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21. 发明申请

WO2009139382A1 固体電解質、その製造方法、および固体電解質を備える二次電池审中-公开
标题翻译：固体电解质，其制造方法和包含固体电解质的二次电池
公开(公告)号：WO2009139382A1
公开(公告)日：2009-11-19
申请号：PCT/JP2009/058835
申请日：2009-05-12
申请人：国立大学法人東北大学 , 前川英己 , 高村仁 , 折茂慎一 , 松尾元彰 , 中森裕子 , 安東真理子 , 野田泰斗 , 唐橋大樹
发明人：前川　英己 , 高村　仁 , 折茂　慎一 , 松尾　元彰 , 中森　裕子 , 安東　真理子 , 野田　泰斗 , 唐橋　大樹
IPC分类号： H01M10/36
CPC分类号： H01M10/052 , H01B1/122 , H01M10/0562 , H01M2300/0068 , H01M2300/0091
摘要：　ＬｉＢＨ４と、下記式（１）：　ＭＸ　　　　　（１）（式（１）中、Ｍはアルカリ金属原子を表し、Ｘは、ハロゲン原子、ＮＲ２基（Ｒは水素原子またはアルキル基を表す）およびＮ２Ｒ基（Ｒは水素原子またはアルキル基を表す）からなる群から選択される１種を表す。）で表されるアルカリ金属化合物とを備える固体電解質。
摘要翻译：公开了含有LiBH 4和由下式（1）表示的碱金属化合物的固体电解质。 MX（1）（式（1）中，M表示碱金属原子，X表示选自卤素原子，NR 2基（其中R表示氢原子或烷基）和N 2 R基（其中R表示氢原子或烷基）。

22. 发明申请

WO2008117455A1 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2008117455A1
公开(公告)日：2008-10-02
申请号：PCT/JP2007/056435
申请日：2007-03-27
申请人：株式会社ルネサステクノロジ , 寺尾元康 , 森川貴博 , 半澤悟 , 高浦則克 , 黒土健三 , 松崎望 , 藤崎芳久 , 茂庭昌弘 , 木下勝治
发明人：寺尾元康 , 森川貴博 , 半澤悟 , 高浦則克 , 黒土健三 , 松崎望 , 藤崎芳久 , 茂庭昌弘 , 木下勝治
IPC分类号： H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675
摘要：　抵抗素子とＭＩＳトランジスタとによって構成された相変化メモリにおいて、抵抗素子の記憶層は、平均組成が下記の一般式（１）　　　　　　　Ｉｎ α ＧｅＸＳｂＹＴｅＺＭ β 　　　　（１）（ここで、式中のα、Ｘ、Ｙ、Ｚおよびβは、それぞれ０．１≦α≦０．４、０．０４≦Ｘ≦０．３、０．０３≦Ｙ≦０．２、０．３≦Ｚ≦０．６、０．０１≦β≦０．０５であり、Ｍは、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｅｕ、Ｐｄからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素である）で表されるカルコゲナイド膜からなる。
摘要翻译：一种由电阻元件和MIS晶体管组成的相变存储器，其中电阻元件具有由硫族化物膜组成的存储层，其平均组成由以下通式表示：在_{（1）其中a，X，Y，Z和ß具有下式满足：X 0.1 = a = 0.4,0.04 = X = 0.3,0.03 = Y = 0.2,0.3 = Z = 0.6,0.01 =ß= 0.05，M为选自V，Nb，Ta中的至少一种元素，Cr，Mo，W，Ti，Ta，Mo，Pb，Si，Fe，Co，Ni，Eu和Pd。}

23. 发明申请

WO2008084545A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2008084545A1
公开(公告)日：2008-07-17
申请号：PCT/JP2007/050269
申请日：2007-01-11
申请人：株式会社ルネサステクノロジ , 森川貴博 , 寺尾元康 , 高浦則克 , 黒土健三 , 松崎望 , 藤崎芳久 , 木下勝治 , 松井裕一
发明人：森川貴博 , 寺尾元康 , 高浦則克 , 黒土健三 , 松崎望 , 藤崎芳久 , 木下勝治 , 松井裕一
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00
CPC分类号： H01L45/144 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1675
摘要：　抵抗値変化により情報を記憶する記録層の両面に電極を設けた相変化メモリにおいて、前記記録層は、２０原子％以上３８原子％以下のインジウムと、９原子％以上２８原子％以下のゲルマニウムと、３原子％以上１８原子％以下のアンチモンと、４２原子％以上６３原子％以下のテルルとを含むカルコゲナイド材料からなり、ゲルマニウム含有率をアンチモン含有率以上とすることにより、半田リフロー処理による実装時あるいは高温環境での使用時における耐熱性を向上させる。
摘要翻译：本发明提供一种相变存储器，其可以通过焊料回流处理或在高温环境中使用期间改善安装期间的耐热性。相变存储器包括分别在通过利用电阻值变化存储信息的记录层的两侧上设置的电极。该记录层包括含有不少于20原子％且不多于38原子％的铟，不小于9原子％且不超过28原子％锗的硫属化物，不小于3原子％且不大于 18原子％的锑，并且不小于42原子％且不大于63原子％的碲，其中锗含量高于锑含量。

24. 发明申请

WO2008068807A1 半導体装置の製造方法および半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法和半导体器件
公开(公告)号：WO2008068807A1
公开(公告)日：2008-06-12
申请号：PCT/JP2006/323980
申请日：2006-11-30
申请人：株式会社ルネサステクノロジ , 森川貴博 , 寺尾元康 , 高浦則克 , 黒土健三
发明人：森川貴博 , 寺尾元康 , 高浦則克 , 黒土健三
IPC分类号： H01L27/105
CPC分类号： H01L45/144 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1641 , H01L45/1675
摘要：　半導体基板上に形成された絶縁膜（４１）の開口部（４２）内に下部電極としてのプラグ（４３）が埋め込まれ、プラグ（４３）が埋め込まれた絶縁膜（４１）上にカルコゲナイドからなる記録層（５２）と上部電極膜（５３）が形成されて相変化メモリが形成される。ウエハ・プロセス終了直後には、絶縁膜（５１）と記録層（５２）の界面近傍に高抵抗の非晶質領域（５２ａ）が形成されているので、記録層（５２）を初期化して低抵抗化する。記録層（５２）を初期化する際には、半導体基板を加熱しながらプラグ（４３）と上部電極巻く（５３）の間に電圧を印加して記録層５２に電流を流す。これにより、非晶質領域（５２ａ）のうちのプラグ（４３）の上方に位置する部分を結晶化し、それによって、プラグ（４３）と上部電極膜（５３）の間の記録層５２を低抵抗化する。
摘要翻译：作为下电极的插头（43）嵌入形成在半导体衬底上的绝缘膜（41）的开口（42）中，相变存储器通过形成由硫族化物和绝缘膜（41）上的上电极膜（53）嵌入插头（43）。在结束晶片处理之后立即在绝缘膜（51）和记录层（52）的界面附近形成高电阻的非晶区域（52a），并且通过初始化记录层（52）来降低电阻。当初始化记录层（52）时，在加热半导体衬底的同时，通过在插头（43）和上电极膜（53）之间施加电压，将电流馈送到记录层（52）。因此，位于插塞（43）上方的非晶区域（52a）的一部分被结晶化，并且在插头（43）和上部电极膜（53）之间记录层（52）的电阻降低。

25. 发明申请

WO2008004548A1 冷凍機油、圧縮機油組成物、油圧作動油組成物、金属加工油組成物、熱処理油組成物、工作機械用潤滑油組成物、潤滑油組成物审中-公开
标题翻译：制冷剂油，压缩机油组合物，液压油组合物，金属液体组合物，热处理油组合物，机械工具和润滑剂组合物的润滑剂组合物
公开(公告)号：WO2008004548A1
公开(公告)日：2008-01-10
申请号：PCT/JP2007/063301
申请日：2007-07-03
申请人：新日本石油株式会社 , 田川一生 , 下村裕司 , 澤田健 , 瀧川克也 , 吉田俊男 , 三本信一 , 秋山英治 , 柴田潤一 , 須田聡 , 横田秀雄 , 秦正廣 , 星野浩之 , 中尾元 , 小西正三郎
发明人：田川一生 , 下村裕司 , 澤田健 , 瀧川克也 , 吉田俊男 , 三本信一 , 秋山英治 , 柴田潤一 , 須田聡 , 横田秀雄 , 秦正廣 , 星野浩之 , 中尾元 , 小西正三郎
IPC分类号： C10M171/00 , C10M101/02 , C10M169/04 , C21D1/58 , C10M127/04 , C10M129/06 , C10M129/26 , C10M129/54 , C10M129/68 , C10M133/12 , C10M135/00 , C10M137/00 , C10M143/00 , C10M159/04 , C10N10/04 , C10N20/00 , C10N30/00 , C10N30/02 , C10N30/04 , C10N30/06 , C10N30/08 , C10N30/10 , C10N40/00 , C10N40/02 , C10N40/04 , C10N40/08 , C10N40/20 , C10N40/30
CPC分类号： C10M171/008 , C10M101/02 , C10M107/02 , C10M169/04 , C10M2203/06 , C10M2203/065 , C10M2203/1006 , C10M2203/1025 , C10M2205/024 , C10M2205/0285 , C10M2205/173 , C10M2207/021 , C10M2207/026 , C10M2207/04 , C10M2207/042 , C10M2207/10 , C10M2207/126 , C10M2207/144 , C10M2207/24 , C10M2207/262 , C10M2207/28 , C10M2207/281 , C10M2207/289 , C10M2207/40 , C10M2209/084 , C10M2215/064 , C10M2215/065 , C10M2215/223 , C10M2219/024 , C10M2219/046 , C10M2219/066 , C10M2219/068 , C10M2219/082 , C10M2219/084 , C10M2219/085 , C10M2219/086 , C10M2219/106 , C10M2223/04 , C10M2223/041 , C10M2223/042 , C10M2223/043 , C10M2223/045 , C10M2223/047 , C10N2210/01 , C10N2210/02 , C10N2210/06 , C10N2220/022 , C10N2220/024 , C10N2220/025 , C10N2220/028 , C10N2220/031 , C10N2220/032 , C10N2220/302 , C10N2220/303 , C10N2220/306 , C10N2230/02 , C10N2230/04 , C10N2230/06 , C10N2230/08 , C10N2230/10 , C10N2230/30 , C10N2230/74 , C10N2230/76 , C10N2240/06 , C10N2240/08 , C10N2240/30 , C10N2240/401 , C10N2240/402 , C10N2240/409 , C10N2280/00 , C10M2205/022
摘要：　本発明は、％ＣＡが２以下、％ＣＰ／％ＣＮが６以上、ヨウ素価が２．５以下である潤滑油基油を含有する冷凍機油、圧縮機油組成物、油圧作動油組成物、金属加工油組成物、熱処理油組成物、工作機械用潤滑油組成物及び潤滑油組成物を提供する。
摘要翻译：公开了一种冷冻机油，压缩机油组合物，液压油组合物，金属加工液组合物，热处理油组合物，机床用润滑剂组合物和润滑剂组合物，各自含有％C _{A不大于2，不小于6，并且碘值不超过2.5的％C P / N C N N。}

26. 发明申请

WO2007148475A1 鍛造用鋼およびその製造方法並びに鍛造品审中-公开
标题翻译：用于锻造的钢，用于生产钢的方法，以及锻造的物品
公开(公告)号：WO2007148475A1
公开(公告)日：2007-12-27
申请号：PCT/JP2007/058848
申请日：2007-04-24
申请人：株式会社神戸製鋼所 , 出浦哲史 , 長尾元裕 , 富岡篤 , 深谷荘吾
发明人：出浦哲史 , 長尾元裕 , 富岡篤 , 深谷荘吾
IPC分类号： C21C7/06 , C21C7/00 , C21C7/04 , C22C38/00 , C22C38/44 , C22C38/60
CPC分类号： C22C38/02 , C21C7/0087 , C21C7/076 , C22C38/04 , C22C38/42 , C22C38/44 , C22C38/46 , Y02P10/242
摘要：　本発明は、優れた疲労特性の鍛造品を得るための介在物の微細化された鍛造用鋼、およびこうした鍛造用鋼を製造するための有用な方法を提供する。更に、本発明は、この様な鍛造用鋼を用いて得られる、良好な疲労特性を発揮しうる介在物の微細化された鍛造品（特に、一体型クランク軸）を提供する。本発明の鍛造用鋼は、鋼中の溶存Ｍｇ濃度が０．０４～５ｐｐｍ、かつ鋼中の溶存Ａｌ濃度が５０～５００ｐｐｍであることを特徴とする。
摘要翻译：一种锻造用钢，用于获得具有优异的疲劳性能并且其中夹杂物尺寸减小的锻造制品; 以及锻造用钢的制造方法。还提供了从锻造用钢获得的锻造制品（特别是实心型曲轴）。它可以具有令人满意的疲劳性能，并且其中的夹杂物的尺寸已经减小。锻造用钢的特征在于钢中溶液中的镁浓度为0.04〜5ppm，钢中的溶液中的铝浓度为50〜500ppm。

27. 发明申请

WO2007116611A1 非接触ＩＣカード审中-公开
标题翻译：非接线IC卡
公开(公告)号：WO2007116611A1
公开(公告)日：2007-10-18
申请号：PCT/JP2007/052994
申请日：2007-02-19
申请人：共同印刷株式会社 , 小松昭彦 , 川口圭介 , 對尾元 , 南雲彰子
发明人：小松昭彦 , 川口圭介 , 對尾元 , 南雲彰子
IPC分类号： G06K19/077 , G06K19/06 , G06K19/07 , G06K19/08 , H05K9/00
CPC分类号： G06K19/07749 , G06K19/07735
摘要：　金属反射層に発生する静電気によるＩＣチップの静電気破壊を防止することを可能とする非接触ＩＣカードを提供する。　アンテナ（１１）と、該アンテナ（１１）と接続されたＩＣチップ（１２）と、が実装されたインレットシート（１５）がカード基材（１）の中に埋設され、かつ、カード基材面上に金属反射層（ホログラム・磁気記録層２に相当）が積層されてなる非接触ＩＣカードであって、金属反射層（２）に発生する静電気を誘引し、金属反射層（２）を積層する第１のカード基材面側（カード裏面側）とは反対側の第２のカード基材面側（カード表面側）から静電気を放電するための導電性部材（３）が、カード基材（１）の中に埋設されてなることを特徴とする。
摘要翻译：提供了一种非接触IC卡，其中防止了由金属反射层中产生的静电导致的IC芯片的静电击穿。连接到天线（11）的天线（11）和IC芯片（12）安装在入口板（15）上。通过将插入片嵌入卡片基材（1）中，并将金属反射层（相当于全息图/磁记录层（2））层叠在卡片基材表面上，提供非接触IC卡。导电构件（3）嵌入卡片基材（1）中。导电构件吸引在金属反射层（2）上产生的静电，并将静电从与第一卡片基材侧（卡片后侧）相对的第二卡片基材侧（卡片前侧）排出，层叠金属反射层（2）。

28. 发明申请

WO2007057972A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2007057972A1
公开(公告)日：2007-05-24
申请号：PCT/JP2005/021360
申请日：2005-11-21
申请人：株式会社ルネサステクノロジ , 森川貴博 , 寺尾元康 , 高浦則克 , 黒土健三
发明人：森川貴博 , 寺尾元康 , 高浦則克 , 黒土健三
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00
CPC分类号： H01L27/2463 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1675
摘要：　メモリセル領域ｍｍｒｙに、原子配列変化によって、電気抵抗値が高い高抵抗状態と低い低抵抗状態とを記憶するカルコゲナイド材料記憶層２２を有する複数のメモリ素子Ｒがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイ、および、論理回路領域ｌｇｃに、半導体集積回路が同一の半導体基板１上に混載して形成されている。このカルコゲナイド材料記憶層２２は、７原子％以上４０原子％以下のＧａまたはＩｎの少なくともいずれか一方と、５原子％以上３５原子％以下のＧｅと、５原子％以上２５原子％以下のＳｂと、４０原子％以上６５原子％以下のＴｅとを含むカルコゲナイド材料からなる。
摘要翻译：本发明提供了一种半导体器件，其包括在相同的半导体衬底（1）上一起设置的存储单元阵列和半导体集成电路。存储单元阵列设置在存储单元区域（mmry）中，并且包括以矩阵形式提供的多个存储器件（R），每个存储器件包括用于存储高电阻状态的硫族化物材料存储层（22）和通过利用原子排列的变化来实现低电阻状态。半导体集成电路设置在逻辑电路区域（lgc）中。硫族化物材料储存层（22）由包含Ga和In中的至少一种的7原子％以上40原子％以下的硫属化物材料形成，为5原子％以上且35原子％以下的Ge，不小于5原子％且不超过25原子％的Sb，并且不小于40原子％且不大于65原子％的Te。

29. 发明申请

WO2006046287A1 固体酸化物形燃料電池スタック用導電性部材审中-公开
标题翻译：固体氧化物燃料电池堆的导电构件
公开(公告)号：WO2006046287A1
公开(公告)日：2006-05-04
申请号：PCT/JP2004/015918
申请日：2004-10-27
申请人：東陶機器株式会社 , 藤永幸作 , 斎藤健 , 阿部俊哉 , 宮尾元泰
发明人：藤永幸作 , 斎藤健 , 阿部俊哉 , 宮尾元泰
IPC分类号： H01M8/02
CPC分类号： H01M8/0232 , H01M8/12 , H01M8/2428 , H01M8/243 , H01M2008/1293
摘要：　固体酸化物形燃料電池の複数を、直列および／または並列に電気的に接続して、燃料電池スタックとするために用いられる導電性部材が開示されている。本発明による導電性部材は、連続した骨格からなる、三次元多孔構造を有する金属シートからなる。本発明による導電性部材は、立体的な強度を有し、弾性力および復元力に富む。その結果、燃料電池セルの間隔の調整に伴いその厚さを再調整することが容易に行える。さらに、焼き付けまたは発電後であっても、焼結せず、折り畳んだ界面で容易に剥離し、メンテナンス性に優れる。
摘要翻译：一种导电构件，用于将多个固体氧化物燃料电池串联和/或并联电连接作为燃料电池堆。导电构件由具有连续骨架的三维多孔结构的金属片构成。导电构件具有三维强度和足够的弹性和恢复力。因此，当调节燃料电池之间的间隔时，可以容易地重新调整燃料电池的厚度。此外，即使在烘烤或发电之后也不会烧结并且可以容易地从折叠的界面剥离而确保优异的维护性。

30. 发明申请

WO2003084228A1 ビデオチャットサービス制御方法およびビデオチャットサービス装置审中-公开
标题翻译：视频服务控制方法和视频服务设备
公开(公告)号：WO2003084228A1
公开(公告)日：2003-10-09
申请号：PCT/JP2002/003221
申请日：2002-03-29
申请人：三菱電機株式会社 , 山足光義 , 山田耕一 , 太田一史 , 鷲尾元太郎
发明人：山足光義 , 山田耕一 , 太田一史 , 鷲尾元太郎
IPC分类号： H04N7/15
CPC分类号： H04N7/152
摘要：　ビデオチャットサービス装置は、ビデオチャット装置と、予備のビデオチャット装置と、切替装置と、制御装置を有する。ビデオチャット装置は、複数のユーザ端末装置に対してビデオチャットに必要な信号の交換を行う。制御装置は、ビデオチャット装置の異常が発生したと判断したときに、切替装置を予備のビデオチャット装置にリンクさせるとともに予備のビデオチャット装置を制御することによって、ビデオチャットの処理を継続させる。
摘要翻译：一种视频聊天服务设备，包括视频聊天设备，备用视频聊天设备，交换设备和控制设备。视频聊天设备传送与多个用户终端单元进行视频聊天所需的信号。当确定视频聊天设备的异常生成时，控制设备将切换设备与备用视频聊天设备连接，并且通过控制备用视频聊天设备来继续处理视频聊天。

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