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    • 34. 发明申请
    • イオン注入状況の確認方法および半導体ウェーハの製造方法
    • 检查离子植入状态的方法及制造半导体波长的方法
    • WO2011135775A1
    • 2011-11-03
    • PCT/JP2011/001817
    • 2011-03-28
    • 信越半導体株式会社横川 功
    • 横川 功
    • H01L21/265H01J37/317
    • H01L21/265H01J37/3005H01J37/3171H01J2237/2445H01J2237/31703H01L22/12
    •  本発明は、表面に絶縁膜を有する半導体ウェーハの一方の表面の全面にイオンを注入する際のイオン注入状況の確認方法であって、イオン注入の開始から終了までの間を通して、前記注入イオンのイオンビームが前記半導体ウェーハの表面上に照射される際に生ずる発光を直接的または間接的に観察することによって、前記半導体ウェーハへのイオン注入が前記全面に行われているかどうかを確認することを特徴とするイオン注入状況の確認方法である。これにより、イオン注入時の装置上の不具合などによるイオン注入の不均一性を早期に、かつ、容易に発見し、製品の品質安定化、故障期間の短縮化を図ることができるイオン注入状況の確認方法とそれを利用した半導体ウェーハの製造方法が提供される。
    • 公开了一种在将离子注入半导体晶片的整个表面时检查离子注入状态的方法,所述表面上具有绝缘膜。 在该方法中,在从离子注入开始到结束的整个时间段期间,通过直接或间接地观察当植入的离子束产生的发光时,检查离子是否注入到半导体晶片的整个表面中 离子被施加在半导体晶片的表面上。 利用该方法,可以容易地在早期阶段检测离子注入时由于装置的故障等引起的离子注入的不均匀性,产品品质稳定,可以缩短故障期间。 还公开了使用这种方法制造半导体晶片的方法。