专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

21. 发明申请

WO2006038305A1 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2006038305A1
公开(公告)日：2006-04-13
申请号：PCT/JP2004/014894
申请日：2004-10-01
申请人：大見忠弘 , 森本明大
发明人：大見忠弘 , 森本明大
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/84 , H01L27/12 , H01L29/045 , H01L29/41741 , H01L29/456 , H01L29/66734 , H01L29/732 , H01L29/7397 , H01L29/74 , H01L29/744 , H01L29/78603 , H01L2924/0002 , H05K1/053 , H01L2924/00
摘要：半導体装置用基板として、金属基板を用い、当該金属基板を第１の金属からなる金属基体と、該金属基体を覆う第２の金属からなる接続金属層とによって構成すると共に、接続金属層上に第１の金属の拡散を防止する拡散防止層を設けた構造を有する基板が得られる。
摘要翻译：作为半导体装置的基板，使用金属板，金属基板由金属基体和第二金属构成，金属基体由第一金属构成，金属层由用于覆盖金属基体的第二金属构成。该板具有其中在连接金属层上设置防止第一金属扩散的扩散防止层的结构。

22. 发明申请

WO2006009003A1 半導体装置の処理液、処理方法および半導体製造装置审中-公开
标题翻译：半导体器件的工艺液体，制造方法和制造半导体器件
公开(公告)号：WO2006009003A1
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：PCT/JP2005/012784
申请日：2005-07-11
申请人：国立大学法人東北大学 , ステラケミファ株式会社 , 大見忠弘 , 寺本章伸 , 菊山裕久 , 二井啓一 , 山本雅士
发明人：大見忠弘 , 寺本章伸 , 菊山裕久 , 二井啓一 , 山本雅士
IPC分类号： H01L21/308
CPC分类号： H01L21/02063
摘要：本発明の目的は、半導体表面の原子溶出が少なく、清浄かつ平坦な半導体表面を作成できる処理液、処理方法および半導体製造装置を提供することにある。本発明はアルコール類またはケトン類のうち少なくとも１種類を含む水溶液を用いることにより、半導体表面からの溶出の少ない処理および清浄かつ平坦な表面を実現する処理液、処理方法および半導体製造装置が得られる。
摘要翻译：公开了一种处理液体，其仅使半导体表面的原子几乎不溶解，并且能够形成清洁且平坦的半导体表面。还公开了一种用于制造半导体的处理方法和装置。具体公开了一种处理液体，其通过使用含有至少一种醇或酮的水溶液使半导体表面的原子几乎不溶解，从而实现清洁平坦的表面。

23. 发明申请

WO2005067022A1 シャワープレート、プラズマ処理装置、及び製品の製造方法审中-公开
标题翻译：淋浴板，等离子体加工系统以及生产产品的方法
公开(公告)号：WO2005067022A1
公开(公告)日：2005-07-21
申请号：PCT/JP2004/014421
申请日：2004-09-24
申请人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 後藤哲也
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 後藤哲也
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/45565 , H01J37/3244 , H01J37/32449
摘要：シャワープレートに配置するガス放出孔の単位面積あたりの配置数を、シャワープレート中心から離れるに従って増加させる、もしくは、ガス放出孔の孔半径をシャワープレート中心から離れるに従って増加させることにより、プラズマ励起ガス流を均一にし、これによって、被処理基板の均一処理を可能にする。
摘要翻译：一种用于通过增加从喷淋板的中心退出的喷淋板的每单位面积排列的排气孔的数量而均匀地处理基板的系统，或者从喷淋中心离开时增加排气孔的半径从而使等离子体激发气体流动均匀。

24. 发明申请

WO2005013005A1 パターン描画方法、及びパターン描画装置审中-公开
标题翻译：图案绘图方法和图案绘图装置
公开(公告)号：WO2005013005A1
公开(公告)日：2005-02-10
申请号：PCT/JP2004/011387
申请日：2004-08-02
申请人：ボールセミコンダクターインク. , 大見忠弘 , 須川成利 , 柳田公雄 , 武久究
发明人：大見忠弘 , 須川成利 , 柳田公雄 , 武久究
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70275 , G03F7/70041
摘要：マイクロレンズを用いたパターン描画装置において、微小な設計グリッドに対応させるためのグレースケールの算出が容易にするために、紫外光源から生成されるパルスから次のパルスまでの時間内に基板を移動させる距離を、スポット間隔より短く、且つ、スポット間隔から１つのスポットの直径を差し引いた長さよりも長くする。パルスごとにスキャンさせていくと、スキャン方向に関しては、次第にスポットがつながっていき、連続的な線が描かれる。一方、スキャン方向と直交する方向に関しては、離散的な直線となるため、この方向に関しては１回のスキャンが終わったら、スポット径以下の距離だけステップ移動すればよい。
摘要翻译：使用微透镜的图案绘制装置。衬底在从紫外光源产生的脉冲到下一个脉冲的持续时间内移动。移动距离比点间隔短，并且长于从点间隔减去光斑直径的差异，以便于计算用于适应微设计网格的灰度级。在扫描每个脉冲输出后，点沿扫描方向连接，从而绘制连续的线。在垂直于扫描方向的方向上，绘制离散线。因此，在一次扫描结束之后，进行等于点直径或更小的阶梯移动的垂直方向。

25. 发明申请

WO2005003694A1 差圧式流量計及び差圧式流量制御装置审中-公开
标题翻译：差压式流量计和差压式流量计控制器
公开(公告)号：WO2005003694A1
公开(公告)日：2005-01-13
申请号：PCT/JP2004/008596
申请日：2004-06-18
申请人：株式会社フジキン , 大見忠弘 , 杉山一彦 , 宇野富雄 , 池田信一 , 西野功二 , 中村修 , 土肥亮介 , 松本篤諮
发明人：大見忠弘 , 杉山一彦 , 宇野富雄 , 池田信一 , 西野功二 , 中村修 , 土肥亮介 , 松本篤諮
IPC分类号： G01F1/42
CPC分类号： G01F1/50 , G01F1/42 , G05D7/0635
摘要：　差圧式流量計の構造を簡素化して製造コストの引下げを図ると共に、１００％～１％の広い流量範囲に亘って誤差Ｅが（１％ＳＰ）以下の高精度な流量計測をリアルタイムに且つインライン状態で行えるようにする。　そのため、オリフィスと、オリフィス上流側の圧力Ｐ 1 の検出器と、オリフィス下流側の流体圧力Ｐ 2 の検出器と、オリフィス上流側の流体温度Ｔの検出器と、前記各検出器からの検出圧力Ｐ 1 、Ｐ 2 及び検出温度Ｔを用いてオリフィスを流通する流体流量Ｑを演算する制御演算回路とからなる差圧式流量計に於いて、前記流体流量ＱをＱ＝Ｃ 1 ・Ｐ 1 ／√Ｔ・（（Ｐ 2 ／Ｐ 1 ） m −（Ｐ 2 ／Ｐ 1 ） n ） 1/2 （但しＣ 1 は比例定数、ｍ及びｎは定数）により演算する。
摘要翻译：可以通过简化结构和降低流量的高精度测量来降低生产成本的差压式流量计可以在线性状态下实时地进行，在宽的流动下，误差E不大于（1％SP））率范围为100％-1％。差压式流量计包括孔口，孔口上游侧的压力P1检测器，孔口下游侧的压力检测器P2，孔口上游侧的流体温度T检测器，以及控制操作电路，用于通过检测压力P1和P2以及来自各个检测器的检测温度T来操作通过孔的流体的流量Q，其中流体的流量Q根据以下表达式操作; Q = C1.P1 /√T（（P2 / P1） - （P2 / P1））1/2（其中，C1是比例常数，m和n是常数）。

26. 发明申请

WO2004113860A1 圧力センサ及び圧力制御装置並びに圧力式流量制御装置の自動零点補正装置审中-公开
标题翻译：压力传感器，压力控制器和压力型流量控制器的自动零点校正装置
公开(公告)号：WO2004113860A1
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：PCT/JP2004/008118
申请日：2004-06-10
申请人：株式会社フジキン , 大見忠弘 , 杉山一彦 , 日野昭一 , 高橋栄治 , 三枝慎 , 池田信一 , 西野功二 , 土肥亮介 , 上野山豊己 , 杉田勝幸
发明人：大見忠弘 , 杉山一彦 , 日野昭一 , 高橋栄治 , 三枝慎 , 池田信一 , 西野功二 , 土肥亮介 , 上野山豊己 , 杉田勝幸
IPC分类号： G01L19/02
CPC分类号： G01L19/02 , G01L9/065 , G01L19/0023 , G05D7/0635
摘要：　圧力センサの経時零点ドリフトを自動補正して、その使用期間に拘わらず圧力を正確に検出できるようにした圧力センサと、これを用いた圧力制御装置及び流量制御装置を提供するものである。　具体的には、流体圧力を測定する半導体感圧素子を用いた圧力センサに於いて、圧力センサからのセンサ出力電圧を増幅器を通して外部へ出力すると共に、前記センサ出力電圧をＤ／Ａ変換器を通して圧力センサの経時零点ドリフト補正手段へ入力し、当該経時零点ドリフト補正手段のセンサ出力判定手段に於いて前記センサ出力電圧が設定値より大きいか否かを判定し、更に前記経時零点ドリフト補正手段の作動条件判定手段に於いて圧力センサの作動条件を判定し、前記センサ出力電圧が設定値より大きく且つ圧力センサの作動条件が予かじめ設定した作動条件下にあるときは、Ｄ／Ａ変換器を通して前記センサ出力電圧と同一電圧で且つ逆極性の零点補正用電圧を前記増幅器のオフセット端子へ入力し、圧力センサの経時零点ドリフトを消去する。

27. 发明申请

WO2004112238A1 低雑音増幅器审中-公开
标题翻译：低噪声放大器
公开(公告)号：WO2004112238A1
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：PCT/JP2004/008217
申请日：2004-06-11
申请人：株式会社豊田自動織機 , 新潟精密株式会社 , 大見忠弘 , 西牟田武史 , 宮城弘 , 須川成利 , 寺本章伸
发明人：大見忠弘 , 西牟田武史 , 宮城弘 , 須川成利 , 寺本章伸
IPC分类号： H03F1/26
CPC分类号： H01L21/82385 , H01L21/823807 , H01L27/092 , H01L29/785 , H03F1/26 , H03F2200/372 , H03G1/0029 , H03G1/007
摘要：　ＭＩＳトランジスタを有し、雑音を低レベルに抑えて入力信号を増幅する低雑音増幅器を前提とし、上記ＭＩＳトランジスタは、第１の結晶面を主面として有する半導体基板と、該半導体基板の一部として形成され、上記第１の結晶面とは異なった第２の結晶面により画成された１対の側壁面と、上記第２の結晶面とは異なった第３の結晶面により画成された頂面とよりなる、半導体構造と、上記主面及び上記側壁面及び上記頂面を一様な厚さで覆うゲート絶縁膜と、上記主面及び上記側壁面及び上記頂面を、上記ゲート絶縁膜を介して連続的に覆うゲート電極と、上記半導体基板中及び上記半導体構造中の、上記ゲート電極を介する一方側及び他方側に形成され、いずれも上記主面及び上記側壁面及び上記頂面に沿って連続的に延在する、同一導電型拡散領域と、を有するように構成する。　　このように構成することにより、低雑音増幅器によって出力信号に与えられる１／ｆ雑音や信号歪が大幅に低減され、それらの低減を補償する回路が不要になり、小型化が可能になる。
摘要翻译：一种具有用于将噪声抑制到低电平并且放大输入信号的MIS晶体管的低噪声放大器。 MIS晶体管包括具有作为主表面的第一晶面和形成为半导体衬底的一部分的半导体结构的半导体衬底和具有相同导电类型的扩散区。半导体结构具有由不同于第一晶体面的第二晶面和由不同于第二晶体的第三晶面限定的顶面限定的一对侧壁面，覆盖主表面的均匀厚度的栅极绝缘膜，侧壁面和顶面，以及栅极电极，其间隔着栅极绝缘膜连续地覆盖主表面，侧壁面和顶面。扩散区域形成在一端和另一端，栅电极插入，并且沿主表面，侧壁面和顶面连续延伸。这种结构大大降低了由低噪声放大器给予输出信号的1 / f噪声和信号失真，从而不需要用于补偿减小的电路并减小尺寸。

28. 发明申请

WO2004112142A1 リミッタ回路及びその半導体集積回路审中-公开
标题翻译：限制电路和半导体集成电路
公开(公告)号：WO2004112142A1
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：PCT/JP2004/008219
申请日：2004-06-11
申请人：株式会社豊田自動織機 , 新潟精密株式会社 , 大見忠弘 , 西牟田武史 , 宮城弘 , 須川成利 , 寺本章伸
发明人：大見忠弘 , 西牟田武史 , 宮城弘 , 須川成利 , 寺本章伸
IPC分类号： H01L27/092
CPC分类号： H03G1/0029 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L27/092 , H01L29/66795 , H03G1/0023 , H03G7/00 , H03K5/08
摘要：　シリコン基板上に高さＨＢで、幅がＷＢの直方体状の突出部２１を形成し、突出部２１の頂面及び側壁面の一部にゲート酸化膜を形成する。ゲート電極２６の両側にソースとドレインを形成してＭＯＳトランジスタを形成する。ＭＯＳトランジスタ６１と６２とからなる差動増幅回路でリミッタ回路を構成する。これにより、リミッタ回路の利得を大きくとれるようにする。
摘要翻译：在硅衬底上形成具有高度HB和宽度WB的长方体突起部分（21），并且在突出部分（21）的顶壁和侧壁表面的部分上形成栅极氧化膜。源极和漏极形成在栅电极（26）的两个相对侧上，从而形成MOS晶体管。包括MOS晶体管（61,62）的差分放大器电路用于配置限幅器电路。以这种方式，限幅器电路可以表现出更大的增益。

29. 发明申请

WO2004112121A1 ＭＩＳトランジスタ及びＣＭＯＳトランジスタ审中-公开
标题翻译： MIS晶体管和CMOS晶体管
公开(公告)号：WO2004112121A1
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：PCT/JP2004/008218
申请日：2004-06-11
申请人：株式会社豊田自動織機 , 新潟精密株式会社 , 大見忠弘 , 西牟田武史 , 宮城弘 , 須川成利 , 寺本章伸
发明人：大見忠弘 , 西牟田武史 , 宮城弘 , 須川成利 , 寺本章伸
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7851 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/82385 , H01L29/045
摘要：　半導体基板に形成されるＭＩＳトランジスタを前提とし、該ＭＩＳトランジスタは、表面が少なくとも二つの異なる結晶面を有する凸部（７０４、９１０Ｂ）を主面に対して構成する半導体基板（７０２、９１０）と、前記凸部の表面を構成する前記少なくとも二つの異なる結晶面の各々の少なくとも一部を覆うゲート絶縁膜（７０８、９２０Ｂ）と、前記ゲート絶縁膜を介して、前記凸部の表面を構成する前記少なくとも二つの異なる結晶面の各々に対して構成されるゲート電極（７０６、９３０Ｂ）と、前記少なくとも二つの異なる結晶面の各々に面して前記凸部中に形成され、かつ前記ゲート電極の両側にそれぞれ形成される同一導電型拡散領域（７１０ａ、７１０ｂ、９１０ｃ、９１０ｄ）と、を有する。このように構成することにより、素子面積の増大を抑えながら、チャネル幅を増大できる。
摘要翻译：公开了一种形成在半导体衬底中的MIS晶体管，其包括具有突出部分（704,910B）的半导体衬底（702,910），所述突出部分的表面相对于衬底的主表面具有至少两个不同的晶面;栅极覆盖构成突出部分的表面的每个晶面的至少一部分的绝缘膜（708,920B），经由栅极绝缘膜形成在每个晶面上的栅电极（706,930B）和扩散区域形成在面对各个晶面的突出部分和栅绝缘电极的两侧上的相同导电类型（710a，710b，910c，910d）。通过具有这种结构，MIS晶体管可以具有增加的沟道宽度，同时抑制器件面积的增加。

30. 发明申请

WO2004100248A1 基板処理装置审中-公开
标题翻译：基板加工设备
公开(公告)号：WO2004100248A1
公开(公告)日：2004-11-18
申请号：PCT/JP2004/005977
申请日：2004-04-26
申请人：大見忠弘 , 平山昌樹
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32192 , H01J37/32834 , H01J2237/022
摘要：本発明によれば、マイクロ波プラズマを用いた基板処理装置１０Ａにおいて、処理容器１１内に内部隔壁１５を設け、前記処理容器１１内は、被処理基板を含む空間１１Ａと前記内部隔壁１５と前記処理容器１１の外壁とによって画成される空間１１Ｂに分離される構造とした。これらの構造とすることで、シール材料からの脱離ガスによる被処理基板の汚染を防止できるとともに、異常放電による被処理基板の汚染を防止できるため、清浄な基板処理を可能とする基板処理装置が得られる。
摘要翻译：公开了一种使用微波等离子体的基板处理装置（10A），其中在处理室（11）内设置内分隔壁（15），使得处理室（11）的内部被分成空间（11A）容纳待处理的基板和由内隔壁（15）和处理室（11）的外壁限定的空间（11B）。通过这样的结构，可以防止由密封材料分离的气体和由异常放电引起的基板的污染而污染基板，从而能够清洁基板的处理。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式