专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

31. 发明申请

WO2014129709A1 투명 전극을 구비하는 수직형 발광소자 및 그 제조 방법 审中-公开
标题翻译：具有透明电极的垂直发光装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2014129709A1
公开(公告)日：2014-08-28
申请号：PCT/KR2013/006804
申请日：2013-07-30
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김태근 , 김희동
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/42
CPC分类号： H01L33/42 , H01L33/0025 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
摘要： 본 발명은 수직형 발광 소자 및 그 제조 방법을 공개한다. 본 발명은 전극 패드와 반도체층 사이에, 빛의 전 영역에 대한 투과도가 높고, 물질에 고유한 임계전압을 초과하는 전압이 인가되면, 내부에 전류가 흐를 수 있는 전도성 필라멘트들이 형성되어, 물질의 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화된 저항변화 물질로 발광소자의 투명 전극을 형성하였다. 따라서, 본 발명은 전극 패드로 주입되는 전류가 투명 전극에서 발광 소자 전체 영역으로 확산되도록 하여 전류 집중 문제를 해결할 뿐만 아니라, 발광소자에서 발생하는 가시광선 영역의 빛뿐만 아니라 자외선 영역(특히, 340nm~280nm 파장 영역 및 280nm 이하의 파장 영역의 자외선)의 빛에 대해서도 높은 광투과율을 나타태고, 전도성 필라멘트의 형성으로 인하여 투명 전극의 전도도가 높아지므로, 반도체층과 양호한 오믹 접촉 특성을 나타낸다. 또한, 본 발명에서 투명 전극의 상부 또는 하부에 전도성 및 광투과도 특성이 우수한 CNT 또는 그래핀으로 구현되는 전류 확산층을 더 형성하는 경우, 투명 전극 내부에 형성된 전도성 필라멘트들을 상호 연결시킴으로써 투명 전극으로 유입된 전류를 반도체층 전체로 확산시켜 전류 집중 현상을 방지에 더 효율적이다.
摘要翻译：本发明公开了一种垂直发光装置及其制造方法。本发明提供了一种插入在电极焊盘和半导体层之间的透明电极，该透明电极由对整个光的全部区域具有高透光率的电阻变化材料制成，当接收到大于固有阈值电压形成用于使电流流动从而从高电阻状态转换为低电阻状态的导电细丝。因此，本发明能够使注入电极焊盘的电流在透明电极中的发光元件的整个区域扩散，从而解决电流集中的问题。透明电极对于由发光元件产生的可见光和紫外线（特别是波长340nm〜280nm，低于280nm的紫外线）的透光性高，形成导电性细丝，从而增加其导电性，从而显示与半导体层的优异的欧姆接触特性。此外，根据本发明，如果透明电极的上部或下部附加地具有由具有优异的导电和透光特性的CNT或石墨烯组成的电流扩散层，则形成在透明电极中的导电元件被连接以便使通过所有半导体层流入透明电极的电流扩散，从而更有效地防止电流集中。

32. 发明申请

WO2010131824A1 1셀 4비트의 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 审中-公开
标题翻译： 4位单细胞非易失性存储器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2010131824A1
公开(公告)日：2010-11-18
申请号：PCT/KR2009/006542
申请日：2009-11-09
申请人： 고려대학교 산학 협력단 , 김태근 , 안호명
发明人： 김태근 , 안호명
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L29/66825 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L27/11521 , H01L27/11568 , H01L27/24 , H01L29/66833 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要： 본 발명은 돌출부가 형성된 기판에 비휘발성 메모리 소자를 구현한다. 본 발명은 돌출부 양측(소오스측 및 드레인측)에 전하 포획층을 형성하고, 소오스 및 드레인에, 전하를 전하 포획층에 프로그램하기 위한 전극(제 1 전극) 및 프로그램 상태를 판독하기 위한 전극(제 2 전극)을 설치한다. 또한, 제 2 전극에는 사전에 프로그램된 상태에 따라서 출력되는 전류량을 조절하는 전류 조절부를 설치한다. 본 발명은 전하 포획층에 전하가 프로그램된 상태에 따라서 OFF 전류 또는 ON 전류가 소오스측 또는 드레인측 제 2 전극, 보다 구체적으로는 제 2 전극에 설치된 전류 조절부로 유입된다. 또한, 전류 조절부는 상변화 물질로 구성된 상변화층들을 내부에 포함하여, 사전에 셋 펄스 및 리셋 펄스를 인가하여 상태를 프로그램할 수 있고, 프로그램된 상태에 따라서 유입되는 OFF 전류 및 ON 전류의 출력량을 조절할 수 있다. 따라서, 전류 조절부로부터 출력되는 전류량을 조사하여 프로그램 상태를 판독할 수 있다. 특히, 본 발명의 바람직한 실시예는 전류 조절부에 2개의 상변화층을 포함시켜 4레벨의 전류 출력이 가능하므로, 소오스측에 2비트의 프로그램이 가능하고, 드레인측에 2비트 프로그램이 가능하여, 하나의 소자 내에서 4비트의 프로그램이 가능한 효과가 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种形成突起部的基板上的非易失性存储装置。根据本发明，在突起部分的两侧（源极侧和漏极侧）形成电荷捕获层，以及用于对电荷捕获层中的电荷进行编程的电极（第一电极）和电极（第二电极）读取编程状态安装在源和漏极上。此外，在第二电极上安装用于控制根据先前编程状态输出的电流量的电流控制器。关闭电流或导通电流被输入到源极侧或漏极侧的第二电极，更具体地，根据电荷捕获层中的编程电荷的状态被输入到安装在第二电极上的电流控制器。此外，电流控制器包括由相变材料组成的相变层，由此通过预先施加设定脉冲和复位脉冲对该状态进行编程，并根据该情况控制输入的截止电流和导通电流的输出量编程状态。因此，可以通过检查从电流控制器输出的电流的量来读取编程状态。特别地，在本发明的优选实施例中，可以通过在电流控制器中包括两个相变层来输出4电平电流，从而允许在源极上进行2位编程和在漏极侧进行2位编程。因此，可以在一个设备内执行4位编程。

33. 发明申请

WO2018052171A1 율무 추출물을 포함하는 위암 치료용 조성물과 그 추출방법 审中-公开
标题翻译：用于治疗胃癌的组合物及其提取方法
公开(公告)号：WO2018052171A1
公开(公告)日：2018-03-22
申请号：PCT/KR2017/001589
申请日：2017-02-14
申请人： 김태근
发明人： 김태근
IPC分类号： A61K36/8994 , A23L33/105
摘要： 본 발명은 율무의 뿌리와 율무 열매로부터 위암의 예방 및 치료용 조성물과 그 제조방법에 대한 것으로, 율무의 뿌리와 율무 열매로부터 물 또는 알코올을 용매로 사용하여 위암의 예방 및 치료용 조성물을 추출하고, 더 나아가 건조된 율무의 열매 분쇄물 46~66중량%를 주성분으로 하고, 건조된 느릅나무의 껍질과 뿌리가 1:1 중량비로 혼합된 분쇄물 14~24중량%, 건조된 예덕나무의 껍질과 뿌리가 1:1 중량비로 혼합된 분쇄물 14~24중량% 및 건조된 창출뿌리 분쇄물 2.5~7중량% 구성된 배합물을 알코올로 추출한 것과 상기 배합물을 주정으로 발효시킨 후 알코올을 이용해 발효시켜 추출한 위암의 예방 및 치료용 조성물의 제공과 그 제조방법에 대한 것이다.
摘要翻译：
本发明是从薏苡根和薏苡果在该组合物的预防和治疗用途的作为用于制备方法中，与来自薏苡的薏苡果为胃癌的水或醇溶剂中的根提取用于预防和治疗组合物，并进一步干燥薏苡的果实粉碎46-66按重量主组分％，并且所述外壳和所述干燥榆树1的根：将粉碎的14-24重量掺合物重量比1 ％，将干燥的粗糠和1根皮：按重量计发酵上述成分作为粉碎水14-24％，并且干燥生成根粉碎2.5〜7％（重量）由具有1的重量比混合的组合，并与醇为乙醇提取本发明涉及通过使用乙醇发酵获得的用于预防和治疗胃癌的组合物及其制备方法。

34. 发明申请

WO2017200321A1 펄프몰드 제조시스템 审中-公开
标题翻译：纸浆模具制造系统
公开(公告)号：WO2017200321A1
公开(公告)日：2017-11-23
申请号：PCT/KR2017/005181
申请日：2017-05-18
申请人： (주)이지기술 , 김태근
发明人： 김태근
IPC分类号： D21J3/12 , D21J3/00 , D21J1/06
CPC分类号： D21J1/06 , D21J3/00 , D21J3/12
摘要： 펄프몰드 제조시스템이 개시된다. 본 발명은 성형부와, 건조부를 포함하는 펄프몰드 성형시스템에 있어서, 상기 상하로 수직이동되어 원료함에 잠기고 상승하면서 펄프가 몰드되는 성형부에서 금형기 또는 원료함에 추가로 물막이부재가 마련되어, 금형기의 상하 이동에 따른 원료함 내부의 펄프의 와류현상을 완화시켜, 균일한 두께를 갖는 양호한 제품을 생산할 수 있는 펄프몰드 제조시스템을 제공한다.
摘要翻译：公开了一种纸浆模制造系统。本发明涉及一种纸浆模成形机，包括如模制部分，干燥，并上升锁定为垂直的材料移动到具有坝体构件附加地在成形部的纸浆模，上方和geumhyeonggi下面geumhyeonggi或原料的顶部和底部减轻在根据所述移动的材料的内部的纸浆的涡流现象，提供了一种能够产生具有均匀厚度的满意的产品的纸浆模压制造系统。

35. 发明申请

WO2011037297A1 멀티 펑션 4 비트/1 셀 비휘발성 퓨전 메모리 소자 및 그의 제조 방법 审中-公开
标题翻译：多功能4位/ 1单元非易失性存储器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2011037297A1
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：PCT/KR2009/006544
申请日：2009-11-09
申请人： 고려대학교 산학 협력단 , 김태근 , 안호명
发明人： 김태근 , 안호명
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L29/7923 , H01L21/28282 , H01L29/4234 , H01L29/42348
摘要： 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 펑션 4 비트/1셀 비휘발성 퓨전 메모리 소자는 반도체 기판, 제 1 터널링 옥사이드와 제 2 터널링 옥사이드, 제 1 전하 포획 영역과 제 2 전하 포획 영역, 제 3 터널링 옥사이드와 제 4 터널링 옥사이드, 제 3 전하 포획 영역과 제 4 전하 포획 영역, 제 5 터널링 옥사이드와 제 6 터널링 옥사이드, 제 5 전하 포획 영역과 제 6 전하 포획 영역, 블로킹 옥사이드, 제 1 게이트, 제 1 절연 옥사이드와 제 2 절연 옥사이드, 저항 변화 영역, 제 2 게이트 및 소오스와 드레인을 포함한다.
摘要翻译：根据本发明的一个实施例，一种多功能4位/ 1单元非易失性融合存储器件包括：半导体衬底; 第一隧道氧化物和第二隧道氧化物; 第一电荷陷阱区和第二电荷陷阱区; 第三隧道氧化物和第四隧道氧化物; 第三电荷陷阱区和第四电荷陷阱区; 第五隧道氧化物和第六隧道氧化物; 第五电荷陷阱区和第六电荷陷阱区; 阻塞氧化物; 第一门第一绝缘氧化物和第二绝缘氧化物; 电阻变化区域; 第二门以及源头和渠道。

36. 发明申请

WO2010143771A1 3차원 게이트를 갖는 멀티 비트 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조 방법 审中-公开
标题翻译：具有三维门的多位非易失性存储器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2010143771A1
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：PCT/KR2009/003508
申请日：2009-06-29
申请人： 고려대학교 산학 협력단 , 김태근 , 안호명 , 김희동
发明人： 김태근 , 안호명 , 김희동
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L21/28282 , H01L27/11578 , H01L29/7923
摘要： 본 발명의 일 실시예에 따른 3차원 게이트를 갖는 멀티 비트 비휘발성 메모리 소자는 반도체 기판, 반도체 기판의 소정의 영역에 육면체 형상으로 형성된 돌출부, 반도체 기판 내에 서로 분리되어 형성된 소오스 및 드레인, 돌출부를 따라서 형성되며, 소오스 및 드레인과 오버랩되도록 형성된 저항 변화 영역, 저항 변화 영역 상에 돌출부를 따라서 형성되며, 소오스 및 드레인과 오버랩되도록 형성된 전하 포획 영역, 전하 포획 영역 상에 상기 돌출부를 따라서 형성된 블로킹 옥사이드 및 블로킹 옥사이드 상에 상기 돌출부를 따라서 형성된 게이트를 포함한다.
摘要翻译：根据本发明的一个实施例的具有三维栅极的多位非易失性存储器件包括：半导体衬底; 在所述半导体衬底的预定区域中形成为六面体形状的突出单元; 在半导体衬底内彼此分离的源极和漏极; 电阻变化区域，沿着突出单元形成并形成为与源极和漏极重叠; 电荷捕捉区，沿着电阻变化区域中的突出单元形成并形成为与源极和漏极重叠; 沿着电荷捕获区域中的突出单元形成的阻挡氧化物; 以及沿阻挡氧化物上的突出单元形成的栅极。

37. 发明申请

WO2010143770A1 멀티 펑션 비휘발성 퓨전 메모리 소자 및 그의 제조 방법 审中-公开
标题翻译：多功能非易失性存储器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2010143770A1
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：PCT/KR2009/003506
申请日：2009-06-29
申请人： 고려대학교 산학 협력단 , 김태근 , 서유정 , 안호명
发明人： 김태근 , 서유정
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L21/28282 , H01L29/7923
摘要： 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 펑션 비휘발성 퓨전 메모리 소자는 반도체 기판, 반도체 기판 상에 형성된 제 1 저항 변화 영역, 제 1 저항 변화 영역 상에 형성된 전하 포획 영역, 전하 포획 영역 상에 형성된 제 2 저항 변화 영역, 제 2 저항 변화 영역 상에 형성된 게이트 및 반도체 기판 내에 서로 분리되어 형성된 소오스와 드레인을 포함한다.
摘要翻译：根据本发明的一个实施例的多功能非易失性融合存储器件包括：半导体衬底; 形成在所述半导体基板上的第一电阻变化区域; 形成在所述第一电阻变化区上的电荷捕获区; 形成在电荷捕获区上的第二电阻变化区; 形成在第二电阻变化区上的栅极; 以及在半导体衬底内彼此分离的源极和漏极。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式