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31. 发明申请

WO2018169536A1 CONDITIONING DISKS FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING 审中-公开
公开(公告)号：WO2018169536A1
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：PCT/US2017/022649
申请日：2017-03-16
申请人： INTEL CORPORATION
发明人： TREGUB, Alexander
IPC分类号： B24B37/12 , B24B37/20 , B24B37/04 , B24B57/02 , H01L21/306
CPC分类号： B24B53/017 , B24B37/04 , B24B37/105 , B24B37/12 , B24B37/20 , B24B57/02
摘要： Disclosed herein are chemical mechanical polishing (CMP) conditioning disks, and related systems and techniques. For example, in some embodiments, a CMP conditioning disk may include: a support; a first pedestal extending from the support, the first pedestal having a first height; and a second pedestal extending from the support, the second pedestal having a second height different from the first height. In some embodiments, the first pedestal may have a surface roughness (SR) different from an SR of the second pedestal.

32. 发明申请

WO2017033409A1 研磨装置审中-公开
标题翻译：抛光装置
公开(公告)号：WO2017033409A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：PCT/JP2016/003575
申请日：2016-08-03
申请人：信越半導体株式会社 , 不二越機械工業株式会社
发明人：佐藤　三千登 , 上野　淳一 , 石井　薫 , 金井　洋介 , 中西　勇矢
IPC分类号： B24B37/00 , B24B37/12 , B24B57/02 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/00 , B24B37/12 , B24B57/02 , H01L21/304 , Y02P70/177
摘要：本発明は、研磨布が貼り付けられた定盤と、ウェーハを保持するための研磨ヘッドと、研磨剤を貯蔵するためのタンクと、タンク内に貯蔵された研磨剤を研磨布に供給する研磨剤供給機構と、定盤上から流下する研磨剤を回収する廃液受けと、廃液受けに接続され、廃液受けで回収した研磨剤をタンク内に供給する循環機構を具備し、研磨剤供給機構でタンク内から研磨剤を研磨布に供給し、定盤上から流下する使用済みの研磨剤を廃液受けで回収し、回収した研磨剤をタンク内に供給することで研磨剤を循環させながら、研磨ヘッドで保持したウェーハの表面を研磨布に摺接させて研磨を行う研磨装置であって、廃液受けが、定盤に固定されたものであることを特徴とする研磨装置である。これにより、再利用する研磨剤を回収する際に、他の溶液との混合を抑制し、研磨剤の回収効率悪化を抑制することが可能であり、メンテナンスも容易な研磨装置が提供される。
摘要翻译：本发明是一种抛光装置，其具有装有抛光织物的表面板，用于保持晶片的抛光头，用于储存研磨剂的储存罐，用于将储存在储罐中的研磨剂供给抛光的研磨剂供给机构织物，用于回收从表面板向下流动的磨料的废液容器，以及连接到废液容器的循环机构，用于将在废液容器中回收的磨料供应到罐中。抛光装置使用研磨剂供给机构从砂箱内部向研磨织物提供磨料，从废液容器中的表面板上回收从下流下来的用过的磨料，并通过摩擦磨光将抛光头保持的晶片的表面抛光抛光织物，同时通过将回收的研磨剂供应到罐中来循环磨料。抛光装置的特征在于，废液容器固定在表面板上。结果，可以提供一种抛光装置，其中当回收要再次使用的磨料时，与其他溶液的混合受到限制，并且磨料回收效率的恶化受到限制，并且易于维护。

33. 发明申请

WO2017033280A1 研磨工具及び研磨工具の製造方法审中-公开
标题翻译：研磨工具和研磨工具制造方法
公开(公告)号：WO2017033280A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：PCT/JP2015/073835
申请日：2015-08-25
申请人：株式会社クリスタル光学 , 株式会社ツールバンク
发明人：桐野　宙治 , 川波多　裕司
IPC分类号： B24B37/14 , B24B37/12
CPC分类号： B24B37/12 , B24B37/14
摘要：【課題】　大きな表面積を有する場合でも、製造コストを抑えつつ、全体の金属繊維又は金属粉末の体積含有率を高密度且つ均一に構成することでき、全体に渡って砥粒に対する滞留性を改善し、研磨能率を向上させると共に、耐磨耗性を向上させることができる研磨工具を提供する。【解決手段】　遊離砥粒を用いて被研磨物をラッピング加工するための研磨工具であって、金属繊維又は金属粉末を樹脂と混合し、加圧して成形することによって作製した複数の成形片をベース部の表面上に並べて貼り付けることにより構成されている。
摘要翻译： [问题]提供一种研磨工具，其可以被配置为使得整个金属纤维或金属粉末体积分数是均匀的并且具有高密度，同时在工具具有大的表面积的同时限制生产成本，其中研磨剂的保留在整个工具上改善了颗粒，并且可以提高研磨效率以及耐磨性。 [解决方案]一种用于使用松散磨粒研磨工件的研磨工具，该工具通过将通过将金属纤维或金属粉末与树脂混合并加压而制成的多个模制件配置在一个基础和胶合。

34. 发明申请

WO2013031772A1 ダイヤモンド研磨装置审中-公开
标题翻译：钻石抛光装置
公开(公告)号：WO2013031772A1
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：PCT/JP2012/071707
申请日：2012-08-28
申请人：高知FEL株式会社 , 西村一仁 , 笹岡秀紀
发明人：西村　一仁 , 笹岡　秀紀
IPC分类号： B24B37/30 , B24B1/00 , B24B19/16 , B24B37/12 , B24B41/06
CPC分类号： B24B9/164 , B24B9/161 , B24B9/167 , B24B37/24 , B24B41/06
摘要：　研磨板とダイヤモンド原石との間の衝撃力の発生を抑制して、ダイヤモンド原石の欠損を防止することができるダイヤモンド研磨装置を提供する。　ダイヤモンド研磨装置は、水平に回転する研磨面41を有する研磨板40と、研磨対象であるダイヤモンド原石を研磨板40の研磨面41に接触させた状態で保持するホルダー10と、ホルダー10を支持するネジ台20と、を備える。ホルダー10は、ネジ台20に立設される２本のネジ21A,21Bに支持される２つの支持部11A,11Bと、先端側にダイヤモンド原石を取り付ける取付部12と、を有し、各ネジ21A,21Bを回転させることにより、各支持部11A,11Bの各ネジ21A,21Bに対する軸方向の位置が調節可能である。研磨板40は、研磨面41の表面粗さが1μmRa以下である。
摘要翻译：提供了一种金刚石抛光装置，其能够通过限制抛光板和粗金刚石之间的冲击力的产生来防止粗金刚石的损坏。金刚石抛光装置具有：具有水平旋转的研磨面（41）的研磨板（40）保持与所述研磨板（40）的研磨面（41）接触的作为研磨对象物的粗金刚石的保持架（10）。以及支撑所述保持器（10）的螺钉底座（20）。保持架（10）具有两个支撑在支撑在螺钉底座（20）上的两个螺钉（21A，21B）上的支撑部分（11A，11B），并且其顶端上的一个安装部分被安装。通过旋转每个螺钉（21A，21B），可以调节每个支撑部分（11A，11B）相对于各个螺钉（21A，21B）在轴向方向上的位置。对于抛光板（40），研磨面（41）的表面粗糙度为1μmRa以下。

35. 发明申请

WO2022264687A1 研磨ヘッド、研磨装置及び半導体ウェーハの製造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2022264687A1
公开(公告)日：2022-12-22
申请号：PCT/JP2022/018384
申请日：2022-04-21
申请人：株式会社ＳＵＭＣＯ
发明人：寺川　良也 , 太田　広樹
IPC分类号： B24B37/12 , B24B37/30 , B24B37/32 , H01L21/304
摘要：第１の環状部材と第１の環状部材の開口部の上面側開口を閉塞する閉塞部材と第１の環状部材の開口部の下面側開口を閉塞するメンブレンと上記メンブレンの下方に位置し研磨対象のワークを保持する開口部を有する第２の環状部材とを有する研磨ヘッドが提供される。第１の環状部材の開口部の中心に向かう方向を内側、他方の方向を外側として、第１の環状部材の開口部が上記閉塞部材と上記メンブレンとによって閉塞されて形成された空間が、上部環状接続部が上記閉塞部材に接続され且つ下部環状接続部が上記メンブレンに接続された環状の仕切り壁によって内側空間と外側空間とに仕切られ、上記環状の仕切り壁の下部環状接続部の内径は、第２の環状部材の内径より大きく、且つ、上記環状の仕切り壁の上部環状接続部の鉛直下方に、研磨対象のワークの設置位置の外周領域が位置する。

36. 发明申请

WO2022130783A1 研磨ヘッドおよび基板処理装置审中-公开
公开(公告)号：WO2022130783A1
公开(公告)日：2022-06-23
申请号：PCT/JP2021/039071
申请日：2021-10-22
申请人：株式会社荏原製作所
发明人：石井　遊
IPC分类号： B24B37/30 , B24B37/10 , B24B37/12 , H01L21/304
摘要：基板に形成された複数の配線ユニットごとに配線パターンの高さを平坦に研磨することができる研磨ヘッドを実現する。　複数の配線ユニットＰＵ－１～ＰＵ－１０が形成された基板ＷＦを保持するための研磨ヘッド３０２は、回転シャフト１８と、回転シャフト１８に連結されたベース部材２と、基板ＷＦの複数の配線ユニットＰＵ－１～ＰＵ－１０が形成されていない裏面を保持する複数の多孔質部材３０－１～３０－１０と、ベース部材２と複数の多孔質部材３０－１～３０－１０との間に配置され、基板を加圧するための流体の供給源と連通する加圧空間を形成するように構成された弾性膜４と、を含む。

37. 发明申请

WO2021193468A1 研磨パッド、研磨ユニット、研磨装置、及び研磨パッドの製造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2021193468A1
公开(公告)日：2021-09-30
申请号：PCT/JP2021/011502
申请日：2021-03-19
申请人：富士紡ホールディングス株式会社
发明人：立野　哲平 , 松岡　立馬 , 栗原　浩 , 鳴島　さつき , ▲高▼見沢　大和
IPC分类号： B24B37/22 , B24B37/10 , B24B37/12 , B24B37/24 , B32B5/02 , B32B5/24 , B32B7/022 , H01L21/304
摘要：基材層への研磨スラリーの浸透を低減し、かつ研磨性能の低下を防ぐことができる研磨ユニットを提供する。本発明の第一の態様に係る研磨ユニット（１０ａ）は、研磨層（１０１）及び基材層（１０３）を有する研磨パッド（１００ａ）と、定盤（１５０）とを備え、基材層（１０３）の直径が、研磨層（１０１）の直径よりも小さく、かつ、定盤（１５０）の直径よりも大きい。

38. 发明申请

WO2020137802A1 パッド温度調整装置、パッド温度調整方法、研磨装置、および研磨システム审中-公开
公开(公告)号：WO2020137802A1
公开(公告)日：2020-07-02
申请号：PCT/JP2019/049832
申请日：2019-12-19
申请人：株式会社荏原製作所
发明人：丸山　徹
IPC分类号： B24B37/015 , B24B37/12 , B24B49/14 , H01L21/304 , G05B13/02 , G16Y10/25 , G16Y20/10 , G16Y40/35
摘要：本発明は、研磨パッドの表面温度を調整するためのパッド温度調整装置に関する。パッド温度調整装置（５）は、パッド接触部材（１１）と、加熱液および冷却液をパッド接触部材（１１）に供給する供給システム（３０）と、研磨パッド（３）の表面温度を測定するパッド温度測定器（３９）と、第１流量調整バルブ（４２）および第２流量調整バルブ（５６）の操作量をＰＩＤ制御する制御部（４０）と、を備える。制御部（４０）は、パッド温度測定器（３９）の測定値に基づいて作成される温度挙動曲線を所定の許容範囲内に維持するために構築された学習済モデルが格納された記憶部（１１０）と、少なくとも１つの温度挙動パラメータを学習済モデルに入力し、ＰＩＤ制御のＰＩＤパラメータの変更値を出力する演算を実行する処理装置（１２０）と、を備える。

39. 发明申请

WO2018074091A1 基板処理制御システム、基板処理制御方法、およびプログラム审中-公开
标题翻译：基板处理控制系统，基板处理控制方法和程序
公开(公告)号：WO2018074091A1
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：PCT/JP2017/032306
申请日：2017-09-07
申请人：株式会社荏原製作所
发明人：武田　晃一 , 鳥越　恒男 , 大石　邦夫 , 渡辺　和英 , 安田　穂積 , 石井　遊
IPC分类号： B24B49/04 , B24B37/005 , B24B37/12 , B24B49/03 , B24B55/06 , H01L21/304
摘要：局所研磨システムは、ウェハの膜厚分布を推定するパーティクル推定部（３０）と、膜厚分布に基づいて、ウェハの局所研磨部位を設定する局所研磨部位設定部（１１）と、局所研磨部位の大きさに基づいて研磨ヘッドを選択する研磨ヘッド選択部（１２）と、局所研磨部位の属性を入力ノード、研磨処理のレシピを出力ノードとして、入力ノードと出力ノードとの関係を規定したレシピ生成モデルを記憶したモデル記憶部（２０）と、局所研磨部位設定部（１１）にて設定された局所研磨部位の属性をレシピ生成モデルの入力ノードに適用して、局所研磨部位を研磨する研磨レシピを求める研磨レシピ生成部（１３）と、局所的に研磨を行う局所研磨モジュール（２００）に、研磨レシピのデータを送信する研磨レシピ送信部（１５）とを備える。
摘要翻译：
局部抛光系统，所述颗粒估计器，用于估计所述晶片（30）的厚度分布基础上的膜厚分布，局部抛光位置设置单元，用于设置晶片的局部抛光站点（和11），抛光头选择器，用于选择基于所述局部抛光位点（12），所述局部抛光站点的输入节点的属性的大小抛光头，作为输出节点的食谱抛光过程中，输入和输出节点模型存储单元，其通过将所设定在局部抛光部位设置单元（11）的配方生成模型的输入节点的本地抛光位置的属性存储定义的（20）之间的关系的配方创建模型，一种用于找到用于抛光局部抛光部位的抛光配方的抛光配方生成器（13）以及用于将抛光配方的数据发送到局部抛光模块（200）以用于局部抛光的抛光配方发送器 5）和一个。

40. 发明申请

WO2014099812A1 DOUBLE SIDE POLISHER WITH PLATEN PARALLELISM CONTROL 审中-公开
标题翻译：双面抛光机与平行平行控制
公开(公告)号：WO2014099812A1
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：PCT/US2013/075465
申请日：2013-12-16
申请人： SUNEDISON, INC.
发明人： ALBRECHT, Peter D. , BHAGAVAT, Sumeet S.
IPC分类号： B24B37/08 , B24B37/12
CPC分类号： B24B7/228 , B24B37/08 , B24B37/12 , H01L21/30625 , H01L22/12
摘要： A platen for polishing a surface of a wafer has a reaction plate, a polishing plate, and a bladder. The reaction plate has a top and bottom surface, and defines a longitudinal axis. The polishing plate is positioned coaxially with the reaction plate. The polishing plate has a second top surface and a second bottom surface. The second top surface is adjacent to the bottom surface of the reaction plate. The bladder is coaxially located along a radially outer portion of either the top or bottom surface of the reaction plate. The bladder is connected with the polishing plate and able to expand to deform the polishing plate with respect to the bottom surface of the reaction plate.
摘要翻译：用于抛光晶片表面的压板具有反应板，抛光板和气囊。反应板具有顶部和底部表面，并且限定纵向轴线。抛光板与反应板同轴设置。抛光板具有第二顶表面和第二底表面。第二顶表面邻近反应板的底表面。气囊沿着反应板的顶表面或底表面的径向外部同轴地定位。气囊与抛光板连接，能够使抛光板相对于反应板的底面膨胀而变形。

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