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81. 发明申请

WO2012092064A1 WAFER PROCESSING WITH CARRIER EXTENSION 审中-公开
标题翻译：带载波延伸的波浪加工
公开(公告)号：WO2012092064A1
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：PCT/US2011066489
申请日：2011-12-21
申请人： VEECO INSTR INC , MATROVIC BOJAN , WEI GUANGHUA , ARMOUR ERIC A , RARANJPE AJIT
发明人： MATROVIC BOJAN , WEI GUANGHUA , ARMOUR ERIC A , RARANJPE AJIT
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458 , H01L21/687
CPC分类号： C23C16/4585 , C23C16/45504 , C23C16/45508 , C23C16/45591 , C23C16/4584 , C23C16/46 , C30B25/165 , C30B29/06 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/68735 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/68785
摘要： Apparatus for treating wafers (74) using a wafer carrier (40) rotated about an axis is provided with a ring (52) which surrounds the wafer carrier during operation. Treatment gasses directed onto a top surface (64) of the carrier flow outwardly away from the axis over the carrier and over the ring, and pass downstream outside of the ring. The outwardly flowing gasses form a boundary layer (B) over the carrier and ring. The ring helps to maintain a boundary layer of substantially uniform thickness over the carrier, which promotes uniform treatment of the wafers.
摘要翻译：使用绕轴线旋转的晶片载体（40）来处理晶片（74）的装置设置有在操作期间围绕晶片载体的环（52）。引导到载体的顶表面（64）上的处理气体向外离开载体上方的轴并且越过环，并且在环的下游向下游。向外流动的气体在载体和环上形成边界层（B）。该环有助于在载体上保持基本均匀厚度的边界层，这促进了晶片的均匀处理。

82. 发明申请

WO2012021321A3 COMPOSITE SUBSTRATES FOR DIRECT HEATING AND INCREASED TEMPERATURE UNIFORMITY 审中-公开
标题翻译：用于直接加热和增加温度均匀性的复合基材
公开(公告)号：WO2012021321A3
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：PCT/US2011046116
申请日：2011-08-01
申请人： APPLIED MATERIALS INC , SU JIE , OLGADO DONALD J K , KUTNEY MICHAEL C
发明人： SU JIE , OLGADO DONALD J K , KUTNEY MICHAEL C
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/683
CPC分类号： F27B17/0025 , C23C16/4586 , C23C16/46 , C30B23/063 , C30B25/105 , H01L21/67115 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/68785
摘要： Embodiments of the present invention generally relate to apparatus and methods for uniformly heating substrates. The apparatus include a transferable puck having at least one electrode and a dielectric coating. The transferable puck can be biased with a biasing assembly relative to a substrate, and transferred independently of the biasing assembly during a fabrication process while maintaining the bias relative to the substrate. The puck absorbs radiant heat from a heat source and uniformly conducts the heat to a substrate coupled to the puck. The puck has high emissivity and high thermal conductivity for absorbing and transferring the radiant heat to the substrate. The high thermal conductivity allows for a uniform temperature profile across the substrate, thereby increasing deposition uniformity. The method includes disposing a light-absorbing material on an optically transparent substrate, and radiating the light-absorbing material with a radiant heat source to heat the optically transparent substrate.
摘要翻译：本发明的实施例一般涉及用于均匀加热衬底的装置和方法。该装置包括具有至少一个电极和介电涂层的可转移圆盘。可转移的圆盘可以相对于基板偏压组件偏置，并且在制造过程中独立于偏置组件传递，同时保持相对于基板的偏压。圆盘吸收来自热源的辐射热，并将热量均匀地传导到耦合到冰球的基底。圆盘具有高辐射率和高导热性，用于吸收并将辐射热传递到基底。高导热性允许跨基板的均匀温度分布，从而增加沉积均匀性。该方法包括将光吸收材料设置在光学透明基板上，并且用辐射热源辐射光吸收材料以加热光学透明基板。

83. 发明申请

WO2012047531A2 SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM WITH MULTIPLE PROCESSING DEVICES DEPLOYED IN SHARED AMBIENT EMVIRONMENT AND ASSOCIATED METHODS 审中-公开
标题翻译：具有多种处理设备的基板处理系统，分布在共享的环境中和相关的方法
公开(公告)号：WO2012047531A2
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：PCT/US2011/052727
申请日：2011-09-22
申请人： LAM RESEARCH CORPORATION , HEMKER, David, J. , SHEET, Lubab, L. , MARKS, Jeffrey
发明人： HEMKER, David, J. , SHEET, Lubab, L. , MARKS, Jeffrey
IPC分类号： H01L21/302 , C23C16/00 , H01L21/306 , B05B13/02
CPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/54 , H01L21/30604 , H01L21/308 , H01L21/67051 , H01L21/67173 , H01L21/6776 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： A plurality of substrate processing devices are disposed in a separated manner within a shared ambient environment. A conveyance device is disposed within the shared ambient environment and is defined to move a substrate through and between each of the substrate processing devices in a continuous manner. Some substrate processing devices are defined to perform dry substrate processing operations in which an energized reactive environment is created in exposure to the substrate in an absence of liquid material. Some substrate processing devices are defined to perform wet substrate processing operations in which at least one material in a liquid state is applied to the substrate. In one embodiment, a complementary pair of dry and wet substrate processing devices are disposed in the shared ambient environment in a sequential manner relative to movement of the substrate by the conveyance device.
摘要翻译：多个基板处理装置以分开的方式设置在共享的环境环境中。传送装置设置在共享的环境环境中，并被定义为以连续的方式移动基板通过每个基板处理装置之间和之间。一些基板处理装置被定义为执行干基板处理操作，其中在没有液体材料的情况下在暴露于基板时产生通电的反应性环境。一些基板处理装置被定义为执行湿基板处理操作，其中至少一种液态的材料被施加到基板。在一个实施例中，互补的一对干式和湿式衬底处理装置相对于衬底由输送装置的移动以顺序的方式设置在共享的环境环境中。

84. 发明申请

WO2012022111A1 一种外延片托盘及与其配合的支撑和旋转联接装置审中-公开
公开(公告)号：WO2012022111A1
公开(公告)日：2012-02-23
申请号：PCT/CN2011/001147
申请日：2011-07-12
申请人：江苏中晟半导体设备有限公司 , 金小亮 , 陈爱华 , 孙仁君 , 张伟
发明人：金小亮 , 陈爱华 , 孙仁君 , 张伟
IPC分类号： C30B25/12 , C23C16/00
CPC分类号： C30B25/12 , C23C16/4584 , C23C16/4585 , H01L21/67754 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/68792

85. 发明申请

WO2012021370A1 ENHANCED WAFER CARRIER 审中-公开
标题翻译：增强的晶片载体
公开(公告)号：WO2012021370A1
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：PCT/US2011/046567
申请日：2011-08-04
申请人： VEECO INSTRUMENTS INC. , VOLF, Boris , RASHKOVSKY, Yuliy
发明人： VOLF, Boris , RASHKOVSKY, Yuliy
IPC分类号： H01L21/687
CPC分类号： H01L21/68764 , C23C16/4586 , H01L21/68728 , H01L21/68771
摘要： A wafer carrier (32) used in wafer treatments such as chemical vapor deposition has pockets (40,240) for holding the wafers and support surfaces for supporting the wafers above the floors of the pockets. The carrier is provided with locks (50,250) for restraining wafers against upward movement away from the support surfaces (56, 254). Constraining the wafers against upward movement limits the effect of wafer distortion on the spacing between the wafer and the floor surfaces, and thus limits the effects of wafer distortion on heat transfer. The carrier may include a main portion (38) and minor portions (44) having higher thermal conductivity than the main portion, the minor portions being disposed below the pockets.
摘要翻译：用于诸如化学气相沉积之类的晶片处理中的晶片载体（32）具有用于保持晶片的支架（40,240）和用于将晶片支撑在袋的地板上方的支撑表面。托架设有锁定装置（50,250），用于防止晶片向上移离支撑表面（56,254）。限制晶片向上移动限制了晶片失真对晶片和地板表面之间的间隔的影响，并因此限制了晶片失真对传热的影响。载体可以包括主要部分（38）和具有比主要部分更高热导率的次要部分（44），次要部分设置在袋的下方。

86. 发明申请

WO2011098157A1 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM TRANSPORT VON SUBSTRATEN 审中-公开
标题翻译： DEVICE AND METHOD FOR运输SUBSTRATES
公开(公告)号：WO2011098157A1
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：PCT/EP2010/062915
申请日：2010-09-02
申请人： SCHMID TECHNOLOGY GMBH , SOLLNER, Jürgen , SAUTER, Thomas , MÜNKEL, Jens , BUCHNER, Christian
发明人： SOLLNER, Jürgen , SAUTER, Thomas , MÜNKEL, Jens , BUCHNER, Christian
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/687
CPC分类号： B05C13/02 , H01L21/67748 , H01L21/67784 , H01L21/68714 , H01L21/68764
摘要： Eine Vorrichtung zum Transport von Siliziumwafern in einer horizontalen Transportrichtung in eine Druckeinrichtung weist zwei Transporteinheiten auf, die jeweils eine Verfahreinrichtung und ein Haltemittel daran aufweisen. Mindestens zwei Transporteinheiten mit jeweils einem Haltemittel sind vorgesehen, wobei deren Verfahreinrichtungen nebeneinander entlang der Transportrichtung verlaufen. Die Haltemittel sind jeweils so ausgebildet und angeordnet, dass ein unbeladenes Haltemittel an einem mit einem Siliziumwafer beladenen Haltemittel vorbei passt. Die Verfahreinrichtungen sind Schienen und die Haltemittel sind daran gelagerte Schlitten.
摘要翻译：一种用于硅晶片的在水平输送方向输送到打印装置装置具有两个输送单元，每个单元具有行驶装置和保持装置于此。至少两个传输单元，每个单元与一个保持装置被设置，其中所述遍历由沿着输送方向侧运行侧。保持装置的每一个构造和布置成，一个卸载保持装置来调整装载有硅晶片保持装置的过去。移动设备是导轨和所述保持装置被安装在其上的雪橇。

87. 发明申请

WO2011025214A2 GAS INJECTION APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS USING SAME 审中-公开
标题翻译：气体注射装置和使用该装置的基板处理装置
公开(公告)号：WO2011025214A2
公开(公告)日：2011-03-03
申请号：PCT/KR2010005628
申请日：2010-08-24
申请人： IPS LTD , LEE JUNG-HWAN , PARK WOO-YOUNG , HAHM TAE-HO
发明人： LEE JUNG-HWAN , PARK WOO-YOUNG , HAHM TAE-HO
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C23C16/45551 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： The present invention relates to a gas injection apparatus and a substrate processing apparatus using the same. The gas injection apparatus according to the present invention is installed at an upper part of a substrate supporting portion for supporting a plurality of substrates which is rotatably installed in an inside of a chamber. The gas injection apparatus comprises a plurality of gas injection units for injecting the process gas onto the substrates which are arranged along a circumferential direction on the basis of a central point of the substrate supporting portion, wherein at least one of the gas injection units comprises: a top plate having an inlet in which the process gas is introduced; and an injection plate which is arranged at a lower part of the top plate to form a gas diffusion space along a radius direction of the substrate supporting portion apart from the top plate and includes a plurality of gas injection holes formed at a lower side of the gas diffusion space to inject onto the substrate the process gas which is introduced through the inlet and is diffused in the gas diffusion space. The gas injection apparatus is characterized in that the process gas is introduced from a plurality of points to the gas diffusion space.
摘要翻译：气体喷射装置及使用其的基板处理装置技术领域本发明涉及气体喷射装置及使用其的基板处理装置根据本发明的气体喷射装置安装在用于支撑可旋转地安装在腔室内部的多个基板的基板支撑部分的上部。所述气体喷射装置包括多个气体喷射单元，所述多个气体喷射单元用于将处理气体喷射到基于所述基板支撑部分的中心点沿圆周方向排列的基板上，其中至少一个所述气体喷射单元包括：具有引入工艺气体的入口的顶板; 以及喷射板，所述喷射板布置在所述顶板的下部处以沿着所述基板支撑部的径向远离所述顶板形成气体扩散空间，并且所述喷射板包括多个气体喷射孔，所述气体喷射孔形成在所述顶板的下侧气体扩散空间以将通过入口引入的并在气体扩散空间中扩散的工艺气体喷射到衬底上。该气体喷射装置的特征在于，从多个点将处理气体导入气体扩散空间。

88. 发明申请

WO2011010668A1 位置決め構造及び搬送装置审中-公开
标题翻译：定位结构和输送装置
公开(公告)号：WO2011010668A1
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：PCT/JP2010/062255
申请日：2010-07-21
申请人：シャープ株式会社 , 牧野修之
发明人：牧野　修之
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/68764 , H01L21/68 , H01L21/68771 , H01L21/68785
摘要：　本発明の位置決め構造では、まず十分な隙間量を有する位置で浅い嵌合深さで挿入用穴部と前記挿入用突起部（１５ａ）のみを嵌合し、次にそれらを平面方向に相対移動させて、前記挿入用穴部と前記挿入用突起部（１５ａ）に加えて前記位置決め用穴部と前記位置決め用突起部（１５ｂ）も嵌合可能な位置で前記挿入用突起部（１５ａ）と前記挿入用穴部との側面同士を接触させ、さらに深く挿入して前記位置決め用穴部と前記位置決め用突起部（１５ｂ）も嵌合させることで、搬送時の装置温度によらず位置決め後の突起部と穴部の相対位置を安定させることが可能で、より高精度な位置決めが可能になる。
摘要翻译：在所公开的定位结构的定位中，首先将插入突起15a以足够的间隙插入到插入孔中，以小的插入深度插入。接下来，插入突起和插入孔在平面方向上相对移动，以允许插入突起（15a）的侧壁在插入孔和插入孔的位置处接触插入孔的侧壁突起（15a）可以装配在一起，并且定位孔和定位突起（15b）也可以装配在一起，然后它们进一步插入以将定位突起（15b）装配到定位孔中。由此，能够使突出部相对于定位后的孔的相对位置稳定，而与运送时的装置的温度无关地固定高精度的位置。

89. 发明申请

WO2010147053A1 気相成長装置审中-公开
标题翻译：蒸气沉积装置
公开(公告)号：WO2010147053A1
公开(公告)日：2010-12-23
申请号：PCT/JP2010/059906
申请日：2010-06-11
申请人：大陽日酸株式会社 , 大陽日酸イー・エム・シー株式会社 , 山口晃 , 内山康右
发明人：山口　晃 , 内山　康右
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/458 , H01L21/683
CPC分类号： C23C14/505 , C23C16/4584 , H01L21/67109 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要：外歯車と内歯車とを自動的に噛み合い状態にすることができる自公転型の気相成長装置であって、円盤状のサセプタの外周部周方向に回転可能に設けられた複数の外歯車部材と、該外歯車部材に噛合する内歯車を備えたリング状の固定内歯車部材との少なくともいずれか一方の歯車部材の歯側面に、両歯車部材が非噛み合い状態の位置から噛み合い状態の位置へと移動したときに、他方の歯車部材の歯側面に当接して両歯車部材を噛み合い状態にガイドするためのガイド斜面を設ける。
摘要翻译：公开了一种旋转和旋转气相沉积装置，其可以自动地将外齿轮和内齿轮带入啮合状态，其中引导斜面设置在多个外齿轮之间的至少一种类型的齿轮构件的齿的侧面上构件可旋转地设置在圆盘形基座的外周上，以及设置有与所述外齿轮构件啮合的内齿轮的环形固定内齿轮构件，用于接触另一种类型的齿的齿轮构件并且当两种类型的齿轮构件从非啮合状态进入到啮合状态时将两种类型的齿轮构件引导成啮合状态。

90. 发明申请

WO2010071275A1 CONTROL UNIT FOR ADJUSTING A WAFER ANGLE IN A PROBE APPARATUS 审中-公开
标题翻译：用于调整探头装置中的角度的控制单元
公开(公告)号：WO2010071275A1
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：PCT/KR2009/002620
申请日：2009-05-18
申请人： SECRON CO., LTD. , JUNG, Tae-Suk , CHOI, Ki-Uk
发明人： JUNG, Tae-Suk , CHOI, Ki-Uk
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L21/68764 , G01R31/2891
摘要： In a wafer angle controller, a wafer is positioned on a wafer chuck rotatable on a central axis thereof. A chuck connector is located at a side of the wafer chuck and has a spherical hollow portion. A fixation shaft extends in a tangential direction of the wafer chuck and has a spherical connecting body coupled into the hollow portion at a first end and a screw hole at a second end thereof. A screw shaft is screwed into the screw hole, thus a joint distance between the screw and fixation shafts may be varied as the screw shaft is screwed. A driving unit drives the screw shaft to be screwed relative to the fixation shaft, to rotate the wafer chuck due to the variation of the joint distance. Accordingly, the wafer chuck is rotated by variation of the joint distance caused by the rotation of the screw shaft.
摘要翻译：在晶片角度控制器中，晶片位于可在其中心轴线上旋转的晶片卡盘上。卡盘连接器位于晶片卡盘的一侧，并具有球形中空部分。固定轴沿着晶片卡盘的切线方向延伸，并且具有在第一端处联接到中空部分中的球形连接体，在其第二端处具有螺钉孔。螺丝轴拧入螺丝孔，因此螺钉和固定轴之间的接合距离可随螺丝轴拧紧而变化。驱动单元驱动相对于固定轴旋转的螺杆轴，由于接头距离的变化而旋转晶片卡盘。因此，通过由螺杆轴的旋转引起的接合距离的变化，使晶片卡盘旋转。

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