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1. 发明申请

WO2007091569A1 膜形成用材料の製造方法审中-公开
标题翻译：生产成膜材料的方法
公开(公告)号：WO2007091569A1
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：PCT/JP2007/052051
申请日：2007-02-06
申请人：東京応化工業株式会社 , 独立行政法人理化学研究所 , 松丸省吾 , 太宰尚宏 , 羽田英夫 , 藤川茂紀 , 国武豊喜
发明人：松丸省吾 , 太宰尚宏 , 羽田英夫 , 藤川茂紀 , 国武豊喜
IPC分类号： C09D185/00 , C09D183/00 , G03F7/40 , H01L21/312
CPC分类号： H01L21/316 , C08G18/778 , C08G2190/00 , C09D185/00 , G03F7/405 , H01L21/312
摘要：　膜形成用材料の製造方法は、イソシアネート基を２個以上有する金属化合物（Ｗ）が溶剤（Ｓ）に溶解してなる膜形成用材料の製造方法であって、前記金属化合物（Ｗ）を前記溶剤（Ｓ）に溶解して得られる溶液（Ｒ１）中のイソシアン酸を除去する工程と、前記イソシアン酸を除去した後、前記溶液（Ｒ１）を不活性ガス雰囲気下でろ過する工程とを有する。
摘要翻译：公开了一种用于制备其中具有两个或多个异氰酸酯基团的金属化合物（W）溶解在溶剂（S）中的成膜材料的方法。具体地说，成膜材料的制造方法包括通过将金属化合物（W）溶解在溶剂（S）中而得到的溶液（R1）中除去异氰酸的工序和过滤溶液（ R1）在除去异氰酸后在惰性气体气氛中。

2. 发明申请

WO2007023908A1 膜形成用材料およびパターン形成方法审中-公开
标题翻译：成膜材料和形成图案的方法
公开(公告)号：WO2007023908A1
公开(公告)日：2007-03-01
申请号：PCT/JP2006/316629
申请日：2006-08-24
申请人：東京応化工業株式会社 , 独立行政法人理化学研究所 , 松丸省吾 , 羽田英夫 , 藤川茂紀 , 国武豊喜
发明人：松丸省吾 , 羽田英夫 , 藤川茂紀 , 国武豊喜
IPC分类号： C09D183/00 , C09D185/00 , C09D1/00 , G03F7/40 , G03F7/004 , G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0273 , C09D183/04 , G03F7/0755 , G03F7/40 , H01L21/31138 , H01L21/31144
摘要：　低温で、高い耐エッチング性を有し、かつ有機膜に対して高いエッチング選択比を有する膜を形成可能な膜形成用材料、および該膜形成用材料を用いたパターン形成方法が提供される。上記膜形成材料は、加水分解により水酸基を生成し得る金属化合物（Ｗ）と、これを溶解している溶剤（Ｓ）を含み、この溶剤（Ｓ）が、上記金属化合物（Ｗ）と反応する官能基を有さない沸点１５５°C以上の溶剤（Ｓ１）を含有する。上記パターン形成方法は、基板と有機膜とを備えた積層体の当該有機膜上に形成されたパターンを、上記膜形成用材料を用いて被覆し、このパターンをマスクとして前記有機膜のエッチングを行うことを包含する。
摘要翻译：低温下的成膜材料可以形成具有高耐腐蚀性且在有机膜蚀刻中获得高蚀刻选择比的膜; 以及用成膜材料形成图案的方法。成膜材料包含溶剂（S），溶解在其中的金属化合物（W），其在水解时可产生羟基，所述溶剂（S）包含不具有与金属化合物（W），沸点为155℃以上。图案形成的方法包括使用该成膜材料涂覆形成在包含基底和有机膜的层叠体的有机膜上的图案，并使用该图案蚀刻有机膜作为掩模。

3. 发明申请

WO2006137342A1 パターン被覆材料およびパターン形成方法审中-公开
标题翻译：图案涂料和图案形成方法
公开(公告)号：WO2006137342A1
公开(公告)日：2006-12-28
申请号：PCT/JP2006/312136
申请日：2006-06-16
申请人：東京応化工業株式会社 , 独立行政法人理化学研究所 , 松丸省吾 , 緒方寿幸 , 石川清 , 羽田英夫 , 藤川茂紀 , 国武豊喜
发明人：松丸省吾 , 緒方寿幸 , 石川清 , 羽田英夫 , 藤川茂紀 , 国武豊喜
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/0273 , G03F7/405
摘要：　基板の上に形成されたパターンをマスクとしてエッチングをするプロセスにおいて、パターンのエッチング耐性を向上させる被覆材料が提供される。この材料は、基板の上に形成されたパターンをマスクとしてエッチングをするプロセスに用いられるパターン被覆材料であって、加水分解により水酸基を生成し得る金属化合物（Ｗ）を含有するパターン被覆材料である。
摘要翻译：公开了一种涂覆材料，其能够在使用在基板上形成的图案作为掩模进行蚀刻的工艺中提高图案的耐蚀刻性。具体公开了在使用在基板上形成的图案作为掩模进行蚀刻的方法中使用的图案涂布材料，该图案涂料含有可通过水解产生羟基的金属化合物（W）。

4. 发明申请

WO2006115167A1 鋳型形成用組成物审中-公开
标题翻译：形成模板的组合物
公开(公告)号：WO2006115167A1
公开(公告)日：2006-11-02
申请号：PCT/JP2006/308307
申请日：2006-04-20
申请人：東京応化工業株式会社 , 独立行政法人理化学研究所 , 緒方寿幸 , 羽田英夫 , 藤川茂紀 , 国武豊喜
发明人：緒方寿幸 , 羽田英夫 , 藤川茂紀 , 国武豊喜
IPC分类号： C08L25/18 , B82B3/00 , H01L21/027 , C08L33/04 , B29C33/40
CPC分类号： B29C33/424 , B29C33/3842 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C08L25/18 , C08L2205/02 , G03F7/0002 , G03F7/0017 , H01L21/31 , C08L2666/04
摘要：　鋳型の表面に設けられた薄膜の一部を除去し、さらに前記鋳型を除去してナノ構造体を製造する方法に用いられる鋳型形成用組成物であって、親水性基を有し、分子量が５００以上の有機化合物を含む。
摘要翻译：一种用于形成模板的组合物，用于除去设置在模板表面上的薄膜的一部分，并且进一步除去模板，由此制造纳米结构的方法。该组合物包含具有亲水性基团且分子量为500以上的有机化合物。

5. 发明申请

WO2005121019A1 ナノ構造体の製造方法およびナノ構造体审中-公开
标题翻译：制造纳米结构和纳米结构的方法
公开(公告)号：WO2005121019A1
公开(公告)日：2005-12-22
申请号：PCT/JP2005/010899
申请日：2005-06-08
申请人：独立行政法人理化学研究所 , 藤川茂紀 , 国武豊喜 , 羽田英夫 , 緒方寿幸
发明人：藤川茂紀 , 国武豊喜 , 羽田英夫 , 緒方寿幸
IPC分类号： B82B3/00
CPC分类号： G03F7/405 , H01L21/0272 , Y10T428/24802
摘要：容易に微細化構造を作製することができるナノ構造体の製造方法および該製造方法により得られるナノ構造体を提供する。基板上に設けられた鋳型の表面に、液相吸着により薄膜を形成する工程と、前記薄膜の一部を除去する工程と、前記鋳型を除去する工程とを含むナノ構造体の製造方法を採用した。
摘要翻译：公开了一种能够容易地制造非常精细的结构的纳米结构体的制造方法。还公开了通过这种制造方法获得的纳米结构。制造纳米结构体的方法包括通过液相吸附在布置在基板上的模具的表面上形成薄膜的步骤，去除一部分薄膜的步骤以及去除模具的步骤。

6. 发明申请

WO2004099067A1 ナノ材料の製造方法およびナノ材料审中-公开
标题翻译：生产纳米材料和纳米材料的方法
公开(公告)号：WO2004099067A1
公开(公告)日：2004-11-18
申请号：PCT/JP2004/006489
申请日：2004-05-07
申请人：独立行政法人理化学研究所 , 藤川茂紀 , 国武豊喜
发明人：藤川茂紀 , 国武豊喜
IPC分类号： B82B1/00
CPC分类号： B82Y30/00 , B81C99/0085 , C01G1/02 , C01G23/047 , C01P2004/13 , C01P2004/64
摘要：　固体基材上にリソグラフィー法により鋳型を形成し、その鋳型上に金属酸化物薄膜または有機／金属酸化物複合薄膜を形成した後に鋳型を除去することにより、金属酸化物ナノ構造体または有機／金属酸化物複合ナノ構造体を製造する方法を開示する。この方法によれば、３次元ナノ構造体を安価に量産することができる。
摘要翻译：公开了一种金属氧化物纳米结构体或有机/金属氧化物复合纳米结构体的制造方法，其中通过光刻法在固体基体上形成模具，在该金属氧化物纳米结构体上形成金属氧化物薄膜或有机/金属氧化物复合薄膜模具，然后将模具取出。通过这种方法，可以以低成本批量生产三维纳米结构。

7. 发明申请

WO2007114192A1 ガス検知素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：气体检测器及其制造方法
公开(公告)号：WO2007114192A1
公开(公告)日：2007-10-11
申请号：PCT/JP2007/056728
申请日：2007-03-28
申请人：財団法人北九州産業学術推進機構 , 李丞祐 , 高原直己 , 国武豊喜
发明人：李丞祐 , 高原直己 , 国武豊喜
IPC分类号： G01N5/02 , G01N27/12
CPC分类号： G01N29/036 , G01N2291/0257
摘要：　アンモニア，ピリジン等のアミン系ガス、硫化水素，メチルメルカプタン等の含硫ガス、ホルムアルデヒド等のアルデヒド系ガス等のｐｐｂオーダーの低濃度の各種ガスを短い応答時間で検知することができるとともに、有機吸着膜と基板との結合力が強く耐久性に優れ、また種々の有機吸着層を基板に容易に固定化できるので有機吸着層の選択肢が広く、複数種の有機吸着層を組み合わせることもでき多くのガス種に応答を示し汎用性に優れるガス検知素子を提供することを目的とする。　本発明のガス検知素子１は、基板２と、基板２に形成された官能基を有する表面処理層３と、表面処理層３の表面に形成された有機吸着層４と、を備える。
摘要翻译：能够检测各种气体的气体检测器，例如氨和吡啶等胺气体，硫化氢和甲基硫醇等亚硫酸气体，低浓度的低浓度的醛类气体，例如ppb在短时间内响应时间长，有机吸附膜与底层之间的粘结强度强，耐久性好，易于将各种有机吸附层固定在底层上，提供了许多有机吸附层的选择，并且可以组合多个有机吸附层的类型，表现出对各种气体的响应和多功能性。气体检测器（1）包括基底（2），具有叠加在基底（2）上的官能团的表面处理层（3）和叠加在表面处理层（3）的表面上的有机吸附层）。

8. 发明申请

WO2007069649A1 相互侵入高分子網目層を有する薄膜および該薄膜の製造方法审中-公开
标题翻译：具有互聚聚合物网络层的薄膜及其生产方法
公开(公告)号：WO2007069649A1
公开(公告)日：2007-06-21
申请号：PCT/JP2006/324853
申请日：2006-12-13
申请人：独立行政法人理化学研究所 , 国武豊喜 , フォンダーンリシャール
发明人：国武豊喜 , フォンダーンリシャール
IPC分类号： C08J5/18 , C08K3/22 , C08L33/00
CPC分类号： C08J5/18 , C08K3/22 , C08K5/057 , C08L33/08 , C08L85/00 , C08L2205/04 , Y10T428/2495 , Y10T428/269 , C08L2666/06
摘要：　自己支持性を有し、かつ、強度・耐久性・柔軟性にも優れた薄膜および其の製造方法等を提供する。　相互侵入高分子網目層を有し、該相互侵入高分子網目層は、少なくとも、金属酸化物と有機ポリマーとによって構成され、かつ、膜厚が５００ｎｍ以下の薄膜。
摘要翻译：公开了一种具有自组织性和强度，耐久性和柔韧性优异的薄膜; 制造薄膜的方法; 和别的。该薄膜具有互穿聚合物网络层，其中互穿聚合物网络层至少包含金属氧化物和有机聚合物，并且膜厚度为500nm以下。

9. 发明申请

WO2004106229A1 薄膜材料およびその製造方法审中-公开
标题翻译：薄膜材料及其生产方法
公开(公告)号：WO2004106229A1
公开(公告)日：2004-12-09
申请号：PCT/JP2004/007749
申请日：2004-05-28
申请人：独立行政法人理化学研究所 , 黄建国 , 国武豊喜
发明人：黄建国 , 国武豊喜
IPC分类号： C01B13/14
CPC分类号： B01D71/024 , B01D67/0044 , B01D67/0079 , B01D67/009 , B01D69/105 , B01D2325/04 , C09C3/006 , Y10T428/24
摘要：　多孔質基材の表面側の孔を高分子化合物で閉塞する工程と、閉塞された多孔質基材表面上に金属酸化物薄膜または有機／金属酸化物複合薄膜を形成する工程と、前記高分子化合物または前記高分子化合物と有機化合物とを除去する工程とを有する、薄膜材料の製造方法を開示する。この製造方法によれば、多孔質基材上に均一かつ欠陥のない金属酸化物薄膜または有機／金属酸化物複合薄膜を直接形成することができる。
摘要翻译：公开了一种薄膜材料的制造方法，该方法包括用高分子化合物在多孔基材的表面上填充孔的步骤，在其上形成金属氧化物薄膜或有机/金属氧化物复合薄膜的步骤多孔基材的填充表面和除去高分子化合物或高分子化合物和有机化合物的步骤。通过这种方法，可以在多孔基材上直接形成均匀且无缺陷的金属氧化物薄膜或有机/金属氧化物复合薄膜。

10. 发明申请

WO2006134809A1 プロトン伝導膜およびその製造方法审中-公开
标题翻译：原子导电膜及其制造方法
公开(公告)号：WO2006134809A1
公开(公告)日：2006-12-21
申请号：PCT/JP2006/311411
申请日：2006-06-07
申请人：独立行政法人理化学研究所 , 国武豊喜 , 李海濱
发明人：国武豊喜 , 李海濱
IPC分类号： H01B1/06 , C01B33/12 , H01M8/02
CPC分类号： H01M8/1016 , B01D67/0048 , B01D69/141 , B01D71/024 , B01D71/027 , B01D2323/08 , B01D2323/12 , C01B33/12 , H01B1/122 , H01M2300/0068
摘要：高いプロトン伝導性を有するプロトン伝導膜を提供する。規則的またはランダムな空孔構造を有する金属酸化物構造体と、前記空孔構造に含まれる、プロトンとして遊離可能な水素原子を少なくとも１つ有するプロトン酸塩とを有する、プロトン伝導膜。
摘要翻译：表现出高质子传导性的质子传导膜。提供了一种质子传导膜，其包含具有有序或无规孔结构的金属氧化物结构，并且在孔结构中包含具有能够释放为质子的至少一个氢原子的质子酸盐。

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