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    • 37. 发明申请
    • 成膜方法及び成膜装置並びに永久磁石及び永久磁石の製造方法
    • 膜形成方法,膜形成装置,永磁体和用于生产永磁体的方法
    • WO2006100968A1
    • 2006-09-28
    • PCT/JP2006/305034
    • 2006-03-14
    • 株式会社アルバック永田 浩新垣 良憲
    • 永田 浩新垣 良憲
    • C23C14/54C23C14/22H01F1/053H01F10/12H01F41/20
    • C23C14/16C23C14/243C23C14/541H01F1/0571H01F10/126H01F41/0293H01F41/20
    • 成膜材料であるDy、Tbを有効に利用しつつ、所定形状鉄-ホウ素-希土類系の磁石の表面に高速で成膜させて生産性が向上し、低コストで永久磁石を製造できるようにする。所定形状の鉄-ホウ素-希土類系の磁石の表面に、Dyを成膜する成膜工程と、所定温度下で熱処理を施して表面に成膜されたDyを磁石の結晶粒界相に拡散させる拡散工程とから永久磁石を製造する。この場合、成膜工程は、この成膜工程を実施する処理室を加熱し、この処理室内に予め配置したDyを蒸発させて所定の蒸気圧を持つDy蒸気雰囲気を処理室内に形成する第一工程と、処理室内の温度より低く保持した磁石をこの処理室に搬入し、この磁石が所定温度に達するまでに、処理室内と磁石との間の温度差によって磁石表面にDyを選択的に付着堆積させる第二工程とから構成する。
    • 在具有给定形状的铁 - 硼 - 稀土金属磁体的表面上以高比率形成膜,同时有效地使用镝或铽作为成膜材料。 因此,提高生产率,并且可以以低成本生产永磁体。 通过成膜步骤制造永磁体,其中在给定形状的铁 - 硼 - 稀土 - 金属磁体的表面上形成镝的膜,并且扩散步骤,其中涂覆的磁体经受 在给定温度下进行热处理,使沉积在表面上的镝扩散到磁体的晶界相。 成膜步骤包括:第一步骤,其中进行该成膜的处理室被加热以蒸发已经设置在该处理室中的镝,从而在处理室中形成具有给定蒸气压的镝蒸气气氛; 并且将保持在比处理室的内部温度低的温度的磁体引入该处理室中的第二步骤,并且基于处理室和磁体之间的温度差选择性地将镝沉积在磁体表面上,直到 磁体温度达到给定值。
    • 39. 发明申请
    • METHOD OF MAKING RAPIDLY SOLIDIFIED ALLOY FOR MAGNET
    • 制备磁铁快速固化合金的方法
    • WO2004014582A1
    • 2004-02-19
    • PCT/JP2003/008321
    • 2003-06-30
    • SUMITOMO SPECIAL METALS CO., LTD.
    • KANEKIYO, Hirokazu
    • B22D11/06
    • B22D11/0611B22D11/064C22C45/02H01F1/0571H01F1/0577H01F41/0273
    • A melt of an alloy, represented (Fe 1-m T m ) 100-x-y-z Q x R y M z , where T is Co and/or Ni, Q is B and/or C, R is at least one rare-earth element, M is selected from Al, Si, Ti, V, Cr, Mn, Cu, Zn, Ga, Zr, Nb, Mo, Ag, Hf, Ta, W, Pt, Au and Pb; 10 at%≤x≤35 at%; 2 at%≤y≤10 at%; 0 at%≤z≤10 at%; and 0≤m≤0.5, is prepared. Next, the melt is brought into contact with, and rapidly cooled and solidified by, the surface of a rotating chill roller. The melt is teemed onto a guide member, of which the guide surface defines a tilt angle with a horizontal plane, runs down on the guide surface, and then is fed through at least one tubular hole onto a contact area on the surface of the chill roller.
    • 表示(Fe> 1-m)的合金熔体,其中T是Co和/或Ni,Q是B,并且 /或C,R是至少一种稀土元素,M选自Al,Si,Ti,V,Cr,Mn,Cu,Zn,Ga,Zr,Nb,Mo,Ag,Hf,Ta, Pt,Au和Pb; 10 at%<= x <= 35 at%; 2 at%<= y <= 10 at%; 0 at%<= z <= 10 at%; 和0 <= m <= 0.5。 接下来,使熔体与旋转的冷却辊的表面接触并被冷却和固化。 熔体被浇注到引导构件上,引导表面限定与水平面的倾斜角,在引导表面上向下延伸,然后通过至少一个管状孔进入冷却表面上的接触区域 滚筒。