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1. 发明申请

WO2008050596A1 プラズマドーピング方法及びプラズマドーピング装置审中-公开
标题翻译：等离子喷涂方法和等离子体喷涂装置
公开(公告)号：WO2008050596A1
公开(公告)日：2008-05-02
申请号：PCT/JP2007/069472
申请日：2007-10-04
申请人：松下電器産業株式会社 , 奥村智洋 , 永井久雄 , 佐々木雄一朗 , 岡下勝己 , 伊藤裕之 , 水野文二
发明人：奥村智洋 , 永井久雄 , 佐々木雄一朗 , 岡下勝己 , 伊藤裕之 , 水野文二
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/22 , H01L21/3065 , H05H1/00 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32412 , C23C14/564 , H01L21/2236
摘要：　プラズマドーピング処理の実施前に、真空容器１内に、シリコン基板９を構成する主要元素と周期律上で同属の元素を含むガス、例えばモノシランガスからなるプラズマを発生させる。これにより、真空容器１の内壁をシリコン含有膜によって被覆する。その後、シリコン基板９に対してプラズマドーピング処理を実施する。
摘要翻译：在等离子体掺杂处理之前，在真空容器（1）内产生包含含有作为构成硅衬底（9）的主要元素的与元素周期表中相同组的元素的气体的等离子体，例如，甲硅烷气体的等离子体，用含硅膜覆盖真空容器（1）的内壁。此后，对硅衬底（9）进行等离子体掺杂处理。

2. 发明申请

WO2008041702A1 プラズマドーピング方法及び装置审中-公开
标题翻译：等离子喷涂方法和装置
公开(公告)号：WO2008041702A1
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：PCT/JP2007/069287
申请日：2007-10-02
申请人：松下電器産業株式会社 , 奥村智洋 , 佐々木雄一朗 , 岡下勝己 , 伊藤裕之 , 水野文二
发明人：奥村智洋 , 佐々木雄一朗 , 岡下勝己 , 伊藤裕之 , 水野文二
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/26513 , H01J37/32091 , H01J37/32412 , H01L21/2236
摘要：　試料表面に導入される不純物濃度の再現性に優れたプラズマドーピング方法及び装置を提供する。真空容器（１）内において、対向電極（３）に設けられたガス噴出孔（５）より、試料電極（６）に載置した基板（７）に向けてガスを噴出させ、排気装置としてのターボ分子ポンプ（８）により排気を行い、調圧弁（９）により真空容器（１）内を所定の圧力に保ちながら、対向電極（３）と試料電極（６）の間の距離を対向電極（３）の面積に対して、外方へのプラズマの拡散が生じない程度に十分に小さくし、対向電極（３）と試料電極（６）の間に容量結合型プラズマを発生させ、プラズマドーピングを行う。ガスとしてジボランやホスフィンなどの不純物を含む低濃度のガスを用いる。
摘要翻译：提供了将待引入样品表面的杂质的浓度重复性优异的等离子体掺杂方法和装置。在真空容器（1）中，从配置在对电极（3）上的气体喷出口（5）向朝向设置在样品电极（6）上的基板（7）喷射气体，真空容器被排出使用涡轮分子泵（8）作为排气装置。当通过调节器（9）在规定的压力下将真空容器（1）保持在真空容器（1）内时，相对电极（3）和样品电极（6）之间的距离相对于对电极（3）的面积减小到足够小不要将等离子体扩散到外部，在对电极（3）和样品电极（6）之间产生电容耦合的等离子体，并进行等离子体掺杂。使用含有诸如乙硼烷和膦的杂质的低浓度气体作为气体。

3. 发明申请

WO2006106872A1 プラズマドーピング方法及び装置审中-公开
标题翻译：等离子体掺杂法和系统
公开(公告)号：WO2006106872A1
公开(公告)日：2006-10-12
申请号：PCT/JP2006/306741
申请日：2006-03-30
申请人：松下電器産業株式会社 , 奥村智洋 , 佐々木雄一朗 , 岡下勝己 , 水野文二 , 伊藤裕之 , 中山一郎 , 金成国
发明人：奥村智洋 , 佐々木雄一朗 , 岡下勝己 , 水野文二 , 伊藤裕之 , 中山一郎 , 金成国
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/22 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/2236 , H01J37/32412 , H01J37/3244 , H01J37/32834 , H01J2237/3342
摘要：　本発明の課題は、試料表面に導入される不純物濃度の均一性に優れたプラズマドーピング方法及び装置を提供することである。本発明のプラズマドーピング装置は、真空容器（１）内に、ガス供給装置（２）から所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのターボ分子ポンプ（３）により排気口（１１）を介して排気を行い、調圧弁（４）により真空容器（１）内を所定の圧力に保つ。そして、高周波電源（５）により１３．５６ＭＨｚの高周波電力を試料電極（６）に対向した誘電体窓（７）の近傍に設けられたコイル（８）に供給することにより、真空容器（１）内に誘導結合型プラズマを発生させる。試料電極（６）に高周波電力を供給するための高周波電源（１０）が設けられている。試料電極（６）の中心部に対向して設けられたガス吹き出し口（１５）の開口部面積の合計を、試料電極（６）の周辺部に対向して設けられたガス吹き出し口（１５）の開口部面積の合計よりも小さくすることにより、均一性が高まった。
摘要翻译：等离子体掺杂方法和系统，用于提供导入样品表面的杂质浓度的优异均匀性。在等离子体掺杂系统中，通过作为排气器的涡轮分子泵（3）通过排气口（11）排出真空容器（1），同时从气体供应源（2）和预定压力水平引入预定气体通过压力控制阀（4）在真空容器（1）中维持。然后，在真空容器（1）中，从设置在高频率的13.56MHz的高频功率的面向样品电极（6）的电介质窗（7）附近提供线圈（8），在真空容器（1）中产生感性耦合等离子体电源（5）。提供了一种用于向样品电极（6）提供高频功率的高频电源（10）。通过将与样品电极（6）的中心部分相对设置的气体吹出口（15）的总开口面积设置为小于相对设置的气体吹出口（15）的总开口面积而增大均匀性到样品电极（6）的外围部分。

4. 发明申请

WO2006106857A1 プラズマ処理装置、これを用いた処理方法、半導体装置、液晶パネルおよびプラズマディスプレイ审中-公开
标题翻译：等离子体处理装置，使用该方法的处理方法，半导体装置，液晶面板和等离子体显示
公开(公告)号：WO2006106857A1
公开(公告)日：2006-10-12
申请号：PCT/JP2006/306720
申请日：2006-03-30
申请人：松下電器産業株式会社 , 水野文二 , 中山一郎 , 佐々木雄一朗 , 岡下勝己 , 奥村智洋
发明人：水野文二 , 中山一郎 , 佐々木雄一朗 , 岡下勝己 , 奥村智洋
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/22
CPC分类号： H01L21/2236 , C23C16/4404
摘要：　本発明の課題は、プラズマを用いて不純物物質を導入する際、用いる真空チャンバー内壁に対象とする不純物物質が若干量付着する。これが再度プラズマによりスパッタされて、プラズマに混入する。そこで、混入を避け、混入を制御することによりプロセスの安定化を図ることを目的とすることである。　本発明のプラズマ処理装置は、チャンバーの内壁を常に新鮮な状態に保持する為にチャンバーの内壁近傍に機能性薄膜を設置しこれを連続的もしくは断続的に交換して、プラズマ中に含まれる物質がチャンバー内壁に付着しないようにする。もしくは、所望の不純物物質を前処理として十分真空チャンバー内壁に堆積させておいて、不純物導入工程に使用する際には不純物の堆積とプラズマによるスパッタリングを安定な平衡状態にして使用する。
摘要翻译：当使用等离子体引入杂质时，一定量的引入的杂质沉积在所使用的真空室的内壁上，并且被等离子体再次溅射以混入等离子体。必须通过避免或控制混合来稳定该过程。一种等离子体处理装置，其特征在于，为了保持室内的内壁始终是新鲜的，安装在室内壁附近的功能性薄膜，连续或间歇地更换，以防止等离子体中所含的物质沉积在室内壁。或者，预先将预期的杂质沉积在真空室的内壁上，并且当用于杂质导入工艺时，通过保持稳定的平衡来使用杂质的沉积和等离子体的溅射。

5. 发明申请

WO2006049076A1 プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体处理方法和等离子体处理装置
公开(公告)号：WO2006049076A1
公开(公告)日：2006-05-11
申请号：PCT/JP2005/019778
申请日：2005-10-27
申请人：松下電器産業株式会社 , 奥村智洋 , 佐々木雄一朗 , 岡下勝己 , 金成国 , 前嶋聡 , 伊藤裕之 , 中山一郎 , 水野文二
发明人：奥村智洋 , 佐々木雄一朗 , 岡下勝己 , 金成国 , 前嶋聡 , 伊藤裕之 , 中山一郎 , 水野文二
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/68735 , H01J37/32642 , H01L21/2236 , H01L21/67069
摘要：　非晶質化処理の均一性を高めることが可能なプラズマ処理方法および装置を提供する。　真空容器１内に、ガス供給装置２からガス導入口１１を介して所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのターボ分子ポンプ３により排気口１２を介して排気を行い、調圧弁４により真空容器１内を所定の圧力に保つ。高周波電源５により１３．５６ＭＨｚの高周波電力を試料電極６に対向した誘電体窓７の近傍に設けられたコイル８に供給することにより、真空容器１内に誘導結合型プラズマを発生させる。試料電極６に高周波電力を供給するための高周波電源１０が設けられており、これは、試料電極６の電位を制御する電圧源として機能する。試料電極６の構成を工夫することにより、シリコン基板９の表面の結晶層を均一に非晶質化することができた。
摘要翻译：一种等离子体处理方法和装置，其能够提高结晶至非晶转化的均匀性。当通过气体入口（11）将预定气体从气体供应（2）引入真空容器（1）中时，真空容器（1）中的气体通过排气口（12）通过涡轮作为排气装置的分子泵（3），通过压力调节阀（4）将真空容器（1）的压力保持在规定的压力。通过高频电源（5）将13.56MHz的高频功率提供给设置在与样品电极（6）相对的电介质窗（7）附近的线圈（8），并且电感耦合等离子体真空容器（1）。提供高频电源（10），用于向样品电极（6）提供高频电力，并用作用于控制样品电极（6）的电位的电压源，通过设计样品电极（ 6）中，硅衬底（9）表面的结晶层可以均匀地转变为无定形的。

6. 发明申请

WO2006107044A1 プラズマ処理方法及び装置审中-公开
标题翻译：等离子体处理方法和系统
公开(公告)号：WO2006107044A1
公开(公告)日：2006-10-12
申请号：PCT/JP2006/307126
申请日：2006-04-04
申请人：松下電器産業株式会社 , 奥村智洋 , 佐々木雄一朗 , 岡下勝己 , 伊藤裕之 , 水野文二 , 金成国 , 中山一郎
发明人：奥村智洋 , 佐々木雄一朗 , 岡下勝己 , 伊藤裕之 , 水野文二 , 金成国 , 中山一郎
IPC分类号： H05H1/00 , H01L21/205 , H01L21/265 , H01L21/302 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32935 , H01J37/321 , H01J37/32412
摘要：　本発明の課題は、試料表面に入射するイオン電流を正確にモニタリングできるプラズマ処理方法及び装置を提供することである。真空容器（１）内に、ガス供給装置（２）から所定のガスを導入しつつ、ターボ分子ポンプ（３）により排気口（１１）を介して排気を行い、調圧弁（４）により真空容器（１）内を所定の圧力に保つ。プラズマ源用高周波電源（５）により高周波電力を誘電体窓（７）の近傍に設けられたコイル（８）に供給することにより、真空容器（１）内に誘導結合型プラズマを発生させる。試料電極（６）に高周波電力を供給するための試料電極用高周波電源（１０）が設けられ、これと試料電極（６）の間に、試料電極用整合回路（１３）及び高周波センサ（１４）が設けられている。高周波センサ（１４）と演算装置（１５）を用いて、試料表面に入射するイオン電流を正確にモニタリングすることができた。
摘要翻译：可以精确地监测入射到样品表面的离子电流的等离子体处理方法和系统。真空容器（1）通过涡轮分子泵（3）通过出口（11）排出，同时从气体供应单元（2）引入预定气体，并且在真空容器中维持预定的压力水平 1）通过压力调节阀（4）。通过从用于等离子体源的高频电源（5）向设置在电介质窗（7）附近的线圈（8）提供高频功率，在真空容器（1）中产生感应耦合等离子体。提供了一种用于向样品电极（6）提供高频电力的样品电极的高频电源（10），并且用于样品电极和高频传感器（14）的匹配电路（13）设置在高电平用于样品电极和样品电极（6）的高频电源（10）。因此，可以使用高频传感器（14）和运算单元（15）精确地监测入射到样品表面的离子电流。

7. 发明申请

WO2006098109A1 プラズマドーピング方法及び装置审中-公开
标题翻译：等离子体掺杂方法和设备
公开(公告)号：WO2006098109A1
公开(公告)日：2006-09-21
申请号：PCT/JP2006/302554
申请日：2006-02-14
申请人：松下電器産業株式会社 , 奥村智洋 , 佐々木雄一朗 , 岡下勝己 , 伊藤裕之 , 水野文二 , 金成国 , 中山一郎
发明人：奥村智洋 , 佐々木雄一朗 , 岡下勝己 , 伊藤裕之 , 水野文二 , 金成国 , 中山一郎
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/22
CPC分类号： H01L21/2236 , H01J37/321 , H01J37/32412 , H01J2237/2001
摘要：　試料表面に導入される不純物濃度の制御性に優れたプラズマドーピング方法及び装置を提供する。　真空容器１内に、ガス供給装置２から所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのターボ分子ポンプ３により排気口１１を介して排気を行い、調圧弁４により真空容器１内を所定の圧力に保つ。高周波電源５により１３．５６ＭＨｚの高周波電力を試料電極６に対向した誘電体窓７の近傍に設けられたコイル８に供給することにより、真空容器１内に誘導結合型プラズマを発生させる。試料電極６に高周波電力を供給するための高周波電源１０が設けられている。所定数の試料を処理するたびに、ダミー試料をプラズマドーピング処理した後加熱し、表面のシート抵抗を測定した値が所定の値となるように試料を処理する条件を制御することで、不純物濃度の制御性を高めることができる。
摘要翻译：提供了一种等离子体掺杂方法和设备，其对引入样品表面的杂质浓度的可控性优异。在从气体供给装置2向真空容器1内导入规定的气体的同时，作为排气装置的涡轮分子泵3通过排气口11排出气体，利用压力调整阀4将真空容器1内加压至规定的压力保持到。从高频电源5向设置在与样品电极6相对的电介质窗7附近的线圈8供给13.56MHz的高频电力，在真空容器1内产生感应耦合等离子体。提供用于向样品电极6提供高频功率的高频电源10。每次处理预定数量的样本时，虚拟样本经过等离子体掺杂处理，然后加热以控制处理样本的条件，使得通过测量表面的薄层电阻而获得的值变成预定值，由此杂质浓度可以改进。

8. 发明申请

WO2005076328A1 不純物導入方法审中-公开
标题翻译：引入弊端的方法
公开(公告)号：WO2005076328A1
公开(公告)日：2005-08-18
申请号：PCT/JP2005/001706
申请日：2005-02-04
申请人：松下電器産業株式会社 , 佐々木雄一朗 , 奥村智洋 , 水野文二 , 金成国 , 中山一郎 , 前嶋聡 , 岡下勝己
发明人：佐々木雄一朗 , 奥村智洋 , 水野文二 , 金成国 , 中山一郎 , 前嶋聡 , 岡下勝己
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/2236
摘要：　アモルファス化プラズマ照射とプラズマドーピングを組合せたプロセスを工程が簡単でスループットが高い状態で装置を故障させることなく繰り返し行うことができる不純物導入方法を提供する。　アモルファス化プラズマ照射とプラズマドーピングで使用するプラズマを切り替える時に、放電を止めて高周波電源や周辺回路の整合ポイントの初期状態を各工程で使用するプラズマに適応するように設定し直す、または、圧力を上げたりバイアス電圧を下げたりして切り替え時に高周波電源などに掛かる負荷を低減する。
摘要翻译：引入杂质的方法，其中可以通过简单的步骤以高生产率重复非晶化等离子体照射和等离子体掺杂的组合的过程，而不会导致设备的任何故障。在非晶硅等离子体照射中使用的等离子体与等离子体掺杂中使用的等离子体之间切换时，停止放电，高频电源或外围电路的匹配点的初始条件适当地重新设定为使用的等离子体在每个过程中。或者，通过升高压力或降低偏置电压来切换高频功率时的负载。

9. 发明申请

WO2004051720A1 プラズマドーピング方法审中-公开
标题翻译：等离子体法的方法
公开(公告)号：WO2004051720A1
公开(公告)日：2004-06-17
申请号：PCT/JP2003/014633
申请日：2003-11-18
申请人：松下電器産業株式会社 , 佐々木雄一朗 , 水野文二 , 中山一郎 , 金田久隆 , 奥村智洋
发明人：佐々木雄一朗 , 水野文二 , 中山一郎 , 金田久隆 , 奥村智洋
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/2236
摘要：Ｂ２Ｈ６をできるだけ希釈して安全性を高め、ドーピング効率を低下させることなく、安定してプラズマの発生や維持を行うことができ、さらにドーパント注入量の制御を容易に行えるプラズマドーピング方法を提供することを目的とするものであって、ドーピングする不純物を含む物質としてＢ２Ｈ６ガスを用い、電離エネルギーが高い物質としてＨｅを用い、混合ガス中でのＢ２Ｈ６の濃度が０．０５％未満であることを特徴とするプラズマドーピング方法である。
摘要翻译：可以在不降低掺杂效率的情况下进行B2H6的稀释最大化以提高安全性和稳定的等离子体产生和维持的等离子体掺杂的方法，并且可以容易地控制注入的掺杂剂的量。特别是等离子体掺杂的方法，其特征在于，使用B 2 H 6气体作为含有掺杂杂质的材料，同时使用He作为高解离能的物质，混合气体中的B 2 H 6的浓度小于0.05％。

10. 发明申请

WO2006114976A1 プラズマドーピング方法及びプラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子喷涂方法和等离子体处理设备
公开(公告)号：WO2006114976A1
公开(公告)日：2006-11-02
申请号：PCT/JP2006/306561
申请日：2006-03-29
申请人：松下電器産業株式会社 , 奥村智洋 , 佐々木雄一朗 , 岡下勝己 , 水野文二 , 伊藤裕之 , 中山一郎 , 金成国
发明人：奥村智洋 , 佐々木雄一朗 , 岡下勝己 , 水野文二 , 伊藤裕之 , 中山一郎 , 金成国
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/22
CPC分类号： H01L21/2236 , H01J37/321 , H01J37/32412 , H01J37/32458 , H01J37/32623 , H01J37/32633
摘要：　本発明の課題は、試料表面に導入される不純物濃度の均一性に優れたプラズマドーピング方法及び試料のプラズマ処理を均一に行えるプラズマ処理装置を提供することである。　本発明のプラズマドーピング装置は、真空容器（１）内に、ガス供給装置（２）から所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのターボ分子ポンプ（３）により排気口（１１）を介して排気を行い、調圧弁（４）により真空容器（１）内を所定の圧力に保つ。そして、高周波電源（５）により１３．５６ＭＨｚの高周波電力を試料電極（６）に対向した誘電体窓（７）の近傍に設けられたコイル（８）に供給することにより、真空容器（１）内に誘導結合型プラズマを発生させる。試料電極（６）に高周波電力を供給するための高周波電源（１０）が設けられている。ゲートシャッター（１８）を駆動して貫通ゲート（１６）を覆うことにより、処理の均一性を高めることができる。
摘要翻译：一种等离子体掺杂方法，用于提供导入样品表面的杂质浓度优异的均匀性，以及对样品进行等离子体处理的等离子体处理设备。在等离子体掺杂系统中，通过作为排气器的涡轮分子泵（3）通过排气口（11）排出真空容器（1），同时从气体供应源（2）和预定压力水平引入预定气体通过压力控制阀（4）在真空容器（1）中维持。然后在真空容器（1）中通过以高频（13.56MHz）提供设置在面向样品电极（6）的介电窗（7）附近的13.56MHz的高频功率的线圈（8）电源（5）。提供了一种用于向样品电极（6）提供高频功率的高频电源（10）。通过驱动闸门（18）并覆盖通过闸门（16）的处理可以增强均匀性。

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