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81. 发明申请

WO2013054117A1 SECURITY DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURE THEREOF 审中-公开
标题翻译：安全装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2013054117A1
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：PCT/GB2012/052520
申请日：2012-10-11
申请人： DE LA RUE INTERNATIONAL LIMITED
发明人： LISTER, Adam
IPC分类号： G03C5/08 , G03C5/60 , B42D15/00 , B41M3/14
CPC分类号： G03F7/38 , B42D25/29 , B42D25/342 , B42D25/41 , B42D25/42 , B42D2033/10 , B42D2033/14 , B42D2033/20 , B42D2033/30 , B42D2035/16 , B42D2035/20 , B42D2035/26 , B42D2035/44 , G03C5/08 , G03C5/60 , G03F7/2002
摘要： A method of manufacturing at least part of a security device is disclosed. The method comprises: conveying a substrate web comprising a photosensitive film along a transport path, the photosensitive film being adapted to exhibit an increase in optical density upon exposure to radiation of a predetermined wavelength and concurrent or subsequent heating, the increase in optical density being due to the formation of bubbles within the photosensitive film; exposing the photosensitive film to radiation of the predetermined wavelength through a mask, wherein the mask comprises a predetermined pattern of regions which are substantially opaque to radiation of the predetermined wavelength and at least semi-transparent to radiation of the predetermined wavelength, respectively; during the exposure, moving the mask alongside the substrate web along at least a portion of the transport path at substantially the same speed as the substrate web, such that there is substantially no relative movement between the mask and the substrate web; and heating the substrate web comprising the exposed photosensitive film. In this way, regions of the photosensitive film exposed to the radiation of the predetermined wavelength undergo an increase in optical density such that the photosensitive film displays a reproduction of the predetermined pattern. Security devices are also disclosed.
摘要翻译：公开了制造安全装置的至少一部分的方法。该方法包括：沿着输送路径输送包含光敏膜的基材网，该感光膜适于在暴露于预定波长的辐射和同时或随后的加热时表现出光密度的增加，光密度的增加是由于到感光膜内形成气泡; 将所述感光膜暴露于通过掩模的所述预定波长的辐射，其中所述掩模包括分别对于预定波长的辐射基本上不透明且对于预定波长的辐射至少半透明的预定图案区域; 在曝光期间，沿着衬底腹板沿传送路径的至少一部分以与衬底腹板基本相同的速度移动面罩，使得在掩模和衬底腹板之间基本上没有相对移动; 以及加热包含曝光的感光膜的基片网。以这种方式，暴露于预定波长的辐射的感光膜的区域经历光密度的增加，使得感光膜显示预定图案的再现。还公开了安全装置。

82. 发明申请

WO2013028650A2 METHODS FOR FABRICATING THREE-DIMENSIONAL NANO-SCALE STRUCTURES AND DEVICES 审中-公开
标题翻译：制造三维纳米结构和器件的方法
公开(公告)号：WO2013028650A2
公开(公告)日：2013-02-28
申请号：PCT/US2012/051650
申请日：2012-08-21
申请人： THE RESEARCH FOUNDATION OF STATE UNIVERSITY OF NEW YORK , HARTLEY, Dr. John, G. , BONAM, Ravi, K.
发明人： HARTLEY, Dr. John, G. , BONAM, Ravi, K.
IPC分类号： G03F7/095 , G03F7/11 , G03F7/004 , G03F7/26
CPC分类号： H01L21/308 , B81C1/00031 , B81C2201/0157 , G03F7/0048 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/0755 , G03F7/095 , G03F7/2059 , G03F7/325 , G03F7/38 , G03F7/70416 , H01L21/0277 , H01L29/02
摘要： A method of fabricating a 3 dimensional structure, includes: forming a stack (12) of at least 2 layers of photo resist material having different photo resist sensitivities upon a substrate (14); exposing the stack to beams (22) of electromagnetic radiation or charged particles of different dosages to achieve selective solubility along a height of the stack; and dissolving soluble portions of the stack with a solvent to produce a 3 dimensional structure (24) of desired geometry.
摘要翻译：一种制造三维结构的方法，包括：在衬底（14）上形成具有不同光致抗蚀剂灵敏度的至少两层光致抗蚀剂材料的叠层（12）; 将堆叠暴露于电磁辐射的束（22）或不同剂量的带电粒子以沿着堆叠的高度实现选择性溶解度; 并用溶剂溶解叠层的可溶部分以产生具有所需几何形状的三维结构（24）。

83. 发明申请

WO2012124597A1 レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法审中-公开
标题翻译：抗静电膜形成组合物和使用其形成电阻图案的方法
公开(公告)号：WO2012124597A1
公开(公告)日：2012-09-20
申请号：PCT/JP2012/055963
申请日：2012-03-08
申请人：日産化学工業株式会社 , 大西竜慈 , 遠藤貴文 , 坂本力丸
发明人：大西　竜慈 , 遠藤　貴文 , 坂本　力丸
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/09 , C08G59/1455 , C08G59/4223 , G03F7/11 , G03F7/38
摘要：【課題】　本発明は、膜厚２０ｎｍ以下の薄膜を形成する場合であっても、欠陥のない均一なレジスト下層膜を形成することができる、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】　下記式（１）で表される構造をポリマー鎖の末端に有するポリマー、架橋剤、架橋反応を促進させる化合物及び有機溶媒を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。（式中、Ｒ 1 、Ｒ 2 及びＲ 3 はそれぞれ独立に水素原子、炭素原子数１乃至１３の直鎖状若しくは分岐鎖状の炭化水素基、又はヒドロキシ基を表し、前記Ｒ 1 、Ｒ 2 及びＲ 3 の少なくとも１つは前記炭化水素基であり、ｍ及びｎはそれぞれ独立に０又は１を表し、前記ポリマーの主鎖はｎが１を表す場合メチレン基と結合し、ｎが０を表す場合－Ｏ－で表される基と結合する。）
摘要翻译： [问题]提供一种用于光刻的抗蚀剂下层膜形成组合物，即使形成厚度不大于20nm的薄膜，也能够形成没有缺陷的均匀的抗蚀剂下层膜。 [解决方案]用于光刻的抗蚀剂下层膜形成组合物在聚合物链末端含有有机溶剂，促进交联反应的化合物，交联剂和具有由式（1）表示的结构的聚合物。（式中，R 1，R 2，R 3各自独立地表示氢原子，碳原子数为1〜13的直链或支链烃基或羟基，R 1，R 2，R 3中的至少1个是烃基; m和n各自独立地表示0或1;当n表示1时，聚合物的初级链与亚甲基键合，当n表示0时，与-O - 表示的基团结合。）

84. 发明申请

WO2011105626A1 PATTERN FORMING METHOD AND RESIST COMPOSITION 审中-公开
标题翻译：图案形成方法和阻力组成
公开(公告)号：WO2011105626A1
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：PCT/JP2011/054840
申请日：2011-02-24
申请人： FUJIFILM Corporation , IWATO, Kaoru , KATAOKA, Shohei , TARUTANI, Shinji , KAMIMURA, Sou , KATO, Keita , ENOMOTO, Yuichiro , MIZUTANI, Kazuyoshi , TSUCHIHASHI, Toru , FUJII, Kana
发明人： IWATO, Kaoru , KATAOKA, Shohei , TARUTANI, Shinji , KAMIMURA, Sou , KATO, Keita , ENOMOTO, Yuichiro , MIZUTANI, Kazuyoshi , TSUCHIHASHI, Toru , FUJII, Kana
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/32
CPC分类号： G03F7/30 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/0757 , G03F7/0758 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/38 , Y10T428/24479
摘要： Provided is a method of forming a pattern, ensuring excellent sensitivity, limiting resolving power, roughness characteristic, exposure latitude (EL), dependence on post-exposure bake (PEB) temperature and focus latitude (depth of focus DOF), and a resist composition for use in the method. The method comprises (A) forming a film from a resist composition comprising a resin containing a repeating unit containing a group that is decomposed when acted on by an acid to thereby produce an alcoholic hydroxyl group, which resin thus when acted on by an acid decreases its solubility in a developer containing an organic solvent, (B) exposing the film to light, and (C) developing the exposed film using a developer containing an organic solvent.
摘要翻译：提供了形成图案的方法，确保优异的灵敏度，限制分辨率，粗糙度特性，曝光宽容度（EL），对曝光后烘烤（PEB）温度和聚焦宽度（焦深DOF）的依赖性以及抗蚀剂组合物用于该方法。该方法包括（A）由抗蚀剂组合物形成膜，所述抗蚀剂组合物含有含有重复单元的树脂，所述树脂含有当被酸作用时分解的基团，从而产生醇羟基，所述树脂当被酸作用时降低其在含有有机溶剂的显影剂中的溶解度，（B）将膜曝光，和（C）使用含有有机溶剂的显影剂显影曝光的膜。

85. 发明申请

WO2010144117A1 PREPARING LITHOGRAPHC PRINTING PLATES WITH ENHANCED CONTRAST 审中-公开
标题翻译：制备具有增强对比度的LITHOGRAPHC印刷版
公开(公告)号：WO2010144117A1
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：PCT/US2010/001582
申请日：2010-05-28
申请人： EASTMAN KODAK COMPANY , MEMETEA, Livia , HUANG, Jianbing , MUNNELLY, Heidi M. , WERTZ, Scott
发明人： MEMETEA, Livia , HUANG, Jianbing , MUNNELLY, Heidi M. , WERTZ, Scott
IPC分类号： G03F7/38 , G03F7/40 , G03F7/105 , G03F7/32
CPC分类号： G03F7/38 , G03F7/105 , G03F7/322 , G03F7/40
摘要： Lithographic printing plates can be prepared with enhanced contrast between the image and background by coloring the imaged or exposed regions using a coloring fluid containing a water-insoluble colorant (dye or pigment) and an organic solvent that swells the imaged regions sufficiently for the colorant to be embedded or diffused therein.
摘要翻译：通过使用含有水不溶性着色剂（染料或颜料）和有机溶剂的着色液使成像区域或曝光区域着色，使成像区域充分地使着色剂溶胀，使成像区域和背景区域之间的对比度增强，可以制备平版印刷版。嵌入或扩散在其中。

86. 发明申请

WO2010134639A1 レジストパターンの形成方法および現像液审中-公开
标题翻译：形成电阻图案的方法和开发方案
公开(公告)号：WO2010134639A1
公开(公告)日：2010-11-25
申请号：PCT/JP2010/058939
申请日：2010-05-20
申请人：株式会社トクヤマ , 東野誠司 , 近重ゆき
发明人：東野　誠司 , 近重　ゆき
IPC分类号： G03F7/32 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/325 , G03F7/0015 , G03F7/038 , G03F7/38
摘要：特定のカリックスアレーン誘導体を含むレジスト膜を基板上に形成するレジスト膜形成工程、前記レジスト膜に高エネルギー線を選択的に露光させ、パターンの潜像を形成する潜像形成工程、及び前記高エネルギー線に露光させていないレジスト膜の部分を、含フッ素アルキルエーテル、及び含フッ素アルコールからなる群より選ばれる少なくとも１種の含フッ素溶剤を含む現像液で除去することにより前記潜像を現像する現像工程を含むレジストパターンの形成方法および上記含フッ素溶剤をレジスト用現像液として提供する。
摘要翻译：公开了形成抗蚀剂图案的方法，其包括：抗蚀剂膜形成步骤，在基板上形成含有特定杯芳烃衍生物的抗蚀剂膜; 潜像形成步骤，用于选择性地将抗蚀剂膜暴露于高能射线以形成图案的潜像; 以及显影步骤，用含有选自氟代烷基醚和氟化醇的至少一种氟化溶剂的显影溶液除去未暴露于高能射线的抗蚀剂膜的一部分，以形成潜像还公开了使用氟化溶剂作为抗蚀剂的显影液。

87. 发明申请

WO2010063763A1 GUMMING COMPOSITIONS WITH NANO-PARTICLES FOR IMPROVING SCRATCH SENSITIVITY IN IMAGE AND NON-IMAGE AREAS OF LITHOGRAPHIC PRINTING PLATES 审中-公开
标题翻译：具有纳米颗粒的组合物，用于提高图形印刷版图像和非图像区域的切割灵敏度
公开(公告)号：WO2010063763A1
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：PCT/EP2009/066241
申请日：2009-12-02
申请人： EASTMAN KODAK COMPANY , SAVARIAR-HAUCK, Celin , PENGLER, Joachim
发明人： SAVARIAR-HAUCK, Celin , PENGLER, Joachim
IPC分类号： G03F7/32 , G03F7/40 , B41N3/08
CPC分类号： G03F7/38 , B41N3/08 , G03F7/40
摘要： The process for improving the scratch-resistance of a lithographic printing plate, comprising: applying an aqueous composition comprising inorganic, non-metallic, inert particles composed of silica, alumina or titanium dioxide and having an average particle size of from 1 nm to 0.5 μm, to an exposed and optionally developed lithographic printing plate precursor.
摘要翻译：一种用于改善平版印刷版的耐擦伤性的方法，包括：施加包含由二氧化硅，氧化铝或二氧化钛组成的平均粒度为1nm至0.5μm的无机，非金属惰性颗粒的水性组合物曝光和任选显影的平版印刷版原版。

88. 发明申请

WO2010007874A1 第１膜の改質方法及びこれに用いる酸転写樹脂膜形成用組成物审中-公开
标题翻译：用于修饰第一膜的方法及其用于形成酸转移树脂膜的组合物
公开(公告)号：WO2010007874A1
公开(公告)日：2010-01-21
申请号：PCT/JP2009/061886
申请日：2009-06-29
申请人： JSR株式会社 , 西川耕二
发明人：西川　耕二
IPC分类号： G03F7/095 , G03F7/039 , G03F7/11 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/095 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/11 , G03F7/38
摘要：本発明の目的は、第２膜を用いて第１膜を改質する第１膜の改質方法を提供すること、特に、パターンとなる第１膜に酸発生剤が含有されなくとも既存のフォトリソのプロセスを用いてパターン形成できる第１膜の改質方法及びこれに用いる酸転写樹脂膜形成用組成物を提供することである。即ち、本改質方法は、酸解離性基を有する第１膜１０上に、酸発生剤を含む第２膜２０を形成する工程（Ｉ）と、マスク３０を介して第２膜２０に露光し、酸を発生させる工程（ＩＩ）と、第２膜２０に発生した酸を第１膜１０に転写する工程（ＩＩＩ）と、第２膜２０を除去する工程（ＩＶ）と、をこの順に備える。
摘要翻译：公开了通过使用第二膜来修饰第一膜的方法。特别公开了一种修改第一膜的方法，其中即使当要形成图案的第一膜不含酸产生剂时，也可以通过使用常规光刻工艺形成图案。还公开了用于形成酸转移树脂膜的组合物，该组合物用于该方法中。改性方法按照以下顺序包括在具有酸可分解基团的第一膜（10）上形成含有酸产生剂的第二膜（20）的步骤（I），产生酸的步骤（II）通过将第二膜（20）暴露于掩模（30）中，将在第二膜（20）中产生的酸转移到第一膜（10）的工序（III）和除去第二膜电影（20）。

89. 发明申请

WO2008143095A1 感光性樹脂及びマイクロレンズの製造方法审中-公开
标题翻译：光敏树脂和生产微生物的方法
公开(公告)号：WO2008143095A1
公开(公告)日：2008-11-27
申请号：PCT/JP2008/058860
申请日：2008-05-14
申请人：日産化学工業株式会社 , 根木隆之 , 坂口崇洋 , 岸岡高広
发明人：根木隆之 , 坂口崇洋 , 岸岡高広
IPC分类号： G03F7/023 , G02B3/00 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0233 , G02B3/00 , G03F7/0005 , G03F7/38
摘要：【課題】耐熱性、高解像度、高い光取り出し効率を有するマイクロレンズ用材料を提供する。【解決手段】芳香族縮合環又はその誘導体を有する単位構造を含むアルカリ可溶性ポリマー（Ａ）と、光分解しアルカリ可溶性基を生ずる有機基を有する化合物（Ｂ）とを含むポジ型レジスト組成物である。該ポジ型レジスト組成物は、波長６３３ｎｍで屈折率１．６以上であり、波長４００ないし７３０ｎｍにおいて透過率８０％以上の塗膜物性を有する。ポジ型レジスト組成物を基板上に塗布し、乾燥し、露光し、そして現像する工程を含むマイクロレンズの製造方法である。
摘要翻译： [问题]提供具有耐热性，高分辨率和高光提取效率的微透镜材料。解决问题的手段该材料是正型抗蚀剂组合物，其包含：（A）包含具有芳香稠环或其衍生物的单元结构的碱溶性聚合物; 和（B）具有经历光分解以产生碱溶性基团的有机基团的化合物。该正性抗蚀剂组合物得到在波长633nm下测定的折射率为1.6以上的涂膜，在波长400-730nm下测定的透射率为80％以上。还提供了一种生产微透镜的方法，其包括将正性抗蚀剂组合物施加到基底上的步骤以及干燥，曝光和显影所用组合物的步骤。

90. 发明申请

WO2008117308A2 NOVEL DIAZONAPHTHOQUINONESULFONIC ACID BISPHENOL DERIVATIVE USEFUL IN PHOTO LITHOGRAPHIC SUB MICRON PATTERNING AND A PROCESS FOR PREPARATION THEREOF 审中-公开
标题翻译：用于光刻平版亚微米图案化的新型氮杂双硫醌磺酸二苯酚衍生物及其制备方法
公开(公告)号：WO2008117308A2
公开(公告)日：2008-10-02
申请号：PCT/IN2008000169
申请日：2008-03-20
申请人： COUNCIL SCIENT IND RES , REDDY VUMMADI VENKAT , RAO VAIDYA JAYATHIRTHA , KANTAM MANNEPALLI LAKSHMI , MADHAVENDRA SUNKARA SAKUNTHALA , DWIVEDI VIRENDRA KUMAR
发明人： REDDY VUMMADI VENKAT , RAO VAIDYA JAYATHIRTHA , KANTAM MANNEPALLI LAKSHMI , MADHAVENDRA SUNKARA SAKUNTHALA , DWIVEDI VIRENDRA KUMAR
IPC分类号： C07C309/77 , C07C303/28 , G03F7/016
CPC分类号： G03F7/022 , C07C245/12 , C07C309/76 , C07C2601/08 , C07C2602/10 , G03F7/0236 , G03F7/38
摘要： The present invention provides novel diazonaphthoquinonesulfonic acid bisphenol derivatives. More particularly, the present invention relates to photo restive coating comprising alkali-soluble resin, a photoactive compound and a surfactant. The photoresist film prepared has less then one micron.The photoactive compound is soluble or swellable in aqueous alkaline solutions and is diazonaphthoquinonesulfonic bisphenol esters of the general formula (A), wherein DNQ represents a 2-Diazo-1-naphthoquinone-4-sulfonyl, 2-Diazo-1- naphthoquinone-5-sulfonyl, 1-Diazo-2-naphthoquinone-4-sulfonyl groups and R1 R1 represents an alkyl, aryl and substituted aryl groups. The invention also provides a process for coating and imaging the light-sensitive composition.
摘要翻译：本发明提供新的重氮萘醌磺酸双酚衍生物。更具体地说，本发明涉及包含碱溶性树脂，光敏化合物和表面活性剂的光致抗蚀涂层。制备的光致抗蚀剂膜具有小于1微米。光敏化合物在碱性水溶液中可溶或可溶胀，并且是通式（A）的重氮萘醌磺酸双酚酯，其中DNQ代表2-重氮-1-萘醌-4-磺酰基， 2-重氮-1-萘醌-5-磺酰基，1-重氮-2-萘醌-4-磺酰基和R 1 R 1表示烷基，芳基和取代的芳基。本发明还提供了用于涂覆和成像光敏组合物的方法。

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