极; 栅极绝缘部分（4），其布置成与所述半导体沟道部分接触; 和栅极电极（5），其与栅极绝缘部分接触地布置，并且通过栅极绝缘部分同时对半导体沟道部分进行电场操作。当栅极电压施加到栅电极时，通过栅极绝缘部分工作的电场同时分别在半导体沟道部分中形成导电通路。因此，导电路径分别在半导体通道中同时形成，并且电流量可以容易地增加。此外，泄漏电流降低，并且可以获得高开关比。

3. 发明申请

WO2011040155A1 有機半導体膜の製造方法および有機半導体膜アレイ审中-公开
标题翻译：制造有机半导体膜的方法和有机半导体膜阵列
公开(公告)号：WO2011040155A1
公开(公告)日：2011-04-07
申请号：PCT/JP2010/064488
申请日：2010-08-26
申请人：国立大学法人大阪大学 , 竹谷純一 , 植村隆文
发明人：竹谷純一 , 植村隆文
IPC分类号： H01L21/368 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC分类号： H01L51/0004 , H01L51/0071 , H01L51/0074
摘要：　有機半導体材料及び溶媒を含む原料溶液を基板１上に供給し、原料溶液を乾燥させることにより有機半導体膜４を前記基板上に形成する。原料溶液を各々付着させる複数の接触面６ａが配置された接触部材７を用いる。基板の表面に対して接触面が一定の関係となるように接触部材が配置され、基板上に原料溶液の液滴３が複数個形成されて、それらの液滴が複数の接触面に各々保持された液滴保持状態を形成する。液滴中の溶媒を蒸発させて複数の接触面に対応する基板の表面の各々の位置に有機半導体膜を形成する。塗布法による簡易な工程により実施でき、しかも高い電荷の移動度を有する有機半導体膜を作製することが可能である。
摘要翻译：将含有有机半导体材料和溶剂的原料溶液涂布在基板（1）上，通过干燥原料溶液在基板上形成有机半导体膜（4）。使用具有设置在其上的多个接触表面（6a）的接触构件（7），所述接触表面分别具有粘附在其上的原料溶液。接触构件被设置成使得接触表面相对于基板的表面具有预定关系，原料溶液的多个液滴（3）形成在基板上，并且液滴保留状态，其中液滴分别保持在接触表面上。蒸发液滴中的溶剂，并且在对应于接触表面的基板表面上的位置处形成有机半导体膜。因此，可以制造可以通过使用涂布法的简单步骤制造的有机半导体膜，并且还可以制造具有高电荷迁移率的有机半导体膜。

4. 发明申请

WO2013024678A1 自己組織化単分子膜形成用の化合物及びそれを用いた有機半導体素子审中-公开
标题翻译：用于形成自组装单分子膜的组合物，以及包含其的有机半导体元件。
公开(公告)号：WO2013024678A1
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：PCT/JP2012/068972
申请日：2012-07-26
申请人：国立大学法人大阪大学 , 竹谷純一 , 岡本敏宏 , 植村隆文
发明人：竹谷純一 , 岡本敏宏 , 植村隆文
IPC分类号： C07F7/18 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC分类号： C07F7/1836 , H01L51/0012
摘要：　有機半導体層を形成する溶液に対する良好なぬれ性を基板表面に与える自己組織化単分子膜を形成するための化合物であって、下記の化学式（１）で表される構造を有する。ただし、化学式（１）中、ｎ＝１または８、Ｒ１＝ＣＨ３またはＣ２Ｈ５であって、Ｒ２とＲ３は、下記（Ａ）～（Ｃ）により示されるいずれかである。（Ａ）Ｒ２＝Ｈ、かつＲ３＝ＣＨ３，Ｃ２Ｈ５，Ｃ６Ｈ１３またはアリール基の組合せ。（Ｂ）Ｒ２＝Ｒ３＝Ｃ２Ｈ５，Ｃ６Ｈ１３またはアリール基。（Ｃ）Ｒ２＝ＣＨ３，Ｃ２Ｈ５，Ｃ６Ｈ１３またはアリール基、かつＲ３＝ＣＨ３，Ｃ２Ｈ５，Ｃ６Ｈ１３またはアリール基の組合せ（但し、Ｒ２ ≠Ｒ３）。大気中での接触角の経時変化が少ない自己組織化単分子膜を基板表面に形成して、良好な特性を有する有機半導体層を再現性よく形成することを可能とする。　
摘要翻译：提供一种形成自组装单分子膜的化合物，其形成有机半导体层，并赋予相对于溶剂具有良好润湿性的基材表面，该化合物具有由化学式（1）表示的结构。在化学式（1）中，n为1或8，R 1为CH 3或C 2 H 5，R 2和R 3为（A）至（C）中的任一个。（A）：其中R2为H和R3为CH3，C2H5，C6H13或芳基的组合。（B）：R2和R3相同，为C2H5，C6H13或芳基。（C）：其中R 2为CH 3，C 2 H 5，C 6 H 13或芳基，R 3为CH 3，C 2 H 5，C 6 H 13或芳基（但R 2为R 3）的组合。可以形成自组装单分子膜，其在大气中的接触角方面在时间上几乎不发生变化，并且形成具有良好重现性的良好特性的有机半导体层。

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