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21. 发明申请

WO2005067075A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES NANOELEMENT-FELDEFFEKTTRANSISTORS, NANOELEMENT-FELDEFFEKTTRANSISTOR MIT SURROUNDED GATE STRUKTUR 审中-公开
标题翻译：用于制造纳米ELEMENT场效应晶体管法，用栅极结构NANO ELEMENT场效应晶体管SURROUNDED
公开(公告)号：WO2005067075A1
公开(公告)日：2005-07-21
申请号：PCT/DE2005/000001
申请日：2005-01-03
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , KREUPL, Franz , SEIDEL, Robert
发明人： KREUPL, Franz , SEIDEL, Robert
IPC分类号： H01L51/20
CPC分类号： H01L51/0048 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L51/0545 , Y10S977/72 , Y10S977/742 , Y10S977/762 , Y10S977/813
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Nanoelement-Feldeffekttransistors, einen Nanoelement-Feldeffekttransistor und eine Nanoelement-Anordnung. Gemäß dem Verfahren zum Herstellen eines Nanoelement-Feldeffekttransistors wird ein Nanoelement gebildet, ein erster und ein zweiter Source-/Drain-Bereich mit dem Nanoelements gekoppelt, ein Oberflächenbereich eines Substrats derart entfernt, dass ein Bereich des Nanoelements freigelegt wird, und eine Gate-isolierende Struktur und eine Gate-Struktur das Nanoelement vollumfänglich bedeckend gebildet.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造纳米元件的场效应晶体管，纳米元件场效应晶体管和纳米元件布置。根据用于生产一个nanoelement场效应晶体管的方法中，一个nanoelement形成，第一和第二源极/用耦合到衬底的表面部分的nanoelement漏区被移除，使得nanoelement的一部分被暴露，以及栅极绝缘结构和形成在充满nanoelement覆盖的栅极结构。

22. 发明申请

WO2004051763A2 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER SPEICHERZELLE, SPEICHERZELLE UND SPEICHERZELLEN-ANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：制造方法的存储单元，存储单元与存储器单元装置
公开(公告)号：WO2004051763A2
公开(公告)日：2004-06-17
申请号：PCT/DE2003/003935
申请日：2003-11-27
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , HOFMANN, Franz , KREUPL, Franz
发明人： HOFMANN, Franz , KREUPL, Franz
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： G11C13/0011 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G11C2213/15 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/2454 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/16
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Speicherzelle, eine Speicherzelle und eine Speicherzellen-Anordnung. Bei dem Verfahren zum Herstellen einer Speicherzelle wird in und/oder auf einem Substrat ein erster elektrisch leitfähiger Bereich ausgebildet. Ferner wird ein zweiter elektrisch leitfähiger Bereich in einem vorgegebenen Abstand zu dem ersten elektrisch leitfähigen Bereich derart ausgebildet, dass zwischen dem ersten und dem zweiten elektrisch leitfähigen Bereich ein Hohlraum gebildet wird. Der erste und der zweite elektrisch leitfähige Bereich werden derart eingerichtet, dass bei Anlegen einer ersten Spannung an die elektrisch leitfähigen Bereiche aus Material von mindestens einem der elektrisch leitfähigen Bereiche eine den Abstand zwischen den elektrisch leitfähigen Bereichen zumindest teilweise überbrückende Struktur gebildet wird. Bei Anlegen einer zweiten Spannung an die elektrisch leitfähigen Bereiche wird Material einer den Abstand zwischen den elektrisch leitfähigen Bereichen zumindest teilweise überbrückenden Struktur zurückbildet.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造存储器单元，存储器单元和存储器单元阵列的方法。在用于在和/或在衬底上制造存储单元的方法中，形成第一导电区域。此外，在从所述第一导电区域预定距离的第二导电面积被形成为使得一个腔被限定在第一和第二导电区域之间形成。第一和第二导电区域被设置为使得，施加第一电压时，所述导电区域中的至少一个，所述导电区域之间的距离的材料的导电区域，至少部分地桥接结构。当将第二电压施加到材料的导电区域，导电区域至少部分地桥接结构之间的距离为倒退。

23. 发明申请

WO2011130212A1 MEMORY CELL WITH CARBON SWITCHING MATERIAL HAVING A REDUCED CROSS-SECTIONAL AREA AND METHODS FOR FORMING THE SAME 审中-公开
标题翻译：具有减少的交叉区域的碳开关材料的存储单元及其形成方法
公开(公告)号：WO2011130212A1
公开(公告)日：2011-10-20
申请号：PCT/US2011/032039
申请日：2011-04-12
申请人： SANDISK 3D, LLC , KREUPL, Franz , PING, Er-Xuan , ZHANG, Jingyan , XU, Huiwen
发明人： KREUPL, Franz , PING, Er-Xuan , ZHANG, Jingyan , XU, Huiwen
IPC分类号： H01L27/24 , H01L45/00
CPC分类号： H01L45/149 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/124 , H01L45/1253 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/165 , H01L45/1691
摘要： In a first aspect, a method of forming a metal-insulator-metal ("MIM") stack is provided, the method including: (1) forming a dielectric material having an opening and a first conductive carbon layer within the opening; (2) forming a spacer in the opening; (3) forming a carbon-based switching material on a sidewall of the spacer; and (4) forming a second conductive carbon layer above the carbon-based switching material. A ratio of a cross sectional area of the opening in the dielectric material to a cross sectional area of the carbon-based switching material on the sidewall of the spacer is at least 5. Numerous other aspects are provided.
摘要翻译：在第一方面中，提供了形成金属 - 绝缘体 - 金属（“MIM”）叠层的方法，所述方法包括：（1）在开口内形成具有开口的电介质材料和第一导电碳层; （2）在开口中形成间隔物; （3）在间隔件的侧壁上形成碳基开关材料; 和（4）在碳基开关材料上形成第二导电碳层。介电材料中的开口的横截面积与间隔件的侧壁上的碳基开关材料的截面面积的比率至少为5.许多其它方面。

24. 发明申请

WO2012129032A1 P-/METAL FLOATING GATE NON-VOLATILE STORAGE ELEMENT 审中-公开
标题翻译： P- /金属浮动门非易失存储元件
公开(公告)号：WO2012129032A1
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：PCT/US2012/029133
申请日：2012-03-14
申请人： SANDISK TECHNOLOGIES, INC. , LEE, Sanghyun , DUNGA, Mohan , HIGASHITANI, Masaaki , PHAM, Tuan , KREUPL, Franz
发明人： LEE, Sanghyun , DUNGA, Mohan , HIGASHITANI, Masaaki , PHAM, Tuan , KREUPL, Franz
IPC分类号： H01L21/28 , H01L27/115 , H01L29/423 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L21/28273 , H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L29/42324
摘要： Non-volatile storage elements having a P-/metal floating gate are disclosed herein. The floating gate may have a P-region near the tunnel oxide, and may have a metal region near the control gate. A P-region near the tunnel oxide helps provide good data retention. A metal region near the control gate helps to achieve a good coupling ratio between the control gate and floating gate. Therefore, programming of non-volatile storage elements is efficient. Also, erasing the non-volatile storage elements may be efficient. In some embodiments, having a P-region near the tunnel oxide (as opposed to a strongly doped p-type semiconductor) may improve erase efficiency relative to P+.
摘要翻译：本文公开了具有P- /金属浮动栅极的非易失性存储元件。浮置栅极可以在隧道氧化物附近具有P区，并且可以在控制栅极附近具有金属区域。隧道氧化物附近的P区域有助于提供良好的数据保留。控制栅极附近的金属区域有助于实现控制栅极和浮动栅极之间良好的耦合比。因此，非易失性存储元件的编程是有效的。此外，擦除非易失性存储元件可能是有效的。在一些实施例中，在隧道氧化物附近具有P区（与强掺杂的p型半导体相反）可以提高相对于P +的擦除效率。

25. 发明申请

WO2011159582A2 MEMORY CELL WITH RESISTANCE- SWITCHING LAYERS AND LATERAL ARRANGEMENT 审中-公开
标题翻译：具有电阻切换层和横向布置的存储单元
公开(公告)号：WO2011159582A2
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：PCT/US2011/040104
申请日：2011-06-10
申请人： SANDISK 3D LLC , KREUPL, Franz , SHRIVASTAVA, Ritu
发明人： KREUPL, Franz , SHRIVASTAVA, Ritu
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L27/2409 , G11C11/16 , G11C11/1659 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/146
摘要： A memory device in a 3-D read and write memory includes memory cells. Each memory cell includes a resistance-switching memory element (RSME). The RSME has first and second resistance-switching layers on either side of a conductive intermediate layer, and first and second electrodes at either end of the RSME. The layers can be provided in a lateral arrangement, such as an end-to-end, face-to-face, L-shaped or U-shaped arrangement. In a set or reset operation of the memory cell, an electric field is applied across the first and second electrodes. An ionic current flows in the resistance-switching layers, contributing to a switching mechanism. An electron flow, which does not contribute to the switching mechanism, is reduced due to scattering by the conductive intermediate layer, to avoid damage to the steering element.
摘要翻译： 3-D读写存储器中的存储器件包括存储器单元。每个存储单元包括电阻切换存储元件（RSME）。 RSME在导电中间层的任一侧上具有第一和第二电阻切换层，在RSME的任一端具有第一和第二电极。这些层可以以诸如端对端，面对面，L形或U形布置的横向布置来设置。在存储单元的置位或复位操作中，跨越第一和第二电极施加电场。离子电流在电阻切换层中流动，有助于切换机构。由于导电中间层的散射，对切换机构无贡献的电子流减少，以避免损坏转向元件。

26. 发明申请

WO2011159581A2 MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS 审中-公开
标题翻译：具有电阻切换层的存储单元
公开(公告)号：WO2011159581A2
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：PCT/US2011/040103
申请日：2011-06-10
申请人： SANDISK 3D LLC , KREUPL, Franz , COSTA, Xiying , KAI, James , MAKALA, Raghuveer, S.
发明人： KREUPL, Franz , COSTA, Xiying , KAI, James , MAKALA, Raghuveer, S.
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/24
CPC分类号： H01L27/2409 , G11C11/16 , G11C11/1659 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/146
摘要： A memory device in a 3-D read and write memory includes memory cells. Each memory cell includes a resistance-switching memory element (RSME) in series with a steering element. The RSME has first and second resistance-switching layers on either side of a conductive intermediate layer, and first and second electrodes at either end of the RSME. The first and second resistance-switching layers can both have a bipolar or unipolar switching characteristic. In a set or reset operation of the memory cell, an electric field is applied across the first and second electrodes. An ionic current flows in the resistance-switching layers, contributing to a switching mechanism. An electron flow, which does not contribute to the switching mechanism, is reduced due to scattering by the conductive intermediate layer, to avoid damage to the steering element. Particular materials and combinations of materials for the different layers of the RSME are provided.
摘要翻译： 3-D读写存储器中的存储器件包括存储器单元。每个存储单元包括与转向元件串联的电阻切换存储元件（RSME）。 RSME在导电中间层的任一侧上具有第一和第二电阻切换层，在RSME的任一端具有第一和第二电极。第一和第二电阻切换层都可以具有双极或单极开关特性。在存储单元的置位或复位操作中，跨越第一和第二电极施加电场。离子电流在电阻切换层中流动，有助于切换机构。由于导电中间层的散射，对切换机构无贡献的电子流减少，以避免损坏转向元件。提供了用于RSME不同层的材料和材料的组合。

27. 发明申请

WO2011106155A2 MEMORY CELL WITH SILICON-CONTAINING CARBON SWITCHING LAYER AND METHODS FOR FORMING THE SAME 审中-公开
标题翻译：含有碳的碳交换层的存储单元及其形成方法
公开(公告)号：WO2011106155A2
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：PCT/US2011/024162
申请日：2011-02-09
申请人： SANDISK 3D, LLC , KREUPL, Franz , ZHANG, Jingyan , XU, Huiwen
发明人： KREUPL, Franz , ZHANG, Jingyan , XU, Huiwen
IPC分类号： H01L27/24
CPC分类号： H01L45/149 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/165 , H01L45/1675
摘要： In a first aspect, a method of forming a memory cell is provided that includes (1) forming a metal-insulator-metal (MIM) stack, the MIM stack including (a) a first conductive carbon layer; (b) a low-hydrogen, silicon-containing carbon layer above the first conductive carbon layer; and (c) a second conductive carbon layer above the low-hydrogen, silicon-containing carbon layer; and (2) forming a steering element coupled to the MIM stack. Numerous other aspects are provided.
摘要翻译：在第一方面，提供一种形成存储单元的方法，其包括：（1）形成金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）堆叠，所述MIM堆叠包括（a）第一导电碳层; （b）在第一导电碳层之上的低氢含硅碳层; 和（c）低于含氢的碳层之上的第二导电碳层; 和（2）形成耦合到所述MIM堆叠的操纵元件。提供了许多其他方面。

28. 发明申请

WO2011159583A2 COMPOSITION OF MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS 审中-公开
标题翻译：具有电阻切换层的记忆体组成
公开(公告)号：WO2011159583A2
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：PCT/US2011/040105
申请日：2011-06-10
申请人： SANDISK 3D LLC , KREUPL, Franz , BANDYOPADHYAY, Abhijit , CHEN, Yung-Tin , FU, Chu-Chen , JAYASEKARA, Wipul, Pemsiri , KAI, James , MAKALA, Raghuveer, S. , RABKIN, Peter , SAMACHISA, George , ZHANG, Jingyan
发明人： KREUPL, Franz , BANDYOPADHYAY, Abhijit , CHEN, Yung-Tin , FU, Chu-Chen , JAYASEKARA, Wipul, Pemsiri , KAI, James , MAKALA, Raghuveer, S. , RABKIN, Peter , SAMACHISA, George , ZHANG, Jingyan
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L27/2409 , G11C11/16 , G11C11/1659 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/146
摘要： A memory device in a 3-D read and write memory includes memory cells. Each memory cell includes a resistance-switching memory element (RSME) in series with a steering element. The RSME has first and second resistance-switching layers on either side of a conductive intermediate layer, and first and second electrodes at either end of the RSME. The first and second resistance-switching layers can both have a bipolar or unipolar switching characteristic. In a set or reset operation of the memory cell, an ionic current flows in the resistance-switching layers, contributing to a switching mechanism. An electron flow, which does not contribute to the switching mechanism, is reduced due to scattering by the conductive intermediate layer, to avoid damage to the steering element. Particular materials and combinations of materials for the different layers of the RSME are provided.
摘要翻译： 3-D读写存储器中的存储器件包括存储器单元。每个存储单元包括与转向元件串联的电阻切换存储元件（RSME）。 RSME在导电中间层的任一侧上具有第一和第二电阻切换层，在RSME的任一端具有第一和第二电极。第一和第二电阻切换层都可以具有双极或单极开关特性。在存储单元的置位或复位操作中，离子电流在电阻切换层中流动，有助于切换机构。由于导电中间层的散射，对切换机构无贡献的电子流减少，以避免损坏转向元件。提供了用于RSME不同层的材料和材料的组合。

29. 发明申请

WO2011115924A1 BOTTOM ELECTRODES FOR USE WITH METAL OXIDE RESISTIVITY SWITCHING LAYERS 审中-公开
标题翻译：使用金属氧化物电阻切换层的底部电极
公开(公告)号：WO2011115924A1
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：PCT/US2011/028394
申请日：2011-03-16
申请人： SANDISK 3D, LLC , SEKAR, Deepak Chandra , KREUPL, Franz , MAKALA, Raghuveer S.
发明人： SEKAR, Deepak Chandra , KREUPL, Franz , MAKALA, Raghuveer S.
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/24
CPC分类号： H01L45/146 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/1675
摘要： A metal - insulator-metal (MIM) stack is provided that includes ( 1 ) a first conductive layer comprising a silicon - germanium (SiGe) alloy; ( 2 ) a resistivity- switching layer comprising a metal oxide layer formed above the first conductive layer; and ( 3 ) a second conductive layer formed above the resistivity- switching layer. A memory cell may be formed from the MIM stack.
摘要翻译：提供了一种金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）堆叠，其包括（1）包含硅 - 锗（SiGe）合金的第一导电层; （2）电阻率切换层，包括在所述第一导电层上形成的金属氧化物层; 和（3）形成在电阻率切换层上方的第二导电层。存储单元可以由MIM堆叠形成。

30. 发明申请

WO2011159584A1 MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS INCLUDING BREAKDOWN LAYER 审中-公开
标题翻译：具有电阻切换层的存储单元，包括断层
公开(公告)号：WO2011159584A1
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：PCT/US2011/040107
申请日：2011-06-10
申请人： SANDISK 3D LLC , KREUPL, Franz , FU, Chu-Chen , NIAN, Yibo
发明人： KREUPL, Franz , FU, Chu-Chen , NIAN, Yibo
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/24
CPC分类号： H01L27/2409 , G11C11/16 , G11C11/1659 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/146
摘要： A memory device in a 3-D read and write memory includes memory cells. Each memory cell includes a resistance-switching memory element (RSME) in series with a steering element. The RSME has a resistance-switching layer, a conductive intermediate layer, and first and second electrodes at either end of the RSME. A breakdown layer is electrically between, and in series with, the second electrode and the intermediate layer. The breakdown layer maintains a resistance of at least about 1-10 ΜΩ while in a conductive state. In a set or reset operation of the memory cell, an ionic current flows in the resistance- switching layers, contributing to a switching mechanism. An electron flow, which does not contribute to the switching mechanism, is reduced due to scattering by the conductive intermediate layer, to avoid damage to the steering element. Particular materials and combinations of materials for the different layers of the RSME are provided.
摘要翻译： 3-D读写存储器中的存储器件包括存储器单元。每个存储单元包括与转向元件串联的电阻切换存储元件（RSME）。 RSME具有电阻切换层，导电中间层以及在RSME的任一端的第一和第二电极。击穿层在第二电极和中间层之间电连接并与其串联。在导通状态下，击穿层保持至少约1-10Ω的电阻。在存储单元的置位或复位操作中，离子电流在电阻切换层中流动，有助于切换机制。由于导电中间层的散射，对切换机构无贡献的电子流减少，以避免损坏转向元件。提供了用于RSME不同层的材料和材料的组合。

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