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1. 发明申请

WO2005121193A1 重合体、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：聚合物，阳极电阻组合物和形成电阻图案的方法
公开(公告)号：WO2005121193A1
公开(公告)日：2005-12-22
申请号：PCT/JP2005/010135
申请日：2005-06-02
申请人：東京応化工業株式会社 , 竹下優 , 羽田英夫 , 林亮太郎 , 岩井武 , 松丸省吾 , 藤村悟史
发明人：竹下優 , 羽田英夫 , 林亮太郎 , 岩井武 , 松丸省吾 , 藤村悟史
IPC分类号： C08F32/08
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , Y10S430/108 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/126
摘要：　高解像性で、しかもエッチング耐性にも優れたレジストパターンを形成できる重合体、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。本発明は、下記一般式（ａ－１）で表される構成単位（ａ１）と、下記一般式（ａ－２）で表される構成単位（ａ２）とを有する重合体、構成単位（ａ１）と、下記一般式（ａ－３）で表される構成単位（ａ３）とを有する重合体、構成単位（ａ１）と、構成単位（ａ２）と、構成単位（ａ３）とを有する重合体を用いる。
摘要翻译：公开了能够形成具有高分辨率和优异的耐蚀刻性的抗蚀剂图案的聚合物。还公开了正型抗蚀剂组合物和形成抗蚀剂图案的方法。具体公开的是具有下述通式（a-1）表示的结构单元（a1）和下述通式（a-2）表示的结构单元（a2）的聚合物，具有结构单元（a1 ）和由下述通式（a-3）表示的结构单元（a3）和具有结构单元（a1），结构单元（a2）和结构单元（a3）的另一种聚合物。（a-1）（a-2）（a-3）

2. 发明申请

WO2005040922A1 レジスト組成物およびレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：用于形成电阻图案的耐蚀组合物和方法
公开(公告)号：WO2005040922A1
公开(公告)日：2005-05-06
申请号：PCT/JP2004/015504
申请日：2004-10-20
申请人：東京応化工業株式会社 , 羽田英夫 , 竹下優 , 林亮太郎 , 松丸省吾 , 平山拓 , 清水宏明
发明人：羽田英夫 , 竹下優 , 林亮太郎 , 松丸省吾 , 平山拓 , 清水宏明
IPC分类号： G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0397 , Y10S430/122
摘要：　微細な解像性、改善されたラインエッジラフネス及び焦点深度幅を与えるレジスト組成物が提供される。この組成物は、（Ａ）酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する樹脂成分、および（Ｂ）露光により酸を発生する酸発生剤成分を含有するレジスト組成物であって、前記（Ａ）成分が、（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ）を含む質量平均分子量が８０００以下の樹脂であり、前記（Ｂ）成分が、下記一般式（ｂ−１）または（ｂ−２）で表される少なくとも１種のスルホニウム化合物を含有する。　　【化１】　　　　　　　　　　　　　　　　　　
摘要翻译：公开了一种抗蚀剂组合物，其能够实现精细分辨率，改善的线边缘粗糙度和改善的聚焦深度。该抗蚀剂组合物含有（A）通过酸的作用使碱溶解度发生变化的树脂成分，（B）通过曝光产生酸的酸发生剂成分。组分（A）是质量平均分子量不大于8,000的树脂，其含有由（甲基）丙烯酸酯衍生的结构单元（a），组分（B）含有至少一种表示的锍化合物通过以下通式（b-1）或（b-2）表示。（b-1）（b-2）

3. 发明申请

WO2005057287A1 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：积极抗性组合物和形成耐药模式的方法
公开(公告)号：WO2005057287A1
公开(公告)日：2005-06-23
申请号：PCT/JP2004/018189
申请日：2004-12-07
申请人：東京応化工業株式会社 , 羽田英夫 , 竹下優 , 林亮太郎 , 松丸省吾
发明人：羽田英夫 , 竹下優 , 林亮太郎 , 松丸省吾
IPC分类号： G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0397
摘要： Disclosed is a positive resist composition with excellent resolution which enables to reduce line-edge roughness. This composition contains, as a resin component (A) whose alkali solubility is increased by action of an acid, a copolymer having a constitutional unit (a1) derived from a (meth)acrylate containing a polycyclic group-containing acid-cleavable dissolution inhibiting group, a constitutional unit (a2) derived from a (meth)acrylate containing a lactone-containing monocyclic or polycyclic group, a constitutional unit (a3) derived from a (meth)acrylate containing a hydroxyl group-containing polycyclic group, and a constitutional unit (a4) derived from a (meth)acrylate containing a polycyclic group-containing acid-uncleavable dissolution inhibiting group other than the constitutional units (a2) and (a3); and as an acid generator component (B) which generates an acid when exposed to light, at least one sulfonium compound represented by the following general formula (b-1) or (b-2).
摘要翻译：公开了能够降低线边缘粗糙度的分辨率优异的正型抗蚀剂组合物。该组合物含有通过酸的作用使碱溶性增加的树脂成分（A），具有来源于（甲基）丙烯酸酯的含有多环基的酸可分解溶解抑制基的（甲基）丙烯酸酯）的结构单元（a1）的共聚物衍生自含有内酯单环或多环基团的（甲基）丙烯酸酯的结构单元（a2），衍生自含有羟基的多环基团的（甲基）丙烯酸酯的结构单元（a3）和结构单元（a2）和（a3）以外的含有含多环酸不可裂解溶解抑制基的（甲基）丙烯酸酯衍生自（a4）的化合物。作为在曝光时产生酸的酸产生剂组分（B），至少一种由以下通式（b-1）或（b-2）表示的锍化合物。

4. 发明申请

WO2006038477A1 高分子化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：聚合物化合物，阳极电阻组合物和形成电阻图案的方法
公开(公告)号：WO2006038477A1
公开(公告)日：2006-04-13
申请号：PCT/JP2005/017533
申请日：2005-09-22
申请人：東京応化工業株式会社 , 緒方寿幸 , 松丸省吾 , 羽田英夫
发明人：緒方寿幸 , 松丸省吾 , 羽田英夫
IPC分类号： C08F220/28 , G03F7/033 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , C08F220/28 , Y10S430/106 , Y10S430/114 , Y10S430/146
摘要：　本発明は、下記一般式（Ａ０－１）、（Ａ０－２）、（Ａ０－３）または（Ａ０－４）［式中、Ｒは水素原子または低級アルキル基である。］で表される構成単位で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも１種の構成単位（ａ０）と、酸解離性溶解抑制基を有する（α－低級アルキル）アクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）とを有することを特徴とする高分子化合物である。【化１】　　　　　　　　　　　　　　　　　　
摘要翻译：公开了一种高分子化合物，其特征在于具有至少一种选自由通式（A0-1），（A0-2），（A0-3）或（A0-））表示的结构单元的结构单元（a0） 4）表示的化合物（其中R表示氢原子或低级烷基）和具有酸可分解溶解抑制基团并衍生自（α-低级烷基）丙烯酸酯的结构单元（a1）。

5. 发明申请

WO2006038387A1 高分子化合物、ポジ型レジスト組成物、およびレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：聚合物，积极抵抗性组合物和形成耐力图案的方法
公开(公告)号：WO2006038387A1
公开(公告)日：2006-04-13
申请号：PCT/JP2005/015168
申请日：2005-08-19
申请人：東京応化工業株式会社 , 羽田英夫 , 松丸省吾 , 竹下優
发明人：羽田英夫 , 松丸省吾 , 竹下優
IPC分类号： C08F20/28 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , C08F220/28
摘要： A polymer having structural units (a1) derived from an (a-lower alkyl)acrylic ester having an acid-dissociable dissolution-inhibitive group, the structural units (a1) comprising structural units (a1-0) represented by the following general formula (a1-0) [wherein R is hydrogen or lower alkyl; R 1 and R 2 each independently is lower alkyl; R 3 to R 6 each independently is hydrogen or lower alkyl; s is an integer of 0-3; t is an integer of 1-3; X is an alicycilc group optionally having at least one substituent selected from the group consisting of lower alkyls and polar groups; and Y is a polar group].
摘要翻译：具有衍生自具有酸解离性溶解抑制基的（α-低级烷基）丙烯酸酯的结构单元（a1）的聚合物，包含由以下通式表示的结构单元（a1-0）的结构单元（a1） a1-0）[其中R是氢或低级烷基; R 1和R 2各自独立地为低级烷基; R 3至R 6各自独立地为氢或低级烷基; s是0-3的整数; t为1-3的整数; X是任选具有至少一个选自低级烷基和极性基团的取代基的脂环族基团; Y为极性基团]。

6. 发明申请

WO2006011420A1 新規な化合物、高分子化合物、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：新型化合物，聚合物化合物，耐蚀组合物和形成耐蚀图案的方法
公开(公告)号：WO2006011420A1
公开(公告)日：2006-02-02
申请号：PCT/JP2005/013473
申请日：2005-07-22
申请人：東京応化工業株式会社 , 塩野大寿 , 松丸省吾 , 羽田英夫
发明人：塩野大寿 , 松丸省吾 , 羽田英夫
IPC分类号： C08F20/54
CPC分类号： C07C233/91 , C07C335/26 , C07C2601/14 , C08F220/54 , G03F7/0397
摘要： Disclosed is a compound represented by the general formula (1) below. (1) [In the formula, R represents a hydrogen atom or a lower alkyl group; X represents a sulfur atom or an oxygen atom; Y represents a chain, branched or cyclic alkyl group having 1-20 carbon atoms wherein a part of hydrogen atoms may be substituted by a group containing a heteroatom or such an alkyl group wherein a part of carbon atoms is substituted by a heteroatom.]
摘要翻译：公开了下述通式（1）表示的化合物。（1）[式中，R表示氢原子或低级烷基; X表示硫原子或氧原子; Y表示具有1-20个碳原子的链状，支链或环状的烷基，其中一部分氢原子可以被含有杂原子的基团或其中一部分碳原子被杂原子取代的烷基取代。

7. 发明申请

WO2005100412A1 高分子化合物、該高分子化合物を含有するフォトレジスト組成物、およびレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：聚合物化合物，包含这种聚合物化合物的光电组合物和形成耐蚀图案的方法
公开(公告)号：WO2005100412A1
公开(公告)日：2005-10-27
申请号：PCT/JP2005/006657
申请日：2005-04-05
申请人：東京応化工業株式会社 , 緒方寿幸 , 松丸省吾 , 羽田英夫 , 吉田正昭
发明人：緒方寿幸 , 松丸省吾 , 羽田英夫 , 吉田正昭
IPC分类号： C08F8/00
CPC分类号： C08F220/28 , C07C69/54 , C07C2601/14 , C08F222/1006 , C08F232/08 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397
摘要： Disclosed is a polymer compound whose alkali solubility after exposure is significantly changed from one before exposure in a chemically amplified positive resist system. Also disclosed are a photoresist composition containing such a polymer compound and a method for forming a resist pattern which enable to form a fine pattern with high-resolution. The polymer compound contains, as an alkali-soluble group (i), a substituent which is selected from alcoholic hydroxyl groups, carboxyl groups and phenolic hydroxyl groups and protected with an acid-cleavable dissolution inhibiting group (ii) represented by the following general formula (1). (In the formula, A represents an organic group having 1-20 carbon atoms and a valence of not less than n + 1, while n represents an integer of 1-4.)
摘要翻译：公开了一种高分子化合物，其曝光后的碱溶性在化学放大的正性抗蚀剂体系中暴露前的显着变化。还公开了含有这种聚合物化合物的光致抗蚀剂组合物和形成抗蚀剂图案的方法，其能够形成具有高分辨率的精细图案。高分子化合物含有作为碱可溶性基团（i）的选自醇羟基，羧基和酚羟基并被酸可裂解溶解抑制基团（ii）保护的取代基，由下述通式（1）。（式中，A表示具有1-20个碳原子且n价以上的有机基团，n表示1-4的整数。）

8. 发明申请

WO2005080474A1 高分子化合物、該高分子化合物を含有するフォトレジスト組成物、およびレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：聚合物，含聚合物的光聚合物组合物，以及形成电阻图案的方法
公开(公告)号：WO2005080474A1
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：PCT/JP2005/000660
申请日：2005-01-20
申请人：東京応化工業株式会社 , 緒方寿幸 , 松丸省吾 , 羽田英夫
发明人：緒方寿幸 , 松丸省吾 , 羽田英夫
IPC分类号： C08G85/00
CPC分类号： G03F7/0046 , C08G61/08 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397
摘要： A polymer which, in a chemical amplification type positive resist system, changes considerably in alkali solubility through exposure to light; a photoresist composition which contains the polymer and can form a fine pattern having high resolution; and a method of forming a resist pattern. The photoresist composition and the method of resist pattern formation employ the polymer, which has as an alkali-soluble group (i) at least one substituent selected among alcoholic hydroxy, carboxy, and phenolic hydroxy and in which the substituent has been protected by an acid-dissociable dissolution-inhibitive group (ii) represented by the following general formula (1): [Chemical formula 1] -CH2-O-R wherein R represents a C20 or lower organic group having at least one hydrophilic group.
摘要翻译：在化学放大型正性抗蚀剂体系中，通过暴露于光而显着改变碱溶解度的聚合物; 光致抗蚀剂组合物，其含有该聚合物并可形成高分辨率的精细图案; 以及形成抗蚀剂图案的方法。光致抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法使用具有碱溶性基团的聚合物（i）至少一种选自醇羟基，羧基和酚羟基中的取代基，并且其中取代基已被酸保护由下述通式（1）表示的相溶性溶解抑制基（ⅱ）：[化学式1] -CH 2 -OR其中R表示具有至少一个亲水基团的C20或更低级的有机基团。

9. 发明申请

WO2005080473A1 高分子化合物、該高分子化合物を含有するフォトレジスト組成物、およびレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：聚合物化合物，包含这种聚合物化合物的光电组合物和形成耐蚀图案的方法
公开(公告)号：WO2005080473A1
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：PCT/JP2005/001228
申请日：2005-01-28
申请人：東京応化工業株式会社 , 緒方寿幸 , 松丸省吾 , 木下洋平 , 羽田英夫 , 塩野大寿 , 清水宏明 , 久保田尚孝
发明人：緒方寿幸 , 松丸省吾 , 木下洋平 , 羽田英夫 , 塩野大寿 , 清水宏明 , 久保田尚孝
IPC分类号： C08G85/00
CPC分类号： G03F7/0397 , C07C69/54 , C07C2603/74 , C08F220/28 , C08F290/06 , C08F290/061 , C09D133/14 , G03F7/0046 , Y10S430/108 , Y10S430/111
摘要：　優れた解像性を有し、矩形性が良好な微細パターンを形成できるとともに、酸発生剤から発生する酸が弱い場合も良好なレジスト特性が得られ、感度も良好なフォトレジスト組成物を構成できる高分子化合物、該高分子化合物を用いたフォトレジスト組成物、および該フォトレジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法が提供される。これらフォトレジスト組成物、およびレジストパターン形成方法は、アルカリ可溶性基（ｉ）を有し、このアルカリ可溶性基（ｉ）がアルコール性水酸基、カルボキシル基、およびフェノール性水酸基から選択される少なくとも１種の置換基であり、これらの基が、下記一般式（１）【化１】（式中、Ｒ１は酸素、窒素、硫黄、又はハロゲン原子を有してもよい炭素数２０以下の脂肪族環式基であり、ｎは０または１～５の整数を表す。）で示される酸解離性溶解抑止基（ii）で保護されている高分子化合物を用いる。
摘要翻译：公开了一种高分子化合物，其能够获得形成具有优异分辨率和良好矩形形状的精细图案的高灵敏度光致抗蚀剂组合物，即使当由酸发生剂产生的酸弱时也能获得良好的抗蚀剂特性。还公开了使用这种聚合物化合物的光致抗蚀剂组合物和使用这种光致抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法。光致抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法使用具有碱溶性基团（i）的高分子化合物（i），其为选自醇羟基，羧基和酚羟基中的至少一个取代基，并且可被酸可裂解由下述通式（1）表示的溶解抑制基（ⅱ）：（1）（式中，R 1表示可具有氧，氮，硫或卤素原子的碳原子数为20以下的脂环基，n表示0或 1-5的整数）。

10. 发明申请

WO2007091569A1 膜形成用材料の製造方法审中-公开
标题翻译：生产成膜材料的方法
公开(公告)号：WO2007091569A1
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：PCT/JP2007/052051
申请日：2007-02-06
申请人：東京応化工業株式会社 , 独立行政法人理化学研究所 , 松丸省吾 , 太宰尚宏 , 羽田英夫 , 藤川茂紀 , 国武豊喜
发明人：松丸省吾 , 太宰尚宏 , 羽田英夫 , 藤川茂紀 , 国武豊喜
IPC分类号： C09D185/00 , C09D183/00 , G03F7/40 , H01L21/312
CPC分类号： H01L21/316 , C08G18/778 , C08G2190/00 , C09D185/00 , G03F7/405 , H01L21/312
摘要：　膜形成用材料の製造方法は、イソシアネート基を２個以上有する金属化合物（Ｗ）が溶剤（Ｓ）に溶解してなる膜形成用材料の製造方法であって、前記金属化合物（Ｗ）を前記溶剤（Ｓ）に溶解して得られる溶液（Ｒ１）中のイソシアン酸を除去する工程と、前記イソシアン酸を除去した後、前記溶液（Ｒ１）を不活性ガス雰囲気下でろ過する工程とを有する。
摘要翻译：公开了一种用于制备其中具有两个或多个异氰酸酯基团的金属化合物（W）溶解在溶剂（S）中的成膜材料的方法。具体地说，成膜材料的制造方法包括通过将金属化合物（W）溶解在溶剂（S）中而得到的溶液（R1）中除去异氰酸的工序和过滤溶液（ R1）在除去异氰酸后在惰性气体气氛中。

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