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21. 发明申请

WO2017177498A1 TFT基板及其制作方法审中-公开
公开(公告)号：WO2017177498A1
公开(公告)日：2017-10-19
申请号：PCT/CN2016/081967
申请日：2016-05-13
申请人：武汉华星光电技术有限公司
发明人：王涛
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L27/1222 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2001/13685 , G02F2202/104 , H01L21/0273 , H01L21/0335 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L27/1218 , H01L27/1248 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/66757 , H01L29/78618 , H01L29/78633 , H01L29/78675 , H01L29/78696
摘要：一种TFT基板及其制作方法，该TFT基板通过对TFT(400)中的有源层(410)的结构进行改进，使得有源层(410)的两侧均具有至少一个台阶，相比于现有技术中的有源层(410')，能够有效减弱有源层(410)两侧的尖端电场集中效应，使有源层(410)中载流子的浓度均匀，控制TFT(400)的输出电性，TFT(400)的质量高，TFT基板的工作稳定性强。TFT基板的制作方法，能够有效减弱TFT(400)中有源层(410)两侧的尖端电场集中效应，使有源层(410)中的载流子浓度均匀，控制TFT(400)的输出电性，TFT(400)的质量高，TFT基板的工作稳定性强。

22. 发明申请

WO2017034687A1 METHODS TO IMPROVE IN-FILM PARTICLE PERFORMANCE OF AMORPHOUS BORN-CARBON HARDMASK PROCESS IN PECVD SYSTEM 审中-公开
标题翻译：改进PECVD系统中非晶态碳纳米管工艺的膜内粒子性能的方法
公开(公告)号：WO2017034687A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：PCT/US2016/041560
申请日：2016-07-08
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： DUAN, Ziqing , LEE, Kwangduk Douglas , KHAJA, Abdul Aziz , BANSAL, Amit Kumar , KIM, Bok Hoen , KULSHRESHTHA, Prashant Kumar
IPC分类号： C23C16/32 , C23C16/02 , C23C16/44 , C23C16/505
CPC分类号： H01L21/0338 , C23C16/26 , C23C16/4404 , C23C16/455 , C23C16/45557 , C23C16/505 , C23C16/5096 , H01L21/02115 , H01L21/02274 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/31111 , H01L21/31122
摘要： Implementations of the present disclosure generally relate to the fabrication of integrated circuits. More particularly, the implementations described herein provide techniques for deposition of boron-containing amorphous carbon films on a substrate with reduced particle contamination. In one implementation, the method comprises flowing a hydrocarbon-containing gas mixture into a processing volume having a substrate positioned therein, flowing a boron-containing gas mixture into the processing volume, stabilizing the pressure in the processing volume for a predefined RF-on delay time period, generating an RF plasma in the processing volume after the predefined RF-on delay time period expires to deposit a boron-containing amorphous film on the substrate, exposing the processing volume of the process chamber to a dry cleaning process and depositing an amorphous boron season layer over at least one surface in the processing volume of the process chamber.
摘要翻译：本公开的实施方式一般涉及集成电路的制造。更具体地，本文所述的实施方案提供了用于在具有减少的颗粒污染的基底上沉积含硼无定形碳膜的技术。在一个实施方案中，该方法包括使含烃气体混合物流入具有位于其中的基底的处理体积，使含硼气体混合物流入处理体积中，将处理体积中的压力稳定在预定义的射频开启延迟时间段，在预定义的射频导通延迟时间段到期之后在处理容积中产生RF等离子体以在基底上沉积含硼非晶膜，将处理室的处理体积暴露于干法清洗过程中并沉积非晶态硼化季节层在处理室的处理体积中的至少一个表面上。

23. 发明申请

WO2016101400A1 低温多晶硅TFT基板的制作方法及其结构审中-公开
公开(公告)号：WO2016101400A1
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：PCT/CN2015/072557
申请日：2015-02-09
申请人：深圳市华星光电技术有限公司
发明人：卢改平
IPC分类号： H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1274 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/02678 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/223 , H01L21/26513 , H01L21/283 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/31144 , H01L21/32133 , H01L21/324 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L27/1218 , H01L27/1222 , H01L27/1229 , H01L27/124 , H01L27/1285 , H01L27/1288 , H01L29/04 , H01L29/0847 , H01L29/16 , H01L29/4908 , H01L29/495 , H01L29/4958 , H01L29/66598 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78675 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：提供一种低温多晶硅TFT基板的制作方法及其结构，该方法包括：步骤1、提供基板（1），沉积缓冲层（2）；步骤2、沉积非晶硅层（3）；步骤3、沉积并图案化氧化硅层（4）；步骤4、以氧化硅层（4）为光罩，对非晶硅层（3）进行准分子激光退火处理，使其结晶、转变为多晶硅层；步骤5、形成第一多晶硅段（31）与第二多晶硅段（32）；步骤6、在第一多晶硅段（31）、第二多晶硅段（32）上定义出N型重掺杂和N型轻掺杂区域，并得到轻掺杂漏区；步骤7、沉积并图案化栅极绝缘层（5）；步骤8、形成第一栅极（61）、及第二栅极（62）；步骤9、形成过孔（70）；步骤10、形成第一源／漏极（81）、及第二源／漏极（82）。

24. 发明申请

WO2016036533A1 NANOCRYSTALLINE DIAMOND CARBON FILM FOR 3D NAND HARDMASK APPLICATION 审中-公开
标题翻译：用于3D NAND HARDMASK应用的NANOCRYSTALLINE DIAMOND CARBON FILM
公开(公告)号：WO2016036533A1
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：PCT/US2015/046713
申请日：2015-08-25
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： CHEN, Yongmei , NGAI, Christopher, S. , LIU, Jingjing , XUE, Jun , YING, Chentsau , GODET, Ludovic
IPC分类号： H01L21/027 , H01L27/115 , H01L27/108
CPC分类号： H01L21/0332 , C23C16/26 , C23C16/27 , C23C16/274 , C23C16/279 , H01L21/02115 , H01L21/02274 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/31111 , H01L21/31122 , H01L21/31144 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L29/49 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/4975 , H01L29/51 , H01L29/518
摘要： A nanocrystalline diamond layer for use in forming a semiconductor device and methods for using the same are disclosed herein. The device can include a substrate with a processing surface and a supporting surface, a device layer formed on the processing surface and a nanocrystalline diamond layer formed on the processing layer, the nanocrystalline diamond layer having an average grain size of between 2 nm and 5 nm. The method can include positioning a substrate in a process chamber, depositing a device layer on a processing surface, depositing a nanocrystalline diamond layer on the device layer, the nanocrystalline diamond layer having an average grain size of between 2 nm and 5 nm, patterning and etching the nanocrystalline diamond layer, etching the device layer to form a feature and ashing the nanocrystalline diamond layer from the surface of the device layer.
摘要翻译：本文公开了用于形成半导体器件的纳米晶体金刚石层及其使用方法。该器件可以包括具有处理表面和支撑表面的衬底，形成在处理表面上的器件层和形成在处理层上的纳米晶体金刚石层，该纳米晶体金刚石层的平均晶粒尺寸在2nm和5nm之间。该方法可以包括将衬底定位在处理室中，在处理表面上沉积器件层，在器件层上沉积纳米晶体金刚石层，平均晶粒尺寸在2nm和5nm之间的纳米晶体金刚石层，图案化和蚀刻纳米晶体金刚石层，蚀刻器件层以形成特征并从器件层的表面灰化纳米晶体金刚石层。

25. 发明申请

WO2015159705A1 荷電粒子線装置および検査装置审中-公开
标题翻译：充电颗粒光束装置和检测装置
公开(公告)号：WO2015159705A1
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：PCT/JP2015/060205
申请日：2015-03-31
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：山口　敦子 , 井上　修 , 川田　洋揮
IPC分类号： H01L21/66 , G01B15/00
CPC分类号： H01L22/12 , H01J37/244 , H01J37/28 , H01J37/285 , H01J2237/221 , H01J2237/24592 , H01J2237/2809 , H01J2237/2814 , H01J2237/2817 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L22/00
摘要： SADPを複数回用いて形成された微細ライン＆スペースパターンであってもイニシャルコアの位置を高精度に特定可能な荷電粒子線装置を提供するために、荷電粒子線装置において、複数のライン状パターンを有する試料８０７への荷電粒子線の照射により試料から放出された二次荷電粒子を検出する検出器８１０と、二次荷電粒子の信号に基づく試料の表面の画像データを表示する表示部８１７と、画像データから複数のライン状パターンに対するＬＥＲ値を算出する算出部８１２と、その値同士を比較してイニシャルコアの位置を判定する判定部８１６とを有する。
摘要翻译：提供了即使在使用SADP多次形成的细线和空间图案中，也能够以高精度识别初始芯的位置的带电粒子束装置。带电粒子束装置具有：检测器（810），用于检测从带电粒子束照射的样品（807）发射的二次带电粒子，所述样品具有多个线状图案; 显示单元，用于根据二次带电粒子的信号显示样品表面的图像数据; 计算单元（812），用于根据图像数据计算线状图案的LER值; 以及确定单元（816），用于通过将所计算的LER值彼此进行比较来确定初始核心的位置。

26. 发明申请

WO2015053194A1 ポリ酸を含むメタル含有レジスト下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：含金属含氟薄膜成膜组合物含聚氨酯
公开(公告)号：WO2015053194A1
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：PCT/JP2014/076574
申请日：2014-10-03
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：中島　誠 , 柴山　亘 , 若山　浩之 , 武田　諭
IPC分类号： G03F7/11 , C08G77/04 , G03F7/26 , H01L21/027 , G03F7/40
CPC分类号： C09D183/04 , C08G77/04 , C08G77/06 , C08G77/26 , C08G77/58 , C08G77/80 , C08K3/22 , C08K3/24 , C08K2003/2244 , C08L83/04 , C08L85/00 , C09D1/00 , C09D5/00 , C09D5/006 , C09D7/61 , C09D183/08 , C09D183/14 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L21/0271 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/0338
摘要：　（Ａ）成分：イソポリ酸若しくはヘテロポリ酸又はそれらの塩又はそれらの組み合わせと、　（Ｂ）成分：ポリシロキサン、ポリハフニウムオキサイド若しくは酸化ジルコニウム又はそれらの組み合わせとを含み、　（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計量に基づいて（Ａ）成分を０．１乃至８５質量％の割合で含有するレジスト下層膜形成組成物であって、　該ポリシロキサンが、Ｒ 1 a Ｒ 2 b Ｓｉ(Ｒ 3 ) 4-(a+b) で示される加水分解性シランの加水分解縮合物であり、（ａ＋ｂ）が０である加水分解性シランが全加水分解性シラン中６０乃至８５モル％含まれているものであり、　該ポリハフニウムオキサイドが、Ｈｆ(Ｒ 4 ) 4 で示される加水分解性ハフニウムの加水分解縮合物であり、　該酸化ジルコニウムが、Ｚｒ(Ｒ 5 ) 4 、若しくはＺｒＯ(Ｒ 6 ) 2 で示される加水分解性ジルコニウム、又はそれらの組み合わせの加水分解縮合物である組成物。
摘要翻译：含有组分（A）的抗蚀剂下层膜形成组合物，其为异多元酸，杂多酸，多元酸或杂多酸的盐或这些物质的组合，和组分（B），其为聚硅氧烷，聚（氧化铪），氧化锆或这些物质的组合，并且其中组分（A）的含量相对于组分（A）和组分（B）的总量为0.1-85质量％。聚硅氧烷是由R1 aR2 bSi（R3）4-（a + b）表示的可水解硅烷与下式所代表的可水解硅烷的水解缩合产物：其中（a + b）为0，以相对于其中所含的所有可水解硅烷为60-85摩尔％。聚（铪氧化物）是由Hf（R 4）4表示的可水解铪的水解缩合产物。氧化锆是由Zr（R 5）4或ZrO（R 6）2表示的可水解锆的水解缩合产物或这些物质的组合。

27. 发明申请

WO2014122055A1 MASKING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICES WITH HIGH SURFACE TOPOGRAPHY 审中-公开
标题翻译：具有高表面形貌的半导体器件的掩模方法
公开(公告)号：WO2014122055A1
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：PCT/EP2014/051715
申请日：2014-01-29
申请人： AMS AG
发明人： KOPPITSCH, Günther , STÜCKLER, Ewald , ROHRACHER, Karl , TEVA, Jordi
IPC分类号： G03F7/09 , H05K3/00
CPC分类号： H01L21/76882 , G03F7/094 , H01L21/0335 , H01L21/7685 , H01L21/76883 , H01L21/76898
摘要： The method comprises the steps of providing a semiconductor body or substrate (1) with a recess or trench (2) in a main surface (10), applying a mask (3) on the main surface, the mask covering the recess or trench, so that the walls and bottom of the recess or trench and the mask together enclose a cavity (4), which is filled with a gas, and forming at least one opening (5) in the mask at a distance from the recess or trench, the distance (6) being adapted to allow the gas to escape from the cavity via the opening when the gas pressure exceeds an external pressure.
摘要翻译：该方法包括以下步骤：在主表面（10）中提供具有凹槽或沟槽（2）的半导体主体或衬底（1），在主表面上施加掩模（3），覆盖凹部或沟槽的掩模，使得凹部或沟槽和面罩的壁和底部一起包围填充有气体的空腔（4），并且在距离凹部或沟槽一定距离处的掩模中形成至少一个开口（5）所述距离（6）适于当所述气体压力超过外部压力时允许所述气体经由所述开口从所述空腔逸出。

28. 发明申请

WO2014046055A1 ヘテロ原子を有する環状有機基含有シリコン含有レジスト下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：具有含硅膜的薄膜成膜组合物，其中含有具有异质性的循环有机组
公开(公告)号：WO2014046055A1
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：PCT/JP2013/074881
申请日：2013-09-13
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：菅野　裕太 , 中島　誠 , 高瀬　顕司 , 武田　諭 , 若山　浩之
IPC分类号： G03F7/11 , C08G77/26 , C08G77/28 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0332 , C08G77/14 , C08G77/26 , C08G77/28 , C08G77/80 , C08L83/06 , C08L83/08 , C09D183/04 , C09D183/06 , C09D183/08 , G03F7/0752 , G03F7/09 , G03F7/11 , H01L21/0276 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/0338
摘要：【課題】　リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】　シランとして加水分解性オルガノシラン、その加水分解物及びその加水分解縮合物のうちの少なくとも１種を含み、該シランが炭素原子と窒素原子とそれらの原子以外のヘテロ原子とを環構成原子に含む環状有機基を有するシランを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。上記加水分解性オルガノシランが式（１）：（式（１）中、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３のうち少なくとも１つの基は炭素原子数１乃至１０のアルキレン基を介して－Ｓｉ（Ｘ）３基が結合した基を表し、残りの基は水素原子、炭素原子数１乃至１０のアルキル基、又は炭素原子数６乃至４０のアリール基を表し、環Ａは環構成原子として炭素原子と少なくとも１つの窒素原子を含み、更に硫黄原子又は酸素原子を含む５乃至１０員環の環状有機基であり、Ｘはアルコキシ基、アシルオキシ基、又はハロゲン原子を表す。）で表される加水分解性オルガノシランである。
摘要翻译： [问题]提供一种用于光刻的抗蚀剂下层膜形成组合物。 [解决方案]用于光刻的抗蚀剂下层膜形成组合物，其含有选自可水解有机硅烷中的至少一种物质，其水解产物和水解缩合产物作为硅烷，所述硅烷含有具有环状有机硅烷作为构成环的原子含有除碳原子和氮原子以外的碳原子，氮原子和杂原子的基团。可水解的有机硅烷由式（1）表示。（式（1）中，R 1，R 2和R 3中的至少一个基团表示-Si（X）3基团通过具有1-10个碳原子的亚烷基键合的基团，其余各自表示氢原子，具有1-10个碳原子的烷基或具有6-40个碳原子的芳基;环A表示五至十元环状有机基团，其包含作为构成环的原子，碳原子和至少一个氮原子，另外含有硫原子或氧原子; X表示烷氧基，酰氧基或卤原子。）

29. 发明申请

WO2016098452A8 SUBSTRATE FOR MASK BLANK, MASK BLANK, METHODS FOR MANUFACTURING SUBSTRATE FOR MASK BLANK AND MASK BLANK, METHOD FOR MANUFACTURING TRANSFER MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译：用于掩模坯体的基底，掩模坯体，用于制造掩模坯体和掩模坯体的基底的方法，制造转移掩模的方法以及制造半导体装置的方法
公开(公告)号：WO2016098452A8
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：PCT/JP2015080088
申请日：2015-10-26
申请人： HOYA CORP
发明人： IKEBE YOHEI , TANABE MASARU
IPC分类号： G03F1/60 , C03C17/36 , G03F1/24 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/60 , C03C17/36 , C03C17/3602 , C03C2217/254 , C03C2217/26 , C03C2217/28 , C03C2218/156 , G03F1/22 , G03F1/24 , G03F7/20 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/0338
摘要： The purpose of the present invention is to provide a substrate for a mask blank, a mask blank, and a transfer mask, facilitating the correction of a wavefront using a wavefront correction function in an exposure device. The purpose of the present invention also includes providing methods for manufacturing these products. A virtual plane profile is assumed to optically form in effect, a flat reference plane profile defined by the Zernike polynomials constituted by only terms with 2nd order or less of the variables in relation to a radius and including one or more terms with 2nd order of the variables in relation to a radius. A substrate for a mask blank is selected to have data (a PV value) of 25 nm or less, which is representing a difference between the maximum value and the minimum value of the difference waveform between a composite plane profile acquired by synthesizing each plane profile of two principal surfaces and the virtual plane profile.
摘要翻译：本发明的目的在于提供一种用于掩模坯体，掩模坯体和转印掩模的基板，便于利用曝光装置中的波前校正功能来校正波前。本发明的目的还包括提供用于制造这些产品的方法。假定虚拟平面轮廓实际上是光学形成的，由Zernike多项式定义的平坦基准平面轮廓由仅由具有与半径有关的变量的二阶或更少的项构成，并且包括一个或多个具有二阶相对于半径的变量。选择用于掩模基板的基板以具有25nm或更小的数据（PV值），该数据表示通过合成每个平面轮廓获得的合成平面轮廓之间的差异波形的最大值和最小值之间的差值两个主要表面和虚拟平面轮廓。

30. 发明申请

WO2016098452A1 マスクブランク用基板、マスクブランク及びこれらの製造方法、転写用マスクの製造方法並びに半導体デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：用于掩模空白，掩模空白的基板，用于制造掩模层和掩模层的基板的方法，用于制造转印掩模的方法和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2016098452A1
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：PCT/JP2015/080088
申请日：2015-10-26
申请人： HOYA株式会社
发明人：池邊　洋平 , 田辺　勝
IPC分类号： G03F1/60 , C03C17/36 , G03F1/24 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/60 , C03C17/36 , C03C17/3602 , C03C2217/254 , C03C2217/26 , C03C2217/28 , C03C2218/156 , G03F1/22 , G03F1/24 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/0338
摘要：　露光装置の波面補正機能によって、波面の補正がしやすいマスクブランク用基板、マスクブランク、転写用マスクを提供することである。また、これらの製造方法を提供することを目的とし、　半径に係る変数の次数が２次以下の項のみで構成され、かつ半径に係る変数の次数が２次の項を１以上含むゼルニケ多項式によって定義される光学的に実効的な平坦基準面形状となる仮想表面形状を設定し、２つの主表面の各表面形状を合成することにより得られる合成表面形状と仮想表面形状との差分形状の最大値と最小値の差のデータ（ＰＶ値）が２５ｎｍ以下となるマスクブランク用基板を選別する。
摘要翻译：本发明的目的是提供一种用于掩模坯料，掩模坯料和转印掩模的衬底，便于在曝光装置中使用波前校正功能校正波前。本发明的目的还包括提供制造这些产品的方法。虚拟平面轮廓被假设为有效地形成由Zernike多项式定义的平坦参考平面轮廓，该平面参考平面轮廓由仅由与半径相关的变量的二阶或更小的项构成，并且包括一个或多个具有二阶与半径相关的变量。选择用于掩模板的衬底以具有25nm或更小的数据（PV值），其表示通过合成每个平面轮廓而获得的复合平面轮廓之间的差异波形的最大值和最小值之间的差异的两个主表面和虚拟平面轮廓。

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