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61. 发明申请

WO2004088428A1 ホトレジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：光刻胶组合物和使用其形成耐蚀图案的方法
公开(公告)号：WO2004088428A1
公开(公告)日：2004-10-14
申请号：PCT/JP2004/004012
申请日：2004-03-24
申请人：東京応化工業株式会社 , 緒方寿幸 , 遠藤浩太郎 , 辻裕光 , 吉田正昭
发明人：緒方寿幸 , 遠藤浩太郎 , 辻裕光 , 吉田正昭
IPC分类号： G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0046 , G03F7/0395 , Y10S430/108
摘要：（Ａ）(i)フッ素原子又はフッ素化アルキル基及び(ii)アルコール性水酸基を共に有する脂肪族環式基を含むアルカリ可溶性の構成単位（ａ１）を含んでなる、酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する重合体､（Ｂ）光照射により酸を発生する酸発生剤、並びに（Ｃ）フッ素原子を有する溶解抑止剤及び／又は（Ｄ）（ｄ１）極性基を有する第３級アミン、（ｄ２）炭素数７以上１５以下の第３級アルキルアミン又は（ｄ３）アンモニウム塩から選ばれる含窒素化合物を含有していることを特徴とするホトレジスト組成物。当該組成物は、半導体集積回路のリソグラフィーによるパターン加工精度として９０ｎｍ以下のライン・アンド・スペース（１：１）を良好な形状で達成可能なレジスト特性を有する。
摘要翻译：一种光致抗蚀剂组合物，其特征在于，其包含（A）包含含有（i）氟原子或氟代烷基的脂族环状基团的碱溶性构成单元（a1）的聚合物和（ii）醇羟基并且通过酸的作用显示碱溶性，（B）在用光照射时产生酸的试剂，和（C）含有氟原子的溶解抑制剂和/或（D ）选自（d1）具有极性基团的叔胺，（d2）具有7-15个碳原子的叔烷基胺和（d3）铵盐的含氮化合物。所述组合物具有允许90nm或更小的线和空间（1：1）的抗蚀特性，因为通过光刻实现半导体集成电路的图案处理的精度具有良好的形状。

62. 发明申请

WO2004078688A1 脂環式不飽和化合物、重合体、化学増幅レジスト組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法审中-公开
标题翻译：高分子不饱和化合物，聚合物，化学稳定组合物和使用合成组合物形成图案的方法
公开(公告)号：WO2004078688A1
公开(公告)日：2004-09-16
申请号：PCT/JP2004/002728
申请日：2004-03-04
申请人：日本電気株式会社 , 前田勝美 , 中野嘉一郎
发明人：前田勝美 , 中野嘉一郎
IPC分类号： C07C35/52
CPC分类号： C07C35/52 , C07C2603/66 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , Y10S430/108
摘要： A novel alicyclic unsaturated compound represented by the general formula (1): wherein at least one of R and R is a fluorine atom or a fluorinated alkyl group; a polymer formed by the polymerization of a polymer precursor comprising the alicyclic unsaturated compound. The polymer is useful, in the lithography using a light having a wavelength of 190 nm or less, as a chemically amplified resist which exhibits excellent transparency with respect to the light for use in exposure and also is excellent in the adhesion to a substrate and the resistance to dry etching.
摘要翻译：一种由通式（1）表示的新型脂环族不饱和化合物：其中R 1和R 2中的至少一个是氟原子或氟化烷基; 通过包含脂环族不饱和化合物的聚合物前体的聚合形成的聚合物。聚合物在使用波长为190nm以下的光的光刻中作为化学放大型抗蚀剂是有用的，该抗蚀剂相对于曝光用光具有优异的透明性，并且对基材的粘附性也优异，耐干蚀刻。

63. 发明申请

WO2004077160A2 METHOD OF CONTROLLING THE DIFFERENTIAL DISSOLUTION RATE OF PHOTORESIST COMPOSITIONS 审中-公开
标题翻译：控制光电组合物差异分解速率的方法
公开(公告)号：WO2004077160A2
公开(公告)日：2004-09-10
申请号：PCT/US2004005274
申请日：2004-02-23
申请人： PROMERUS LLC , RHODES LARRY F , CHANG CHUN , LANGSDORF LEAH J , SIDAWAY HOWARD A , ITO HIROSHI
发明人： RHODES LARRY F , CHANG CHUN , LANGSDORF LEAH J , SIDAWAY HOWARD A , ITO HIROSHI
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/30
CPC分类号： G03F7/0395 , G03F7/30 , Y10S430/106 , Y10S430/108
摘要： A photoresist composition encompassing a polymer having at least one polycyclic olefin repeat unit having a desired exo mole percent is provided, where the repeat unit is derived from a polycyclic olefin monomer having the desired exo mole percent. Such polymers having such repeat units having a desired exo mole percent offer control of differential dissolution rate and hence provide enhanced imaging properties. Exemplary monomers having a desired exo mole percent are also provided.
摘要翻译：提供了包含具有至少一个具有所需外摩尔百分数的多环烯烃重复单元的聚合物的光致抗蚀剂组合物，其中重复单元衍生自具有所需外摩尔百分数的多环烯烃单体。具有所需外加摩尔百分比的这种重复单元的这种聚合物提供了差异溶解速率的控制，因此提供增强的成像性能。还提供了具有所需外用摩尔百分数的示例性单体。

64. 发明申请

WO2004050725A1 POLYMER COMPOUND, RESIST COMPOSITION AND DISSOLUTION INHIBITOR AGENT CONTAINING THE POLYMER COMPOUND 审中-公开
标题翻译：聚合物化合物，耐酸性组合物和溶解抑制剂包含聚合物化合物
公开(公告)号：WO2004050725A1
公开(公告)日：2004-06-17
申请号：PCT/JP2003/015247
申请日：2003-11-28
申请人： TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. , OGATA, Toshiyuki , ENDO, Kotaro , TSUJI, Hiromitsu , YOSHIDA, Masaaki , HADA, Hideo , TAKASU, Ryoichi , SATO, Mitsuru
发明人： OGATA, Toshiyuki , ENDO, Kotaro , TSUJI, Hiromitsu , YOSHIDA, Masaaki , HADA, Hideo , TAKASU, Ryoichi , SATO, Mitsuru
IPC分类号： C08F20/22
CPC分类号： G03F7/0046 , C08F20/22 , G03F7/0397 , Y10S430/108
摘要： Provided are a polymer compound having high transparency for use in a photoresist composition for microfabrication of the next generation, a resist composition using the polymer compound as a base polymer, and a dissolution inhibitor agent composed of the polymer compound. To ensure etching resistance, an alicyclic group is introduced into a side chain portion. Hydrogen atoms on the ring of the alicyclic group are highly fluorinated to ensure transparency to light of 157 nanometer wavelength, represented by an adsorption coefficient equal to or less than 3.0 mm-1. As the alicyclic group, a polycyclic group is preferably used. Hydrogen atoms are highly fluorinated by preferably substituting all hydrogen atoms on the ring by fluorine atoms, that is, forming a perfluoroalicyclic group. The resist composition is formed by using the polymer compound as a base polymer and further, the dissolution inhibitor agent is formed of the polymer compound.
摘要翻译：提供一种用于下一代微细加工的光致抗蚀剂组合物的高透明度的高分子化合物，使用该高分子化合物作为基础聚合物的抗蚀剂组合物和由该高分子化合物构成的溶解抑制剂。为了确保耐蚀刻性，将脂环族基团引入侧链部分。脂环族基团上的氢原子被高度氟化，以确保由等于或小于3.0mm -1的吸附系数表示的157纳米波长的透明度。作为脂环基，优选使用多环基。通过优选用氟原子代替环上的所有氢原子，即形成全氟环脂基，氢原子被高度氟化。抗蚀剂组合物通过使用高分子化合物作为基础聚合物形成，并且该溶解抑制剂由高分子化合物形成。

65. 发明申请

WO2003071357A1 反射防止膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成抗反射涂层的组合物
公开(公告)号：WO2003071357A1
公开(公告)日：2003-08-28
申请号：PCT/JP2003/001542
申请日：2003-02-14
申请人：日産化学工業株式会社 , 坂本力丸 , 水沢賢一
发明人：坂本力丸 , 水沢賢一
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/091 , Y10S430/108
摘要： A composition for forming an anti-reflection coating usable in a lithography process for manufacturing a semiconductor device, which comprises a polymer compound containing a halogen atom; a method for adjusting the damping coefficient of the anti-reflection coating which comprises changing the content of the halogen atom in the polymer compound; and an anti-reflection coating prepared from the composition. The polymer compound preferably has a halogen atom introduced into the main chain thereof and/or a side chain connected with the main chain. The anti-reflection coating can be used in a lithography process using an irradiation light of F2-excimer laser (wave length: 157 nm), exhibits high effect of preventing the reflection of the light, and does not cause the intermixing with a resist layer.
摘要翻译：一种可用于制造半导体器件的光刻工艺中的抗反射涂层的组合物，其包含含有卤素原子的高分子化合物; 一种用于调节抗反射涂层的阻尼系数的方法，其包括改变高分子化合物中卤素原子的含量; 和由该组合物制备的抗反射涂层。高分子化合物优选具有引入其主链中的卤素原子和/或与主链连接的侧链。抗反射涂层可以使用F2-准分子激光的照射光（波长：157nm）的光刻工艺中使用，具有防止光的反射的高效果，并且不会引起与抗蚀剂层的混合。

66. 发明申请

WO2003025675A1 パターン形成材料及びパターン形成方法审中-公开
标题翻译：形成图案的材料和图案形成方法
公开(公告)号：WO2003025675A1
公开(公告)日：2003-03-27
申请号：PCT/JP2002/009380
申请日：2002-09-12
申请人：松下電器産業株式会社 , 岸村眞治 , 遠藤政孝 , 笹子勝 , 上田充 , 藤ヶ谷剛彦
发明人：岸村眞治 , 遠藤政孝 , 笹子勝 , 上田充 , 藤ヶ谷剛彦
IPC分类号： G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/111
摘要： A pattern forming material comprising a base resin containing units represented by the general formula 1 and units represented by the general formula 2 and an acid generator: 1 2 wherein R1 and R3 may be the same or different and are each hydrogen, chloro, fluoro, alkyl, or fluorinated alkyl R2 is selected from among hydrogen, alkyl, alicyclic groups, aromatic groups, heterocyclic groups, ester groups, and ether groups, each of which cannot be eliminated with an acid R4 is a protective group which can be eliminated with an acid m is an integer of 0 to 5 and a and b satisfy the relationships: 0
摘要翻译：一种图案形成材料，其包含含有由通式1表示的单元的基体树脂和由通式2表示的单元和酸产生剂：其中R 1和R 3可以相同或不同，各自为氢，氯，氟，烷基或氟化烷基R2选自氢，烷基，脂环族基团，芳族基团，杂环基团，酯基团和醚基团，其各自不能用酸去除R4是保护基团，其可以用酸m为0〜5的整数，a和b满足0

67. 发明申请

WO02077710A3 PHOTORESIST COMPOSITIONS FOR SHORT WAVELENGTH IMAGING 审中-公开
标题翻译：用于短波成像的光电组合物
公开(公告)号：WO02077710A3
公开(公告)日：2003-02-20
申请号：PCT/US0208760
申请日：2002-03-20
申请人： SHIPLEY CO LLC
发明人： ZAMPINI ANTHONY , SZMANDA CHARLES R , TAYLOR GARY N , CAMERON JAMES F , POHLERS GERHARD
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , Y10S430/108
摘要： New photoresists are provided that are suitable for short wavelength imaging, including sub-200 nm such as 157 nm. In one aspect, resists of the invention comprise a fluorine-containing polymer, a photoactive component, and one or more additional components of an amine or other basic composition, a dissolution inhibitor compound, a surfactant or leveling agent, or a plasticizer material. In another aspect, resists of the invention contain a fluorine-containing resin and one or more photoacid generator compounds, particularly non-aromatic onium salts and imidosulfonates, and other non-ionic photoacid generator compounds.
摘要翻译：提供了适用于短波长成像的新型光致抗蚀剂，包括亚200nm，例如157nm。一方面，本发明的抗蚀剂包含含氟聚合物，光活性组分和胺或其它碱性组合物的一种或多种另外的组分，溶解抑制剂化合物，表面活性剂或流平剂或增塑剂材料。在另一方面，本发明的抗蚀剂含有含氟树脂和一种或多种光酸产生剂化合物，特别是非芳族鎓盐和亚氨磺酸盐，以及其它非离子光酸产生剂化合物。

68. 发明申请

WO02069043A2 LOW ABSORBING RESISTS FOR 157 NM LITHOGRAPHY 审中-公开
标题翻译： 157纳米光刻胶的低吸收电阻
公开(公告)号：WO02069043A2
公开(公告)日：2002-09-06
申请号：PCT/US0205472
申请日：2002-02-22
申请人： MASSACHUSETTS INST TECHNOLOGY
发明人： FEDYNYSHYN THEODORE H , KUNZ RODERICK R , SWORIN MICHAEL , SINTA ROGER
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0046 , Y10S430/108 , Y10S430/115
摘要： The present invention provides photoresist materials for use in photolithography at wavelengths less than about 248 nm. More particularly, the photoresists of the invention are particularly suited for use in 157 nm lithography. A photoresist composition of the invention includes a polymer having at least one monomeric unit having an aromatic moiety. The monomeric unit further includes at least a group, such as an electron withdrawing group, attached to the aromatic moiety. The attached group includes at least one CF bond. The polymer further includes an acidic hydroxyl group. A photoresist composition of the invention can have an absorbance in a range of 1-5 mu m at 157 nm, rendering it particularly suitable for use as a single layer resist in 157 nm lithography.
摘要翻译：本发明提供了在波长小于约248nm的光刻中使用的光刻胶材料。更具体地说，本发明的光致抗蚀剂特别适用于157nm光刻。本发明的光致抗蚀剂组合物包括具有至少一个具有芳族部分的单体单元的聚合物。单体单元还包括至少一个与芳族部分连接的基团，例如吸电子基团。所附组包括至少一个CF键。聚合物还包括酸性羟基。本发明的光致抗蚀剂组合物可以在157nm处具有在1-5μm-1范围内的吸光度，使其特别适合用作157nm光刻中的单层抗蚀剂。

69. 发明申请

WO0250583A2 OPTICAL DEVICES MADE FROM RADIATION CURABLE FLUORINATED COMPOSITIONS 审中-公开
标题翻译：从辐射可固化氟化组合物制成的光学器件
公开(公告)号：WO0250583A2
公开(公告)日：2002-06-27
申请号：PCT/US0148213
申请日：2001-12-13
申请人： CORNING INC
发明人： BLOMQUIST ROBERT , ELDADA LOUAY , NORWOOD ROBERT , XU BAOPEI
IPC分类号： G02B6/13 , C08F2/46 , C08F2/48 , C08F22/18 , C08F22/20 , C08F299/00 , C08G65/00 , G02B1/04 , G02B5/18 , G02B6/10 , G02B6/12 , G02B6/122 , G02B6/124 , G02F1/00 , G03F7/038 , G02B6/00
CPC分类号： C08F22/18 , C08F22/20 , C08G65/007 , G02B1/045 , G02B6/02057 , G02B6/105 , G02B6/1221 , G02B6/124 , G02B6/13 , G02B2006/12107 , G02F1/0009 , G02F2202/023 , Y10S430/108
摘要： The invention provides organic optical waveguide devices which employ perfluoropolymeric materials having low optical loss and low birefringence. An optical element has a substrate; a patterned, light transmissive perfluoropolymer core composition; and a light reflecting cladding composition on the pattern of the core. Writing of high-efficiency waveguide gratings is also disclosed.
摘要翻译：本发明提供使用具有低光损耗和低双折射的全氟聚合物材料的有机光波导器件。光学元件具有基板; 图案化的，透光的全氟聚合物芯组合物; 以及在芯的图案上的光反射包层组合物。还公开了高效波导光栅的写入。

70. 发明申请

WO01040865A1 NON-AROMATIC CHROMOPHORES FOR USE IN POLYMER ANTI-REFLECTIVE COATINGS 审中-公开
标题翻译：用于聚合物防反射涂料的非芳香族染料
公开(公告)号：WO01040865A1
公开(公告)日：2001-06-07
申请号：PCT/US2000/025985
申请日：2000-09-20
IPC分类号： G03F7/004 , C08G18/38 , C08G59/16 , G03F7/09 , G03F7/11 , G03C1/76 , G03C1/815 , G03C1/825
CPC分类号： G03F7/091 , Y10S430/106 , Y10S430/108
摘要： An improved light attenuating compound for use in the production of microdevices is provided. Broadly, the light attenuating compound is non-aromatic and can be directly incorporated (either physically or chemically) into photolithographic compositions such as bottom anti-reflective coatings (BARC) and contact or via hole fill materials. The preferred non-aromatic compounds of the invention are conjugated aliphatic and alicyclic compounds which greatly enhance the plasma etch rate of the composition. Furthermore, the light attenuating compounds are useful for absorbing light at shorter wavelengths. In one embodiment, the inventive compounds can be polymerized so as to serve as both the polymer binder of the composition as well as the light absorbing constituent.
摘要翻译：提供了一种用于微型器件生产的改进的光衰减化合物。广义上，光衰减化合物是非芳族的，并且可以直接并入（物理上或化学上）到诸如底部抗反射涂层（BARC）和接触或通孔填充材料的光刻组合物中。本发明优选的非芳族化合物是共轭脂族和脂环族化合物，其大大提高了组合物的等离子体蚀刻速率。此外，光衰减化合物可用于吸收较短波长的光。在一个实施方案中，本发明化合物可以聚合以便用作组合物的聚合物粘合剂以及光吸收组分。

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