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1. 发明申请

WO2004112120A1 シリコン基板のエッチング方法审中-公开
标题翻译：蚀刻硅基板的方法
公开(公告)号：WO2004112120A1
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：PCT/JP2004/008264
申请日：2004-06-07
申请人：住友精密工業株式会社 , 村上彰一 , 笠井一夫 , 池本尚弥
发明人：村上彰一 , 笠井一夫 , 池本尚弥
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/30655
摘要：本発明は、広い面のエッチングであっても、残渣が生じることなく、しかも側壁を略垂直に仕上げることが可能なエッチング法に関する。シリコン基板表面にエッチングマスクを形成するマスク形成工程と、シリコン基板を基台上に載置する載置工程と、高周波電力によりプラズマ化したエッチングガスを用いてエッチングマスクの開口部からシリコン基板表面をドライエッチングして所定の構造面を形成するエッチング工程と、同じく高周波電力によりプラズマ化した保護膜形成ガスを用いてドライエッチングにより形成された構造面に保護膜を形成する保護膜形成工程とを含み、マスク形成工程及び載置工程を順次実施した後、エッチング工程と保護膜形成工程とを交互に繰り返して実施し、エッチング工程中、１００～６００ＫＨｚの高周波電力を基台に印加する。
摘要翻译：公开了一种用于蚀刻硅衬底的方法，其中即使当广泛区域被蚀刻并且成品侧壁通常是垂直的时，也不会残留残留物。该方法包括掩模形成步骤，其中在硅衬底的表面上形成蚀刻掩模; 安装步骤，其中所述硅衬底安装在平台上; 蚀刻步骤，其中使用通过高频电力转换成等离子体的蚀刻气体，通过蚀刻掩模的开口部分干蚀刻硅衬底表面，从而形成一定的结构化表面; 以及保护膜形成步骤，其中使用通过高频电力转换成等离子体的保护膜形成气体，在这样形成的结构化表面上形成保护膜。在这一点上，在顺序执行掩模形成步骤和安装步骤之后，交替地重复蚀刻步骤和保护膜形成步骤，并且在蚀刻步骤期间将100-600KHz的高频功率施加到载物台。

2. 发明申请

WO2005055304A1 プラズマ発生器及びプラズマエッチング装置审中-公开
标题翻译：等离子体发生器和等离子体蚀刻装置
公开(公告)号：WO2005055304A1
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：PCT/JP2004/017725
申请日：2004-11-29
申请人：住友精密工業株式会社 , 林靖之 , 村上彰一 , 波部剛士 , 池本尚弥
发明人：林靖之 , 村上彰一 , 波部剛士 , 池本尚弥
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/321
摘要：　試料の周方向におけるエッチング速度を均一にするためのプラズマを発生できるプラズマ発生器、及び、試料の周方向において均一なエッチング処理を行えるプラズマエッチング装置を提供する。プラズマ発生室内へプロセスガスを導入しながら所定の圧力に保ちつつ、コイルに高周波の交流電圧を印加することによって、プロセスガスのプラズマを発生させる。基板電極への交流電圧の印加によって、プラズマ発生室内で発生させたプラズマを反応室内に引き込んで試料をエッチングする。コイルは均一な螺旋状に巻回されておらず、水平または略水平に巻回されている第１巻回領域と、急傾斜をなして巻回されている第２巻回領域とが、コイルの１ターンに存在する。
摘要翻译：提供一种等离子体发生器，用于产生在样品的圆周方向上具有均匀蚀刻速率的等离子体和能够在样品的圆周方向上均匀蚀刻的等离子体蚀刻装置。为了产生处理气体的等离子体，在保持预定压力的同时将处理气体引入等离子体发生室，并且向线圈施加高频交流电压。通过施加向基板电极施加交流电压，将等离子体发生室中产生的等离子体进入反应室，并对样品进行蚀刻。线圈未卷绕成均匀的螺旋形状。线圈的一圈具有水平地或大致水平地缠绕的第一绕组部分和以锐角倾斜地缠绕的第二绕组部分。

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