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1. 发明申请

WO2017014441A1 전도성 필라멘트가 형성된 투명 전극을 포함하는 반도체 장치 및 이의 제조 방법 审中-公开
标题翻译：包含形成导电性纤维的透明电极的半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2017014441A1
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：PCT/KR2016/007056
申请日：2016-06-30
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김태근 , 이병룡
IPC分类号： H01L21/28 , H01B5/14 , H01B13/00
CPC分类号： H01B5/14 , H01B13/00 , H01L21/28
摘要： 본 발명은 전도성 필라멘트가 형성된 투명 전극을 포함하는 반도체 장치 및 이의 제조 방법을 공개한다. 본 발명은 전도성이 낮은 반도체층과 저항 변화 물질로 형성된 투명 전극의 경계 영역에 나노 단위의 금속으로 형성된 메탈 메쉬를 형성함으로써, 절연체인 투명 전극에 인가된 전계가 메탈 메쉬를 통해서 보다 효율적으로 저항 변화 물질 전체 영역으로 퍼지도록 함으로써, 보다 낮은 전압으로 균일한 밀도의 전도성 필라멘트를 형성할 수 있다. 또한, 투명 전극 아래에 형성된 나노 메탈 메쉬는 투명 전극을 통해서 유입된 전류를 반도체층 전체로 확산시키는 기능을 수행함으로써, 반도체 장치의 전류 주입 효율을 향상시킬 수 있다.
摘要翻译：公开了一种半导体器件，其包括其中形成有导电细丝的透明电极及其制造方法。本发明可以通过使施加到作为绝缘材料的透明电极的电场通过金属网更有效地扩展到可变电阻材料的整个区域中，从而形成具有低电压的均匀密度的导电细丝通过在由导电半导体层形成的透明电极和可变电阻材料的边界处形成由纳米级金属形成的金属网。此外，形成在透明电极下方的纳米金属网将通过透明电极引入的电流扩散到整个半导体层中，以提高半导体器件的电流注入效率。

2. 发明申请

WO2016208963A1 투명 전극 및 투명 전극 형성 방법 审中-公开
标题翻译：透明电极和形成透明电极的方法
公开(公告)号：WO2016208963A1
公开(公告)日：2016-12-29
申请号：PCT/KR2016/006619
申请日：2016-06-22
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김태근 , 김경헌
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 투명 전극 및 투명 전극 형성 방법을 공개한다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 투명 전극 형성 방법은 일정한 간격으로 서로 이격되도록, 저항 변화 물질로 저항 변화 돌출부를 형성하고, 각 저항 변화 돌출부마다 일일이 포밍 공정을 수행하여 그 내부에 전도성 필라멘트를 형성하여 저항 상태를 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화시킴으로써, 반도체 기판 전체에 균일하게 전도성 필라멘트가 형성된 투명전극을 형성할 수 있다. 따라서, 반도체 기판과 양호한 오믹 접촉을 형성하면서 반도체 기판 전체에 균일하게 전류를 주입할 수 있어 전류 확산 효율을 향상시킬 수 있다.
摘要翻译：公开了透明电极和形成透明电极的方法。根据本发明的优选实施方案，形成透明电极的方法可以形成透明电极，该透明电极具有均匀地形成在整个半导体衬底上的导电细丝，该透明电极通过形成具有可变电阻材料的可变电阻突起，该电阻突起与每个然后以预定间隔进行其他处理，然后对每个可变电阻突起进行形成处理，以在其中形成导电丝，以将电阻状态从高电阻状态改变为低电阻状态。因此，可以在与半导体衬底进行良好的欧姆接触的同时将电流均匀地注入整个半导体衬底，从而提高电流扩散效率。

3. 发明申请

WO2016204420A1 크로스바 어레이 구조의 메모리 장치 및 이의 제조 방법 审中-公开
标题翻译：具有跨栏阵列结构的存储器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2016204420A1
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：PCT/KR2016/005506
申请日：2016-05-25
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김태근 , 박주현
IPC分类号： H01L27/115 , H01L27/24
CPC分类号： H01L27/115 , H01L27/24
摘要： 본 발명은 크로스바 어레이 구조의 메모리 장치 및 이의 제조 방법을 공개한다. 본 발명은 크로스바 어레이 구조에 포함되는 복수의 저항 변화 메모리 셀들 내부에 다이오드가 포함되도록 구성하되, 전극을 공유하는 메모리 셀들에 포함된 다이오드의 순방향이 서로 교번적으로 반대로 설정되도록 하여, 각 메모리 셀의 다이오드의 순방향이 전극을 공유하는 인접한 메모리 셀들의 다이오드의 순방향과는 서로 반대이고, 전극을 공유하지 않는 대각선 방향의 인접 메모리 셀들의 다이오드의 순방향과는 서로 동일하도록 형성함으로써, 누설 전류를 크게 감소시켰다. 또한, 이렇게 누설 전류를 크게 감소시킴으로 인해서, 크로스바 어레이 구조의 메모리 장치의 판독 마진(Read Margin)을 증가시킴으로써 단위 면적당 더 많은 메모리 셀을 포함시킬 수 있어 집적도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
摘要翻译：公开了一种具有交叉列阵列结构的存储器件及其制造方法。本发明形成为包括在横列阵列结构中的多个电阻变化存储单元中的二极管，使得包含在共享电极的存储单元中的二极管的正向设置为彼此交替相对，各个存储单元的二极管的正向方向与共享电极的相邻存储单元的二极管的正向相反，并且与相邻存储单元的二极管的正向相反，沿对角线方向，不共用电极，使得漏电流明显降低。此外，泄漏电流的这种显着降低增加了具有交叉串阵列结构的存储器件的读取余量，从而使得能够在每单位面积上包含更多的存储器单元，从而可以提高积分度。

4. 发明申请

WO2015046766A1 투명 전극 및 이의 제조 방법 审中-公开
标题翻译：透明电极及其制造方法
公开(公告)号：WO2015046766A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：PCT/KR2014/008082
申请日：2014-08-29
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김태근 , 이병룡
IPC分类号： H01B5/14 , H01B13/00
CPC分类号： H01L31/022466 , H01L31/1884 , H01L33/42 , Y02E10/50
摘要： 본 발명은 인가되는 전계에 의해서 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되는 투명 재질의 저항 변화 물질로 투명 전극을 형성하고, 투명 전극에 전압을 인가하여 투명 전극의 저항상태를 저저항 상태로 변화시키는 포밍(forming) 공정을 수행하여 투명 전극이 전도성을 갖도록 함으로써, 투명 전극의 하부 또는 상부에 형성되는 반도체층과 양호한 오믹 특성을 나타내면서도, 가시광 영역뿐만 아니라 단파장의 자외선 영역의 빛에 대해서도 높은 투과도를 나타내는 투명 전극을 형성할 수 있다. 특히, 본 발명은 저항 변화 물질로 형성되는 투명 전극 내부에 나노 파티클 등을 포함시켜 전계를 집중시킴으로써 보다 낮은 전압으로 용이하게 포밍을 수행할 수 있고, 동일한 포밍 전압을 적용하는 경우에는 보다 두껍게 투명 전극을 형성하여 투명 전극의 강도 및 소자의 안전성을 강화시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 저항 변화 물질로 형성되는 투명 전극층을 복수로 적층하여 투명 전극을 형성함으로써 투명 전극의 두께를 두껍게 형성하여, 투명 전극의 강도 및 소자의 안전성을 강화시킬 수 있다. 특히, 복수의 투명 전극층 중 일부를 포밍이 잘되는 물질로 형성함으로써, 투명 전극의 두께를 두껍게 하면서도 포밍 전압을 감소시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 복수의 투명 전극층을 적층하여 투명 전극을 형성할 때, 상부로 갈수록 외부 공기층과의 굴절율 차이가 감소되도록 복수의 투명 전극층을 적층함으로써, 반도체층에서 발생되는 빛이 전반사되는 것을 방지하여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 반도체층 위에, 투명 전극 위에 형성되는 전극 패드 패턴에 대응되는 패턴으로 투명 전도층을 형성함으로써 광추출 효율을 저하를 최소화하면서도 포밍을 용이하게 하여, 투명 전극의 두께를 두껍게 형성할 수 있고, 따라서 투명 전극의 강도 및 소자 안전성을 강화시킬 수 있다.
摘要翻译：根据本发明，使用透明电阻改变材料形成透明电极，其电阻状态根据所施加的电场从高电阻状态变为低电阻状态; 通过向透明电极施加电压以将透明电极的电阻状态改变为低电阻状态使得透明电极具有导电性来进行形成处理; 结果，可以形成透明电极，其透明电极表现出良好的欧姆特性，其中形成在透明电极的下部或上部的半导体层，并且不仅相对于可见光的光而表现出高的透射率光线范围，也适用于紫外线范围内的短波长光。特别地，根据本发明，纳米颗粒等被包括在由电阻变化材料制成的透明电极内部，从而集中电场，使得可以在较低电压下容易地进行成型; 当施加相同的成形电压时，形成较厚的透明电极，从而提高透明电极的强度和器件的安全性。此外，根据本发明，由电阻变化材料制成的多个透明电极层被层叠以形成透明电极，从而形成厚度大的透明电极，提高透明电极的强度和安全性的设备。特别地，使用非常适合于形成的材料形成多个透明电极层的一部分，从而增加了透明电极的厚度并降低了形成电压。此外，当根据本发明堆叠多个透明电极层以形成透明电极时，多个透明电极层被堆叠成使得相对于外部空气层的折射率差异朝向上部从而防止由半导体层产生的光的全反射并提高光提取效率。此外，根据本发明，在半导体层上形成透明导电层，其形式与形成在透明电极上的电极焊盘图案对应，使得容易形成，同时使光提取效率的降低最小化，从而形成具有较大厚度的透明电极，从而提高透明电极的强度和装置的安全性。

5. 发明申请

WO2014196796A1 반도체 발광 소자 및 이를 제조하는 방법 审中-公开
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2014196796A1
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：PCT/KR2014/004950
申请日：2014-06-03
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김태근 , 윤민주
IPC分类号： H01L33/10
CPC分类号： H01L33/46
摘要： 본 발명은 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 하부 반사층 및 절연막에 수직 방향으로 길게 활성층을 형성하고, 활성층의 양측에 수직 방향으로 길게 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층을 형성하며, 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층 중 활성층에 접촉하지 않은 면에 접촉하도록 수직 방향으로 길게 한 쌍의 측면 반사층을 형성함으로써, 빛이 활성층의 길이 방향인 상부로 직접 방출되도록 구성하고, 측면에 형성된 한 쌍의 측면 반사층을 통해서 전류를 공급하였다. 따라서, 본 발명은 활성층의 일부를 제거하지 않으므로 종래의 수평형 발광 소자에 비하여 더 많은 양의 빛을 발생시킬 수 있고, 투명 전극을 통하지 않고 직접 빛을 방출하므로 종래의 수평형 발광 소자 및 수직형 발광 소자에 비하여 광 추출 효율이 뛰어나다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자는 반도체층 전체 영역에 대응되는 되는 영역에 n형 및 p형 전극을 형성하고, 전도성이 뛰어난 측면 반사층의 전체 면적을 통해서 전류를 공급하므로 전류가 일부 영역에 집중되는 current crowding 현상을 방지하여 광 효율을 향상시킬 수 있으며, n형 및 p형 전극 전체 면적(n형 및 p형 전극이 측면 반사층과 통합되어 형성된 경우에는 한 쌍의 측면 반사층 전체 면적)과 접촉하도록 리드 프레임을 연결하고 하부 반사층에 히트 슬러그를 연결하여 열을 외부로 방출함으로써 열 방출 효율이 뛰어나다.
摘要翻译：公开了一种半导体发光器件及其制造方法。根据本发明，有源层形成为在下反射层上沿垂直方向延伸，并且绝缘膜，第一半导体层和第二半导体层形成为在垂直方向上在两侧有源层和一对侧反射层形成为在垂直方向上伸长，以便接触不接触有源层的第一和第二半导体层的表面，使得光直接朝向上部对应于有源层的纵向的部分，并且通过形成在侧表面上的一对侧反射层提供电流。因此，根据本发明，没有去除有源层的一部分，从而产生比常规水平发光装置更大量的光，而不是通过透明电极直接发光，从而提供更好的光提取效率比传统的水平和垂直发光器件。此外，根据本发明的优选实施例的半导体发光器件具有形成在对应于半导体层的整个区域的区域中的n型和p型电极，并且电流通过具有优异的导电性，从而防止电流拥挤现象，即部分区域中的电流的集中，并提高光学效率。并且引线框架连接以接触n型和p型电极的整个区域（当n型和p型电极与侧反射层一体形成时，一对侧反射层的整个区域），并且散热块连接到下反射层以将热量排放到外部，从而提供优异的散热效率。

6. 发明申请

WO2013172511A1 투명 전극 형성 방법 및 이를 이용하여 제조된 반도체 장치 审中-公开
标题翻译：形成透明电极的方法和使用其制造的半导体器件
公开(公告)号：WO2013172511A1
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：PCT/KR2012/007254
申请日：2012-09-10
申请人： 고려대학교 산학협력단 , 김태근 , 김희동
发明人： 김태근 , 김희동
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/42
CPC分类号： H01L33/42 , H01L29/45 , H01L33/005 , H01L51/442 , H01L51/444 , H01L2933/0016
摘要： 본 발명은 투명 전극 형성 방법 및 이를 이용하여 투명 전극이 형성된 반도체 장치를 공개한다. 본 발명은 인가되는 전계에 의해서 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되는 투명 재질의 물질로 투명 전극을 형성하고, 투명 전극에 전압을 인가하여 투명 전극의 저항상태를 저저항 상태로 변화시키는 포밍(forming) 공정을 수행하여 투명 전극이 전도성을 갖도록 함으로써, 투명 전극의 하부 또는 상부에 형성되는 반도체층과 양호한 오믹 특성을 나타내면서도, 가시광 영역뿐만 아니라 단파장의 자외선 영역의 빛에 대해서도 높은 투과도를 나타내는 투명 전극을 형성할 수 있다.
摘要翻译：本发明提供一种形成透明电极的方法和通过使用其形成有透明电极的半导体器件。本发明能够：通过施加的电场将电阻状态从高电阻状态变为低电阻状态的透明材料形成透明电极; 透明电极通过进行向透明电极施加电压并将透明电极的电阻状态改变为低电阻状态的形成步骤而具有导电性，从而在半导体层的下部或上部形成半导体层透明电极，并且形成透明电极，除了可见光区域之外，其在短波长UV区域中相对于光显示出良好的欧姆特性和高磁导率。

7. 发明申请

WO2013137554A1 발광 소자 및 그 제조 방법 审中-公开
标题翻译：发光装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2013137554A1
公开(公告)日：2013-09-19
申请号：PCT/KR2013/000207
申请日：2013-01-10
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김태근 , 김수진
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/145 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/60 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058
摘要： 본 발명은 광 출력 특성을 향상시키면서 순방향 전압이 증가되는 것을 방지할 수 있는 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 일례로, 제 1 도전형 반도체층; 상기 제 1 도전형 반도체층에 접하는 활성층; 상기 활성층에 접하며, 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면에 패터닝된 홈이 형성된 제 2 도전형 반도체층; 상기 홈의 바닥에 형성된 전류 차단층; 상기 제 2 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면과 상기 홈의 측벽과 상기 전류 차단층을 따라 형성된 투명 전도층; 상기 투명 전도층 중 상기 제 2 도전형 반도체층과 접하는 면의 반대 면에 형성되는 반사층; 상기 반사층 중 상기 투명 전도층과 접하는 면의 반대 면에 형성되는 지지 기판; 및 상기 제 1 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면에 패터닝된 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 개시된다.
摘要翻译：本发明涉及能够在提高光输出特性的同时防止正向电压的增加的发光装置及其制造方法。该发光装置包括：第一导电半导体层; 与第一导电半导体层接触的有源层; 第二导电半导体层，其与有源层接触并且在与有源层接触的表面相对的表面上具有图案化的凹槽; 形成在所述槽的底部上的电流阻挡层; 沿着与所述有源层接触的所述第二导电半导体层的表面相对的表面，所述槽的侧壁和所述电流阻挡层形成的透明导电层; 反射层，形成在与所述第二导电半导体层接触的所述透明导电层的与所述透明导电层的表面相反的表面上; 支撑基板，形成在与所述透明导电层接触的与所述反射层的表面相反的表面上; 以及在与有源层接触的与第一导电半导体层的表面相对的表面上图案化的电极。

8. 发明申请

WO2012026704A2 광결정 패턴이 형성된 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 审中-公开
标题翻译：具有光子晶体图案的半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2012026704A2
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：PCT/KR2011/006033
申请日：2011-08-17
申请人： 고려대학교 산학협력단 , 김태근 , 안호명 , 심재인
发明人： 김태근 , 안호명 , 심재인
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/20 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/42 , H01L33/58 , H01L2933/0083 , H01L2933/0091
摘要： 본 발명은 2단계로 광결정 패턴이 형성된 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 반도체층 또는 투명 전극층에 형성된 제 1 광결정 패턴 내부에 제 2 광결정 패턴을 형성하여 광추출 효율을 향상시킨다. 또한, 본 발명은 제 1 광결정 패턴 내부에 나노 스케일의 미세한 제 2 광결정 패턴을 형성하기 위해서 폴리머 비드를 이용한 나노스피어 리소그라피 공정을 이용하였고, 폴리머 비드를 단일층으로 배치하기 위해서 열가소성 수지로 구현되는 트랩핑 레이어를 이용하여 간편하게 폴리머 비드를 단일층으로 형성함으로써, 종래의 나노스피어 리소그라피 공정시 폴리머 비드 사이즈에 따른 공정 변수를 일일이 계산하고 변경하는 불편함을 해소하였다.
摘要翻译：本发明公开了一种具有以两个步骤形成的光子晶体图案的半导体发光器件及其制造方法。本发明通过在形成于半导体层或透明电极层上的第一光子晶体图案中形成第二光子晶体图案来提高光提取效率。此外，本发明使用使用聚合物珠的纳米螺旋光刻工艺在第一光子晶体图案内形成纳米晶细第二光子晶体图案，通过包裹单层的层，并消除具有根据当聚合物珠尺寸改变时，常规纳米球光刻工艺，以计算所述处理参数的不便方便形成聚合物珠。

9. 发明申请

WO2022025372A1 전방위 반사경 구조를 가지는 마이크로 발광소자 및 그 제조방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2022025372A1
公开(公告)日：2022-02-03
申请号：PCT/KR2021/000673
申请日：2021-01-18
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김태근 , 손경락 , 임완기
IPC分类号： H01L33/44
摘要： 본 발명의 일 실시예에 따른 전방위 반사경 구조를 가지는 마이크로 발광소자는 기판; 상기 기판의 상면에 배치되고, 적어도 하나의 활성 영역을 포함하는 제 1 반도체층; 상기 활성 영역에 배치되는 활성층; 상기 활성층의 상면에 상기 제 1 반도체층 및 상기 활성층과 함께 반도체 셀을 이루도록 배치되는 제 2 반도체층; 상기 반도체 셀의 외측면을 둘러싸도록 배치되는 패시베이션층; 및 상기 패시베이션층을 둘러싸도록 배치되고, 상기 반도체 셀의 내부 영역으로부터 상기 패시베이션층을 경유하여 입사되는 광을 상기 반도체 셀의 내부 영역을 향하도록 반사시키는 반사층을 포함한다.

10. 发明申请

WO2018207972A1 투명하고 유연한 저항 변화 메모리 및 그 제조방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2018207972A1
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：PCT/KR2017/008409
申请日：2017-08-03
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김태근 , 이병룡
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/00
摘要： 본 발명은 OMO 구조의 투명 전극이 적용된 투명하고 유연한 저항 변화 메모리 및 그 제조방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 기판 상부에 적층되고 산화물층, 금속층 및 산화물층이 순차적으로 적층되는 구조로 형성된 하부 전극 및 상기 하부 전극과 교차하는 형태로 그 상부에 적층되고 산화물층, 금속층 및 산화물층이 순차적으로 적층되는 구조로 형성된 상부 전극을 포함하고, 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 간의 교차점에서 상기 하부 전극의 금속층과 상기 상부 전극의 금속층 사이에 위치한 산화물층이 저항 변화층으로 기능하게 함으로써, 우수한 전기전도도를 확보하면서 유연하고 투명한 저항 변화 메모리를 제공할 수 있다.

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