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1. 发明申请

WO2007111271A1 シリカ系被膜形成用組成物およびシリカ系被膜审中-公开
标题翻译：用于形成二氧化硅涂料和二氧化硅涂料的组合物
公开(公告)号：WO2007111271A1
公开(公告)日：2007-10-04
申请号：PCT/JP2007/056091
申请日：2007-03-23
申请人：東京応化工業株式会社 , 石川清 , 緒方寿幸 , 羽田英夫 , 松丸省吾
发明人：石川清 , 緒方寿幸 , 羽田英夫 , 松丸省吾
IPC分类号： C09D183/00 , C09D7/12 , C09D183/04
CPC分类号： C09D1/00 , C09D183/04
摘要：　シリカ系被膜形成用組成物を基板上に塗布した後、低温で加熱することにより、シリカ系被膜を形成することができるシリカ系被膜形成用組成物、及びこれを用いたシリカ系被膜を提供する。　アルコキシシランの加水分解縮合物（Ａ）と、熱の作用により酸又は塩基を発生する化合物（Ｂ）と、を含有してなるシリカ系被膜形成用組成物である。更に、酸又は塩基を発生する化合物（Ｂ）が、１００°C以上３００°C以下で酸または塩基を発生する化合物であることが好ましい。
摘要翻译：公开了一种用于形成二氧化硅涂层的组合物，其能够通过涂布在基材上并随后在低温下在其上加热而形成二氧化硅涂层。还公开了通过使用这种组合物获得的二氧化硅涂层。具体公开了一种用于形成二氧化硅涂层的组合物，其包含烷氧基硅烷的水解缩合产物（A）和通过加热产生酸或碱的化合物（B）。化合物（B）优选在不低于100℃但不高于300℃的温度下产生酸或碱。

2. 发明申请

WO2006040949A1 液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：暴露暴露的积极阻力组成和形成耐力图的方法
公开(公告)号：WO2006040949A1
公开(公告)日：2006-04-20
申请号：PCT/JP2005/018138
申请日：2005-09-30
申请人：東京応化工業株式会社 , 緒方寿幸 , 辻裕光 , 松丸省吾 , 羽田英夫
发明人：緒方寿幸 , 辻裕光 , 松丸省吾 , 羽田英夫
IPC分类号： G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397
摘要：　この液浸露光用ポジ型レジスト組成物は、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含む液浸露光用ポジ型レジスト組成物であって、樹脂成分（Ａ）が、水素原子を有するアルカリ可溶性基（ｉ）を有し、かつ該アルカリ可溶性基（ｉ）の一部において、その水素原子が下記一般式（Ｉ）［上記式中、Ｚは脂肪族環式基を表し；ｎは０または１～３の整数を表し；Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立して水素原子または炭素数１～５の低級アルキル基を表す。］で表される酸解離性溶解抑制基（Ｉ）で置換されている樹脂（Ａ１）を含有することを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物である。　　　　　　　　　　　　　　　　　　
摘要翻译：一种用于浸渍曝光的正型抗蚀剂组合物，其包含通过酸曝光增强碱溶性的树脂成分（A）和在曝光时产生酸的酸产生剂成分（B），其特征在于，所述树脂成分（A）包含具有碱溶性基团（i）的具有氢原子的树脂（A1），其中部分碱溶性基团（i）的氢原子被酸解离溶解 - 由以下通式（I）表示的抑制基（I）[其中Z表示脂环基; n为0-3的整数; 并且R

3. 发明申请

WO2005123655A1 化合物、高分子化合物、ポジ型レジスト組成物、およびレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：化合物，聚合物化合物，阳性电阻组合物和形成电阻图案的方法
公开(公告)号：WO2005123655A1
公开(公告)日：2005-12-29
申请号：PCT/JP2005/011067
申请日：2005-06-16
申请人：東京応化工業株式会社 , 緒方寿幸 , 松丸省吾 , 羽田英夫
发明人：緒方寿幸 , 松丸省吾 , 羽田英夫
IPC分类号： C07C69/757
CPC分类号： G03F7/0397 , C07C69/757 , C07C2603/74 , C07C2603/91 , C08F220/26
摘要： Disclosed is a positive resist composition with excellent resolution which enables to form a good resist pattern even when there is used an acid generator which generates a weak acid. Such a positive resist composition contains a polymer compound having a constitutional unit (a1) represented by the general formula (II) below and an acid generator component (B) which generates an acid when exposed to light. (II) [In the formula, R represents a hydrogen atom or a lower alkyl group; R represents an alkyl group having 1-15 carbon atoms or an alicyclic group, and may have one or more substituents selected from the group consisting of ether bonds, hydroxyl group, carbonyl groups, ester groups and amino group; and n2 represents 0 or an integer of 1-3.]
摘要翻译：公开了一种具有优异分辨率的正型抗蚀剂组合物，即使使用产生弱酸的酸产生剂，也能够形成良好的抗蚀剂图案。这种正性抗蚀剂组合物含有具有由下述通式（II）表示的结构单元（a1）和暴露于光时产生酸的酸产生剂组分（B）的聚合物化合物。（II）[式中，R 1表示氢原子或低级烷基; R 3表示具有1-15个碳原子的烷基或脂环基，并且可以具有一个或多个选自醚键，羟基，羰基，酯基和氨基的取代基。 n2表示0或1-3的整数。]

4. 发明申请

WO2006112446A1 化合物、溶解抑制剤、ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：化合物，溶解抑制剂，积极保护组合物，以及抗性图案形成方法
公开(公告)号：WO2006112446A1
公开(公告)日：2006-10-26
申请号：PCT/JP2006/308080
申请日：2006-04-17
申请人：東京応化工業株式会社 , 塩野大寿 , 平山拓 , 緒方寿幸 , 松丸省吾 , 羽田英夫
发明人：塩野大寿 , 平山拓 , 緒方寿幸 , 松丸省吾 , 羽田英夫
IPC分类号： C07J9/00 , G03F7/004 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0392 , C07J9/00 , G03F7/0045 , Y10S430/106
摘要：　基材成分として低分子材料を用いた、高解像性のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法、そのポジ型レジスト組成物用として好適な化合物および溶解抑制剤が提供される。それらは、分子量５００～３０００の非重合体であり、酸の作用によって分解し、分子量２００以上の分解物を２分子以上生じる化合物；その化合物を含有する溶解抑制剤；その化合物および酸発生剤成分を含有するポジ型レジスト組成物；並びにそのポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法である。
摘要翻译：本发明提供一种正性抗蚀剂组合物，其使用低分子材料作为基础成分并且可以形成高分辨率抗蚀剂图案，以及抗蚀剂图案形成方法，适用于正性抗蚀剂组合物的化合物，和溶解抑制剂。该化合物是分子量为500〜3000的非聚合物，通过酸的作用而分解，得到两分子以上的分子量为200以上的分解产物。分解抑制剂含有该化合物。正性抗蚀剂组合物包含化合物和酸产生剂组分。在抗蚀剂图案形成方法中，使用正性抗蚀剂组合物。

5. 发明申请

WO2005057287A1 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：积极抗性组合物和形成耐药模式的方法
公开(公告)号：WO2005057287A1
公开(公告)日：2005-06-23
申请号：PCT/JP2004/018189
申请日：2004-12-07
申请人：東京応化工業株式会社 , 羽田英夫 , 竹下優 , 林亮太郎 , 松丸省吾
发明人：羽田英夫 , 竹下優 , 林亮太郎 , 松丸省吾
IPC分类号： G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0397
摘要： Disclosed is a positive resist composition with excellent resolution which enables to reduce line-edge roughness. This composition contains, as a resin component (A) whose alkali solubility is increased by action of an acid, a copolymer having a constitutional unit (a1) derived from a (meth)acrylate containing a polycyclic group-containing acid-cleavable dissolution inhibiting group, a constitutional unit (a2) derived from a (meth)acrylate containing a lactone-containing monocyclic or polycyclic group, a constitutional unit (a3) derived from a (meth)acrylate containing a hydroxyl group-containing polycyclic group, and a constitutional unit (a4) derived from a (meth)acrylate containing a polycyclic group-containing acid-uncleavable dissolution inhibiting group other than the constitutional units (a2) and (a3); and as an acid generator component (B) which generates an acid when exposed to light, at least one sulfonium compound represented by the following general formula (b-1) or (b-2).
摘要翻译：公开了能够降低线边缘粗糙度的分辨率优异的正型抗蚀剂组合物。该组合物含有通过酸的作用使碱溶性增加的树脂成分（A），具有来源于（甲基）丙烯酸酯的含有多环基的酸可分解溶解抑制基的（甲基）丙烯酸酯）的结构单元（a1）的共聚物衍生自含有内酯单环或多环基团的（甲基）丙烯酸酯的结构单元（a2），衍生自含有羟基的多环基团的（甲基）丙烯酸酯的结构单元（a3）和结构单元（a2）和（a3）以外的含有含多环酸不可裂解溶解抑制基的（甲基）丙烯酸酯衍生自（a4）的化合物。作为在曝光时产生酸的酸产生剂组分（B），至少一种由以下通式（b-1）或（b-2）表示的锍化合物。

6. 发明申请

WO2004097525A1 ホトレジスト組成物、該ホトレジスト組成物用低分子化合物および高分子化合物审中-公开
标题翻译：光电组合物和用于光电组合物的低分子化合物和高分子化合物
公开(公告)号：WO2004097525A1
公开(公告)日：2004-11-11
申请号：PCT/JP2004/005410
申请日：2004-04-15
申请人：東京応化工業株式会社 , 緒方寿幸 , 遠藤浩太朗 , 辻裕光 , 吉田正昭 , 佐藤充 , 松丸省吾 , 羽田英夫
发明人：緒方寿幸 , 遠藤浩太朗 , 辻裕光 , 吉田正昭 , 佐藤充 , 松丸省吾 , 羽田英夫
IPC分类号： G03F7/039
CPC分类号： C07C43/126 , C07C43/162 , C07C43/1747 , C07C69/96 , C07C2601/14 , C07C2602/42 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/0757 , Y10S430/108
摘要：アルカリ可溶性部位（ｉ）を有し、このアルカリ可溶性部位（ｉ）の少なくとも一部がハロゲン原子含有アセタール系酸解離性溶解抑止基（ii）で保護されている高分子化合物または／および低分子化合物、並びにそれ含むホトレジスト組成物。露光光、特に３００ｎｍ以下の波長光に対する透明性が高く、かつ断面矩形状の良好なレジストパターンを得ることができ、保存安定性の高いホトレジスト組成物とすることができる。
摘要翻译：具有碱溶性部位的高分子化合物或/和低分子化合物（i），其至少部分被卤化缩醛型酸解离抑制基团（ii）保护; 和含有该组合物的光致抗蚀剂组合物。光致抗蚀剂组合物是高曝光后的保存稳定性之一，实现了相对于辐射，特别是300nm以下波长的光线显示高透明度的优异的截面矩形的抗蚀剂图案。

7. 发明申请

WO2007091569A1 膜形成用材料の製造方法审中-公开
标题翻译：生产成膜材料的方法
公开(公告)号：WO2007091569A1
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：PCT/JP2007/052051
申请日：2007-02-06
申请人：東京応化工業株式会社 , 独立行政法人理化学研究所 , 松丸省吾 , 太宰尚宏 , 羽田英夫 , 藤川茂紀 , 国武豊喜
发明人：松丸省吾 , 太宰尚宏 , 羽田英夫 , 藤川茂紀 , 国武豊喜
IPC分类号： C09D185/00 , C09D183/00 , G03F7/40 , H01L21/312
CPC分类号： H01L21/316 , C08G18/778 , C08G2190/00 , C09D185/00 , G03F7/405 , H01L21/312
摘要：　膜形成用材料の製造方法は、イソシアネート基を２個以上有する金属化合物（Ｗ）が溶剤（Ｓ）に溶解してなる膜形成用材料の製造方法であって、前記金属化合物（Ｗ）を前記溶剤（Ｓ）に溶解して得られる溶液（Ｒ１）中のイソシアン酸を除去する工程と、前記イソシアン酸を除去した後、前記溶液（Ｒ１）を不活性ガス雰囲気下でろ過する工程とを有する。
摘要翻译：公开了一种用于制备其中具有两个或多个异氰酸酯基团的金属化合物（W）溶解在溶剂（S）中的成膜材料的方法。具体地说，成膜材料的制造方法包括通过将金属化合物（W）溶解在溶剂（S）中而得到的溶液（R1）中除去异氰酸的工序和过滤溶液（ R1）在除去异氰酸后在惰性气体气氛中。

8. 发明申请

WO2006137342A1 パターン被覆材料およびパターン形成方法审中-公开
标题翻译：图案涂料和图案形成方法
公开(公告)号：WO2006137342A1
公开(公告)日：2006-12-28
申请号：PCT/JP2006/312136
申请日：2006-06-16
申请人：東京応化工業株式会社 , 独立行政法人理化学研究所 , 松丸省吾 , 緒方寿幸 , 石川清 , 羽田英夫 , 藤川茂紀 , 国武豊喜
发明人：松丸省吾 , 緒方寿幸 , 石川清 , 羽田英夫 , 藤川茂紀 , 国武豊喜
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/0273 , G03F7/405
摘要：　基板の上に形成されたパターンをマスクとしてエッチングをするプロセスにおいて、パターンのエッチング耐性を向上させる被覆材料が提供される。この材料は、基板の上に形成されたパターンをマスクとしてエッチングをするプロセスに用いられるパターン被覆材料であって、加水分解により水酸基を生成し得る金属化合物（Ｗ）を含有するパターン被覆材料である。
摘要翻译：公开了一种涂覆材料，其能够在使用在基板上形成的图案作为掩模进行蚀刻的工艺中提高图案的耐蚀刻性。具体公开了在使用在基板上形成的图案作为掩模进行蚀刻的方法中使用的图案涂布材料，该图案涂料含有可通过水解产生羟基的金属化合物（W）。

9. 发明申请

WO2006067944A1 液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：用于液体暴露的耐蚀组合物和耐蚀图案的形成方法
公开(公告)号：WO2006067944A1
公开(公告)日：2006-06-29
申请号：PCT/JP2005/022121
申请日：2005-12-01
申请人：東京応化工業株式会社 , 辻裕光 , 松丸省吾
发明人：辻裕光 , 松丸省吾
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0045 , G03F7/2041
摘要：　酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する樹脂成分（Ａ）を含む液浸露光用レジスト組成物であって、前記樹脂成分（Ａ）が、放射線の照射により酸を発生する酸発生基を有する構成単位（ａ０）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有する液浸露光用レジスト組成物。
摘要翻译：本发明提供了一种用于液浸曝光的抗蚀剂组合物，其包括通过酸的作用使碱溶解度发生变化的树脂组分（A）。树脂组分（A）包括包含含有在暴露于辐射时产生酸的酸产生基团的结构单元（a0）的聚合化合物（A1）。

10. 发明申请

WO2006013687A1 高分子化合物、酸発生剤、ポジ型レジスト組成物、およびレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：高分子化合物，酸发生器，积极抗性组合物和形成耐药模式的方法
公开(公告)号：WO2006013687A1
公开(公告)日：2006-02-09
申请号：PCT/JP2005/012201
申请日：2005-07-01
申请人：東京応化工業株式会社 , 松丸省吾 , 竹下優 , 岩井武 , 羽田英夫
发明人：松丸省吾 , 竹下優 , 岩井武 , 羽田英夫
IPC分类号： C08F220/38
CPC分类号： G03F7/0045 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F220/38 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/114
摘要：　ＬＥＲの低減された高解像性のパターンを形成できるポジ型レジスト組成物を構成できる高分子化合物、該高分子化合物からなる酸発生剤、該高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法が提供される。上記高分子化合物は、酸解離性溶解抑制基を有する（α－低級アルキル）アクリレートエステルから誘導される構成単位（ａ１）と、下記一般式（ａ２－１）［式中、Ｒは水素原子又は低級アルキル基であり；Ａは２価の有機基であり；Ｂは１価の有機基であり；Ｘは硫黄原子又はヨウ素原子であり；ｎは１又は２であり；Ｙは少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい直鎖、分岐又は環状のアルキル基である。］で表される構成単位（ａ２）と、極性基含有脂肪族多環式基を含む（α－低級アルキル）アクリレートエステルから誘導される構成単位（ａ３）とを含有する。【化１】
摘要翻译：本发明提供能够构成正抗蚀剂组合物的高分子化合物，其可以形成具有降低的LER和高分辨率的图案; 由该化合物组成的酸发生剂; 含有该化合物的正性抗蚀剂组合物; 以及通过使用该组合物形成抗蚀剂图案的方法。高分子化合物包含衍生自具有酸解离性溶解抑制基团的（α-低级烷基）丙烯酸酯的结构单元（a1），由通式（a2-1）表示的构成单元（a2）[其中R 是氢或低级烷基; A是二价有机基团; B是一价有机基团; X为硫或碘; n为1或2; Y是直链，支链或环状的烷基，其中至少一个氢原子可以被氟取代）和衍生自含有极性的脂族多环基团的（α-低级烷基）丙烯酸酯的构成单元（a3）组。（A2-1）

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