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1. 发明申请

WO2009016778A1 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2009016778A1
公开(公告)日：2009-02-05
申请号：PCT/JP2008/000303
申请日：2008-02-22
申请人：パナソニック株式会社 , 佐々木雄一朗 , 岡下勝己 , 中本圭一 , 金田久隆 , 水野文二
发明人：佐々木雄一朗 , 岡下勝己 , 中本圭一 , 金田久隆 , 水野文二
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/265 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7854 , H01L29/66803
摘要：　上部に不純物領域６１ａ及び側部に不純物領域６１ｂを有するフィン型半導体領域６１を跨ぐようにゲート絶縁膜６２が形成されている。ゲート絶縁膜６２の外側に位置する部分のフィン型半導体領域６１における上部コーナーの曲率半径ｒ’は、ゲート絶縁膜６２の下側に位置する部分のフィン型半導体領域６１における上部コーナーの曲率半径ｒよりも大きく且つ２ｒ以下である。
摘要翻译：栅极绝缘膜（62）被形成为跨越在上部具有杂质区域（61a）的鳍状半导体区域（61）和侧部中的杂质区域（61b）。位于栅绝缘膜（62）外部的鳍状半导体区域（61）的一部分的上角的曲率半径r'大于鳍状的另一部分的上角的曲率半径r 半导体区域（61）位于栅极绝缘膜（62）的下方，但不大于2r。

2. 发明申请

WO2005112088A1 半導体装置の製造方法および製造装置审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法和制造设备
公开(公告)号：WO2005112088A1
公开(公告)日：2005-11-24
申请号：PCT/JP2005/008695
申请日：2005-05-12
申请人：松下電器産業株式会社 , 水野文二 , 佐々木雄一朗 , 中山一郎 , 伊藤裕之 , 奥村智洋 , 金成国 , 岡下勝己 , 金田久隆
发明人：水野文二 , 佐々木雄一朗 , 中山一郎 , 伊藤裕之 , 奥村智洋 , 金成国 , 岡下勝己 , 金田久隆
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/26513 , H01L21/26566 , H01L21/28035 , H01L29/7833
摘要：　特性の均一化を図り歩留まりの高い半導体装置を提供することを目的とし、ドライエッチングによる基板面内のばらつきを相殺するように、後続工程であるドーピングやアニール工程のばらつきを調整し、最終的に基板面内でも均一性にすぐれた工程を提供する。
摘要翻译：提供具有均匀特性并以高产率制造的半导体器件。为了消除由于干蚀刻引起的基板表面的变化，调整作为后处理的掺杂和退火步骤引起的变化，并且最终提供即使在基板表面上实现优异的均匀性的步骤。

3. 发明申请

WO2004051720A1 プラズマドーピング方法审中-公开
标题翻译：等离子体法的方法
公开(公告)号：WO2004051720A1
公开(公告)日：2004-06-17
申请号：PCT/JP2003/014633
申请日：2003-11-18
申请人：松下電器産業株式会社 , 佐々木雄一朗 , 水野文二 , 中山一郎 , 金田久隆 , 奥村智洋
发明人：佐々木雄一朗 , 水野文二 , 中山一郎 , 金田久隆 , 奥村智洋
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/2236
摘要：Ｂ２Ｈ６をできるだけ希釈して安全性を高め、ドーピング効率を低下させることなく、安定してプラズマの発生や維持を行うことができ、さらにドーパント注入量の制御を容易に行えるプラズマドーピング方法を提供することを目的とするものであって、ドーピングする不純物を含む物質としてＢ２Ｈ６ガスを用い、電離エネルギーが高い物質としてＨｅを用い、混合ガス中でのＢ２Ｈ６の濃度が０．０５％未満であることを特徴とするプラズマドーピング方法である。
摘要翻译：可以在不降低掺杂效率的情况下进行B2H6的稀释最大化以提高安全性和稳定的等离子体产生和维持的等离子体掺杂的方法，并且可以容易地控制注入的掺杂剂的量。特别是等离子体掺杂的方法，其特征在于，使用B 2 H 6气体作为含有掺杂杂质的材料，同时使用He作为高解离能的物质，混合气体中的B 2 H 6的浓度小于0.05％。

4. 发明申请

WO2004075278A1 液相エッチング方法および液相エッチング装置审中-公开
标题翻译：液体蚀刻的方法和装置
公开(公告)号：WO2004075278A1
公开(公告)日：2004-09-02
申请号：PCT/JP2004/002073
申请日：2004-02-23
申请人：松下電器産業株式会社 , 水野文二 , 佐々木雄一朗 , 中山一郎 , 金田久隆
发明人：水野文二 , 佐々木雄一朗 , 中山一郎 , 金田久隆
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/31144 , H01L21/31111 , H01L21/32134 , H01L21/32139 , H01L21/6708
摘要：本発明は、被処理物である固体もしくは固体の集合体あるいはジェル状の物体に、化学反応性液体を所定速度で吹き付けてエッチングする液相エッチング方法と、被処理物を保持する機構と保持された被処理物に化学反応性液体を吹き付ける為のノズル構造を有する液相エッチング装置を提供する。本発明により、エッチングの精度を維持しつつ、エッチング速度を大幅に向上させることが出来る。
摘要翻译：一种液体蚀刻方法，其包括以特定速度将化学反应性液体吹送到固体制品，待处理的固体制品或凝胶状材料的集合体; 以及具有用于保持待处理物品或材料的机构的液体蚀刻装置和用于将化学反应性液体吹送到被该机构保持的待处理物品或材料的喷嘴结构。该方法和装置允许在保持蚀刻精度的同时显着提高蚀刻速率。

5. 发明申请

WO2005076039A1 ビーム測定装置およびこれを用いたビーム測定方法审中-公开
标题翻译：光束测量设备和使用该光束的光束测量方法
公开(公告)号：WO2005076039A1
公开(公告)日：2005-08-18
申请号：PCT/JP2005/002075
申请日：2005-02-10
申请人：松下電器産業株式会社 , 独立行政法人理化学研究所 , 佐々木雄一朗 , 渡邉環 , 川口武男 , 渡辺伸一 , 片山武司 , 水野文二 , 金田久隆
发明人：佐々木雄一朗 , 渡邉環 , 川口武男 , 渡辺伸一 , 片山武司 , 水野文二 , 金田久隆
IPC分类号： G01T1/29
CPC分类号： H05H1/0087 , G01R33/0356 , G01R33/0358 , H01J37/3171 , H01J2237/31703
摘要：　ビーム電流値を高精度で非破壊型測定ができ、かつビームの位置を測定できるビーム測定装置を提供する。　外部磁場遮蔽用の磁気遮蔽部と、前記磁気遮蔽部によって生成された遮蔽空間に配された複数の磁場センサとを備え、前記磁場センサは、測定すべきビーム電流が生成する磁場を収集する磁場収集機構を複数個具備し、前記磁場収集機構は、少なくとも表面が超伝導体で外周部には一部分のみを超伝導体で構成したブリッジ部分を有する筒状構造物であり、測定すべきビーム電流が生成する磁場を前記磁場センサで測定するようにしたビーム測定装置であって、前記磁場センサを複数個配設し、ビーム位置及びビーム電流を検出することを特徴とするものである。
摘要翻译：光束测量设备用于以高精度无损检测光束电流值并测量光束位置。光束测量设备设置有用于外部磁场屏蔽的磁屏蔽部分和布置在由磁屏蔽部分产生的屏蔽空间中的多个磁场传感器。磁场传感器设置有多个磁场收集机构，用于收集由待测量的束电流产生的磁场。磁场采集机构是一种管状结构，其表面由超导体制成，并且仅在其一部分由超导体形成的桥部分设置在磁场采集机构的外圆周部分上。由待测量的束电流产生的磁场由磁传感器测量。光束测量设备设有多个磁场传感器，以便检测光束位置和光束电流。

6. 发明申请

WO2005029100A1 ビーム電流センサー审中-公开
标题翻译：光束电流传感器
公开(公告)号：WO2005029100A1
公开(公告)日：2005-03-31
申请号：PCT/JP2004/013804
申请日：2004-09-22
申请人：独立行政法人理化学研究所 , 松下電器産業株式会社 , 渡邉環 , 片山武司 , 加瀬昌之 , 池田時浩 , 渡辺伸一 , 川口武男 , 佐々木雄一朗 , 水野文二 , 金田久隆
发明人：渡邉環 , 片山武司 , 加瀬昌之 , 池田時浩 , 渡辺伸一 , 川口武男 , 佐々木雄一朗 , 水野文二 , 金田久隆
IPC分类号： G01R15/20
CPC分类号： G01R19/0061
摘要：　電流から磁場を形成する効率を向上させ、１ｎＡ程度の微弱なビーム電流値も計測することを可能にするものであり、ビームが内径側を通過するようにした筒状体であって、外径側にブリッジ部を形成した超伝導体よりなるビーム電流センサーにおいて、上記ブリッジ部は、外径側から内径側に向かって反時計回りに巻回された渦巻形状を備えるように形成された第１のコイル部と、外径側から内径側に向かって時計回りに巻回された渦巻形状を備えるように形成された第２のコイル部と、上記第１のコイル部の内径側の中心部位と上記第２のコイル部の内径側の中心部位とを接続する連結部とを有して構成する。
摘要翻译：光束电流传感器由圆柱形超导体构成，其具有形成在外径侧的桥单元，其中光束通过内径侧。传感器可以测量小至1nA的光束电流。桥单元包括：第一线圈单元，其形成为具有从外径侧向内径侧逆时针旋转的涡流形状; 形成为具有从外径侧向内径侧顺时针缠绕的涡流状的第二线圈单元; 以及用于将第一线圈单元的内径侧的中心位置与第二线圈的内径侧的中心位置连接的连接部。

7. 发明申请

WO2004109785A1 不純物導入方法、不純物導入装置およびこれを用いて形成された半導体装置审中-公开
标题翻译：抑制方法，使用相同的制造装置和半导体装置
公开(公告)号：WO2004109785A1
公开(公告)日：2004-12-16
申请号：PCT/JP2004/008281
申请日：2004-06-08
申请人：松下電器産業株式会社 , 水野文二 , 佐々木雄一朗 , 中山一郎 , 金田久隆
发明人：水野文二 , 佐々木雄一朗 , 中山一郎 , 金田久隆
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/2236 , H01L21/67069
摘要：本発明の課題は、基板への不純物導入において高精度の制御が可能な不純物導入方法および不純物導入装置を提供することである。　保持台（４）上に被処理基板（５）を載置し回転駆動軸（１３）で回転させる。真空ポンプ（６）を作動させ後、真空ポンプ（６）によるガス排気を停止させ、計量チャンバー（７）内の一定量のプラズマ発生用の物質（ガス物質）を真空チャンバー（１）内にノズル（１４）を通して導入する。ノズル（１４）には多数のマイクロノズル（１９）が備えられ、プラズマの励起強度に応じて、このマイクロノズル（１９）を通して真空チャンバー（１）内で空間的に不均一なガス流（１５）を生じさせる。そして、電源（３）でプラズマ発生部（２）を駆動させ真空チャンバー（１）内に不均一に導入したガス物質をプラズマ励起し、所定の時間に亘り被処理基板（５）表面をプラズマに曝させる。
摘要翻译：公开了一种杂质掺杂方法和杂质掺杂装置，其能够利用杂质对衬底的掺杂进行高精度的控制。待处理的基板（5）安装在保持台（4）上并围绕旋转驱动轴线（13）旋转。激活真空泵（6）后，停止由真空泵（6）排出的气体，并将一定量的测量室（7）中的等离子体产生物（气体物质）引入真空室（1））通过喷嘴（14）。喷嘴（14）设置有许多微喷嘴（19），并且根据等离子体的激发强度，通过真空室（1）中的这些微喷嘴（19）产生气流（15）。气流（15）在真空室（1）内在空间上不均匀。然后由电源（3）驱动等离子体发生单元（2），使得不均匀地引入真空室（1）中的气体物质被激发成等离子体，并且待处理的基板的表面（5 ）暴露于等离子体一段时间。

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