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1. 发明申请

WO2019037968A1 BAUTEIL MIT PUFFERSCHICHT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUTEILS 审中-公开
公开(公告)号：WO2019037968A1
公开(公告)日：2019-02-28
申请号：PCT/EP2018/069655
申请日：2018-07-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ALTIERI-WEIMAR, Paola , NEUDECKER, Ingo , PLÖSSL, Andreas , ZENGER, Marcus
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/00
摘要： Es wird ein Bauteil (100) mit einem Halbleiterchip (10), einer Pufferschicht (3), einer Verbindungsschicht (4) und einem metallischen Träger (9) angegeben. Der Halbleiterchip umfasst ein Substrat (1) und einen darauf angeordneten Halbleiterkörper (2). Der metallische Träger weist einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten auf, der mindestens 1,5-mal so groß ist wie ein thermischer Ausdehnungskoeffizient des Substrats oder des Halbleiterchips, oder umgekehrt. Der Halbleiterchip ist mittels der Verbindungsschicht auf dem metallischen Träger derart befestigt, dass die Pufferschicht zwischen dem Halbleiterchip und der Verbindungsschicht angeordnet ist, wobei der Halbleiterchip an die Pufferschicht angrenzt. Bevorzugt weist die Pufferschicht eine Fließspannung auf, die mindestens 10 MPa ist und höchstens 300 MPa beträgt. Die Pufferschicht weist eine vertikale Schichtdicke zwischen einschließlich 2 µm und 10 µm auf. Die Pufferschicht grenzt insbesondere an den Halbleiterchip an und ist so als Teil des Halbleiterchips ausgebildet. Bevorzugt weisen das Substrat und der metallische Träger jeweils eine größere Fließspannung auf als die Pufferschicht. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauteils angegeben.

2. 发明申请

WO2018228976A1 VERFAHREN ZUM SELBSTJUSTIERTEN BESTÜCKEN EINES ANSCHLUSSTRÄGERS MIT EINEM BAUTEIL, VORRICHTUNG UND OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL 审中-公开
公开(公告)号：WO2018228976A1
公开(公告)日：2018-12-20
申请号：PCT/EP2018/065313
申请日：2018-06-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SCHWARZ, Thomas , PLÖSSL, Andreas , SINGER, Frank
IPC分类号： H01L33/62
摘要： Das Verfahren umfasst einen Schritt A), in dem ein Anschlussträger (1) bereitgestellt wird, der an einer Oberseite (13) eine Einfangstruktur (10) sowie ein oder mehrere neben der Einfangstruktur (10) angeordnete Anschlusselemente (11, 12) aufweist. In einem Schritt B) wird ein Bauteil (2) bereitgestellt, das an einer Montageseite (23) eine Ausrichtstruktur (20) sowie ein oder mehrere neben der Ausrichtstruktur (20) angeordnete Kontaktelemente (21, 22) aufweist. In einem Schritt C) wird das Bauteil (2) mit dem Anschlussträger (1) über eine Benetzungsflüssigkeit (3) verbunden, wobei die Einfangstruktur (10) und die Ausrichtstruktur (20) von der Benetzungsflüssigkeit (3) benetzt werden und das Bauteil (2) automatisch ausgerichtet wird.

3. 发明申请

WO2018134132A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
公开(公告)号：WO2018134132A1
公开(公告)日：2018-07-26
申请号：PCT/EP2018/050752
申请日：2018-01-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PLÖSSL, Andreas , HERRMANN, Siegfried , BEHRINGER, Martin Rudolf , SINGER, Frank , SCHWARZ, Thomas , PFEUFFER, Alexander F.
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/62
摘要： Das Verfahren ist zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen von Quellsubstraten (21, 22, 23), wobei jedes der Quellsubstrate (21, 22, 23) mit einer bestimmten Art von Strahlung emittierenden Halbleiterchips (41,42, 43) bestückt ist, B) Bereitstellen eines Zielsubstrats (3) mit einer Montageebene (30), C) Erzeugen von Podesten (52, 53) an dem Zielsubstrat (3) oder an zumindest einem der Quellsubstrate (21, 22, 23), und D) Übertragen mindestens eines Teils der Halbleiterchips (41, 42, 43) mit einem Scheibe-zu-Scheibe-Prozess von den Quellsubstraten (21, 22, 23) auf das Zielsubstrat (3), sodass die auf das Zielsubstrat (3) übertragenen Halbleiterchips (41, 42, 43) innerhalb einer Art ihre relative Position zueinander beibehalten undjede Art von Halbleiterchips (41, 42, 43) auf dem Zielsubstrat (3) aufgrund der Podeste (52, 53) eine andere Höhe (H1, H2, H3) über der Montageebene (30) aufweist.

4. 发明申请

WO2018134086A1 HALBLEITERLASER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN HALBLEITERLASERS 审中-公开
公开(公告)号：WO2018134086A1
公开(公告)日：2018-07-26
申请号：PCT/EP2018/050459
申请日：2018-01-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HALBRITTER, Hubert , PLÖSSL, Andreas , ENZMANN, Roland Heinrich , BEHRINGER, Martin Rudolf
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/042 , H01S5/022 , H01S5/42
摘要： In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) einen oberflächenemittierenden Halbleiterlaserchip (4), der eine Halbleiterschichtenfolge (40) mit einer aktiven Zone (41) zur Erzeugung von Laserstrahlung (L) und eine Lichtaustrittsfläche (44), die senkrecht zu einer Wachstumsrichtung (G) der Halbleiterschichtenfolge (40) orientiert ist, aufweist. Ferner beinhaltet der Halbleiterlaser (1) ein diffraktives optisches Element (3), das zur Aufweitung und Verteilung der Laserstrahlung (L) eingerichtet ist, so dass der Halbleiterlaser (1) bevorzugt augensicher ist. Eine optisch wirksame Struktur (33) des diffraktiven optischen Elements (3) ist aus einem Material mit einem Brechungsindex von mindestens 1,65 oder 2,0.

5. 发明申请

WO2014173589A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电子半导体芯片和光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2014173589A1
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：PCT/EP2014/055527
申请日：2014-03-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PLÖSSL, Andreas
IPC分类号： H01L33/00 , H01S5/02 , B23K26/00 , B23K26/40 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/007 , B23K26/0057 , B23K26/40 , B23K2203/16 , B23K2203/172 , B23K2203/50 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01L2933/0033 , H01S5/0203 , H01S5/0213 , H01S5/343
摘要： In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips (10) eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen eines Trägerverbunds (11), der ein Saphirwafer ist, B) Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (2) auf den Trägerverbund (11), und C) Zerteilen des Trägerverbunds (11) und der Halbleiterschichtenfolge (2) zu den einzelnen Halbleiterchips (10). Der Schritt C) umfasst hierbei: D) Erzeugen je einer Vielzahl von selektiv ätzbaren Materialveränderungen in dem Trägerverbund (11) in Trennbereichen (s) durch eine fokussierte, gepulste Laserstrahlung (L), wobei die Laserstrahlung (L) eine Wellenlänge aufweist, bei der der Trägerverbund (11) transparent ist, und E) nasschemisches Ätzen der Materialveränderungen, sodass der Trägerverbund (11) zu einzelnen Trägern (1) für die Halbleiterchips (2) vereinzelt wird.
摘要翻译：在至少一个实施例中，光电子半导体芯片（10）的制造方法被布置并包括以下步骤：A）提供载体组件（11），这是一种蓝宝石晶片，B）施加的半导体层序列（2）（在载体组件11），和C）将所述承载组件（11）和半导体层序列（2）连接到各个半导体芯片（10）。在这种情况下，步骤c）包括：D）由聚焦的脉冲激光辐射（L）产生相应的多个在承载组件可选择性蚀刻的材料的变化（11）（在分离区域S），所述激光辐射（L）具有在该波长搬运器坯件（11）是透明的，以及e）的材料的变化湿化学蚀刻，从而使搬运架（11）到单独的载体（1）的半导体芯片（2）是分离的。

6. 发明申请

WO2010020213A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT GAS-GEFÜLLTEM SPIEGEL 审中-公开
标题翻译：与充气明镜光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2010020213A1
公开(公告)日：2010-02-25
申请号：PCT/DE2009/001111
申请日：2009-08-05
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GROLIER, Vincent , PLÖSSL, Andreas
发明人： GROLIER, Vincent , PLÖSSL, Andreas
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L31/0216
CPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/02161 , H01L33/387 , H01L33/405
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit - einem Halbleiterkörper (1), der einen aktiven Bereich (10) enthält, - einer Spiegelschicht (2), und - Kontaktstellen (3), die zwischen Halbleiterkörper (1) und Spiegelschicht (2) angeordnet sind und einen Abstand (D) zwischen Halbleiterkörper (1) und Spiegelschicht (2) vermitteln, wodurch zumindest ein Hohlraum (4) zwischen Spiegelschicht (2) und Halbleiterkörper (1) gebildet ist, wobei - der zumindest eine Hohlraum (4) ein Gas (40) enthält.
摘要翻译：它是设置有光电子半导体芯片 - （1）含有的有源区（10）的半导体主体， - 一个镜层（2），以及 - 所述半导体主体之间的接触垫（3）（1）和镜面层（2），其布置介导并且是半导体主体（1）和镜面层（2），由此，反射层（2）和半导体主体（1）之间形成至少一个空腔（4）之间的距离（D），其中， - 所述至少一个腔体（4），气体（40）。

7. 发明申请

WO2003025978A2 VERFAHREN ZUM TRENNEN ZWEIER ZUSAMMENGEFÜGTER MATERIALSCHICHTEN 审中-公开
标题翻译：方法切割两个接合的材料层
公开(公告)号：WO2003025978A2
公开(公告)日：2003-03-27
申请号：PCT/DE2002/003453
申请日：2002-09-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PLÖSSL, Andreas
发明人： PLÖSSL, Andreas
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/187
摘要： Verfahren zum Trennen zweier zusammengefügter Materialschichten entlang einer Grenzfläche, bei dem beim Zusammenfügen der Materialschichten an deren Grenzfläche und/oder in der Nähe der Grenzfläche eine Mehrzahl von Hohlräumen ausgebildet wird, die zwischen den Materialschichten eine Perforation ausbilden.
摘要翻译：一种用于分离两个方法接合材料层沿着其中在它们的界面和/或在界面附近接合的材料层当多个被空隙的形成界面，形成材料层之间的穿孔。

8. 发明申请

WO2002075819A2 STRAHLUNGSEMITTIERENDES OPTISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：辐射光学元件
公开(公告)号：WO2002075819A2
公开(公告)日：2002-09-26
申请号：PCT/DE2002/000943
申请日：2002-03-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH & CO. OHG , ULRICH, Jacob , KRÄUTER, Gertrud , PLÖSSL, Andreas
发明人： ULRICH, Jacob , KRÄUTER, Gertrud , PLÖSSL, Andreas
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/54 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement, mit einer Schichtstruktur (30), die eine aktive Schicht (32) enthält, die im Betrieb Strahlung einer spektralen Verteilung (60) emittiert, und elektrischen Kontakten (36,38,40) zur Einprägung eines Stroms in die Schichtstruktur (30), weist eine die aktive Schicht (32) zumindest teilweise umgebende Vergütungsschicht (44) auf, die einen kurzwelligen Anteil der emittierten Strahlung (60) zurückhält.
摘要翻译：与包含有源层（32）发射在操作辐射的光谱分布（60），以及电触点（36,38,40）（用于施加电流到层结构的层结构（30）的辐射的半导体器件 30）具有限制所发射的辐射（60）的短波成分的有源层（32）至少部分地包围涂层（44）。

9. 发明申请

WO2020239852A1 ANORDNUNG MIT ELEKTROMAGNETISCHER STRAHLUNG EMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTEN UND DEREN HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
公开(公告)号：WO2020239852A1
公开(公告)日：2020-12-03
申请号：PCT/EP2020/064731
申请日：2020-05-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SCHWARZ, Thomas , WITTMANN, Sebastian , PLÖSSL, Andreas
IPC分类号： H01L33/62 , H01L25/075 , H01L33/00
摘要： Es wird eine Anordnung (1) mit einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (10), einem Auskoppelelement (20), einer elektrisch isolierenden Isolierschicht (30) und einer elektrischen Anschlussstruktur (40) angegeben. Die Halbleiterbauelemente (10) sind in einer gemeinsamen Ebene angeordnet und jeweils lateral von Seitenflächen (10A) begrenzt. Die Halbleiterbauelemente (10) weisen jeweils einen Halbleiterkörper (100), mit einem zur Emission von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet aktiven Bereich (2000), eine Strahlungsaustrittsseite (100A) zur Auskopplung der elektromagnetischen Strahlung, eine der Strahlungsaustrittsseite (100A) gegenüberliegende Rückseite (100B), und eine auf der Rückseite (100B) angeordnete Kontaktstruktur (101) auf. Die Isolierschicht (30) ist zwischen Seitenflächen (10A) benachbarter Halbleiterbauelemente (10) angeordnet und absorbierend oder reflektierend für die in dem aktiven Bereich (2000) erzeugte Strahlung ausgeführt. Das Auskoppelelement (20) ist an der Strahlungsaustrittsseite (100A) der Halbleiterkörper (100) angeordnet, und die elektrische Anschlussstruktur (40) ist auf der der Rückseite (100B) zugewandten Seite der Halbleiterbauelemente (10) angeordnet und mit der KontaktStruktur (101) elektrisch leitend verbunden. Es wird ferner ein Verfahren zur Herstellung einer Anordnung (1) angegeben.

10. 发明申请

WO2020143957A1 VOLUMENEMITTER UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2020143957A1
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：PCT/EP2019/083120
申请日：2019-11-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PLÖSSL, Andreas
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/46 , H01L33/00
摘要： Es wird ein Volumenemitter(10) mit einem Träger (1) und einem auf dem Träger angeordneten Halbleiterkörper (2) angegeben, wobei der Halbleiterkörper im Betrieb des Volumenemitters zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist. Der Träger weist einen Grundkörper (1G) auf, der für die elektromagnetische Strahlung durchlässig ausgeführt ist. Der Grundkörper weist eine innere Öffnung (3) auf, deren Innenwände (3W) zur Reflexion und/oder zur Streuung der darauf auftreffenden elektromagnetischen Strahlung eingerichtet sind.Bevorzugt weist die innere Öffnung einen Zugangskanal (3Z) und einen zentralen Bereich (3M) auf, wobei sich der Zugangskanal von einem Zugang der inneren Öffnung auf einer Vorderseite, Rückseite oder auf einer Seitenfläche des Grundkörpers ins Innere des Grundkörpers hinein erstreckt. Der zentrale Bereich mit dem Zugangskanal verbunden ist, wobei der zentrale Bereich im Vergleich zu dem Zugangskanal einen vergrößerten Querschnitt aufweist. Insbesondere ist ein mittlerer Querschnitt des zentralen Bereichs mindestens zweimal so groß ist wie ein entsprechender mittlerer Querschnitt des zugehörigen Zugangskanals Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines Volumenemitters, insbesondere eines solchen Volumenemitters angegeben.

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