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1. 发明申请

WO2007091569A1 膜形成用材料の製造方法审中-公开
标题翻译：生产成膜材料的方法
公开(公告)号：WO2007091569A1
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：PCT/JP2007/052051
申请日：2007-02-06
申请人：東京応化工業株式会社 , 独立行政法人理化学研究所 , 松丸省吾 , 太宰尚宏 , 羽田英夫 , 藤川茂紀 , 国武豊喜
发明人：松丸省吾 , 太宰尚宏 , 羽田英夫 , 藤川茂紀 , 国武豊喜
IPC分类号： C09D185/00 , C09D183/00 , G03F7/40 , H01L21/312
CPC分类号： H01L21/316 , C08G18/778 , C08G2190/00 , C09D185/00 , G03F7/405 , H01L21/312
摘要：　膜形成用材料の製造方法は、イソシアネート基を２個以上有する金属化合物（Ｗ）が溶剤（Ｓ）に溶解してなる膜形成用材料の製造方法であって、前記金属化合物（Ｗ）を前記溶剤（Ｓ）に溶解して得られる溶液（Ｒ１）中のイソシアン酸を除去する工程と、前記イソシアン酸を除去した後、前記溶液（Ｒ１）を不活性ガス雰囲気下でろ過する工程とを有する。
摘要翻译：公开了一种用于制备其中具有两个或多个异氰酸酯基团的金属化合物（W）溶解在溶剂（S）中的成膜材料的方法。具体地说，成膜材料的制造方法包括通过将金属化合物（W）溶解在溶剂（S）中而得到的溶液（R1）中除去异氰酸的工序和过滤溶液（ R1）在除去异氰酸后在惰性气体气氛中。

2. 发明申请

WO2006137342A1 パターン被覆材料およびパターン形成方法审中-公开
标题翻译：图案涂料和图案形成方法
公开(公告)号：WO2006137342A1
公开(公告)日：2006-12-28
申请号：PCT/JP2006/312136
申请日：2006-06-16
申请人：東京応化工業株式会社 , 独立行政法人理化学研究所 , 松丸省吾 , 緒方寿幸 , 石川清 , 羽田英夫 , 藤川茂紀 , 国武豊喜
发明人：松丸省吾 , 緒方寿幸 , 石川清 , 羽田英夫 , 藤川茂紀 , 国武豊喜
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/0273 , G03F7/405
摘要：　基板の上に形成されたパターンをマスクとしてエッチングをするプロセスにおいて、パターンのエッチング耐性を向上させる被覆材料が提供される。この材料は、基板の上に形成されたパターンをマスクとしてエッチングをするプロセスに用いられるパターン被覆材料であって、加水分解により水酸基を生成し得る金属化合物（Ｗ）を含有するパターン被覆材料である。
摘要翻译：公开了一种涂覆材料，其能够在使用在基板上形成的图案作为掩模进行蚀刻的工艺中提高图案的耐蚀刻性。具体公开了在使用在基板上形成的图案作为掩模进行蚀刻的方法中使用的图案涂布材料，该图案涂料含有可通过水解产生羟基的金属化合物（W）。

3. 发明申请

WO2006067944A1 液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：用于液体暴露的耐蚀组合物和耐蚀图案的形成方法
公开(公告)号：WO2006067944A1
公开(公告)日：2006-06-29
申请号：PCT/JP2005/022121
申请日：2005-12-01
申请人：東京応化工業株式会社 , 辻裕光 , 松丸省吾
发明人：辻裕光 , 松丸省吾
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0045 , G03F7/2041
摘要：　酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する樹脂成分（Ａ）を含む液浸露光用レジスト組成物であって、前記樹脂成分（Ａ）が、放射線の照射により酸を発生する酸発生基を有する構成単位（ａ０）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有する液浸露光用レジスト組成物。
摘要翻译：本发明提供了一种用于液浸曝光的抗蚀剂组合物，其包括通过酸的作用使碱溶解度发生变化的树脂组分（A）。树脂组分（A）包括包含含有在暴露于辐射时产生酸的酸产生基团的结构单元（a0）的聚合化合物（A1）。

4. 发明申请

WO2006013687A1 高分子化合物、酸発生剤、ポジ型レジスト組成物、およびレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：高分子化合物，酸发生器，积极抗性组合物和形成耐药模式的方法
公开(公告)号：WO2006013687A1
公开(公告)日：2006-02-09
申请号：PCT/JP2005/012201
申请日：2005-07-01
申请人：東京応化工業株式会社 , 松丸省吾 , 竹下優 , 岩井武 , 羽田英夫
发明人：松丸省吾 , 竹下優 , 岩井武 , 羽田英夫
IPC分类号： C08F220/38
CPC分类号： G03F7/0045 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F220/38 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/114
摘要：　ＬＥＲの低減された高解像性のパターンを形成できるポジ型レジスト組成物を構成できる高分子化合物、該高分子化合物からなる酸発生剤、該高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法が提供される。上記高分子化合物は、酸解離性溶解抑制基を有する（α－低級アルキル）アクリレートエステルから誘導される構成単位（ａ１）と、下記一般式（ａ２－１）［式中、Ｒは水素原子又は低級アルキル基であり；Ａは２価の有機基であり；Ｂは１価の有機基であり；Ｘは硫黄原子又はヨウ素原子であり；ｎは１又は２であり；Ｙは少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい直鎖、分岐又は環状のアルキル基である。］で表される構成単位（ａ２）と、極性基含有脂肪族多環式基を含む（α－低級アルキル）アクリレートエステルから誘導される構成単位（ａ３）とを含有する。【化１】
摘要翻译：本发明提供能够构成正抗蚀剂组合物的高分子化合物，其可以形成具有降低的LER和高分辨率的图案; 由该化合物组成的酸发生剂; 含有该化合物的正性抗蚀剂组合物; 以及通过使用该组合物形成抗蚀剂图案的方法。高分子化合物包含衍生自具有酸解离性溶解抑制基团的（α-低级烷基）丙烯酸酯的结构单元（a1），由通式（a2-1）表示的构成单元（a2）[其中R 是氢或低级烷基; A是二价有机基团; B是一价有机基团; X为硫或碘; n为1或2; Y是直链，支链或环状的烷基，其中至少一个氢原子可以被氟取代）和衍生自含有极性的脂族多环基团的（α-低级烷基）丙烯酸酯的构成单元（a3）组。（A2-1）

5. 发明申请

WO2005121193A1 重合体、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：聚合物，阳极电阻组合物和形成电阻图案的方法
公开(公告)号：WO2005121193A1
公开(公告)日：2005-12-22
申请号：PCT/JP2005/010135
申请日：2005-06-02
申请人：東京応化工業株式会社 , 竹下優 , 羽田英夫 , 林亮太郎 , 岩井武 , 松丸省吾 , 藤村悟史
发明人：竹下優 , 羽田英夫 , 林亮太郎 , 岩井武 , 松丸省吾 , 藤村悟史
IPC分类号： C08F32/08
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , Y10S430/108 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/126
摘要：　高解像性で、しかもエッチング耐性にも優れたレジストパターンを形成できる重合体、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。本発明は、下記一般式（ａ－１）で表される構成単位（ａ１）と、下記一般式（ａ－２）で表される構成単位（ａ２）とを有する重合体、構成単位（ａ１）と、下記一般式（ａ－３）で表される構成単位（ａ３）とを有する重合体、構成単位（ａ１）と、構成単位（ａ２）と、構成単位（ａ３）とを有する重合体を用いる。
摘要翻译：公开了能够形成具有高分辨率和优异的耐蚀刻性的抗蚀剂图案的聚合物。还公开了正型抗蚀剂组合物和形成抗蚀剂图案的方法。具体公开的是具有下述通式（a-1）表示的结构单元（a1）和下述通式（a-2）表示的结构单元（a2）的聚合物，具有结构单元（a1 ）和由下述通式（a-3）表示的结构单元（a3）和具有结构单元（a1），结构单元（a2）和结构单元（a3）的另一种聚合物。（a-1）（a-2）（a-3）

6. 发明申请

WO2008015848A1 パターン形成方法、金属酸化物膜形成用材料およびその使用方法审中-公开
标题翻译：图案形成方法，形成金属氧化膜的材料和使用金属氧化物膜形成材料的方法
公开(公告)号：WO2008015848A1
公开(公告)日：2008-02-07
申请号：PCT/JP2007/062221
申请日：2007-06-18
申请人：東京応化工業株式会社 , 松丸省吾 , 渡部良司 , 緒方寿幸
发明人：松丸省吾 , 渡部良司 , 緒方寿幸
IPC分类号： G03F7/40 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0273 , G03F7/0035 , G03F7/0397 , G03F7/40 , H01L21/0337 , H01L21/0338
摘要：　パターン形成方法であって、支持体上に第一の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成することと、第一のレジスト膜を選択的に露光し、現像して複数のレジストパターンを形成することと、レジストパターンの表面にそれぞれ金属酸化物膜からなる被覆膜を形成して複数の被覆パターンを形成することと、該被覆パターンが形成された支持体上に第二の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成することと、第二のレジスト膜を選択的に露光し、現像することにより、複数の被覆パターンと、第二のレジスト膜に形成されたレジストパターンとからなるパターンを支持体上に形成することを含む。
摘要翻译：图案形成方法包括通过在支撑体上施加第一化学放大抗蚀剂组合物来形成第一抗蚀剂膜的步骤; 通过选择性地曝光和显影第一抗蚀剂膜形成多个抗蚀剂图案的步骤; 通过在抗蚀剂图案的表面上形成由金属氧化物膜构成的膜来形成多个膜图案的步骤; 通过在支撑体上施加第二化学放大抗蚀剂组合物形成第二抗蚀剂膜，从而形成膜图案的步骤; 以及通过选择性地曝光和显影第二抗蚀剂膜，在支撑体上形成由膜图案和形成在第二抗蚀剂图案上的抗蚀剂图案构成的图案的步骤。

7. 发明申请

WO2007111270A1 シリカ系被膜形成用組成物およびシリカ系被膜审中-公开
标题翻译：用于形成二氧化硅涂料和二氧化硅涂料的组合物
公开(公告)号：WO2007111270A1
公开(公告)日：2007-10-04
申请号：PCT/JP2007/056090
申请日：2007-03-23
申请人：東京応化工業株式会社 , 石川清 , 緒方寿幸 , 羽田英夫 , 松丸省吾
发明人：石川清 , 緒方寿幸 , 羽田英夫 , 松丸省吾
IPC分类号： C09D183/00 , C09D7/12 , C09D5/25
CPC分类号： C09D1/00 , C09D183/04
摘要：　シリカ系被膜形成用組成物を基板上に塗布した後、低温で加熱することにより、シリカ系被膜を形成することができるシリカ系被膜形成用組成物、及びこれを用いたシリカ系被膜を提供する。　シロキサンポリマー（Ａ）と、熱の作用により脱水または脱アルコール反応を生じさせる化合物（Ｂ）と、を含有してなるシリカ系被膜形成用組成物である。熱の作用により脱水または脱アルコール反応を生じさせる化合物（Ｂ）は、イソシアネート基を有するケイ素化合物であることが好ましい。
摘要翻译：公开了一种用于形成二氧化硅涂层的组合物，其能够通过涂布在基材上并随后在低温下在其上加热而形成二氧化硅涂层。还公开了通过使用这种组合物获得的二氧化硅涂层。具体公开了一种用于形成二氧化硅涂层的组合物，其含有硅氧烷聚合物（A）和化合物（B），其通过加热引起脱水或脱醇反应。作为通过加热引起脱水或脱醇反应的化合物（B），优选具有异氰酸酯基的硅化合物。

8. 发明申请

WO2007023908A1 膜形成用材料およびパターン形成方法审中-公开
标题翻译：成膜材料和形成图案的方法
公开(公告)号：WO2007023908A1
公开(公告)日：2007-03-01
申请号：PCT/JP2006/316629
申请日：2006-08-24
申请人：東京応化工業株式会社 , 独立行政法人理化学研究所 , 松丸省吾 , 羽田英夫 , 藤川茂紀 , 国武豊喜
发明人：松丸省吾 , 羽田英夫 , 藤川茂紀 , 国武豊喜
IPC分类号： C09D183/00 , C09D185/00 , C09D1/00 , G03F7/40 , G03F7/004 , G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0273 , C09D183/04 , G03F7/0755 , G03F7/40 , H01L21/31138 , H01L21/31144
摘要：　低温で、高い耐エッチング性を有し、かつ有機膜に対して高いエッチング選択比を有する膜を形成可能な膜形成用材料、および該膜形成用材料を用いたパターン形成方法が提供される。上記膜形成材料は、加水分解により水酸基を生成し得る金属化合物（Ｗ）と、これを溶解している溶剤（Ｓ）を含み、この溶剤（Ｓ）が、上記金属化合物（Ｗ）と反応する官能基を有さない沸点１５５°C以上の溶剤（Ｓ１）を含有する。上記パターン形成方法は、基板と有機膜とを備えた積層体の当該有機膜上に形成されたパターンを、上記膜形成用材料を用いて被覆し、このパターンをマスクとして前記有機膜のエッチングを行うことを包含する。
摘要翻译：低温下的成膜材料可以形成具有高耐腐蚀性且在有机膜蚀刻中获得高蚀刻选择比的膜; 以及用成膜材料形成图案的方法。成膜材料包含溶剂（S），溶解在其中的金属化合物（W），其在水解时可产生羟基，所述溶剂（S）包含不具有与金属化合物（W），沸点为155℃以上。图案形成的方法包括使用该成膜材料涂覆形成在包含基底和有机膜的层叠体的有机膜上的图案，并使用该图案蚀刻有机膜作为掩模。

9. 发明申请

WO2005040922A1 レジスト組成物およびレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：用于形成电阻图案的耐蚀组合物和方法
公开(公告)号：WO2005040922A1
公开(公告)日：2005-05-06
申请号：PCT/JP2004/015504
申请日：2004-10-20
申请人：東京応化工業株式会社 , 羽田英夫 , 竹下優 , 林亮太郎 , 松丸省吾 , 平山拓 , 清水宏明
发明人：羽田英夫 , 竹下優 , 林亮太郎 , 松丸省吾 , 平山拓 , 清水宏明
IPC分类号： G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0397 , Y10S430/122
摘要：　微細な解像性、改善されたラインエッジラフネス及び焦点深度幅を与えるレジスト組成物が提供される。この組成物は、（Ａ）酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する樹脂成分、および（Ｂ）露光により酸を発生する酸発生剤成分を含有するレジスト組成物であって、前記（Ａ）成分が、（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ）を含む質量平均分子量が８０００以下の樹脂であり、前記（Ｂ）成分が、下記一般式（ｂ−１）または（ｂ−２）で表される少なくとも１種のスルホニウム化合物を含有する。　　【化１】　　　　　　　　　　　　　　　　　　
摘要翻译：公开了一种抗蚀剂组合物，其能够实现精细分辨率，改善的线边缘粗糙度和改善的聚焦深度。该抗蚀剂组合物含有（A）通过酸的作用使碱溶解度发生变化的树脂成分，（B）通过曝光产生酸的酸发生剂成分。组分（A）是质量平均分子量不大于8,000的树脂，其含有由（甲基）丙烯酸酯衍生的结构单元（a），组分（B）含有至少一种表示的锍化合物通过以下通式（b-1）或（b-2）表示。（b-1）（b-2）

10. 发明申请

WO2004108780A1 ホトレジスト組成物用樹脂、ホトレジスト組成物、およびレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：光电组合物树脂，光电组合物和形成电阻图案的方法
公开(公告)号：WO2004108780A1
公开(公告)日：2004-12-16
申请号：PCT/JP2004/008004
申请日：2004-06-02
申请人：東京応化工業株式会社 , 羽田英夫 , 竹下優 , 松丸省吾 , 清水宏明
发明人：羽田英夫 , 竹下優 , 松丸省吾 , 清水宏明
IPC分类号： C08F220/28
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0397 , Y10S430/109 , Y10S430/115
摘要：解像性、ラインエッジラフネス特性が良好なホトレジスト組成物用樹脂、およびこれを用いたホトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法が提供される。上記樹脂は、ポリマー末端に炭素原子に結合した水酸基を有し、当該水酸基のα位の炭素原子が、少なくともひとつの電子吸引性基を有する。
摘要翻译：公开了一种光致抗蚀剂组合物的树脂，其分辨率和线边缘粗糙度特性优异。还公开了光致抗蚀剂组合物和使用这种树脂形成抗蚀剂图案的方法。树脂具有与聚合物末端的碳原子键合的羟基，并且与羟基的α-位置的碳原子具有至少一个吸电子基团。

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