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1. 发明申请

WO2013035510A1 プラズマエッチング方法审中-公开
标题翻译：等离子体蚀刻法
公开(公告)号：WO2013035510A1
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：PCT/JP2012/070811
申请日：2012-08-16
申请人： SPPテクノロジーズ株式会社 , 村上彰一 , 池本尚弥
发明人：村上　彰一 , 池本　尚弥
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/0475 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L21/76813 , H01L21/76822 , H01L29/1608
摘要：　本発明の解決課題は、ワイドギャップ半導体基板にテーパ状の凹部を形成することができるプラズマエッチング方法を提供することである。解決手段としては、ワイドギャップ半導体基板Ｋの表面に、当該ワイドギャップ半導体基板Ｋよりもエッチング速度の大きな高速エッチング膜Ｅを形成させ、その上に開口部を有したマスクＭを形成する。そして、高速エッチング膜Ｅ及びマスクＭが形成されたワイドギャップ半導体基板Ｋを基台に載置し、当該ワイドギャップ半導体基板Ｋを２００℃以上に加熱した後、処理チャンバ内に供給されたエッチングガスをプラズマ化するとともに、基台にバイアス電位を与え、ワイドギャップ半導体基板Ｋをエッチングする。
摘要翻译：本发明的目的是提供一种等离子体蚀刻方法，由此可以在宽间隙半导体衬底中形成锥形凹部。作为解决该问题的手段，在宽间隙半导体基板（K）的表面上形成蚀刻速度高于宽隙半导体基板（K）的蚀刻速度的高速蚀刻膜（E）并且在高速蚀刻膜上形成具有开口的掩模（M）。然后，将具有高速蚀刻膜（E）的宽间隙半导体衬底（K）和形成在其上的掩模（M）放置在基底上，并且将宽间隙半导体衬底（K）加热至200° 然后，供给到处理室内部的蚀刻气体进入等离子体状态，将偏置电位施加到基底，并且蚀刻宽间隙半导体衬底（K）。

2. 发明申请

WO2004112120A1 シリコン基板のエッチング方法审中-公开
标题翻译：蚀刻硅基板的方法
公开(公告)号：WO2004112120A1
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：PCT/JP2004/008264
申请日：2004-06-07
申请人：住友精密工業株式会社 , 村上彰一 , 笠井一夫 , 池本尚弥
发明人：村上彰一 , 笠井一夫 , 池本尚弥
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/30655
摘要：本発明は、広い面のエッチングであっても、残渣が生じることなく、しかも側壁を略垂直に仕上げることが可能なエッチング法に関する。シリコン基板表面にエッチングマスクを形成するマスク形成工程と、シリコン基板を基台上に載置する載置工程と、高周波電力によりプラズマ化したエッチングガスを用いてエッチングマスクの開口部からシリコン基板表面をドライエッチングして所定の構造面を形成するエッチング工程と、同じく高周波電力によりプラズマ化した保護膜形成ガスを用いてドライエッチングにより形成された構造面に保護膜を形成する保護膜形成工程とを含み、マスク形成工程及び載置工程を順次実施した後、エッチング工程と保護膜形成工程とを交互に繰り返して実施し、エッチング工程中、１００～６００ＫＨｚの高周波電力を基台に印加する。
摘要翻译：公开了一种用于蚀刻硅衬底的方法，其中即使当广泛区域被蚀刻并且成品侧壁通常是垂直的时，也不会残留残留物。该方法包括掩模形成步骤，其中在硅衬底的表面上形成蚀刻掩模; 安装步骤，其中所述硅衬底安装在平台上; 蚀刻步骤，其中使用通过高频电力转换成等离子体的蚀刻气体，通过蚀刻掩模的开口部分干蚀刻硅衬底表面，从而形成一定的结构化表面; 以及保护膜形成步骤，其中使用通过高频电力转换成等离子体的保护膜形成气体，在这样形成的结构化表面上形成保护膜。在这一点上，在顺序执行掩模形成步骤和安装步骤之后，交替地重复蚀刻步骤和保护膜形成步骤，并且在蚀刻步骤期间将100-600KHz的高频功率施加到载物台。

3. 发明申请

WO2013042497A1 プラズマエッチング方法审中-公开
标题翻译：等离子体蚀刻法
公开(公告)号：WO2013042497A1
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：PCT/JP2012/070832
申请日：2012-08-16
申请人： SPPテクノロジーズ株式会社 , 池本尚弥 , 村上彰一
发明人：池本　尚弥 , 村上　彰一
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/0475 , H01L21/3081 , H01L29/1608
摘要：　本発明は、ワイドギャップ半導体基板にテーパ状の凹部を形成することができるプラズマエッチング方法に関する。このプラズマエッチング方法は、まず、ワイドギャップ半導体基板Ｋの表面に開口部を有したマスクＭを形成する。そして、マスクＭが形成されたワイドギャップ半導体基板Ｋを基台に載置し、当該ワイドギャップ半導体基板Ｋを２００℃以上に加熱した後、処理チャンバ内に供給されたエッチングガス及び保護膜形成ガスをプラズマ化するとともに、基台にバイアス電位を与え、プラズマ化されたエッチングガスによるワイドギャップ半導体基板Ｋのエッチングと、プラズマ化された保護膜形成ガスによる保護膜の形成とを並行して行い、保護膜によって保護しつつ、炭化ケイ素基板Ｋのエッチングを進行させ、炭化ケイ素基板Ｋにテーパ状の凹部を形成する。
摘要翻译：本发明涉及一种能够在宽间隙半导体衬底中形成锥形凹部的等离子体蚀刻方法。在等离子体蚀刻方法中，首先，在宽间隙半导体衬底（K）的表面上形成具有开口的掩模（M）。然后，将其上形成有掩模（M）的宽间隙半导体衬底（K）放置在基底上，将宽间隙半导体衬底（K）加热至200℃或更高，并且提供蚀刻气体和保护膜形成气体进入处理室被转换为等离子体，同时将偏置电位施加到基底。由此，将转换为等离子体的蚀刻气体的宽间隙半导体衬底（K）的蚀刻与形成等离子体保护膜形成气体的保护膜的形成并行进行。因此，通过驱动碳化硅衬底（K）的蚀刻，同时用保护膜保护锥形凹部，形成在碳化硅衬底（K）中。

4. 发明申请

WO2011033850A1 プラズマエッチング装置审中-公开
标题翻译：等离子体蚀刻装置
公开(公告)号：WO2011033850A1
公开(公告)日：2011-03-24
申请号：PCT/JP2010/062035
申请日：2010-07-16
申请人：住友精密工業株式会社 , 山本孝 , 池本尚弥
发明人：山本　孝 , 池本　尚弥
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32422 , H01J37/321 , H01J37/32357
摘要：　本発明は、基板の種類に関係なく、基板の全面を均一にエッチングすることが可能なプラズマエッチング装置に関する。プラズマエッチング装置１は、上チャンバ１２の外径が下チャンバ１３よりも小さく形成されてこの下チャンバ１３の上面中央部に上チャンバ１２が設けられた処理チャンバ１１と、処理チャンバ１１の内部空間を仕切るように下チャンバ１３の天井面に設けられ、表裏に貫通した複数の貫通孔１４ａを有する、接地された平板状部材１４と、下チャンバ１３内に配設され、基板Ｋが載置される基台１６と、上チャンバ１２内にエッチングガスを供給するガス供給装置２０と、上チャンバ１２内及び下チャンバ１３内のエッチングガスをそれぞれプラズマ化するプラズマ生成装置２６，２９と、処理チャンバ１１内を減圧する排気装置３５と、基台１６に高周波電力を供給する高周波電源３２とを備える。
摘要翻译：公开了一种等离子体蚀刻装置，其能够均匀地蚀刻基板的整个表面，而与基板的种类无关。具体公开了一种等离子体蚀刻装置（1），其包括：处理室（11），其中上室（12）的外径小于下室（13）的外径，而上室（12）布置在下腔室13的上表面的中心部分上; 接地板状构件（14），其设置在下室（13）的顶面上，以分隔处理室（11）的内部空间，并且具有穿过该处理室的多个通孔（14a）板状构件（14）从前表面到后表面; 底座（16），其设置在所述下腔室（13）内并且放置有衬底（K）; 气体供给装置（20），其将蚀刻气体供给到所述上部室（12）中; 分别将上部室（12）和下部室（13）内的蚀刻气体转换为等离子体的等离子体产生装置（26,29）排气装置（35），其减小处理室（11）内的压力; 以及向基座（16）供给高频电力的高频电源（32）。

5. 发明申请

WO2011148985A1 プラズマエッチング方法审中-公开
标题翻译：等离子体蚀刻法
公开(公告)号：WO2011148985A1
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：PCT/JP2011/062012
申请日：2011-05-25
申请人：住友精密工業株式会社 , 池本尚弥 , 山本孝 , 野沢善幸
发明人：池本　尚弥 , 山本　孝 , 野沢　善幸
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/32137
摘要：　ボーイング形状を防止し、表面が滑らかなテーパ状のエッチング構造（穴や溝）を形成することが可能なプラズマエッチング方法を提供する。フッ素系ガス及び窒素ガスを用い、これらのガスを同時にプラズマ化するとともに、プラズマ化した窒素ガスによってシリコン基板Ｋに耐エッチング層を形成しつつ、プラズマ化したフッ素系ガスによってシリコン基板Ｋをエッチングする第１工程を実施した後、フッ素系ガス及び酸素系ガスを用い、これらのガスを同時にプラズマ化するとともに、プラズマ化した酸素系ガスによってシリコン基板Ｋに耐エッチング層を形成しつつ、プラズマ化したフッ素系ガスによってシリコン基板Ｋをエッチングする第２工程を実施し、シリコン基板Ｋに、上部開口幅が広く、底部幅が狭いテーパ状のエッチング構造Ｈ（穴や溝）を形成する。
摘要翻译：公开了一种等离子体蚀刻方法，其可以防止形成弓形并且能够形成具有光滑表面的锥形蚀刻结构（孔或凹槽）。通过进行使用含氟气体和氮气的第一工序，可以在硅衬底（K）上形成具有宽的上部开口宽度和窄的底部宽度的锥形蚀刻结构（H）（孔或凹槽）气体，同时将这些气体转化为含氟等离子体气体和氮等离子体气体，同时用含氟等离子体气体蚀刻硅衬底（K），同时在氮化硅衬底（K）上形成耐蚀刻层等离子体气体，并且进行使用含氟气体和含氧气体的第二步骤，同时将这些气体转化成含氟等离子体气体和含氧等离子体气体，并用同时用含氧等离子体气体在硅衬底（K）上形成耐蚀刻层。

6. 发明申请

WO2005055304A1 プラズマ発生器及びプラズマエッチング装置审中-公开
标题翻译：等离子体发生器和等离子体蚀刻装置
公开(公告)号：WO2005055304A1
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：PCT/JP2004/017725
申请日：2004-11-29
申请人：住友精密工業株式会社 , 林靖之 , 村上彰一 , 波部剛士 , 池本尚弥
发明人：林靖之 , 村上彰一 , 波部剛士 , 池本尚弥
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/321
摘要：　試料の周方向におけるエッチング速度を均一にするためのプラズマを発生できるプラズマ発生器、及び、試料の周方向において均一なエッチング処理を行えるプラズマエッチング装置を提供する。プラズマ発生室内へプロセスガスを導入しながら所定の圧力に保ちつつ、コイルに高周波の交流電圧を印加することによって、プロセスガスのプラズマを発生させる。基板電極への交流電圧の印加によって、プラズマ発生室内で発生させたプラズマを反応室内に引き込んで試料をエッチングする。コイルは均一な螺旋状に巻回されておらず、水平または略水平に巻回されている第１巻回領域と、急傾斜をなして巻回されている第２巻回領域とが、コイルの１ターンに存在する。
摘要翻译：提供一种等离子体发生器，用于产生在样品的圆周方向上具有均匀蚀刻速率的等离子体和能够在样品的圆周方向上均匀蚀刻的等离子体蚀刻装置。为了产生处理气体的等离子体，在保持预定压力的同时将处理气体引入等离子体发生室，并且向线圈施加高频交流电压。通过施加向基板电极施加交流电压，将等离子体发生室中产生的等离子体进入反应室，并对样品进行蚀刻。线圈未卷绕成均匀的螺旋形状。线圈的一圈具有水平地或大致水平地缠绕的第一绕组部分和以锐角倾斜地缠绕的第二绕组部分。

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