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21. 发明申请

WO2017067983A1 LEUCHTDIODENCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LEUCHTDIODENCHIPS 审中-公开
标题翻译：光二极管芯片和用于产生照射的二极管芯片的方法
公开(公告)号：WO2017067983A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：PCT/EP2016/075092
申请日：2016-10-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BAUR, Johannes
IPC分类号： H01L33/30 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L33/00 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/42
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/0079 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/30 , H01L33/387 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2933/0025
摘要： In einer Ausführungsform umfasst der Leuchtdiodenchip (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2), die auf InGaAlP basiert und zur Erzeugung von Licht eingerichtet ist. Eine Stromaufweitungsschicht (3) befindet sich direkt an der Halbleiterschichtenfolge (2) und basiert auf AlGaAs. Eine Verkapselungsschicht (4) ist stellenweise direkt auf der Stromaufweitungsschicht (3) und/oder auf der Halbleiterschichtenfolge (2) aufgebracht. Eine mittlere Dicke der Verkapselungsschicht (4) liegt zwischen 10 nm und 200 nm und eine Defektdichte beträgt höchstens 10/mm 2 . Auf der Verkapselungsschicht (4) ist eine Abdeckschicht (5) aufgebracht. An einer der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Seite der Stromaufweitungsschicht (3) befindet sich eine nichtmetallische Reflexionsschicht (6), die zur Totalreflexion von Strahlung eingerichtet ist. Die Reflexionsschicht (6) ist direkt oder indirekt von der Verkapselungsschicht (4) bedeckt. An einer der Stromaufweitungsschicht (3) abgewandten Seite der Reflexionsschicht (6) befindet sich zumindest eine Spiegelschicht (71) und/oder eine Haftvermittlungsschicht (72).
摘要翻译：在一个实施例中，发光二极管芯片（1）包括基于InGaAlP并被设计为产生光的半导体层序列（2）。电流扩展层（3）直接位于半导体层序列（2）上并且基于AlGaAs。在电流扩展层（3）上和/或在半导体层序列（2）上直接施加封装层（4）。封装层（4）的平均厚度在10nm和200nm之间，并且缺陷密度至多10个/ mm 2。在封装层（4）上施加覆盖层（5）。在电流扩散层（3）的远离半导体层序列（2）的一侧上存在非金属反射层（6），其设置用于辐射的全反射。反射层（6）被封装层（4）直接或间接覆盖。在反射层（6）的远离电流扩展层（3）的一侧上设置至少一个镜层（71）和/或增粘层（72）。

22. 发明申请

WO2016071340A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG ZUMINDEST EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS, OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP SOWIE OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法用于生产至少一个光电子半导体芯片，光电半导体芯片和光电半导体器件
公开(公告)号：WO2016071340A1
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：PCT/EP2015/075602
申请日：2015-11-03
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BAUR, Johannes , HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/44 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/52 , H01L33/54 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/486
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, aufweisend: - eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer Haupterstreckungsebene, einer aktiven Schicht (12) und einer Bodenfläche (1c), - einen Träger (41) der an der Bodenfläche (1c) der Halbleiterschichtenfolge (1) angeordnet ist und eine der Bodenfläche (1c) abgewandte Grundfläche (41c) aufweist und - eine Verbindungsschichtenfolge (3), die in einer vertikalen Richtung zumindest stellenweise zwischen der Halbleiterschichtenfolge (1) und dem Träger (41) angeordnet ist, wobei - der Träger (41) die Halbleiterschichtenfolge(1) lateral um höchstens 10 µm überragt.
摘要翻译：提供了一种光电子半导体芯片（10），包括： - 具有主延伸平面的半导体层序列（1），有源层（12）和底表面（1c）中， - 所述底表面（1C）半导体层序列中的一个支撑件（41），（1）和所述底面中的一个（1C）远离所述基座（41C），以及 - 其中在所述半导体层序列（1）和支撑（41）之间至少局部地布置在垂直方向上的连接层序列（3）， - 该载体（41），该半导体层序列（1）横向地突出超过不超过10微米。

23. 发明申请

WO2014161738A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND OPTOELEKTRONISCHES MODUL 审中-公开
标题翻译：光电半导体芯片和光电模块
公开(公告)号：WO2014161738A1
公开(公告)日：2014-10-09
申请号：PCT/EP2014/055835
申请日：2014-03-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HAHN, Berthold , BAUR, Johannes
IPC分类号： H01L25/04 , H01L31/02 , H01L25/075 , H01L33/62 , H01L31/0224 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/62 , H01L25/042 , H01L25/0753 , H01L31/02002 , H01L31/0203 , H01L31/0224 , H01L31/0516 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/486 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , Y02E10/50 , H01L2924/00014
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5) und einen auf dem Träger (5) angeordneten Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist, wobei - die Halbleiterschichtenfolge einen aktiven Bereich (20) umfasst, der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist und zur Erzeugung oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehen ist; - die erste Halbleiterschicht (21) elektrisch leitend mit einem ersten Kontakt (41) und mit einem zweiten Kontakt (42) verbunden ist; - der erste Kontakt auf einer dem Halbleiterkörper zugewandten Vorderseite (51) des Trägers ausgebildet ist; - der zweite Kontakt auf einer vom Halbleiterkörper abgewandten Rückseite (52) des Trägers ausgebildet ist; und - der erste Kontakt und der zweite Kontakt elektrisch leitend miteinander verbunden sind. Weiterhin wird ein optoelektronisches Modul (10) angegeben. der erste Kontakt auf einer dem Halbleiterkörper zugewandten Vorderseite (51) des Trägers ausgebildet ist;-der zweite Kontakt auf einer vom Halbleiterkörper abgewandten Rückseite (52) des Trägers ausgebildet ist; und -der erste Kontakt und der zweite Kontakt elektrisch leitendm iteinander verbunden sind. Weiterhin wird ein optoelektronisches Modul (10) angegeben.
摘要翻译：（5），其布置在半导体本体，提供一种光电子半导体芯片（1），包括在载体上的支撑件（5）和（2）之一具有半导体层序列，其特征在于， - 半导体层序列包括第一之间的有源区（20）半导体层（21）和第二半导体层（22）被布置和被设置用于生成或接收的辐射; - 在第一半导体层（21）被导电地连接到第一接触（41）和具有第二触点（42）连接; - 被形成在面向所述载体的所述半导体主体前表面（51）的一侧上的第一接触; - 形成，从所述载体的半导体本体后侧（52）背向上侧的第二接触; 以及 - 所述第一接触和第二接触被电相互连接。此外，光电模块（10）被指定。 -the第二触头的一侧远离形成在载体的半导体本体后侧（52），形成在侧朝向载体的半导体本体前表面（51）的第一接触; 和-the第一接触和第二接触被电连接leitendm SHARINGTIME。此外，光电模块（10）被指定。

24. 发明申请

WO2020244949A1 HALBLEITERBAUELEMENT MIT STRAHLUNGSKONVERSIONSELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON STRAHLUNGSKONVERSIONSELEMENTEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2020244949A1
公开(公告)日：2020-12-10
申请号：PCT/EP2020/064398
申请日：2020-05-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BAUR, Johannes , STEEGMÜLLER, Ulrich
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/04 , H01L33/00
摘要： Es wird ein Halbleiterbauelement (1) mit einen Halbleiterchip (2) und einem Strahlungskonversionselement (3), das auf dem Halbleiterchip angeordnet ist, angegeben, wobei der Halbleiterchip einen zur Erzeugung einer Primärstrahlung (5) mit einer Peakwellenlänge vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist, das Strahlungskonversionselement eine Quantenstruktur (30) aufweist, die Peakwellenlänge der Primärstrahlung im infraroten Spektralbereich liegt, und die Quantenstruktur die Primärstrahlung zumindest teilweise in Sekundärstrahlung (6) umwandelt, wobei eine Emissionswellenlänge eines Emissionsmaximums der Sekundärstrahlung größer ist als die Peakwellenlänge. Weiterhin wird ein Verfahren zum Herstellen von Strahlungskonversionselementen angegeben.

25. 发明申请

WO2017009331A1 BAUELEMENT MIT VERBESSERTEN AUSKOPPELEIGENSCHAFTEN 审中-公开
标题翻译：具有改进的AUSKOPPELEIGENSCHAFTEN COMPONENT
公开(公告)号：WO2017009331A1
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：PCT/EP2016/066525
申请日：2016-07-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MAUTE, Markus , HÖPPEL, Lutz , MOOSBURGER, Jürgen , SCHWARZ, Thomas , SABATHIL, Matthias , WIRTH, Ralph , LINKOV, Alexander , BAUR, Johannes
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/30 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/405 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0083 , H01L2933/0091
摘要： Es wird ein Bauelement (100) mit einem Träger (1) und einem auf dem Träger angeordneten Halbleiterkörper (2) angegeben, wobei der Halbleiterkörper eine aktive Schicht (23) aufweist, die im Betrieb des Bauelements zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung (L) eingerichtet ist. Das Bauelement weist außerdem eine elektrische Kontaktschicht (61) auf einer Strahlungsaustrittsfläche auf, wobei das Bauelement in unmittelbarer Umgebung der elektrischen Kontaktschicht eine Abschirmungsstruktur (4) enthält, die dazu eingerichtet ist, ein Auftreffen der von der aktiven Schicht erzeugten elektromagnetischen Strahlung auf die Kontaktschicht zu verhindern.
摘要翻译：据上述（1）和，布置在所述载体上的半导体主体（2），具有载体的组件（100），其中，具有在装置的操作过程中的活性层（23），该组（L），用于产生电磁辐射的半导体主体是。该装置还包括适于产生从所述接触层上的有源层的电磁辐射所产生的的冲击上的辐射出射表面上的电接触层（61），其中，在所述电接触层的附近，该装置包括一个屏蔽结构（4）预防。

26. 发明申请

WO2018153994A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
公开(公告)号：WO2018153994A1
公开(公告)日：2018-08-30
申请号：PCT/EP2018/054400
申请日：2018-02-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： RUDOLPH, Andreas , BRÖLL, Markus , SCHMID, Wolfgang , BAUR, Johannes , BEHRINGER, Martin Rudolf
IPC分类号： H01L33/06
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) beschrieben, umfassend: -einen p-Typ-Halbleiterbereich (4), -einen n-Typ-Halbleiterbereich (9), -eine zwischen dem p-Typ-Halbleiterbereich (4) und dem n-Typ-Halbleiterbereich (9) angeordnete aktive Schicht (6), die als Mehrfach-Quantentopfstruktur (6A, 6B) ausgebildet ist und abwechselnde Quantentopfschichten (6A) und Barriereschichten (6B) aufweist, wobei die Quantentopfschichten (6A) zur Emission einer ersten Strahlung (21) in einem ersten Wellenlängenbereich geeignet sind, und -mindestens eine weitere Quantentopfschicht (7A), die außerhalb der Mehrfach-Quantentopfstruktur (6A, 6B) angeordnet ist und zur Emission einer zweiten Strahlung (22) in einem zweiten Wellenlängenbereich geeignet ist, wobei -der erste Wellenlängenbereich im für das menschliche Auge unsichtbaren infraroten Spektralbereich liegt, und -der zweite Wellenlängenbereich Wellenlängen umfasst, die zumindest zum Teil für das menschliche Auge sichtbar sind.

27. 发明申请

WO2017089198A1 LEUCHTDIODENCHIP MIT EINER REFLEKTIERENDEN SCHICHTENFOLGE 审中-公开
标题翻译：具有反射层成功的光二极管芯片
公开(公告)号：WO2017089198A1
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：PCT/EP2016/077859
申请日：2016-11-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BAUR, Johannes , SCHMID, Wolfgang
IPC分类号： H01L33/46 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L33/14 , H01L33/20
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/405 , H01L33/44
摘要： Es wird ein Leuchtdiodenchip (1) angegeben, mit - einem Träger (10), - einer Halbleiterschichtenfolge (2), - einer reflektierenden Schichtenfolge, die bereichsweise zwischen dem Träger (10) und der Halbleiterschichtenfolge (2) angeordnet ist, wobei die reflektierende Schichtenfolge (8) eine der Halbleiterschichtenfolge (2) zugewandte dielektrische Schicht (83) und eine von der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandte metallische Spiegelschicht (81) aufweist, und - einer Verkapselungsschicht (9), die stellenweise zwischen dem Träger (10) und der reflektierenden Schichtenfolge (8) angeordnet ist, wobeisich die Verkapselungsschicht (9) stellenweise durch die reflektierende Schichtenfolge (8) hindurch in die Halbleiterschichtenfolge (2) hinein erstreckt und auf diese Weise einen Trennsteg (91) ausbildet, der einen Innenbereich (51) der reflektierenden Schichtenfolge (8) von einem Randbereich (52) der reflektierenden Schichtenfolge (8) trennt.
摘要翻译：
本发明公开了一种发光二极管芯片（1），具有： - 一个载体AUML; GER（10）， - 一个半导体层序列（2）， - 反射层序列，晶体管AUML之间的区域; GER（10）和半导体层序列（2）布置，其中所述反射层序列（8）（2）面向所述电介质层（83）和从该半导体层序列中的一个（2）金属镜层（81）背向，和半导体层序列的 - 封装层（9）其提供，之间的Tr的BEAR布置GER（10）和反射层序列（8）中，封装层（9）whereinthe组，由反射层序列（8）到半导体层序列（2）延伸，并且以这种方式分隔片（8）的内部区域（51）与所述反射层序列（8）的边缘区域（52）分隔的第一区域（91）

28. 发明申请

WO2017009281A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件及其制造方法的光电子半导体器件
公开(公告)号：WO2017009281A1
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：PCT/EP2016/066418
申请日：2016-07-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BAUR, Johannes , MOOSBURGER, Jürgen , HÖPPEL, Lutz , MAUTE, Markus , SCHWARZ, Thomas , SABATHIL, Matthias , WIRTH, Ralph , LINKOV, Alexander
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/42
CPC分类号： H01L33/387 , H01L33/42 , H01L2933/0016
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil(10) angegeben umfassend einen Licht emittierenden Halbleiterkörper (1) mit einer Abstrahlseite (1a), eine Stromaufweitungsschicht (2), welche an der Abstrahlseite (1a) des Halbleiterkörpers (1) angeordnet ist und diese zumindest teilweise abdeckt, wobei die Stromaufweitungsschicht (2) ein für das vom Halbleiterkörper (1) abgestrahlte Licht transparentes elektrisch leitfähiges Material (2a) und Partikel(2b) eines weiteren Materials umfasst, und einen elektrischen Kontakt (3), welcher auf einer dem Halbleiterkörper (1) abgewandten Seite (2c) der Stromaufweitungsschicht (2) angeordnet ist.
摘要翻译：它是一种光电子半导体器件（10），提供一种包括发射光的半导体主体（1）与放射侧（1a）中，电流扩散层（2），其在所述半导体主体（1）的出射侧（1a）和覆盖其至少部分地，其中，所述电流扩展层（2）包括一个由半导体本体照射的（1）光透明的导电材料（2a）和粒子（2b）的另一种材料，和一个电触点（3），其从半导体本体背向的（1）的侧面（2c）的所述电流扩散层（2）。

29. 发明申请

WO2015074900A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT INTEGRIERTEM ESD-SCHUTZ 审中-公开
标题翻译：集成ESD保护的光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2015074900A1
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：PCT/EP2014/074071
申请日：2014-11-07
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LEIRER, Christian , HAHN, Berthold , ENGL, Karl , BAUR, Johannes , HERRMANN, Siegfried , PLÖSSL, Andreas , KATZ, Simeon , MEYER, Tobias , ZINI, Lorenzo , MAUTE, Markus
IPC分类号： H01L27/15 , H01L25/16 , H01L33/38 , H01L33/62
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L27/15 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einem integrierten Überbrückungselement (9, 9A) angegeben, das zum Schutz vor Überspannungen dient.
摘要翻译：提供了一种光电子半导体芯片（1）与成为过电压保护的一体的桥接元件（9，9A）。

30. 发明申请

WO2015036443A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电半导体芯片和光电元件
公开(公告)号：WO2015036443A1
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：PCT/EP2014/069314
申请日：2014-09-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LEIRER, Christian , HAHN, Berthold , ZEISEL, Roland , BAUR, Johannes , ENGL, Karl
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/38 , H01L25/16
CPC分类号： H01L25/167 , H01L25/0753 , H01L27/15 , H01L27/156 , H01L33/382 , H01L33/483 , H01L33/62 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48479 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2224/48471 , H01L2924/00 , H01L2224/4554
摘要： Es wird eine optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2, 2') angegeben, die einen ersten Halbleiterbereich (3) eines ersten Leitfähigkeitstyps und einen zweiten Halbleiterbereich (4) eines zweiten Leitfähigkeitstyps und eine aktive Zone mit einem pn-Übergang (5) aufweist, die zwischen dem ersten Halbleiterbereich (3) und dem zweiten Halbleiterbereich (4) ausgebildet ist. Die Halbleiterschichtenfolge (2) ist auf einem Träger (8) angeordnet ist. Der Halbleiterchip (1) weist weiterhin einen ersten Kontakt auf, der zum elektrischen Anschließen des ersten Halbleiterbereichs (3) vorgesehen ist, und einen von dem ersten Kontakt verschiedenen zweiten Kontakt, der zum elektrischen Anschließen des zweiten Halbleiterbereichs (4) vorgesehen ist. Außerdem umfasst der Halbleiterchip (1) ein parallel zu dem pn-Übergang (5) geschaltetes erstes kapazitives elektrisches Element mit einem ersten dielektrischen Element, das dazu geeignet ist, bei Überspannung in Sperrrichtung des pn-Übergangs (5) zumindest einen Teil der Ladung aufzunehmen.
摘要翻译：它是一种光电子半导体芯片（1）具有指定的半导体层序列（2，2“），第一半导体区域（3）具有第一导电类型和第二半导体区域的（4）的第二导电类型，并与pn结的有源区（5 ），该（第一半导体区3）和第二半导体区域（4）之间形成。半导体层序列（2）被布置在载体（8）上。在半导体芯片（1）还包括被设置用于在所述第一半导体区域（3）电连接第一接触，并且不同于所述第一接触被设置用于所述第二半导体区域电连接的第二接触（4）。此外，在半导体芯片（1）包括一平行于所述pn结（5）切换具有适于在pn结的相反方向上以接收至少一个用于过电压的电荷的部分的第一电介质元件的第一电容元件（5），

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