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21. 发明申请

WO2008059827A1 プラズマドーピング方法审中-公开
标题翻译：等离子喷涂方法
公开(公告)号：WO2008059827A1
公开(公告)日：2008-05-22
申请号：PCT/JP2007/071996
申请日：2007-11-13
申请人：松下電器産業株式会社 , 佐々木雄一朗 , 岡下勝己 , 伊藤裕之 , 水野文二
发明人：佐々木雄一朗 , 岡下勝己 , 伊藤裕之 , 水野文二
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/2236
摘要：　真空容器内において不純物を含むガスからなるプラズマに基板を曝すことによって、前記基板の表面に不純物領域を形成する。このとき、前記基板に導入される前記不純物のドーズ量について、ドーピング初期においては前記基板の中央部及び周縁部のうちの一方のドーズ量が他方のドーズ量よりも大きくなり、その後、当該他方のドーズ量が当該一方のドーズ量よりも大きくなるように、プラズマドーピング条件を設定する。
摘要翻译：通过将基板暴露于在真空容器内由含杂质的气体构成的等离子体，在基板的表面上形成杂质区域。在该过程中，等离子体掺杂条件被设定为使得在衬底的早期阶段中引入到衬底的杂质的剂量大于衬底的中心和周边边缘中的一个，而不是在另一个中后一阶段在另一个比较大。

22. 发明申请

WO2009016778A1 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2009016778A1
公开(公告)日：2009-02-05
申请号：PCT/JP2008/000303
申请日：2008-02-22
申请人：パナソニック株式会社 , 佐々木雄一朗 , 岡下勝己 , 中本圭一 , 金田久隆 , 水野文二
发明人：佐々木雄一朗 , 岡下勝己 , 中本圭一 , 金田久隆 , 水野文二
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/265 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7854 , H01L29/66803
摘要：　上部に不純物領域６１ａ及び側部に不純物領域６１ｂを有するフィン型半導体領域６１を跨ぐようにゲート絶縁膜６２が形成されている。ゲート絶縁膜６２の外側に位置する部分のフィン型半導体領域６１における上部コーナーの曲率半径ｒ’は、ゲート絶縁膜６２の下側に位置する部分のフィン型半導体領域６１における上部コーナーの曲率半径ｒよりも大きく且つ２ｒ以下である。
摘要翻译：栅极绝缘膜（62）被形成为跨越在上部具有杂质区域（61a）的鳍状半导体区域（61）和侧部中的杂质区域（61b）。位于栅绝缘膜（62）外部的鳍状半导体区域（61）的一部分的上角的曲率半径r'大于鳍状的另一部分的上角的曲率半径r 半导体区域（61）位于栅极绝缘膜（62）的下方，但不大于2r。

23. 发明申请

WO2008090763A1 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法和半导体制造设备
公开(公告)号：WO2008090763A1
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/JP2008/050152
申请日：2008-01-09
申请人：松下電器産業株式会社 , 佐々木雄一朗 , 岡下勝己 , 中本圭一 , 伊藤裕之 , 水野文二
发明人：佐々木雄一朗 , 岡下勝己 , 中本圭一 , 伊藤裕之 , 水野文二
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/2236 , H01L29/6659 , H01L29/7833
摘要：　真空容器内において放電によって不純物を含むガスからなるプラズマを生成し、当該プラズマを用いて複数の基板に対して前記不純物のドーピングを順次実施する際に、前記真空容器内に被処理基板が設置されるまでの積算放電時間に基づいて、当該被処理基板のプラズマドーピング条件を調整する。
摘要翻译：在通过在真空容器中通过放电产生含有杂质的等离子体产生等离子体并通过使用等离子体对多个基板进行杂质掺杂的时刻，基于以下方式调整待处理基板的等离子体掺杂条件累积放电时间直到待处理的基板被布置在真空容器中的时间。

24. 发明申请

WO2004051720A1 プラズマドーピング方法审中-公开
标题翻译：等离子体法的方法
公开(公告)号：WO2004051720A1
公开(公告)日：2004-06-17
申请号：PCT/JP2003/014633
申请日：2003-11-18
申请人：松下電器産業株式会社 , 佐々木雄一朗 , 水野文二 , 中山一郎 , 金田久隆 , 奥村智洋
发明人：佐々木雄一朗 , 水野文二 , 中山一郎 , 金田久隆 , 奥村智洋
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/2236
摘要：Ｂ２Ｈ６をできるだけ希釈して安全性を高め、ドーピング効率を低下させることなく、安定してプラズマの発生や維持を行うことができ、さらにドーパント注入量の制御を容易に行えるプラズマドーピング方法を提供することを目的とするものであって、ドーピングする不純物を含む物質としてＢ２Ｈ６ガスを用い、電離エネルギーが高い物質としてＨｅを用い、混合ガス中でのＢ２Ｈ６の濃度が０．０５％未満であることを特徴とするプラズマドーピング方法である。
摘要翻译：可以在不降低掺杂效率的情况下进行B2H6的稀释最大化以提高安全性和稳定的等离子体产生和维持的等离子体掺杂的方法，并且可以容易地控制注入的掺杂剂的量。特别是等离子体掺杂的方法，其特征在于，使用B 2 H 6气体作为含有掺杂杂质的材料，同时使用He作为高解离能的物质，混合气体中的B 2 H 6的浓度小于0.05％。

25. 发明申请

WO2006013898A1 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：WO2006013898A1
公开(公告)日：2006-02-09
申请号：PCT/JP2005/014220
申请日：2005-08-03
申请人：松下電器産業株式会社 , 金成国 , 佐々木雄一朗 , 伊藤裕之 , 水野文二
发明人：金成国 , 佐々木雄一朗 , 伊藤裕之 , 水野文二
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/2236 , H01L21/268 , H01L21/28061 , H01L29/66575
摘要：　高精度の微細なトランジスタを形成することを目的とし、半導体基板表面にゲート電極３４０を形成する工程と、前記ゲート電極３４０をはさむように、不純物を導入する工程と、前記不純物を活性化する工程とを含み、前記不純物の導入された領域に、ソース・ドレイン領域３１０、３２０を形成するトランジスタの製造方法において、前記不純物を導入する工程が、プラズマ照射工程を含み、前記活性化する工程に先だち、前記不純物が導入された領域の光反射率が小さくなるように反射防止膜４００を形成する工程を含む。
摘要翻译：提供一种用于制造在其中引入杂质的区域中具有源/漏区（310,320）的高精度精细晶体管的方法。该方法包括在半导体衬底的正面上形成栅电极（340）的步骤，引入杂质以夹着栅极（340）的步骤和激活杂质的步骤。引入杂质的步骤包括等离子体照射步骤，并且在激活步骤之前，包括形成防反射膜（400）的步骤，以便具有导入杂质的区域的小的光反射率。

26. 发明申请

WO2006106871A1 アッシング装置、アッシング方法および不純物ドーピング装置审中-公开
标题翻译：排气装置，排气方法和灭菌装置
公开(公告)号：WO2006106871A1
公开(公告)日：2006-10-12
申请号：PCT/JP2006/306740
申请日：2006-03-30
申请人：松下電器産業株式会社 , 金成国 , 水野文二 , 佐々木雄一朗
发明人：金成国 , 水野文二 , 佐々木雄一朗
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/027 , H01L21/22 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/31138 , H01J37/32412 , H01J37/32935 , H01J37/32963 , H01J2237/3342 , H01L21/2236 , H01L22/12
摘要：　本発明の課題は、レジストの表面硬化層と内部の非硬化層との界面及び非硬化層と半導体基板の界面を検知できるとともにスル－プットの高いアッシング装置およびアッシング方法そして不純物ドーピング装置群を提供することである。　本発明のアッシング装置は、半導体基板に塗布されてマスクとして使用されたレジストであって、不純物ドーピングされ、前記レジストに形成された表面の硬化層と内部の非硬化層をプラズマアッシングするアッシング装置において、プラズマアッシング中に前記半導体基板に直線偏光を入射させて反射される楕円偏光を検出し前記硬化層と非硬化層の界面及び前記硬化層と半導体基板の界面を検出するエリプソメータを備えることを特徴とする。
摘要翻译：能够检测抗蚀剂的表面硬化层与内部非硬化层之间的界面与非硬化层与半导体基板之间的界面的高通量的灰化装置和方法，以及杂质掺杂装置组。将形成在半导体衬底上作为掩模施加的抗蚀剂上形成的表面硬化层的等离子体灰化并掺杂有杂质和内部未硬化层的灰化装置的特征在于包括用于检测硬化层和通过在等离子体灰化期间通过使线偏振光照射在半导体衬底上，检测从半导体衬底反射的椭圆偏振光，从而在硬化层和半导体衬底之间的界面。

27. 发明申请

WO2005036626A1 接合の形成方法およびこれを用いて形成された被処理物审中-公开
标题翻译：连接形成方法和要使用的方法和对象
公开(公告)号：WO2005036626A1
公开(公告)日：2005-04-21
申请号：PCT/JP2004/015308
申请日：2004-10-08
申请人：松下電器産業株式会社 , 佐々木雄一朗 , 金成国 , 水野文二
发明人：佐々木雄一朗 , 金成国 , 水野文二
IPC分类号： H01L21/22
CPC分类号： H01L21/268
摘要：本発明の課題は、工程が簡単でスループットが高く、浅い接合を高精度に形成することができる接合の形成方法を提供することである。　照射する電磁波の波長に対応した適切な基板表面の状態を形成し、この後に、電磁波を照射して不純物を電気的に活性化させ、不純物薄膜内で励起エネルギーが効率よく吸収されるようにすることにより、浅い接合を効率よく形成することができる。
摘要翻译：一种在简单步骤中以高精度和高产量形成浅结的方法。建立适合于要施加的电磁波的波长的衬底表面的状态。此后，施加电磁波以电激活杂质，使得激发能量被有效地吸收在杂质薄膜中。因此，有效地形成浅结。

28. 发明申请

WO2005034221A1 基板およびその製造方法审中-公开
标题翻译：基板及其生产方法
公开(公告)号：WO2005034221A1
公开(公告)日：2005-04-14
申请号：PCT/JP2004/014990
申请日：2004-10-05
申请人：松下電器産業株式会社 , 佐々木雄一朗 , 水野文二 , 金成国
发明人：佐々木雄一朗 , 水野文二 , 金成国
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/324 , H01L29/6675 , H01L29/78603
摘要：本発明の課題は、基板温度の上昇を招くことなく、不純物の電気的な活性化を実現し、基板選択の制約を少なくし、信頼性の高い半導体薄膜を有する基板を提供することにある。　また、アニールのためのエネルギーの吸収効率を高め、高品質で信頼性の高い半導体薄膜を備えた基板を提供することにある。　不純物薄膜や半導体薄膜の膜厚を、続く光照射工程に対して最適になるように制御形成する。これにより、続くアニール時に最適の波長を選択することや、選ばれた光の波長に合わせて最適に薄膜構成をとることによって、光のエネルギーの大半が、半導体薄膜や不純物薄膜に吸収され、ガラス基板の温度を殆ど上昇させること無くアニールを行うことができる．従って、軟化点の低い安価なガラスあるいはプラスチックを基板に使用することができる上、アニールの光源としても工業的に容易に入手可能な安価なものを選択できる。
摘要翻译：杂质在不引起衬底温度升高的情况下被电激活，衬底选择的限制减少，并且因此产生具有高可靠性半导体薄膜的衬底。此外，提高了退火的吸收能量效率，并且制造了具有高质量，高可靠性的半导体薄膜的基板。这样形成杂质薄膜和半导体薄膜，使得薄膜的厚度被控制为最适合于随后的光照射步骤。因此，通过在随后的退火中选择最佳波长并且通过采用根据所选择的光波长的最佳薄膜结构，大部分光能被半导体薄膜和杂质薄膜吸收，使得退火可以几乎不引起玻璃温度的升高。因此，可以使用廉价的低软化点玻璃或塑料作为基板，并且可以选择工业上容易获得的便宜的光源作为退火光源。

29. 发明申请

WO2005076039A1 ビーム測定装置およびこれを用いたビーム測定方法审中-公开
标题翻译：光束测量设备和使用该光束的光束测量方法
公开(公告)号：WO2005076039A1
公开(公告)日：2005-08-18
申请号：PCT/JP2005/002075
申请日：2005-02-10
申请人：松下電器産業株式会社 , 独立行政法人理化学研究所 , 佐々木雄一朗 , 渡邉環 , 川口武男 , 渡辺伸一 , 片山武司 , 水野文二 , 金田久隆
发明人：佐々木雄一朗 , 渡邉環 , 川口武男 , 渡辺伸一 , 片山武司 , 水野文二 , 金田久隆
IPC分类号： G01T1/29
CPC分类号： H05H1/0087 , G01R33/0356 , G01R33/0358 , H01J37/3171 , H01J2237/31703
摘要：　ビーム電流値を高精度で非破壊型測定ができ、かつビームの位置を測定できるビーム測定装置を提供する。　外部磁場遮蔽用の磁気遮蔽部と、前記磁気遮蔽部によって生成された遮蔽空間に配された複数の磁場センサとを備え、前記磁場センサは、測定すべきビーム電流が生成する磁場を収集する磁場収集機構を複数個具備し、前記磁場収集機構は、少なくとも表面が超伝導体で外周部には一部分のみを超伝導体で構成したブリッジ部分を有する筒状構造物であり、測定すべきビーム電流が生成する磁場を前記磁場センサで測定するようにしたビーム測定装置であって、前記磁場センサを複数個配設し、ビーム位置及びビーム電流を検出することを特徴とするものである。
摘要翻译：光束测量设备用于以高精度无损检测光束电流值并测量光束位置。光束测量设备设置有用于外部磁场屏蔽的磁屏蔽部分和布置在由磁屏蔽部分产生的屏蔽空间中的多个磁场传感器。磁场传感器设置有多个磁场收集机构，用于收集由待测量的束电流产生的磁场。磁场采集机构是一种管状结构，其表面由超导体制成，并且仅在其一部分由超导体形成的桥部分设置在磁场采集机构的外圆周部分上。由待测量的束电流产生的磁场由磁传感器测量。光束测量设备设有多个磁场传感器，以便检测光束位置和光束电流。

30. 发明申请

WO2005029100A1 ビーム電流センサー审中-公开
标题翻译：光束电流传感器
公开(公告)号：WO2005029100A1
公开(公告)日：2005-03-31
申请号：PCT/JP2004/013804
申请日：2004-09-22
申请人：独立行政法人理化学研究所 , 松下電器産業株式会社 , 渡邉環 , 片山武司 , 加瀬昌之 , 池田時浩 , 渡辺伸一 , 川口武男 , 佐々木雄一朗 , 水野文二 , 金田久隆
发明人：渡邉環 , 片山武司 , 加瀬昌之 , 池田時浩 , 渡辺伸一 , 川口武男 , 佐々木雄一朗 , 水野文二 , 金田久隆
IPC分类号： G01R15/20
CPC分类号： G01R19/0061
摘要：　電流から磁場を形成する効率を向上させ、１ｎＡ程度の微弱なビーム電流値も計測することを可能にするものであり、ビームが内径側を通過するようにした筒状体であって、外径側にブリッジ部を形成した超伝導体よりなるビーム電流センサーにおいて、上記ブリッジ部は、外径側から内径側に向かって反時計回りに巻回された渦巻形状を備えるように形成された第１のコイル部と、外径側から内径側に向かって時計回りに巻回された渦巻形状を備えるように形成された第２のコイル部と、上記第１のコイル部の内径側の中心部位と上記第２のコイル部の内径側の中心部位とを接続する連結部とを有して構成する。
摘要翻译：光束电流传感器由圆柱形超导体构成，其具有形成在外径侧的桥单元，其中光束通过内径侧。传感器可以测量小至1nA的光束电流。桥单元包括：第一线圈单元，其形成为具有从外径侧向内径侧逆时针旋转的涡流形状; 形成为具有从外径侧向内径侧顺时针缠绕的涡流状的第二线圈单元; 以及用于将第一线圈单元的内径侧的中心位置与第二线圈的内径侧的中心位置连接的连接部。

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