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    • 43. 发明申请
    • LITHOGRAPHIC APPARATUS AND METHOD
    • LITHOGRAPHIC设备和方法
    • WO2015124457A1
    • 2015-08-27
    • PCT/EP2015052673
    • 2015-02-10
    • ASML NETHERLANDS BVZEISS CARL SMT GMBH
    • VAN SCHOOT JAN BERNARD PLECHELMUSMIGURA SASCHAKNEER BERNHARD
    • G03F7/20
    • G03F7/70358G03F1/00G03F7/70033G03F7/70233G03F7/70433
    • A lithographic apparatus comprising a support structure constructed to support a mask comprising a patterned area which is capable of imparting an EUV radiation beam with a pattern in its cross-section to form a patterned radiation beam, wherein the support structure is movable in a scanning direction, a substrate table constructed to hold a substrate, wherein the substrate table is movable in the scanning direction, and a projection system configured to project the patterned radiation beam onto an exposure region of the substrate, wherein the projection system has a demagnification in the scanning direction which is greater than a demagnification in a second direction which is perpendicular to the scanning direction and wherein the demagnification in the second direction is greater than 4x.
    • 一种光刻设备,包括支撑结构,该支撑结构构造成支撑掩模,该掩模包括图案化区域,该图案区域能够在其横截面中赋予EUV辐射束图案以形成图案化的辐射束,其中所述支撑结构可沿扫描方向移动 构造成保持衬底的衬底台,其中所述衬底台可沿扫描方向移动;以及投影系统,被配置为将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的曝光区域上,其中所述投影系统具有扫描的缩小 方向大于垂直于扫描方向的第二方向的缩小,并且其中第二方向上的缩小大于4x。
    • 50. 发明申请
    • 液晶表示パネル用基板の製造方法、及び、フォトマスク
    • 用于生产液晶显示面板基板的方法和光电二极管
    • WO2012046589A1
    • 2012-04-12
    • PCT/JP2011/071964
    • 2011-09-27
    • シャープ株式会社澤山 豊藤井 康雄
    • 澤山 豊藤井 康雄
    • G02F1/1337G02F1/13G02F1/1339
    • G03F1/60G02F1/133707G03F1/00
    • 本発明は、液晶配向制御突起物に起因する液晶分子の配向の乱れを抑制できる液晶表示パネル用基板の製造方法、及び、フォトマスクを提供する。本発明は、液晶表示パネル用基板の製造方法であって、上記基板は、液晶配向制御突起物を備え、上記液晶配向制御突起物は、主突起物、及び、副突起物を含み、上記副突起物は、直線状であり、かつ、上記主突起物よりも低く、上記製造方法は、ポジ型の感光性樹脂膜を形成する工程と、フォトマスクを通して上記感光性樹脂膜を露光する工程とを含み、上記フォトマスクは、上記副突起物を形成するための調光領域を有し、上記調光領域は、スリット状の透光部を有する液晶表示パネル用基板の製造方法である。
    • 本发明提供一种液晶显示面板用基板的制造方法,其能够抑制由液晶取向控制突起导致的液晶分子的取向紊乱; 和光掩模。 本发明具体提供一种液晶显示面板用基板的制造方法,其特征在于,所述基板包括液晶取向控制突起; 液晶取向控制突起包括主突起和辅助突起; 并且辅助突出物比主要突起线性和短。 制造方法包括形成正性感光性树脂膜的步骤和通过光掩模曝光感光性树脂膜的工序。 光掩模具有用于形成辅助突起的光调光区域,并且每个光调光区域具有狭缝状光透射部分。