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11. 发明申请

WO2017030669A1 TECHNIQUES FOR LOW TEMPERATURE DIRECT GRAPHENE GROWTH ON GLASS 审中-公开
标题翻译：玻璃上低温直接石墨生长的技术
公开(公告)号：WO2017030669A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：PCT/US2016/041232
申请日：2016-07-07
申请人： GUARDIAN INDUSTRIES CORP.
发明人： VEERASAMY, Vijayen, S.
IPC分类号： C01B31/04
CPC分类号： C23C14/48 , B32B38/10 , B32B43/006 , C01B32/186 , C01B32/194 , C23C14/221 , C23C16/06 , C23C16/24 , C23C16/50 , C23C16/56 , Y10T156/11 , Y10T156/1168 , Y10T156/19
摘要： Certain example embodiments relate to methods for low temperature direct graphene growth on glass, and/or associated articles/devices. In certain example embodiments, a glass substrate has a layer including Ni formed thereon. The layer including Ni has a stress pre-engineered through the implantation of He therein. It also may be preconditioned via annealing and/or the like. A remote plasma-assisted chemical vapor deposition technique is used to form graphene both above and below the Ni-inclusive film. The Ni-inclusive film and the top graphene may be removed via tape and/or the like, leaving graphene on the substrate. Optionally, a silicon-inclusive layer may be formed between the Ni-inclusive layer and the substrate. Products including such articles, and/or methods of making the same, also are contemplated.
摘要翻译：某些示例性实施方案涉及在玻璃上和/或相关物品/装置上生产低温直接石墨烯的方法。在某些示例性实施例中，玻璃基板具有包括其上形成的Ni的层。包括Ni的层具有通过在其中注入He而预先设计的应力。也可以通过退火等进行预处理。使用远程等离子体辅助化学气相沉积技术在含Ni膜的上方和下方形成石墨烯。可以通过带和/或类似物去除含Ni的膜和顶部石墨烯，在基底上留下石墨烯。任选地，可以在包含Ni的层和衬底之间形成含硅的层。包括这些制品的产品和/或其制备方法也可以考虑。

12. 发明申请

WO2017011470A1 METHOD FOR COATING OR FILLING A POROUS MATERIAL 审中-公开
标题翻译：涂覆或填充多孔材料的方法
公开(公告)号：WO2017011470A1
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：PCT/US2016/041925
申请日：2016-07-12
申请人： TOKYO ELECTRON LIMITED , TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC.
发明人： FAGUET, Jacques , LIU, Junjun
IPC分类号： B05D7/24 , B05D3/06 , B05D3/00 , B05D3/14 , C09D7/12
CPC分类号： C23C16/045 , B01D67/0088 , B05D1/60 , B05D3/046 , B05D3/067 , B05D3/108 , B05D3/147 , B05D7/22 , C23C16/48 , C23C16/50
摘要： A method is provided for coating or filling a porous material. According to one embodiment, the method includes providing the porous material, delivering precursor molecules by gas phase exposure into pores of the porous material, and reacting the precursor molecules to form a polymer inside the pores.
摘要翻译：提供了一种用于涂覆或填充多孔材料的方法。根据一个实施方案，该方法包括提供多孔材料，通过气相暴露于多孔材料的孔中输送前体分子，并使前体分子反应以在孔内形成聚合物。

13. 发明申请

WO2017005253A1 VORRICHTUNG ZUR PAARWEISEN AUFNAHME VON SUBSTRATEN 审中-公开
标题翻译： DEVICE FOR几种方法记录基板
公开(公告)号：WO2017005253A1
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：PCT/DE2016/100304
申请日：2016-07-08
申请人： HANWHA Q CELLS GMBH
发明人： DUNCKER, Klaus
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/458 , H01L31/18 , H01L21/673 , H01J37/32
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/4587 , H01J37/32706 , H01J37/32715 , H01L21/67313 , H01L31/18
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Aufnahme von plattenförmigen Substraten (3) zur Behandlung derselben in einer Behandlungseinrichtung in Form einer Plasma-CVD-Anlage (PECVD), wobei jedes Substrat eine Vorderseite und eine der Vorderseite gegenüberliegenden Rückseite aufweist, umfassend mindestens eine Aufnahmevorrichtung (5, 5') zur Aufnahme und Fixierung der Substrate (3, 3'), wobei die Aufnahmevorrichtung mindestens zwei, insbesondere eine Vielzahl von, Aufnahmebereichen (7) aufweist, wobei in jedem Aufnahmebereich mindestens zwei Substrate (3, 3') angeordnet oder anordnenbar sind, wobei eine Rückseite eines ersten Substrats (3) direkt mit eine Rückseite eines zweiten Substrats (3') in Anlage bringbar ist oder steht, und wobei mindestens zwei Aufnahmebereiche (5), insbesondere nahezu, parallel zueinander angeordnet sind und mittels isolierenden Verbindungselementen (19) miteinander verbunden sind, und wobei die parallelen Aufnahmebereiche (5) alternierend mit den Ausgängen unterschiedlicher Polarität eines Hochfrequenzgenerators verbindbar oder verbunden sind.
摘要翻译：本发明涉及一种装置，用于在等离子体CVD系统（PECVD）的形式支撑用于治疗相同的板状衬底（3）的处理装置，每个基片具有前部和一侧的前相对的后，包括至少一个接收装置（ 5，5“），用于接收和固定所述基板（3,3”），其中，所述接收装置包括至少两个，特别是多个，接收部（7），其中在每个接收部分至少两个基板（3，位于3“）或可定位，其特征在于，第一衬底（3）直接连接到第二基板（3“）的后表面的后表面被接触或是，并且其中至少两个接收区域（5），特别是几乎平行于彼此并通过绝缘紧固件装置（19）彼此连接，并且其中，所述并行接收区域（5）交替连接到不同极性的输出或连接到一个高频发生器。

14. 发明申请

WO2016159206A1 ガスバリアーフィルム及びその製造方法审中-公开
标题翻译：气体阻隔膜及其制造方法
公开(公告)号：WO2016159206A1
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：PCT/JP2016/060602
申请日：2016-03-31
申请人：コニカミノルタ株式会社
发明人：廣瀬　達也 , 田地　和喜 , 門馬　千明
IPC分类号： B32B9/00 , C23C16/42 , C23C16/50 , C23C16/54
CPC分类号： B32B9/00 , C23C16/42 , C23C16/50 , C23C16/54
摘要：　本発明の課題は、ガスバリアー性能、屈曲耐性及び密着性に優れたガスバリアーフィルム及びその製造方法を提供することである。　本発明のガスバリアーフィルムは、可撓性基材上にガスバリアー層を有するガスバリアーフィルムであって、当該ガスバリアー層が、下記要件（１）及び（２）を満たすことを特徴とする。（１）前記ガスバリアー層が、少なくともケイ素、酸素及び炭素を構成元素として含有する。（２）前記ガスバリアー層中の酸素量に対する炭素量の比の値を厚さ方向にプロットした炭素／酸素分布曲線が極大値を有し、前記極大値の数と前記ガスバリアー層の厚さとの比率が０．１０／ｎｍ以上である。
摘要翻译：本发明解决了以下问题：提供具有优异的阻气性，耐弯曲性和粘合性的阻气膜; 及其制造方法。该气体阻隔膜在柔性基板上具有阻气层，其特征在于，阻气层满足下述条件（1）和（2）。（1）阻气层至少含有硅，氧，碳作为构成要素。（2）沿着厚度方向绘制阻气层中的碳量相对于阻气层中的氧量的比例值的碳/氧分布曲线具有最大值; 并且阻气层的最大值和厚度的比率为0.10nm以上。

15. 发明申请

WO2016147296A1 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体审中-公开
标题翻译：基板处理装置，制造半导体的方法和记录介质
公开(公告)号：WO2016147296A1
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：PCT/JP2015/057676
申请日：2015-03-16
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：山本　哲夫 , 豊田　一行
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/50 , H01L21/318
CPC分类号： C23C16/50 , H01L21/31
摘要：プラズマを用いた基板処理において均一な膜厚を得ることができる技術を提供する。基板を処理する処理室を形成する反応管と、前記処理室内に設けられ、前記基板の表面に所定の膜を形成する原料ガスと反応ガスとを前記処理室内に供給するガス供給部と、前記ガス供給部より供給された前記反応ガスを励起するプラズマ生成装置と、前記プラズマ生成装置の外側に設けられ、前記プラズマ生成装置によって励起された前記反応ガスの供給方向と同じ方向に磁場を生成する磁場生成装置と、を有する技術を提供できる。
摘要翻译：提供了在使用等离子体的基板处理中可以获得均匀的膜厚度的技术。可以提供一种技术，其具有：用于形成处理室的反应管，其中处理基板; 设置在处理室内部的气体供给部，所述气体供给部在所述基板的表面上向所述处理室供给反应气体和用于形成规定膜的原料气体，用于激发由气体供给部供给的反应气体的等离子体产生装置; 以及设置在等离子体发生装置的外部的磁场产生装置，所述磁场产生装置沿与所述等离子体产生装置所激发的反应气体的方向相同的方向产生磁场。

16. 发明申请

WO2016129438A1 膜形成方法および薄膜トランジスタの作製方法审中-公开
标题翻译：薄膜形成方法和薄膜晶体管生产方法
公开(公告)号：WO2016129438A1
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：PCT/JP2016/052943
申请日：2016-02-01
申请人：日新電機株式会社
发明人：高橋　英治
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/02 , C23C16/42 , C23C16/56 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/443 , C23C16/02 , C23C16/345 , C23C16/50 , C23C16/56 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L21/477 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/7869
摘要：酸化物半導体膜上に直接フッ素化シリコン窒化膜を形成しても、当該酸化物半導体膜の電気抵抗の低下を抑制することができる膜形成方法を提供する。この膜形成方法は、基板上に酸化物半導体膜を有するものを準備して、酸素と水素の混合ガスであって水素の割合が８％以下（０は含まない）の混合ガスを用いてプラズマを生成して当該プラズマによって酸化物半導体膜の表面を処理する表面処理工程４０と、その後四フッ化シリコンガスおよび窒素ガスを含む原料ガスを用いてプラズマを生成するプラズマＣＶＤ法によって、上記酸化物半導体膜上にフッ素化シリコン窒化膜（ＳiＮ：Ｆ膜）を形成する成膜工程４２と、その後上記基板およびその上の膜を加熱するアニール工程４４とを備えている。
摘要翻译：提供一种成膜方法，即使直接在氧化物半导体膜上形成氟化氮化硅膜，也可以使氧化物半导体膜的电阻降低最小化。膜形成方法具有：制备在基板上包含氧化物半导体膜的物质的表面处理步骤40，使用含有氢的混合气体以8％以下的速度产生等离子体（不包括0），等离子体用于处理氧化物半导体膜的表面; 其中通过等离子体CVD法在氧化物半导体膜上形成氟化氮化硅膜（SiN：F膜），其中使用含有四氟化硅气体和氮气的原料气体产生等离子体的成膜步骤42; 以及随后加热衬底及其上的膜的退火步骤44。

17. 发明申请

WO2016128259A1 INSTALLATION FOR FILM DEPOSITION ONTO AND/OR MODIFICATION OF THE SURFACE OF A MOVING SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：安装薄膜沉积和/或修改移动基板的表面
公开(公告)号：WO2016128259A1
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：PCT/EP2016/052215
申请日：2016-02-03
申请人： COATING PLASMA INDUSTRIE , VETAPHONE A/S
发明人： GAT, Eric , TRAN, Minh Duc , EISBY, Frank
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/50 , C23C16/455 , B01J3/00 , H01J37/32 , C23C16/44
CPC分类号： C23C16/545 , C23C16/4401 , C23C16/45504 , C23C16/45519 , C23C16/45578 , C23C16/458 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01J37/3244 , H01J37/3277
摘要： This installation comprises a housing, a substrate support (20) received in said housing, diffusion means (42) for diffusing an inert gas, such as nitrogen, towards said substrate support and at least one head (30) defining an inner volume (V) opened opposite to said top, said head being provided with at least two electrodes (8, 8', 8") for creating an electric discharge and with injection means (7, 7', 7") for injecting a gaseous mixture towards said substrate. Said injection means comprise at least one injection tube (7, 7', 7") placed between two adjacent electrodes or between one electrode and a peripheral wall, said tube being provided with injection holes facing said substrate support, for injecting said gaseous mixture on said substrate, whereas diffusion means are provided inside said head, said injection tube being placed between said substrate support and said diffusion means so that, in use, said gaseous mixture is urged against said substrate by said inert gas.
摘要翻译：该装置包括壳体，容纳在所述壳体中的衬底支撑件（20），用于将惰性气体（例如氮气）扩散到所述衬底支撑件的扩散装置（42）和至少一个限定内部容积（V ），所述头部设置有用于产生放电的至少两个电极（8,8'，8“），并具有用于将气体混合物朝所述顶部喷射的注射装置（7,7'，7”），基质。所述注射装置包括放置在两个相邻电极之间或者在一个电极和周围壁之间的至少一个注入管（7,7'，7“），所述管设置有面向所述衬底支撑件的注入孔，用于将所述气体混合物所述衬底，而扩散装置设置在所述头部内部，所述注入管被放置在所述衬底支撑件和所述扩散装置之间，使得在使用中，所述气态混合物被所述惰性气体压向所述衬底。

18. 发明申请

WO2016104076A1 プラズマＣＶＤ装置审中-公开
标题翻译：等离子体CVD装置
公开(公告)号：WO2016104076A1
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：PCT/JP2015/083792
申请日：2015-12-01
申请人：旭硝子株式会社
发明人：河原　弘朋 , 前重　和伸 , 青峰　信孝 , 羽根川　博
IPC分类号： C23C16/503 , C23C16/44 , H01L21/31 , H01L21/365 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/503 , H01J37/32532 , H01J37/32568 , H01J37/32669 , H01J37/32733 , H01J2237/3321 , H01L21/02164 , H01L21/02186 , H01L21/02274 , H01L21/31 , H05H1/46
摘要：　プラズマＣＶＤ装置であって、１または２以上の交流源に接続され、プラズマを発生させるプラズマ源と、複数の磁石で構成された磁石配列と、を有し、前記プラズマ源は、電極群を有し、該電極群は、第１の電極および第２の電極を含むｎ個（ただし、ｎは２以上の偶数）の電極を、前記第１の電極から番号順に配列することにより構成され、前記電極群の各電極は、前記交流源に接続され、前記電極群の隣接する電極同士の間には、原料ガス用の流路の出口が形成され、前記磁石配列は、各磁石のＮ極またはＳ極が前記プラズマ源と対向するように配置され、前記磁石配列において、少なくとも一組の隣接する２つの磁石は、前記プラズマ源に対向する側の極性が等しくなるように配置されることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
摘要翻译：等离子体CVD装置的特征在于：等离子体CVD装置包括连接到一个或多个交替源并产生等离子体的等离子体源和包括多个磁体的磁体阵列; 等离子体源具有电极组; 电极组包括包括第一电极和第二电极的n个电极（n是两个或更多个的偶数整数），电极以第一电极的顺序排列; 电极组的电极连接到交流源; 在电极组的相邻电极之间形成材料气体流路的出口; 磁体阵列布置成使得每个磁体的北极或南极面对等离子体源; 并且磁体阵列中的至少一对相邻的磁体被布置成在等离子体源侧面具有相同的极性。

19. 发明申请

WO2016088466A1 複合基板の製造方法及び複合基板审中-公开
标题翻译：复合基板制造方法和复合基板
公开(公告)号：WO2016088466A1
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：PCT/JP2015/079763
申请日：2015-10-22
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：秋山　昌次
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/265 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/02527 , C23C16/0227 , C23C16/50 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02422 , H01L21/02631 , H01L21/265 , H01L21/76254 , H01L27/12
摘要：【課題】欠陥のないナノカーボン膜を安価に作製することが可能な複合基板を提供する。【解決手段】単結晶炭化珪素基板の表面からイオンを注入してイオン注入領域を形成し、上記単結晶炭化珪素基板のイオン注入した面とハンドル基板の主面とを貼り合わせた後、上記イオン注入領域で単結晶炭化珪素基板を剥離させて、ハンドル基板上に単結晶炭化珪素薄膜を転写させた複合基板の製造方法であって、上記単結晶炭化珪素基板及びハンドル基板の貼り合わせを行うそれぞれの面の表面粗さＲＭＳが１．００ｎｍ以下である。
摘要翻译： [问题]提供一种复合基板，由此能够以低成本制造无缺陷的纳米碳膜。 [解决方案]公开了一种复合衬底制造方法，其中通过从单晶碳化硅衬底的表面注入离子和离子注入的单晶碳化硅衬底表面形成离子注入区，并且主表面手柄基板彼此接合，然后在离子注入区域中剥离单晶碳化硅基板，并将单晶碳化硅薄膜转印到手柄基板上。单晶碳化硅基板的接合面的表面粗糙度RMS和手柄基板的接合面的表面粗糙度RMS为1.00nm以下。

20. 发明申请

WO2016076673A1 알루미늄 금속층위에 에이치엠디에스오층 및 에이에프층이 함께 형성되며, 또한 이온소스를 활용한 알루미늄 금속층위에 에이치엠디에스오층 및 에이에프층이 함께 형성되는 코팅방법 审中-公开
标题翻译：用于形成HMDSO层和AF层与铝金属层的成膜方法和使用离子源形成HMDSO层和AF层与铝金属层的接合方法
公开(公告)号：WO2016076673A1
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：PCT/KR2015/012256
申请日：2015-11-13
申请人： 유흥상
发明人： 유흥상
IPC分类号： C23C28/00 , C23C16/00 , C23C16/50
CPC分类号： C23C16/00 , C23C16/50 , C23C28/00
摘要： 본발명은 알루미늄 금속층위에 HMDSO층 및 AF층이 함께 형성되는 코팅방법에 관한 것으로, 진공챔버 내부에서 cvd 방법에 의해 스마트폰의 알루미늄 금속재질위에 HMDSO층, AF층을 순차적으로 형성하는 것으로, 본발명은 작업시간이 빠르고 스마트폰의 알루미늄 금속층위에 코팅된 AF층의 접착력이 증가하며, 내마모성 및 내염수성이 뛰어나며 하자가 없다는 현저한 효과가 있다. 본발명은 이온소스를 활용한 알루미늄 금속층위에 HMDSO층 및 AF층이 함께 형성되는 코팅방법에 관한 것으로, 진공챔버 내부에서 pecvd 방법에 의해 스마트폰의 알루미늄 금속재질위에 HMDSO층, AF층을 순차적으로 형성하는 것으로, 본발명은 이온소스가 함께 설치되어, 작업시간이 빠르고 알루미늄 금속층위에 코팅된 AF층의 접착력이 증가하며, 내마모성 및 내염수성이 뛰어나며 하자가 없다는 현저한 효과가 있다.
摘要翻译：本发明涉及在铝金属层上一起形成HMDSO层和AF层的涂覆方法。 HMDSO层和AF层通过CVD法在真空室中依次形成在智能电话的铝金属材料上。因此，本发明具有快速的操作时间，增加涂覆在智能手机的铝金属层上的AF层的粘结力，优异的耐磨性和耐盐水性以及无瑕疵的效果。本发明涉及一种使用离子源在铝金属层上一起形成HMDSO层和AF层的涂覆方法。 HMDSO层和AF层通过PECVD法在真空室中依次形成在智能电话的铝金属材料上。因此，由于安装离子源，本发明具有快速的操作时间，增加涂覆在铝金属层上的AF层的粘结力，优异的耐磨性和耐盐水性以及无瑕疵的效果。

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