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1. 发明申请

WO2022263993A1 DIAMOND GRINDING WHEEL ADAPTED TO GRIND AND ABRADE STRATIFIED SOLID MATERIALS 审中-公开
公开(公告)号：WO2022263993A1
公开(公告)日：2022-12-22
申请号：PCT/IB2022/055443
申请日：2022-06-13
申请人： DIAMANT DI NUNZIATA ANDREA E C. S.A.S.
发明人： NUNZIATA, Epifanio
IPC分类号： B24B49/00 , B24B49/14 , B24D5/12 , B24D5/06 , B24D5/10
摘要： Diamond grinding wheel (1), for grinding and abrasion of stratified solid materials comprising a cutting unit (2.1) provided with a diamond crown (2.2) and: - a central tooth (3) adapted to remove plastic material or similar materials, present on a sheet; - holes (2.3) adapted for cooling; - cuts (2.4), based on the glass sheets and on the plastic material to be processed; - external flange (2.5) said device (1) being adapted to increase the quality of the sheets being processed once the grinding has terminated, rendering them polishable, lacking plastic material residues on the glasses; the dimensions of said device varying from a diameter and a height comprised between 30 mm and 400 mm; said grinding wheel (1) comprising a base flange (2), and an external flange (2.5) made of iron, aluminum and/or resin adapted to ensure a rigid structure for the entire device.

2. 发明申请

WO2022107553A1 基板保持装置审中-公开
公开(公告)号：WO2022107553A1
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：PCT/JP2021/039279
申请日：2021-10-25
申请人：株式会社荏原製作所
发明人：鍋谷　治
IPC分类号： B24B37/30 , B24B49/08 , B24B49/10 , B24B49/14 , H01L21/304
摘要：本発明は、ウェハなどの基板を保持する基板保持装置に関し、特に研磨装置に使用される基板保持装置に関するものである。基板保持装置（１）は、基板（Ｗ）を研磨面に押し付ける研磨ヘッド（９）と、研磨ヘッド（９）に連結された研磨ヘッドシャフト（１１）と、研磨ヘッド（９）および研磨ヘッドシャフト（１１）を少なくとも含む回転系（４）内で電力を発生させる発電装置（５５）と、を備えている。

3. 发明申请

WO2018034308A1 研磨方法、研磨装置、およびコンピュータプログラムを記録した記録媒体审中-公开
标题翻译：抛光方法，抛光装置和存储计算机程序的记录介质
公开(公告)号：WO2018034308A1
公开(公告)日：2018-02-22
申请号：PCT/JP2017/029453
申请日：2017-08-16
申请人：株式会社荏原製作所
发明人：椛沢　雅志 , 松尾　尚典
IPC分类号： B24B37/015 , B24B37/34 , B24B49/14 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/015 , B24B37/34 , B24B49/14 , H01L21/304
摘要：本発明は、ウェーハなどの基板を研磨する研磨方法に関するものである。研磨方法は、基板（Ｗ）を研磨パッド（３）の表面に押し付けて基板（Ｗ）を研磨し、基板（Ｗ）の研磨中に、パッド温度調整部材（１１）に流れる流体の流量を制御するための流量制御バルブ（４２，５６）を操作することで、研磨パッド（３）の表面温度を変化させ、研磨パッド（３）の表面温度を測定し、研磨パッド（３）の表面温度の時間変化に基づいて、ＰＩＤパラメータを算定し、ＰＩＤパラメータを備えたＰＩＤ演算式を用いて、温度目標値と研磨パッドの表面温度の測定値との偏差を最小にするための流量制御バルブ（４２，５６）の操作量を計算し、基板Ｗの研磨中に、操作量に従って流量制御バルブ（４２，５６）を操作する。
摘要翻译：本发明涉及一种用于抛光诸如晶片的衬底的抛光方法。抛光方法来抛光衬底（W）的基板（W）压在抛光垫（3）的表面上，抛光衬底（W）的，控制流过垫的温度调节构件的流体的流速（11）过程中通过操作流量控制阀（42，56），用于通过改变抛光垫（3）的表面温度，抛光垫的表面温度（3）进行测量，所述的抛光垫的表面温度（3）基于该时间变化，计算PID参数，使用PID计算公式，其包括PID参数，一个流量控制阀（42到抛光垫的表面温度的测量值和温度目标值之间的偏差为最小，56），根据基板W的研磨时的操作量来操作流量控制阀（42,56）。

4. 发明申请

WO2017139079A1 IN-SITU TEMPERATURE CONTROL DURING CHEMICAL MECHANICAL POLISHING WITH A CONDENSED GAS 审中-公开
标题翻译：凝结气化学机械抛光过程中的原位温度控制
公开(公告)号：WO2017139079A1
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：PCT/US2017/014105
申请日：2017-01-19
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： BROWN, Brian J.
IPC分类号： B24B49/14 , B24B37/04 , B24B57/02 , B24B49/08 , B24B37/34
CPC分类号： B24B37/015 , B24B37/34 , B24B49/14 , B24B55/02 , B24C1/003
摘要： Implementations of the present disclosure generally relate to planarization of surfaces on substrates and on layers formed on substrates, including an apparatus for in-situ temperature control during polishing, and methods of using the same. More specifically, implementations of the present disclosure relate to in-situ temperature control with a condensed gas during a chemical-mechanical polishing (CMP) process. In one implementation, the method comprises polishing one or more substrates against a polishing surface in the presence of a polishing fluid during a polishing process to remove a portion of a material formed on the one or more substrates. A temperature of the polishing surface is monitored during the polishing process. Carbon dioxide snow is delivered to the polishing surface in response to the monitored temperature to maintain the temperature of the polishing surface at a target value during the polishing process.
摘要翻译：本公开的实施方式一般涉及衬底上和形成在衬底上的层上的表面的平面化，包括用于在抛光过程中原位温度控制的设备及其使用方法。更具体地，本公开的实施方式涉及在化学机械抛光（CMP）过程期间用冷凝气体进行原位温度控制。在一个实施方式中，该方法包括在抛光过程期间在抛光液存在下抛光一个或多个衬底抵靠抛光表面以去除在一个或多个衬底上形成的一部分材料。在抛光过程中监测抛光表面的温度。根据监测到的温度，二氧化碳雪被送到抛光表面，以在抛光过程中将抛光表面的温度保持在目标值。

5. 发明申请

WO02017411A1 POLISHING APPARATUS COMPRISING PAD AND POLISHING METHOD USING THE SAME 审中-公开
标题翻译：包括垫片的抛光装置和使用其的抛光方法
公开(公告)号：WO02017411A1
公开(公告)日：2002-02-28
申请号：PCT/KR2000/001030
申请日：2000-09-09
IPC分类号： H01L21/302 , B24B37/04 , B24B49/14 , H01L21/306 , H01L21/3105 , H01L21/321 , H01L213/02
CPC分类号： H01L21/3212 , B24B37/042 , B24B37/20 , B24B37/24 , B24B37/26 , B24B49/14
摘要： A chemical polishing apparatus which self-supplies a polishing chemical from a polishing pad, and a polishing method using the chemical polishing apparatus are provided. This chemical polishing apparatus, which is used to polish a material film formed on a wafer in the manufacture of semiconductor devices, includes a wafer head, to the bottom surface of which a wafer is sucked, the wafer head capable of uniformly maintaining the temperature of the wafer and a pressure applied to the rear surface of the wafer throughout polishing, a cooling pad which faces the wafer head and self-supplies a polishing chemical during polishing, a cooling vessel which surrounds the bottom and lateral sides of the cooling pad, a cooling unit which is attached to the bottom surface of the cooling pad and used to form and maintain the cooling pad, and a chamber which accommodates the above-described members, and is maintained in a wafer-free state.
摘要翻译：提供了一种从研磨垫自行供给抛光剂的化学抛光装置和使用该化学抛光装置的抛光方法。用于研磨在半导体器件的制造中形成在晶片上的材料膜的该化学抛光装置包括：晶片头，其底面被吸收晶片，该晶片头能够均匀地保持晶片的温度晶片和在整个抛光过程中施加到晶片的后表面的压力，在抛光期间面向晶片头并自动供应抛光化学品的冷却垫，围绕冷却垫的底部和侧面的冷却容器，冷却单元，其附接到冷却垫的底表面并用于形成和保持冷却垫;以及容纳上述构件的室，并且保持在无晶片状态。

6. 发明申请

WO01072471A1 WORK HOLDING PANEL FOR POLISHING, AND DEVICE AND METHOD FOR POLISHING 审中-公开
标题翻译：用于抛光的工作保持板，以及用于抛光的装置和方法
公开(公告)号：WO01072471A1
公开(公告)日：2001-10-04
申请号：PCT/JP2001/002452
申请日：2001-03-27
IPC分类号： B24B37/30 , B24B49/14 , H01L21/683 , B24B37/04
CPC分类号： B24B37/30 , B24B49/14 , H01L21/6838
摘要： A work holding panel for polishing (1) comprising a work holding panel main body (2) having a plurality of through holes (4) for holding at least a work by vacuum sucking and a rear plate (5) disposed on the rear side of the main body (2), characterized by comprising a temperature control means or a cooling means for the holding panel main body (2), whereby even when the number of polishing is increased when the work is polished, the thermal deformation of the work holding panel main body itself and the deformation of a resin film covered on a work holding surface can be suppressed without deteriorating the flatness of the work so as to provide the work having an excellent flatness; and a device and a method for polishing.
摘要翻译：一种用于抛光的工件保持板（1），包括具有多个用于通过真空吸附至少保持工件的通孔（4）的工件保持板主体（2）和设置在后侧的后板（5）主体（2），其特征在于包括用于保持面板主体（2）的温度控制装置或冷却装置，由此即使当抛光时抛光次数增加时，工件保持的热变形可以抑制覆盖在工件保持表面上的树脂膜的变形，同时不会使工件的平坦度变差，从而提供平坦度优异的工件; 以及抛光装置和方法。

7. 发明申请

WO00069595A2 METHOD AND APPARATUS FOR AUTOMATICALLY ADJUSTING THE CONTOUR OF A WAFER CARRIER SURFACE 审中-公开
标题翻译：用于自动调整滚轮表面轮廓的方法和装置
公开(公告)号：WO00069595A2
公开(公告)日：2000-11-23
申请号：PCT/US2000/013399
申请日：2000-05-16
IPC分类号： B24B41/06 , B24B49/14 , B24B
CPC分类号： B24B37/30 , B24B41/061 , B24B49/14
摘要： A method and apparatus is provided for holding a workpiece (111) in a carrier (100) parallel to a polishing pad (112) while pressing the workpiece (111) against the polishing pad (112) during a planarization process. The carrier's pressure plate (102) and/or backing film (103) are comprised of materials that allow the carrier (100) to adjust its local contours based on the removal rate of material from the workpiece (111) during the planarization process without the need for complicated mechanical devices. In addition, or alternatively, the retaining ring (105) may be comprised of materials that allow the retaining ring (105) to adjust its local contours due to the friction between the retaining ring (105) and the polishing pad (112) during the planarization process, thereby pre-loading and stretching the polishing pad (112) in an even and uniform manner resulting in a superior planarizaton process.
摘要翻译：提供了一种方法和装置，用于在平坦化处理期间将工件（111）保持在与抛光垫（112）平行的载体（100）中，同时将工件（111）压靠在抛光垫（112）上。载体的压力板（102）和/或背衬膜（103）由允许载体（100）在平坦化过程中基于来自工件（111）的材料的去除速率来调节其局部轮廓的材料构成，而没有需要复杂的机械设备。另外或替代地，保持环（105）可以由允许保持环（105）由于在保持环（105）和抛光垫（112）之间的摩擦而调节其局部轮廓的材料构成从而预先加载并且以均匀均匀的方式拉伸抛光垫（112），从而获得优异的平面化处理。

8. 发明申请

WO00023228A1 WAFER GRINDER AND METHOD OF DETECTING GRINDING AMOUNT 审中-公开
标题翻译：砂轮磨粒和检测研磨量的方法
公开(公告)号：WO00023228A1
公开(公告)日：2000-04-27
申请号：PCT/JP1999/005714
申请日：1999-10-15
IPC分类号： B24B37/30 , B24B49/04 , B24B49/10 , B24B49/14 , B24B49/16 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/30 , B24B49/04 , B24B49/10 , B24B49/14 , B24B49/16
摘要： A wafer grinder is provided for accurately controlling the amount of grinding. The wafer grinder comprises a grinding surface plate with a buff; a carrier for bringing a wafer into contact the buff with predetermined pressure; a pad provided around the wafer and adapted to be in contact with the buff with predetermined pressure; a detector for detecting the change in relative position of the back of the wafer or the carrier and the pad; and a control section for controlling the grinding operation depending on the grinding amount calculated from the output signal from the detector. An arithmetic unit comprises a sampling section (82) for sampling the output signal from the detector at a plurality of intervals for each turn of the grinding surface plate; a moving-average section (84) producing moving average data from the samples taken during a multiple of the times of sampling per turn; and a calculation section (85) for calculating the grinding amount from the moving average data.
摘要翻译：提供晶圆研磨机，用于精确地控制磨削量。晶片研磨机包括具有抛光器的研磨表面板; 用于使晶片与预定压力接触的载体; 设置在晶片周围并适于与预定压力的抛光体接触的焊盘; 检测器，用于检测晶片或载体和垫的背面相对位置的变化; 以及控制部分，用于根据从检测器的输出信号计算出的磨削量来控制磨削操作。运算单元包括：采样部分（82），用于对所述研磨面板的每转的多个间隔对来自所述检测器的输出信号进行采样; 移动平均部分（84），其从在每次采样次数中抽取的样本产生移动平均数据; 以及用于根据移动平均数据计算研磨量的计算部（85）。

9. 发明申请

WO2023047682A1 研磨装置、基板処理装置および研磨方法审中-公开
公开(公告)号：WO2023047682A1
公开(公告)日：2023-03-30
申请号：PCT/JP2022/018164
申请日：2022-04-19
申请人：株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
发明人：石井　弘晃 , 石井　淳一
IPC分类号： B24B49/14 , B24B7/04 , B24B41/06 , B24B49/16 , H01L21/304 , H01L21/677
摘要：本発明は、研磨装置、基板処理装置および研磨方法に関する。研磨装置は、研磨ユニット２２を備える。研磨ユニット２２は、基板Ｗを水平姿勢に保持した状態で基板Ｗを回転させる保持回転部３５と、基板Ｗを加熱するホットプレート４５と、砥粒が分散された樹脂体を含む研磨具９６であって、加熱されつつ回転する基板Ｗの裏面に接触して、化学機械研削方式により基板Ｗの裏面を研磨する研磨具９６と、を備えている。

10. 发明申请

WO2022224508A1 研磨方法、および研磨装置审中-公开
公开(公告)号：WO2022224508A1
公开(公告)日：2022-10-27
申请号：PCT/JP2022/001361
申请日：2022-01-17
申请人：株式会社荏原製作所
发明人：椛沢　雅志 , 佐々木　俊光 , 塩川　陽一 , 八木　圭太 , 渡邉　夕貴 , チャウハン　ナチケタ
IPC分类号： B24B37/015 , B24B37/005 , B24B37/013 , B24B49/04 , B24B49/14 , H01L21/304
摘要：本発明は、ウエハなどの基板を研磨パッドの研磨面に押し付けながら該基板を研磨する研磨方法および研磨装置に関し、特に、膜厚測定器の測定値に基づいて研磨荷重を調整しながら基板を研磨する研磨方法および研磨装置に関するものである。研磨方法では、パッド温度調整装置（５）を用いて研磨パッド（３）の研磨面（３ａ）の温度を所定の温度に調整し、研磨パッド（３）に設けられた膜厚測定器（７）の測定値に基づいて、基板（Ｗ）を研磨面（３ａ）に押し付ける研磨荷重を制御しながら基板（Ｗ）を研磨する。

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