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41. 发明申请

WO2016074891A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VORRICHTUNG MIT EINEM OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件及其装置的光电子半导体器件
公开(公告)号：WO2016074891A1
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：PCT/EP2015/074353
申请日：2015-10-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MOOSBURGER, Jürgen , PLÖSSL, Andreas
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/38
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L27/15 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/62
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem Emissionsbereich (3), der eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer ersten Halbleiterschicht (21), einer zweiten Halbleiterschicht (22) und einem zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordneten zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist, und mit einem Schutzdiodenbereich (4) angegeben, wobei - das Halbleiterbauelement einen Kontakt (6) zur externen elekt rischen Kontaktierung des Halbleiterbauelements (1) aufweist; - der Kontakt einen ersten Kontaktbereich (61) aufweist, der mit dem Emissionsbereich elektrisch leitend verbunden ist; - der Kontakt einen zweiten Kontaktbereich (62) aufweist, der von dem erst en Kontaktbereich beabstandet ist und mit dem Schutzdiodenbereich elektrisch leitend verbunden ist; und - der erste Kontaktbereich und der zweite Kontaktbereich mittels eines gemeinsamen Endes (95) einer Verbindungsleitung (9) extern elektrisch kontaktierb ar sind. Weiterhin wird eine Vorrichtung mit einem optoelektronischen Halbleiterbauelement angegeben.
摘要翻译：它是具有发射区域的光电子半导体器件（1）（3）具有第一半导体层（21），第二半导体层（22）和布置在所述第一半导体层和用于产生辐射的第二半导体层之间的半导体层序列（2）设置在有源区（20），并用一个保护二极管区域（4），其特征在于， - 所述半导体器件具有用于半导体器件（1）的外部接触elekt步骤（6）的接触; - 接触具有被导电地与发射区连接的第一接触区（61）; - 接触具有第二接触区域（62），其从第一接触面积S间隔开，并且导电地连接到保护二极管区; 和 - 通过连接线的公共端（95）的装置中的第一接触区域和第二接触区域（9）的外部电kontaktierb是AR。此外，提供了一种装置具有的光电子半导体器件。

42. 发明申请

WO2015110460A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于生产光电半导体器件和光电半导体器件
公开(公告)号：WO2015110460A1
公开(公告)日：2015-07-30
申请号：PCT/EP2015/051115
申请日：2015-01-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HÖPPEL, Lutz , MOOSBURGER, Jürgen , PLÖSSL, Andreas , RODE, Patrick , NAGEL, Peter , SCHOLZ, Dominik
IPC分类号： H01L33/48
CPC分类号： H01L25/167 , H01L25/50 , H01L31/02327 , H01L31/147 , H01L31/18 , H01L33/486 , H01L33/58 , H01L2224/96 , H01L2933/0033 , H01L2933/0091
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100) angegeben, das folgende Schritte aufweist: a) Bereitstellen eines Hilfsträgers (2); b) Bereitstellen einer Mehrzahl von Halbleiterchips (10), wobei jeder der Halbleiterchips einen Trägerkörper (12) und einen auf einer Oberseite (22) des Trägerkörpers angeordneten Halbleiterkörper (4) aufweist; c) Befestigen der Mehrzahl von Halbleiterchips auf dem Hilfsträger, wobei die Halbleiterchips in einer lateralen Richtung (L) voneinander beabstandet sind und wobei die Halbleiterkörper vom Trägerkörper aus gesehen dem Hilfsträger zugewandt sind; d) Ausbilden einer Streuschicht (18) zumindest in Bereichen zwischen den Halbleiterkörpern benachbarter Halbleiterchips; e) Ausbilden eines Gehäusekörperverbunds (20); f) Entfernen des Hilfsträgers (2); und g) Vereinzeln des Gehäusekörperverbunds in eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100).
摘要翻译：一种用于制造规定的多个光电子半导体器件（100），包括以下步骤的方法：a）提供一辅助载体（2）; b的）提供多个半导体芯片（10），每个半导体芯片的承载体（12）和一个（在支撑体布置半导体主体（4）的上侧22）; c）中固定在临时载体上的多个半导体芯片，在横向方向（L）的半导体芯片彼此，并且其中所述半导体本体被从面向基座的支撑体看出间隔开; d）形成在相邻的半导体芯片的半导体本体之间的区域的至少一个扩散层（18）; e）形成的复合壳体主体（20）; f）移除所述辅助载体（2）; 和g）复合壳体（切割成多个光电子半导体器件100）的。

43. 发明申请

WO2015049079A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：发射辐射的半导体芯片及其制造方法的辐射发射半导体芯片
公开(公告)号：WO2015049079A1
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：PCT/EP2014/068403
申请日：2014-08-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PLÖSSL, Andreas , ZULL, Heribert
IPC分类号： H01L25/16 , H01L33/00 , H01L33/38 , H01L33/48 , H01L33/62
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L25/167 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/30 , H01L33/382 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge (200) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), eine erste Halbleiterschicht (21) eines ersten Leitungstyps und eine zweite Halbleiterschicht (22) eines vom ersten Leitungstyp verschiedenen zweiten Leitungstyps aufweist, und mit einem Träger (5), auf dem der Halbleiterkörper angeordnet ist, angegeben, wobei im Träger ein pn-Übergang (55) ausgebildet ist; der Träger auf einer dem Halbleiterkörper abgewandten Rückseite (501) einen ersten Kontakt (61) und einen zweiten Kontakt (62) aufweist; und der aktive Bereich und der pn-Übergang über den ersten Kontakt und den zweiten Kontakt bezüglich der Durchlassrichtung antiparallel zueinander verschaltet sind. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung von Strahlungsemittierenden Halbleiterchips angegeben.
摘要翻译：它是一种发射辐射的半导体芯片（1），包括一个半导体主体（2），其具有半导体层序列（200）以用于产生辐射激活区（20），第一导电型的第一半导体层（21）和第二半导体层的设置（22）具有与所述第一第二导电类型不同的导电类型，并且具有在其上布置所指定的半导体本体的支撑件（5），形成在所述载体的pn结（55）; 上从半导体本体背面（501）的第一接触（61）和第二接触（62）的远程侧的支持; 和有源区，并经由所述第一接触的pn结和第二接触相对于向前方向的被反并联连接到彼此。此外，被指定为发射辐射的半导体芯片的制造方法。

44. 发明申请

WO2014195267A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件
公开(公告)号：WO2014195267A1
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：PCT/EP2014/061382
申请日：2014-06-02
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： TÅNGRING, Ivar , PLÖSSL, Andreas
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/502 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/507 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben, mit einem Lumineszenzdiodenchip (1), der eine Strahlungsdurchtrittsfläche (11) aufweist, durch die im Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung den Lumineszenzdiodenchip (1) verlässt, ein Filterelement (2), das die Strahlungsdurchtrittsfläche (11) des Lumineszenzdiodenchips (1) zumindest stellenweise bedeckt, wobei das Filterelement (2) einen Teil der elektromagnetischen Primärstrahlung von unterhalb 430 nm am Durchtritt hindert, und das Filterelement (2) aus einem II-VI Verbindungshalbleitermaterial besteht.
摘要翻译：本发明提供一种光电子半导体器件与一个LED芯片（1），具有辐射穿透面（11），通过电磁操作离开LED芯片的初级辐射（1），过滤器元件（2），所述LED芯片的辐射穿透面（11）（ 1）至少在某些地方，其中，所述过滤器元件（2）可以防止从其中通过低于430纳米的电磁初级辐射的一部分，并且所述过滤器元件（2）由II-VI族化合物半导体材料制成。

45. 发明申请

WO2014173590A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电子半导体芯片和光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2014173590A1
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：PCT/EP2014/055528
申请日：2014-03-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PLÖSSL, Andreas
IPC分类号： H01L33/00 , H01S5/02 , B23K26/00 , B23K26/40 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/007 , B23K26/0057 , B23K26/40 , B23K2203/16 , B23K2203/172 , B23K2203/50 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01L2933/0033 , H01S5/0203 , H01S5/0213 , H01S5/343
摘要： In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips (10) eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen eines Trägerverbunds (11), der ein Saphirwafer ist, B) Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (2) auf den Trägerverbund (11), und C) Zerteilen des Trägerverbunds (11) und der Halbleiterschichtenfolge (2) zu den einzelnen Halbleiterchips (10). Der Schritt C) umfasst hierbei: D) Erzeugen je einer Vielzahl von selektiv ätzbaren Materialveränderungen in dem Trägerverbund (11) in Trennbereichen(s)durch eine fokussierte, gepulste Laserstrahlung (L), wobei die Laserstrahlung (L) eine Wellenlänge aufweist, bei der der Trägerverbund (11) transparent ist, und E) nasschemisches Ätzen der Materialveränderungen, sodass der Trägerverbund (11) zu einzelnen Trägern (1) für die Halbleiterchips (2) alleine durch das nasschemisches Ätzen oder in Kombination mit einem weiteren Materialabtrageverfahren vereinzelt wird.
摘要翻译：在至少一个实施例中，光电子半导体芯片（10）的制造方法被布置并包括以下步骤：A）提供载体组件（11），这是一种蓝宝石晶片，B）施加的半导体层序列（2）（在载体组件11），和C）将所述承载组件（11）和半导体层序列（2）连接到各个半导体芯片（10）。在这种情况下，步骤c）包括：D）由聚焦的脉冲激光辐射（L）产生相应的多个在承载组件可选择性蚀刻的材料的变化（11）（在分离区域S），所述激光辐射（L）具有在该波长搬运器坯件（11）是透明的，以及e）的材料的变化湿化学蚀刻，从而使搬运架（11），以用于将半导体芯片（2）单独的载体（1）仅由湿化学蚀刻或与另一Materialabtrageverfahren组合分开。

46. 发明申请

WO2014032938A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件及其制造方法的光电子半导体器件
公开(公告)号：WO2014032938A1
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：PCT/EP2013/066726
申请日：2013-08-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MOOSBURGER, Jürgen , PLÖSSL, Andreas , GÖÖTZ, Britta , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/44 , H01L31/0216 , H01L25/075 , H01L33/38 , H01L33/22 , H01L33/00 , H01L33/56 , H01L31/0203
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L31/0203 , H01L31/02161 , H01L31/02167 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/44 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2933/0025 , Y02E10/50 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben, das zumindest eine optoelektronische Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Schicht (2), die geeignet ist, im Betrieb Licht abzustrahlen oder zu empfangen, und auf zumindest einem Oberflächenbereich (10) der Halbleiterschichtenfolge (1) eine transparente Keramikschicht (5), die durch ein mittels Aerosolabscheidung aufgebrachtes Keramikmaterial gebildet wird und die den Oberflächenbereich verkapselt, aufweist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.
摘要翻译：本发明提供一种光电子半导体器件，所述（1），具有一个有源层的至少一个光电半导体层序列（2），其适合于在操作中发射光或接收，和在半导体层序列的至少一个表面区域（10）（1）的透明陶瓷层（5），其通过由陶瓷材料制成的气溶胶沉积所施加的并封装表面区域形成。此外，用于制造光电子半导体器件的方法中给出。

47. 发明申请

WO2014029642A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LICHT EMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTS UND LICHT EMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于生产发光半导体元器件与发光半导体元件
公开(公告)号：WO2014029642A1
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：PCT/EP2013/066727
申请日：2013-08-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： GÖÖTZ, Britta , MOOSBURGER, Jürgen , PLÖSSL, Andreas , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/56 , H01L33/0066 , H01L33/50 , H01L33/501 , H01L2933/0041
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements angegeben, bei dem - eine Licht emittierende Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (3) bereitgestellt wird, die dazu eingerichtet ist, im Betrieb des Halbleiterbauelements Licht abzustrahlen, - eine Wellenlängenkonversionsschicht (4) mit zumindest einem Wellenlängenkonversionsstoff auf der Halbleiterschichtenfolge (2) aufgebracht wird und - auf der Wellenlängenkonversionsschicht (4) eine Keramikschicht (5) mittels eines Aerosolabscheideverfahrens aufgebracht wird. Weiterhin wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement angegeben.
摘要翻译：提供了一种用于制造发光半导体元件，其中一个方法： - 与活性层（3），其适于在所述半导体器件的操作期间发光，提供了一种发光半导体层序列（2） - 的波长转换层（4）与至少一种波长转换材料施加在半导体层序列（2），以及 - 波长转换层（4）上是陶瓷层（5）由一个Aerosolabscheideverfahrens施加。此外，发光半导体装置。

48. 发明申请

WO2021043539A1 ANZEIGEMODUL, BILDSCHIRM UND VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINES ANZEIGEMODULS 审中-公开
公开(公告)号：WO2021043539A1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：PCT/EP2020/072419
申请日：2020-08-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SCHWARZ, Thomas , PLÖSSL, Andreas , VARGA, Horst , BERTRAM, Ralph Peter
IPC分类号： G09G3/20 , G06F3/14 , H02J50/00 , G09G3/32
摘要： In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Anzeigemodul (100) einen Träger (1) mit einer Vorderseite (10) und einer Rückseite (11) sowie ein Pixelfeld aus mehreren, elektrisch ansteuerbaren Pixeln (2) auf der Vorderseite. Im Betrieb wird über jedes angesteuerte Pixel elektromagnetische Strahlung emittiert. Das Anzeigemodul umfasst ferner eine Verschaltungsschicht (3) auf der Vorderseite, über die die Pixel miteinander elektrisch verschaltet sind. Weiter umfasst das Anzeigemodul eine Empfangseinheit (5) auf der Vorderseite, wobei die Empfangseinheit elektrisch mit der Verschaltungsschicht verschaltet ist. Die Empfangseinheit ist dazu eingerichtet, eine Versorgungsenergie für den Betrieb des Anzeigemoduls drahtlos zu empfangen.

49. 发明申请

WO2020089036A1 TRANSFERWERKZEUG UND VERFAHREN ZUM TRANSFERIEREN VON HALBLEITERCHIPS 审中-公开
公开(公告)号：WO2020089036A1
公开(公告)日：2020-05-07
申请号：PCT/EP2019/079071
申请日：2019-10-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PLÖSSL, Andreas
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683
摘要： Es wird ein Transferwerkzeug (1) zum Transfer eines HalbleiterChips (2) angegeben mit - einem Haftstempel (3), der eine Anhaftfläche (4) zur Aufnahme des HalbleiterChips (2) aufweist, und - Vorrichtung (15) zur Einstellung eines Flächeninhalts der Anhaftfläche (4), wobei - der Haftstempel (3) verformbar ausgebildet ist, - die Anhaftfläche (4) durch einen Teil der Außenfläche des Haftstempels (3) gebildet ist, und - der Flächeninhalt der Anhaftfläche (4) durch Verformung des Haftstempels (3) einstellbar ist. Darüber hinaus wird ein Verfahren zum Transferieren von HalbleiterChips (2) angegeben.

50. 发明申请

WO2018228891A1 VERFAHREN ZUM BEFESTIGEN EINES HALBLEITERCHIPS AUF EINEM SUBSTRAT UND ELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2018228891A1
公开(公告)日：2018-12-20
申请号：PCT/EP2018/064914
申请日：2018-06-06
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MÜLLER, Klaus , PLÖSSL, Andreas , WENDT, Mathias
IPC分类号： H01L23/00 , H05K3/34
摘要： Es wird ein Verfahren zum Befestigen eines Halbleiterchips (1) auf einem Substrat (3) angegeben. Das Verfahren umfasst die Verfahrensschritte: A) Bereitstellen eines Halbleiterchips (1), B) Aufbringen einer Lotmetall-Schichtenfolge (2) auf den Halbleiterchip (1), C) Bereitstellen eines Substrats(3), D) Aufbringen einer Metallisierungs-Schichtenfolge (4) auf das Substrat (3), E) Aufbringen des Halbleiterchips (1) über die Lotmetall-Schichtenfolge (2) und die Metallisierungs-Schichtenfolge (4) auf das Substrat (3), F) Heizen der unter E) erzeugten Anordnung zur Befestigung des Halbleiterchips (1) auf dem Substrat (3), wobei die Lotmetall-Schichtenfolge (2) - eine erste metallische Schicht (2a) umfassend eine Indium-Zinn-Legierung, - eine über der ersten metallischen Schicht (2a) angeordnete Barrierenschicht (2b) und - eine zwischen der Barrierenschicht (2b) und dem Halbleiterchip (1) angeordnete zweite metallische Schicht (2c) umfassend Gold umfasst, wobei die Stoffmenge des Golds in der zweiten metallischen Schicht größer ist als die Stoffmenge des Zinns in der ersten metallischen Schicht.

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