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11. 发明申请

WO2013163055A1 HOOD FOR METAL-OXIDE VAPOR COATING GLASS CONTAINERS 审中-公开
标题翻译：金属氧化物蒸汽涂层玻璃容器的HOOD
公开(公告)号：WO2013163055A1
公开(公告)日：2013-10-31
申请号：PCT/US2013/037520
申请日：2013-04-22
申请人： ARKEMA INC.
发明人： FAHEY, Kaitlyn
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： C03C17/005 , C03C2218/15 , C03C2218/30 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , C23C16/45563 , C23C16/45589 , C23C16/45591 , C23C16/45595 , C23C16/54
摘要： An apparatus for coating glass articles with a chemical compound includes a coating hood section defining an interior chamber having an inlet and an outlet, the outlet being positioned adjacent the glass articles. A blower is positioned in the interior chamber to carry air from the inlet towards the outlet. An injector is configured to deliver the chemical compound into the interior chamber, the injector being positioned in the interior chamber at a location that is downstream of the blower. The injector extends into the interior chamber by a pre-determined distance that is selected to prevent premature vaporization of the chemical compound.
摘要翻译：用化学化合物涂覆玻璃制品的装置包括限定具有入口和出口的内部室的涂覆罩部分，所述出口邻近玻璃制品定位。鼓风机定位在内部室中以将空气从入口运送到出口。喷射器被配置为将化学化合物输送到内部室中，喷射器定位在位于鼓风机下游的位置的内部室中。注射器以预定的距离延伸进入内室，该距离被选择以防止化学化合物的过早汽化。

12. 发明申请

WO2013146185A1 環状部材およびそれを用いた成膜装置审中-公开
标题翻译：其使用的环形构件和薄膜形成装置
公开(公告)号：WO2013146185A1
公开(公告)日：2013-10-03
申请号：PCT/JP2013/056448
申请日：2013-03-08
申请人：京セラ株式会社
发明人：井上　智行
IPC分类号： C23C14/00
CPC分类号： H01L21/68735 , C23C14/34 , C23C14/50 , C23C14/564 , C23C16/4401
摘要：　本発明の一態様に係る環状部材１０は、被処理基板２の周囲を取り囲むものである。環状部材１０は、セラミック焼結体または石英ガラスからなり、少なくとも一主面Ｓ１を有する環状の本体１１を備える。本体１１は、一主面Ｓ１に配された溝部Ｇと、溝部Ｇの底面Ｂから突出した複数の突起１４とを有する。本発明の一態様に係る成膜装置１は、環状部材１０と、環状部材１０が内部に配された、被処理基板２への金属膜３の成膜が行なわれる反応室４とを備えており、環状部材１０の溝部Ｇは、反応室４内に露出している。
摘要翻译：如本发明的第一实施例中的环形构件（10）围绕待处理基板（2）的周边。环形构件（10）包括陶瓷烧结体或石英玻璃，并且设置有具有至少一个主表面（S1）的环形体（11）。主体（11）具有布置在一个主表面（S1）上的开槽部分（G）和从凹槽部分（G）的底表面（B）伸出的多个突起（14）。该成膜装置（1）设置有环形构件（10）和布置在环形构件（10）内的反应室（4）。在反应室（4）中的待处理基板（2）上形成金属膜（3）。

13. 发明申请

WO2013142173A1 METHODS AND APPARATUS FOR CORRECTING FOR NON-UNIFORMITY IN A PLASMA PROCESSING SYSTEM 审中-公开
标题翻译：校正等离子体处理系统中非均匀性的方法和装置
公开(公告)号：WO2013142173A1
公开(公告)日：2013-09-26
申请号：PCT/US2013/030701
申请日：2013-03-13
申请人： LAM RESEARCH CORPORATION
发明人： NAM, Sang, Ki
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： H01J37/32183 , A23G3/26 , B05B12/00 , B05B13/0431 , B05B13/0452 , C23C16/4401 , C23C16/45565 , C23C16/509 , C23C16/5096 , H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J37/321 , H01J37/32174 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01J37/32623 , H01J37/32935 , H01J37/32972 , H01J37/3299 , H01L21/67069 , H01L21/6715 , H01L21/67253
摘要： A plasma processing system having a plasma processing chamber comprising at least one of a chamber wall and a chamber liner is disclosed. The plasma processing system includes a plurality of ground straps disposed around a circumference of a chamber surface, the chamber surface being one of the chamber walls and the chamber liner of the plasma processing chamber. The plasma processing system further includes at least a first impedance device coupled to at least a first ground strap of th e plurality of ground straps, wherein a second ground strap of the plurality of ground straps is not provided with a second impedance device having the same impedance value as the first impedance device.
摘要翻译：公开了一种具有等离子体处理室的等离子体处理系统，其包括室壁和腔室衬套中的至少一个。等离子体处理系统包括围绕室表面的圆周设置的多个接地带，室表面是等离子体处理室的室壁和室衬套之一。等离子体处理系统还包括耦合到多个接地带的至少第一接地带的至少第一阻抗器件，其中多个接地带的第二接地带没有设置有具有相同接地带的第二阻抗器件阻抗值作为第一阻抗器件。

14. 发明申请

WO2013110963A1 APPAREIL ET PROCÉDÉ DE REVÊTEMENT D'UN SUBSTRAT MÉTALLIQUE EN DÉFILEMENT 审中-公开
标题翻译：用于涂覆移动金属基材的装置和方法
公开(公告)号：WO2013110963A1
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：PCT/IB2012/000099
申请日：2012-01-24
申请人： ARCELORMITTAL INVESTIGACION Y DESARROLLO SL , LECLERCQ, Vincent , DUMINICA, Florin , SILBERBERG, Eric
发明人： LECLERCQ, Vincent , DUMINICA, Florin , SILBERBERG, Eric
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/509 , C23C16/54 , H01J37/32
CPC分类号： C23C16/509 , C23C16/40 , C23C16/4401 , C23C16/545 , H01J37/32449 , H01J37/32541
摘要： L' invention concerne principalement un procédé de dépôt d'un revêtement sur un substrat (4) métallique comprenant les étapes selon lesquelles : - on fait défiler à une vitesse déterminée le substrat (4) selon un axe de défilement (11); - on génère des décharges et donc un plasma par l'application d'une tension entre le substrat (1, 4) et une électrode (2) constituée d'une pluralité de conducteurs longilignes (2a, 2b,...) équidistants du substrat, les projections des axes longitudinaux des conducteurs longilignes étant inclinés de 3 à 45 degrés par rapport à l'axe de défilement du substrat (11) et les conducteurs longilignes étant disposés de façon à ce que chaque point de la surface du substrat soit exposé consécutivement à la décharge d'au moins deux conducteurs longilignes, une barrière diélectrique (3) étant disposée entre le substrat (1, 4) et l'électrode (2) à une distance déterminée du substrat; - on fait circuler à une vitesse supérieure ou égale à 5 m/s un mélange de gaz, comprenant au moins un précurseur du revêtement, entre le substrat (1, 4) et la barrière diélectrique (3) et dans l'axe de défilement du substrat ( 11 ). L'invention concerne également l'appareil permettant de mettre en œuvre ce procédé.
摘要翻译：本发明主要涉及一种用于在金属基板（4）上沉积涂层的方法，包括以下步骤： - 基板（4）根据运动轴线（11）以预定速度移动; - 通过在基板（1,4）和由与基板等距的多个细长导体（2a，2b等）形成的电极（2）之间施加电压而产生放电，因此产生等离子体，突起细长导体的纵向轴线相对于基底（11）的运动轴线倾斜3至45度，并且细长导体被布置成使得基底表面的每个点连续暴露于至少两个细长导体，介质阻挡层（3）以与衬底预定的距离设置在衬底（1,4）和电极（2）之间; - 至少包含涂层前体的气体混合物以大于或等于5m / s的速度在衬底（1,4）和电介质阻挡层（3）之间并且在基板（11）。本发明还涉及用于实现所述方法的装置。

15. 发明申请

WO2013104583A2 APPARATUS AND METHOD FOR SURFACE PROCESSING OF A SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：基板表面加工的装置和方法
公开(公告)号：WO2013104583A2
公开(公告)日：2013-07-18
申请号：PCT/EP2013/050152
申请日：2013-01-07
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , CARL ZEISS MICROSCOPY GMBH
发明人： CHUNG, Hin Yiu Anthony , ALIMAN, Michel , FEDOSENKO, Gennady , RANCK, Albrecht , GORKHOVER, Leonid
CPC分类号： H01J37/32009 , C23C16/405 , C23C16/44 , C23C16/4401 , C23C16/4408 , C23C16/45525 , C23C16/52 , H01J37/32963 , H01J37/32981 , H01J37/3299 , H01J49/027
摘要： The invention relates to an apparatus (1) for surface processing on a substrate (2), for example for applying a coating (14) to the substrate (2) or for removing a coating (14) from the substrate (2), wherein the apparatus (1) comprises: a chamber (5) enclosing an interior (4) and serving for arranging the substrate (2) for the surface processing, a process gas analyser (13a, 13b) for detecting at least one gaseous constituent of a residual gas atmosphere formed in the interior (4), wherein the process gas analyser (13a, 13b) comprises an ion trap (18) for storing the gaseous constituent to be detected, and an ionization device (17) for ionizing the gaseous constituent. The invention also relates to an associated method for monitoring surface processing on a substrate (2).
摘要翻译：本发明涉及一种用于在衬底（2）上进行表面处理的设备（1），例如用于将涂层（14）施加到衬底（2）或从衬底（2）去除涂层（14），其中装置（1）包括：封闭内部（4）并用于布置用于表面处理的基板（2）的室（5），用于检测至少一种气体成分的处理气体分析器（13a，13b）在内部形成的残留气体气氛（4），其中处理气体分析器（13a，13b）包括用于存储要检测的气态成分的离子阱（18）和用于离子化气态成分的离子化装置（17）。本发明还涉及用于监测衬底（2）上的表面处理的相关方法。

16. 发明申请

WO2013102577A1 HEAT TRANSFER CONTROL IN PECVD SYSTEMS 审中-公开
标题翻译： PECVD系统中的传热控制
公开(公告)号：WO2013102577A1
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：PCT/EP2012/076434
申请日：2012-12-20
申请人： TEL SOLAR AG
发明人： JOST, Stephan , CHAUDHARY, Devendra , KLINDWORTH, Markus
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/46
CPC分类号： C23C16/4411 , C23C16/44 , C23C16/4401 , C23C16/45557 , C23C16/463 , C23C16/466 , C23C16/513
摘要： The invention relates to a method for manufacturing thin films on substrates, the method comprising providing a deposition system, having an inner non-airtight enclosure for containing substrates and an outer airtight chamber completely surrounding this enclosure. The inner non-airtight enclosure is maintained at a pressure lower than the pressure within said outer airtight chamber, and a backfilling gas comprising at least hydrogen or helium is introduced into the outer airtight chamber volume. Backfilling with hydrogen or helium in this manner prevents contamination of the interior of the inner non-airtight enclosure with substances such as nitrogen which may adversely affect the process taking place there within. Furthermore, hydrogen exhibits better heat conduction than e.g. nitrogen, improving cooling of the inner non-airtight enclosure.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在基底上制造薄膜的方法，该方法包括提供一种沉积系统，其具有用于容纳基底的内部非气密外壳和完全围绕该外壳的外部气密室。内部非气密外壳保持在低于所述外部气密室内的压力的压力下，并且至少包含氢气或氦气的回填气体被引入外部气密室容积。以这种方式回填氢气或氦气可防止内部非气密性外壳的内部被诸如氮气的物质污染，这可能会对内部发生的过程产生不利影响。此外，氢显示比例如更好的热传导。氮气，改善内部非气密外壳的冷却。

17. 发明申请

WO2013022127A1 ＭＯＣＶＤ 장치 审中-公开
标题翻译： MOCVD设备
公开(公告)号：WO2013022127A1
公开(公告)日：2013-02-14
申请号：PCT/KR2011/005772
申请日：2011-08-09
申请人： 삼성전자주식회사 , 이도영 , 김영선 , 김성태 , 한상헌 , 김기성
发明人： 이도영 , 김영선 , 김성태 , 한상헌 , 김기성
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C30B25/08 , C23C16/44 , C23C16/4401 , C23C16/4411 , C23C16/45508 , C23C16/4584 , C30B25/12 , C30B25/14
摘要： MOCVD 장치가 제공된다. 본 발명에 따른 MOCVD 장치는 일정 크기의 내부공간을 형성하는 챔버 본체와, 상기 챔버 본체를 밀봉하여 기밀을 유지하도록 하는 챔버 덮개를 구비하는 반응 챔버; 상기 챔버 본체 내에 회전가능하도록 구비되며, 웨이퍼를 수용하는 포켓을 적어도 하나 이상 상면에 구비하는 서셉터; 상기 챔버 덮개의 내측면에 탈착가능하도록 구비되어 상기 서셉터와의 사이에 반응공간을 형성하며, 복수개의 분할부재가 서로 결합되어 이루어지는 커버부재; 및 상기 서셉터와 상기 커버부재 사이에서 반응가스가 흐르도록 상기 반응공간으로 상기 반응가스를 공급하는 가스공급부;를 포함한다.
摘要翻译：提供了一种金属有机化学气相沉积（MOCVD）装置。根据本发明的MOCVD装置包括：反应室，其具有限定具有一定体积的内部空间的室主体和密封室主体以保持其气密性的室盖; 基座，其可旋转地布置在所述腔室主体内，并且具有用于在其上表面中接收晶片的至少一个凹槽; 盖构件，其可拆卸地布置在所述室盖的内表面上，以限定所述基座和所述盖构件之间的反作用空间，所述盖构件由彼此联接的多个分隔构件制成; 以及气体供给部，其将反应气体供给到反应空间，使得反应气体在基座和盖部件之间流动。

18. 发明申请

WO2012165792A3 VACUUM DEPOSITION APPARATUS 审中-公开
标题翻译：真空沉积装置
公开(公告)号：WO2012165792A3
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/KR2012004025
申请日：2012-05-22
申请人： SNU PRECISION CO LTD , KONG DOO WON , LEE JONG HA , LEE DONG HYUN , JUNG SUNG JEA , PARK SANG HYUN
发明人： KONG DOO WON , LEE JONG HA , LEE DONG HYUN , JUNG SUNG JEA , PARK SANG HYUN
IPC分类号： C23C14/24
CPC分类号： C23C16/4401 , C23C14/50 , C23C14/562 , C23C14/564 , C23C16/4586 , C23C16/545
摘要： The present invention relates to a vacuum deposition apparatus. The vacuum deposition apparatus for depositing a source onto a substrate disposed within a vacuum chamber according to the present invention includes: a substrate transfer part for transferring the substrate; a nozzle disposed to face the substrate transfer part, the nozzle spraying the source onto the substrate disposed on the substrate transfer part; and a temperature control part for controlling a surface temperature of the substrate transfer part to prevent the source from being deposited onto the substrate transfer part. Thus, since the source may be prevented from being particulated and deposited on the substrate transfer part for transferring the substrate, a decrease in productivity may be minimized.
摘要翻译：本发明涉及一种真空沉积设备。根据本发明的用于将源沉积到设置在真空室内的基板上的真空沉积设备包括：用于转移基板的基板转移部分; 设置成面对基板转印部的喷嘴，喷嘴将源喷射到设置在基板转印部上的基板上; 以及用于控制基板转印部件的表面温度以防止源沉积到基板转印部件上的温度控制部件。因此，由于可以防止源极被颗粒化并沉积在用于转移衬底的衬底转移部分上，所以可以使生产率的降低最小化。

19. 发明申请

WO2012138866A1 APPARATUS AND METHOD FOR UV TREATMENT, CHEMICAL TREATMENT, AND DEPOSITION 审中-公开
标题翻译：紫外线处理，化学处理和沉积的装置和方法
公开(公告)号：WO2012138866A1
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：PCT/US2012/032331
申请日：2012-04-05
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , BANSAL, Amit , DU BOIS, Dale R. , ROCHA-ALVAREZ, Juan Carlos , BALUJA, Sanjeev , HENDRICKSON, Scott A. , NOWAK, Thomas
发明人： BANSAL, Amit , DU BOIS, Dale R. , ROCHA-ALVAREZ, Juan Carlos , BALUJA, Sanjeev , HENDRICKSON, Scott A. , NOWAK, Thomas
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： C23C16/56 , C23C16/0272 , C23C16/4401 , C23C16/4404 , C23C16/45565 , C23C16/54
摘要： Embodiments of the present invention provide apparatus and methods for performing UV treatment and chemical treatment and/or deposition in the same chamber. One embodiment of the present invention provides a processing chamber including a UV transparent gas distribution showerhead disposed above a substrate support located in an inner volume of the processing chamber, a UV transparent window disposed above the UV transparent gas distribution showerhead, and a UV unit disposed outside the inner volume. The UV unit is configured to direct UV lights towards the substrate support through the UV transparent window and the UV transparent gas distribution showerhead.
摘要翻译：本发明的实施例提供了用于在相同的室中进行UV处理和化学处理和/或沉积的装置和方法。本发明的一个实施例提供了一种处理室，其包括设置在位于处理室的内部体积中的基板支撑件上方的UV透明气体分配喷头，设置在UV透明气体分配喷头上方的UV透明窗口和设置在UV透明气体分配喷头上的UV单元在内容之外。 UV单元被配置为通过UV透明窗口和UV透明气体分配喷头将UV光引向基板支撑。

20. 发明申请

WO2012087002A2 화학 기상 증착 장치 및 이를 사용한 발광소자 제조방법 审中-公开
标题翻译：化学蒸气沉积装置及使用其制造发光装置的方法
公开(公告)号：WO2012087002A2
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：PCT/KR2011/009853
申请日：2011-12-20
申请人： 삼성엘이디 주식회사 , 김준우 , 모노토부타케야 , 허인회 , 김추호 , 이재봉
发明人： 김준우 , 모노토부타케야 , 허인회 , 김추호 , 이재봉
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45502 , C23C16/303 , C23C16/4401 , C23C16/45508 , C23C16/45519 , C23C16/4584 , C30B25/12 , C30B25/14 , C30B29/406 , H01L33/007 , H01L33/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
摘要： 화학 기상 증착 장치 및 이를 사용한 발광소자 제조방법이 제공된다. 본 발명의 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치는, 웨이퍼가 안착되는 적어도 하나의 포켓이 형성된 서셉터를 구비하는 챔버 본체; 상기 챔버 본체에 개폐 가능하도록 구비되며, 상기 서셉터와의 사이에 반응공간을 형성하는 챔버 덮개; 상기 서셉터 상에 반응가스가 흐르도록 상기 반응공간으로 상기 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부; 및 상기 서셉터와 상기 챔버 덮개 사이에서 상기 챔버 덮개의 표면을 따라서 비반응가스가 흐르도록 상기 반응공간으로 상기 비반응가스를 공급하여 상기 반응가스가 상기 챔버 덮개의 표면과 접촉하는 것을 차단하는 비반응가스 공급부;를 포함한다.
摘要翻译：提供了一种化学气相沉积设备和使用其的制造发光器件的方法。根据本发明的实施例的化学气相沉积装置包括：腔体，其包括具有至少一个凹穴的基座，晶片被加载到该凹槽中; 室盖，其布置在室主体上以打开/关闭室主体，并且在基座和室盖之间形成反应空间; 反应气体供给单元，其向所述反应空间供给反应气体，使得所述反应气体在所述基座上流动; 以及非反应性气体供给单元，其向反应空间供给非反应性气体，使得非反应性气体沿着基座和室盖之间的反应空间沿着室盖的表面流动，因此反应气体为防止与室盖的表面接触。

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