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1. 发明申请

WO2013008919A1 セラミックス回路基板审中-公开
标题翻译：陶瓷电路板
公开(公告)号：WO2013008919A1
公开(公告)日：2013-01-17
申请号：PCT/JP2012/067956
申请日：2012-07-13
申请人：株式会社東芝 , 東芝マテリアル株式会社 , 星野政則 , 佐藤英樹 , 小森田裕 , 中山憲隆 , 那波隆之
发明人：星野　政則 , 佐藤　英樹 , 小森田　裕 , 中山　憲隆 , 那波　隆之
IPC分类号： C04B35/111 , C04B37/02 , H05K1/03 , H05K3/46
CPC分类号： C04B35/111 , C04B37/021 , C04B37/025 , C04B37/026 , C04B38/00 , C04B2111/00844 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/6025 , C04B2235/6567 , C04B2235/72 , C04B2235/786 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/06 , C04B2237/125 , C04B2237/126 , C04B2237/127 , C04B2237/343 , C04B2237/407 , C04B2237/52 , C04B2237/54 , C04B2237/706 , C04B2237/708 , C04B2237/86 , H05K1/0306 , H05K3/38 , C04B38/0054
摘要：　本発明のセラミックス回路基板は、アルミナ基板上に金属回路板が接合されたセラミックス回路基板において、前記アルミナ基板は、アルミナＡｌ２Ｏ３を９４～９８質量％、および焼結前に配合された焼結助剤から生成された焼結助剤由来成分を２～６質量％含み、前記焼結助剤由来成分は、ケイ素を含む無機酸化物であり、前記焼結助剤由来成分中のケイ素は酸化ケイ素ＳｉＯ２に換算した質量で前記アルミナ基板１００質量％中に０．０１～１．５質量％含まれ、前記アルミナ基板は、ボイドの最大径が１５μｍ以下であり、ボイド平均径が１０μｍ以下であり、ビッカース硬度が１３００以上である。
摘要翻译：一种陶瓷电路板，其具有粘附在氧化铝基板上的金属电路板，其中所述氧化铝基板包含94-98质量％的氧化铝（Al 2 O 3）和2-6质量％的由烧结助剂衍生的组分烧结助剂衍生成分为含有硅的无机氧化物，烧结助剂衍生成分中的二氧化硅（SiO 2）的硅每100质量％的氧化铝基质含有0.01〜1.5质量％的硅，氧化铝基板的最大空隙尺寸不大于15μm，平均空隙尺寸不大于10μm，维氏硬度至少为1300。

2. 发明申请

WO2008059796A1 光学用ポリウレタン樹脂組成物および光学用ポリウレタン樹脂审中-公开
标题翻译：光学聚氨酯树脂组合物和光学聚氨酯树脂
公开(公告)号：WO2008059796A1
公开(公告)日：2008-05-22
申请号：PCT/JP2007/071929
申请日：2007-11-12
申请人：三井化学ポリウレタン株式会社 , 梶田泰之 , 森田裕史
发明人：梶田泰之 , 森田裕史
IPC分类号： C08G18/74
CPC分类号： C08G18/757 , C08G18/12 , C08G18/4018 , C08G18/4277 , C08G18/4812 , C08G18/4829 , C08G18/4854 , C08G18/5027 , C08G18/758
摘要：　光学用ポリウレタン樹脂組成物は、脂環族ポリイソシアネート、芳香脂肪族ポリイソシアネートおよびそれらの変性体からなる群から選択される少なくとも１種の環状ポリイソシアネートを含むポリイソシアネート成分と、平均水酸基価が２８０～１２４０ｍｇＫＯＨ／ｇであり、平均官能基数が２を超過し５未満であるポリオール成分とを含有する。
摘要翻译：一种光学聚氨酯树脂组合物，其包含：多异氰酸酯成分，其包含至少一种选自脂环族多异氰酸酯，芳脂族多异氰酸酯的环状多异氰酸酯及其改性; 和平均羟值为280-1,240mg-KOH / g，平均官能团数为2-5的多元醇成分，不包括2和5。

3. 发明申请

WO2007013625A1 太陽電池モジュール审中-公开
标题翻译：太阳能电池模块
公开(公告)号：WO2007013625A1
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：PCT/JP2006/315052
申请日：2006-07-28
申请人：京セラ株式会社 , 森田裕司 , 永田優 , 屋敷達也
发明人：森田裕司 , 永田優 , 屋敷達也
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/188 , H01L31/0508 , Y02E10/50
摘要：　接続導体をハンダ付けすることにより太陽電池素子同士を接続した後のクラックの発生を無くすことにより、その歩留りが良好で、信頼性の高い接続導体及び太陽電池モジュールを提供するものであって、この太陽電池モジュールは、電極が形成された太陽電池素子と、電極と半田を介して接続された帯状の接続導体とを備えた太陽電池モジュールであって、接続導体は、少なくとも一つの端部の平面形状が、鈍角である複数の角部を備えることを特徴とする。
摘要翻译：公开了一种高度可靠的高产率连接导体和太阳能电池模块，其中通过焊接连接导体消除了太阳能电池元件连接之后的裂纹的发生。具体公开了包括设置有电极的太阳能电池元件和通过焊料与电极连接的条状连接导体的太阳能电池模块。该太阳能电池模块的特征在于，连接导体具有至少一个端部，其平面形状具有多个钝角部。

4. 发明申请

WO2011001777A1 花の色を薄く又は濃くする方法审中-公开
标题翻译：用于改变深度或深度的花色深浅的方法
公开(公告)号：WO2011001777A1
公开(公告)日：2011-01-06
申请号：PCT/JP2010/059281
申请日：2010-06-01
申请人：サントリーホールディングス株式会社 , 飯田滋 , 森田裕将 , 星野敦 , 田中良和 , 水谷正子
发明人：飯田　滋 , 森田　裕将 , 星野　敦 , 田中　良和 , 水谷　正子
IPC分类号： C12N15/09 , A01H1/00 , A01H5/00
CPC分类号： C12N15/825
摘要：　花の色を薄く又は濃く変化させる新規方法の提供。本発明に係る方法は、以下のステップ：タイプＩＶカルコンイソメラーゼ(Type IV Chalcone Isomerase)の発現を制御するステップを含む、植物の花弁中のアントシアニン含量を変化させて該植物の花の色を薄く又は濃くする方法である。
摘要翻译：公开了一种用于改变较浅或更深的花色深度的新方法。具体公开的是通过改变植物花瓣中的花青素含量来改变植物的较浅或更深的花色深度的方法，其包括调节植物中IV型查耳酮异构酶表达的步骤。

5. 发明申请

WO2008072635A1 空燃比制御装置审中-公开
标题翻译：空气对燃油比率控制装置
公开(公告)号：WO2008072635A1
公开(公告)日：2008-06-19
申请号：PCT/JP2007/073880
申请日：2007-12-11
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 岩橋和裕 , 森田裕士
发明人：岩橋和裕 , 森田裕士
IPC分类号： F02D41/04 , F02D9/02 , F02D13/02 , F02D41/14 , F02D43/00 , F02D45/00
CPC分类号： F02D41/2438 , F02D13/02 , F02D13/0226 , F02D41/2454 , F02D41/2464 , F02D2041/001 , Y02T10/18
摘要：　内燃機関の空燃比制御装置が提供される。制御装置は、学習部、補正部及び禁止部を備える。学習部は、実行条件が成立した場合において、吸気バルブのリフト量が、前記実行条件が未成立である場合に用いられる第１のリフト量領域にあるときと、前記実行条件が成立した場合にのみ用いられる第２のリフト量領域にあるときとにおいて各別に、補正量とその基準値との間の定常的な乖離量を乖離量学習値として学習する。学習部は、乖離量学習値に基づいて乖離量とリフト量との関係を求めて同関係を記憶する。補正部は、リフト量に基づいて、前記記憶した関係から乖離量補正値を求めるとともに、該乖離量補正値を用いて燃料噴射量指令値を補正する。禁止部は、リフト量が第１のリフト量領域にあるときの乖離量の学習が完了した履歴がないときに、リフト量が第１のリフト量領域から他のリフト量領域へ移行するのを禁止する。
摘要翻译：提供一种用于内燃机的空燃比控制装置。控制装置包括学习单元，校正单元和禁止单元。当满足执行条件时，当进气门升程量处于不满足执行条件时使用的第一提升量区域中的每一种情况下，学习单元学习校正量与其参考值之间的固定差值;以及当进气门提升量处于仅在执行条件满足时使用的第二升程量区域中的情况下，学习单元根据差值学习值来获得差值和升程量之间的关系，并存储关系。校正单元根据提升量从所存储的关系中获得差值校正值，并且通过使用差量校正值来校正燃料喷射量指令值。当没有历史指示当升降量在第一提升量区域中的差值的学习完成时，禁止单元禁止升降量从第一升程量区域移动到其他提升量区域。

6. 发明申请

WO2005093855A1 太陽電池モジュール及びこれを用いた太陽光発電装置审中-公开
标题翻译：太阳能电池模块和光伏发电机使用这个
公开(公告)号：WO2005093855A1
公开(公告)日：2005-10-06
申请号：PCT/JP2005/006548
申请日：2005-03-29
申请人：京セラ株式会社 , 藤井修一 , 猪股洋介 , 坂元智成 , 新楽浩一郎 , 府川祐子 , 森田裕司 , 西浩二 , 屋敷達也 , 山下満雄 , 福井健次
发明人：藤井修一 , 猪股洋介 , 坂元智成 , 新楽浩一郎 , 府川祐子 , 森田裕司 , 西浩二 , 屋敷達也 , 山下満雄 , 福井健次
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/0201 , H01L31/02013 , H01L31/022433 , H01L31/048 , H01L31/049 , H01L31/0504 , H01L31/0508 , Y02E10/50
摘要：本発明の太陽電池素子の受光面には、表面電極５が配設され、この表面電極５は、太陽電池素子で生じた光生成電流を外部へ取出すための３本のバスバー電極５ａと、これらのバスバー電極５ａに接続される集電用のフィンガー電極５ｂとを含んでなり、前記バスバー電極５ａはその幅が０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下であり、かつ、前記フィンガー電極５ｂはその幅が０．０５ｍｍ以上０．１ｍｍ以下である。バスバー電極５ａの本数を増やすことにより、フィンガー電極５ｂの長さを短くすることによって、実質の抵抗値を下げ、高効率の太陽電池モジュールが得られる。
摘要翻译：表面电极（5）安装在太阳能电池元件的受光面上，表面电极（5）包括三条汇流条电极（5a），用于将在太阳能电池元件产生的光产生的电流回收到外部并收集连接到这些汇流条电极（5a）的指状电极（5b）和汇流条电极（5a）的宽度为0.5mm至2mm，并且指状电极（5b）的宽度为0.05mm至0.1mm。通过增加母线电极（5a）的数量，从而减小手指电极（5b）的长度，可以获得具有显着降低的电阻的高效太阳能电池模块。

7. 发明申请

WO2012056873A1 バスバ間内蔵コンデンサ、電力機器及び電力変換装置审中-公开
标题翻译：母线，电力设备和电力转换装置之间的电容器
公开(公告)号：WO2012056873A1
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：PCT/JP2011/073307
申请日：2011-10-11
申请人：株式会社日立製作所 , 吉武勇一郎 , 加藤修治 , 森田裕 , 大嶽敦
发明人：吉武　勇一郎 , 加藤　修治 , 森田　裕 , 大嶽　敦
IPC分类号： H01G4/30 , H01G2/04 , H02M7/48
CPC分类号： H01G4/002 , H01G2/06 , H01G4/1218 , H01G4/33 , H01G4/40 , H01G7/06 , H01L25/16 , H01L2924/0002 , H02M7/003 , H01L2924/00
摘要：　インバータ等に用いられるコンデンサを小型化若しくは削減することができるバスバ間内蔵コンデンサ、電力機器及び電力変換装置を提供する。一対の対向するバスバ間に設けられるバスバ間内蔵コンデンサであって、２５℃で１０００Ｖの電圧を印加した時の比誘電率が５０以上である高誘電材料を含んでなることにより、インバータ等に用いられるコンデンサを小型化若しくは削減することができるバスバ間内蔵コンデンサ、電力機器及び電力変換装置を提供することができる。
摘要翻译：提供：嵌入母线之间的电容器，由此可以减小用于逆变器等的电容器的尺寸，或者消除用于逆变器等的电容器; 电力设备; 和电力转换装置。可以提供：嵌入母线之间的电容器，其设置在一对相对的母线之间，并且当在25℃下施加1000V的电压时，包括具有50或更大的比介电常数的高电介质材料，并且能够减小用于逆变器等的电容器的尺寸或电容器的消除; 电力设备; 和电力转换装置。

8. 发明申请

WO2008029481A1 苗巻取装置，苗ロール，苗植付装置，苗植システム审中-公开
标题翻译：种子加工设备，切割滚筒，切割设备和种植园系统
公开(公告)号：WO2008029481A1
公开(公告)日：2008-03-13
申请号：PCT/JP2006/317914
申请日：2006-09-09
申请人：有限会社ダイト商事 , 株式会社トキワカンパニー , 森田勇 , 森田裕文
发明人：森田勇 , 森田裕文
IPC分类号： A01C1/04 , A01C11/02
CPC分类号： A01C11/00 , A01C1/042
摘要：　多数の苗を分離保持したテープ状苗を、効率よく自動的に巻き取ることができる苗巻取装置を提供する。　苗巻取装置１０は、セットローラ２４，３２，貼付ローラ３６，ガイドローラ２６，３４，４２，巻取装置５０，切断装置６６，カウンタ７４，制御ボックス８０，フットスイッチ９０などにより構成される。セットローラ２４に回転可能に保持されたテープロール２２から引き出された把持テープ２０の把持面２０Ａには、苗４０が貼り付けられ、次いで、貼付ローラ３６に沿って通過する際に、他方の把持テープ２８が貼り合わせられる。その後、苗４０の数がカウンタ７４により計数され、切断装置６６により茎の先端が切り落とされる。貼付ローラ３６を通過して形成されたテープ状苗４４は、駆動モータ５４により周速度一定となるように駆動される回転軸５２に巻き取られて苗ロール６０が形成される。
摘要翻译：本发明提供一种能够有效且自动地分别收容多片幼苗的带状幼苗的育苗装置。育苗装置（10）构成为包括定位辊（24,32），粘合辊（36），导辊（26,34,42），卷取装置（50），切割装置（66），计数器（74），控制箱（80）和脚踏开关（90）。从可旋转地保持在固定辊（24）上的带卷（22）中提取出来的幼苗（40）的一部分粘附到夹持带（20）的抓握面（20A）上，另一个夹持带（28）然后当这些秧苗（40）沿粘合辊（36）通过时，粘附到秧苗（40）上。之后，通过计数器（74）计数幼苗（40），并且通过切割装置（66）将其尖端切割。通过粘合辊（36）后形成的带状幼苗（44）被卷绕在由驱动马达（54）以恒定的圆周速度驱动的主轴（52）上，从而形成一个幼苗卷（60）。

9. 发明申请

WO2006025243A1 実験装置と連動させる仮想実験インタフェース审中-公开
标题翻译：用于与实验设备相互联系的虚拟实验接口
公开(公告)号：WO2006025243A1
公开(公告)日：2006-03-09
申请号：PCT/JP2005/015372
申请日：2005-08-24
申请人：独立行政法人科学技術振興機構 , 森田裕史 , 土井正男 , 山上達也
发明人：森田裕史 , 土井正男 , 山上達也
IPC分类号： G06T1/00 , G06F19/00
CPC分类号： G06T17/00 , G06T19/00 , G06T2210/32 , H01J2237/226
摘要：　実験計測装置（１０１）によって得られる高分子材料の構造の画像データを取得するデータ取得部（２０１）と、データ取得部（１０１）が取得した画像データを、シミュレーション装置（１０２）が処理できるように変換するデータ変換処理部（２０２）と、データ変換処理部（２０２）によって変換されたデータをシミュレーション装置に対して出力するデータ出力部（２０３）と、を有する仮想実験インタフェース（２００）によれば、実験計測装置とシミュレーション等の仮想実験装置とを連動させることができる。このため、より現実系を反映したシミュレーションを行うことができる。さらに、現実の実験装置では行い得ない、詳細な解析を行うことが可能となる。
摘要翻译：虚拟实验界面（200）具有数据获取部（201），其获取由实验测量装置（101）获得的聚合物材料的结构的图像数据; 数据转换处理部（202），其转换由数据获取部（101）获取的图像数据，使得模拟装置（102）能够处理图像数据; 以及将由数据转换处理部（202）转换的数据输出到模拟装置的数据输出部（203）。虚拟实验界面将实验测量装置与用于模拟等的虚拟实验装置相互联系。因此，可以进行反映更多现实的仿真。此外，可以进行实际的实验装置不能进行的详细分析。

10. 发明申请

WO2012043474A1 ＧａＮベース半導体結晶成長用多結晶窒化アルミニウム基材およびそれを用いたＧａＮベース半導体の製造方法审中-公开
标题翻译：用于生长GaN基半导体晶体的多晶氮化铝衬底和使用其的GaN基半导体制造方法
公开(公告)号：WO2012043474A1
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：PCT/JP2011/071884
申请日：2011-09-26
申请人：株式会社東芝 , 東芝マテリアル株式会社 , 小森田裕 , 中山憲隆 , 高浪健太郎
发明人：小森田　裕 , 中山　憲隆 , 高浪　健太郎
IPC分类号： H01L21/205 , C04B35/581 , C23C16/34
CPC分类号： H01L29/2003 , C04B35/581 , C04B41/009 , C04B41/5062 , C04B41/87 , C04B2111/0025 , C04B2111/00844 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3865 , C04B2235/3895 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/945 , C04B2235/9607 , C04B2235/963 , C04B2235/9638 , C23C16/303 , H01L21/02107 , H01L21/02389 , H01L21/02428 , H01L21/0254 , C04B41/4531
摘要：　ＧａＮを結晶成長させるのに有効な多結晶窒化アルミニウム基板を提供する。ＧａＮベース半導体を粒成長させるための基板材料としての多結晶窒化アルミニウム基材であって、焼結助剤成分を１～１０質量％含有し、熱伝導率１５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、かつ、基板表面に最大径２００μｍを超える凹部がないことを特徴とする。
摘要翻译：一种有效生长GaN晶体的多晶氮化铝衬底。所述多晶氮化铝基板是用于使GaN系半导体晶粒生长的基材，其特征在于，含有1-10质量％的热传导率为至少150W / m·K的烧结助剂，没有最大直径大于200μm的表面凹槽。

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