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1. 发明申请

WO2005123992A1 炭化珪素単結晶および単結晶ウェハ审中-公开
标题翻译：单晶碳化硅单晶和单晶水晶
公开(公告)号：WO2005123992A1
公开(公告)日：2005-12-29
申请号：PCT/JP2005/011390
申请日：2005-06-15
申请人：新日本製鐵株式会社 , 澤村充 , 藤本辰雄 , 大谷昇 , 中林正史
发明人：澤村充 , 藤本辰雄 , 大谷昇 , 中林正史
IPC分类号： C30B29/36
CPC分类号： C30B23/00 , C30B29/36
摘要： A semiinsulating silicon carbide single crystal of >= 1x10 ohmcm electric resistivity at room temperature, comprising vacancy clusters each composed of an assembly of multiple atomic vacancies; a semiinsulating silicon carbide single crystal of >= 1x10 ohmcm electric resistivity at room temperature, comprising vacancy pairs (double vacancies); a semiinsulating silicon carbide single crystal of >= 1x10 ohmcm electric resistivity at room temperature, comprising crystal regions exhibiting an average life duration of positron, determined in a positron life duration measurement at 155 ps; and wafers obtained therefrom. By virtue of having of vacancy clusters including vacancy pairs, not only can lowering of electric conductivity be attained even in a state of nitrogen concentration exceeding boron concentration but also there can be obtained a semiinsulating silicon carbide whose electric conductivity change by heat treatment is suppressed.
摘要翻译：室温下> 1×10 5欧姆·厘米·厘米电阻率的半绝缘碳化硅单晶，包括由多个原子空位的组合构成的空位簇; 在室温下具有> = 1×10 5Ωhm电阻率的半绝缘碳化硅单晶，包括空位对（双空位）; 在室温下具有> = 1×10 5欧姆电阻率的半绝缘碳化硅单晶，包括在正极寿命测量中在<=液氮沸点温度（77K）下测定的具有正电子平均寿命的晶体区域，，> 155 ps; 和从其获得的晶片。由于具有包括空位对的空位簇，即使在超过硼浓度的氮浓度的状态下也不会降低导电性，而且可以获得抑制通过热处理导电性变化的半绝缘碳化硅。

2. 发明申请

WO2006070480A1 炭化珪素単結晶、炭化珪素単結晶ウェハ及びその製造方法审中-公开
标题翻译：单晶碳化硅单晶，碳化硅单晶及其制造方法
公开(公告)号：WO2006070480A1
公开(公告)日：2006-07-06
申请号：PCT/JP2004/019812
申请日：2004-12-27
申请人：新日本製鐵株式会社 , 中林正史 , 藤本辰雄 , 澤村充 , 大谷昇
发明人：中林正史 , 藤本辰雄 , 澤村充 , 大谷昇
IPC分类号： C30B29/36 , C30B33/00 , C30B23/02
CPC分类号： C30B29/36 , C30B23/00
摘要：本発明は、高抵抗率で高品質な大口径SiC単結晶、SiC単結晶ウェハ及びその製造方法を提供するもので、未補償不純物を原子数密度で１×10 15 ／cm 3 以上含有し、かつバナジウムを該未補償不純物濃度未満含有する炭化珪素単結晶、及び、前記炭化珪素単結晶を加工、研磨してなる炭化珪素単結晶ウェハであって、室温の電気抵抗率が５×10 3 Ωcm以上である炭化珪素単結晶ウェハ並びに前記炭化珪素単結晶の製造方法である。
摘要翻译：本发明提供了具有高电阻率且具有高质量的大直径SiC单晶，SiC单晶晶片及其制造方法。碳化硅单晶含有不小于1×10 15 / cm 3的原子密度的未补偿的杂质，并含有浓度低于未补偿的杂质浓度的钒。碳化硅单晶晶片是通过对碳化硅单晶进行加工和抛光而产生的，并且在室温下具有不小于5×10 3 Ocm的电阻率。

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