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    • 51. 发明申请
    • METHOD OF FABRICATING MEMS DEVICES WITH ELECTRICAL COMPONENTS IN THEIR SIDEWALLS
    • 将MEMS器件与其电气元件组合在一起的方法
    • WO2010139034A2
    • 2010-12-09
    • PCT/BG2010/000007
    • 2010-06-01
    • AMG TECHNOLOGY LTD.STAVROV, Vladimir
    • STAVROV, Vladimir
    • B81C1/00
    • B81C1/00246B81B2201/032B81B2203/0118B81C2203/0742
    • The method of fabricating devices for microelectromechanical systems (MEMS) with electrical components in their sidewalls is applicable for the production of microstructures with various electrical and mechanical properties that can be used for sensing in different technical areas. The method consists of three stages and through numerous repetitions of processes of creation of protective layers, photolithographical patterning, consecutive etching processes and doping via high temperature ion diffusion performed over non-deformable semiconductor basic structures, for example monocrystalline Silicon basic structures, it gives opportunity of building of electrical components in the sidewalls of MEMS devices. The electrical components so obtained can have equal or different parameters and can be disposed in parts of or the whole sidewalls of such devices. With MEMS devices realized according to the claimed method measurements with considerably increased accuracy, precision and sensitivity can be made.
    • 制造具有其侧壁中的电气部件的微机电系统(MEMS)的装置的方法适用于具有各种电气和机械特性的微结构的生产,所述微观结构可用于不同技术领域的感测。 该方法由三个阶段组成,通过多次重复制备保护层,光刻图案,连续蚀刻工艺和通过在非可变形半导体基本结构上执行的高温离子扩散(例如单晶硅基本结构)的掺杂过程,它给予机会 在MEMS器件的侧壁中构建电气部件。 如此获得的电气部件可以具有相等或不同的参数,并且可以设置在这些装置的部分或整个侧壁中。 利用根据所要求保护的方法实现的MEMS器件,可以显着提高精度,精度和灵敏度。
    • 52. 发明申请
    • 高分子アクチュエータ装置
    • 大分子致动器装置
    • WO2010137604A1
    • 2010-12-02
    • PCT/JP2010/058872
    • 2010-05-26
    • アルプス電気株式会社高橋 功
    • 高橋 功
    • H02N11/00B81B3/00
    • B81B3/0021B81B2201/038B81B2203/0118F03G7/005Y10S310/80
    •  電極層表面からイオンが染み出した場合でも高分子アクチュエータの電極層と端子部間の導通性を良好にできる高分子アクチュエータ装置を提供することを目的としている。 電解質層11及び電解質層11の厚さ方向の両面に設けられた一対の電極層12,13を有し、前記一対の電極層間に電圧を付与すると湾曲する高分子アクチュエータ10と、前記高分子アクチュエータ10に電圧を付与するための端子部16,17と、を有する高分子アクチュエータ装置において、前記高分子アクチュエータ10は、変形部18と支持部14とを備え、前記高分子アクチュエータ10の前記支持部14の負極側である第1電極層12と、端子部16との間に、導電性多孔質材20が介在している。
    • 即使离子从电极层的表面渗出,也可以使大分子致动器装置的电极层和端子部之间的导电性保持良好的高分子驱动装置。 具有:具有电解质层(11)的高分子致动器(10)和安装在电解质层(11)的厚度方向两侧的一对电极层(12,13)的高分子致动器装置 ),并且当在上述一对电极层之间施加电压时将弯曲; 以及用于向上述高分子致动器(10)施加电压的端子部分(16,17)。 还设置有变形部(18)和支撑部(14)。 并且导电性多孔质材料(20)介于作为上述高分子致动器(10)的上述支撑部(14)的负极侧的第一电极层(12)与端子部(16)之间。
    • 55. 发明申请
    • MEMS DEVICES AND FABRICATION THEREOF
    • MEMS器件及其制造方法
    • WO2009138906A3
    • 2010-06-10
    • PCT/IB2009051859
    • 2009-05-06
    • NXP BVVAN SCHAIJK ROBERTUS T F
    • VAN SCHAIJK ROBERTUS T F
    • B81B3/00
    • B81B3/0086B81B3/0078B81B2201/016B81B2203/0118
    • A MEMS device and method, comprising: a substrate; a beam; and a cavity located therebetween; the beam comprising a first beam layer and a second beam layer, the first beam layer being directly adjacent to the cavity, the second beam layer being directly adjacent to the first beam layer; the first beam layer comprising a metal or a metal alloy containing silicon; and the second beam layer comprising a metal or a metal alloy substantially not containing silicon. Preferably the second beam layer is thicker than the first beam layer e.g. at least five times thicker, and the first beam layer comprises a metal or alloy containing between 1 % and 2% of silicon. The second beam layer provides desired mechanical and/ or optical properties whilst the first beam layer prevents spiking.
    • 一种MEMS器件和方法,包括:衬底; 一束 和位于其间的腔体; 所述光束包括第一光束层和第二光束层,所述第一光束层直接邻近所述空腔,所述第二光束层直接邻近所述第一光束层; 所述第一束层包含含有硅的金属或金属合金; 并且第二束层包含基本上不含硅的金属或金属合金。 优选地,第二光束层比第一光束层厚。 至少五倍厚,第一束层包含含有1%至2%硅的金属或合金。 第二光束层提供期望的机械和/或光学特性,同时第一光束层防止尖峰。