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    • 18. 发明申请
    • PROCEDE DE TRAITEMENT D'UNE STRUCTURE
    • 处理结构的过程
    • WO2014131983A1
    • 2014-09-04
    • PCT/FR2014/050397
    • 2014-02-25
    • SOITEC
    • KONONCHUK, Oleg
    • H01L21/268H01L21/302H01L21/3065H01L21/20
    • H01L21/3065B23K26/126H01L21/02488H01L21/0262H01L21/02664H01L21/02675H01L21/02686H01L21/268H01L21/302H05K3/0026
    • L'invention concerne un procédé de traitement d'une structure, la structure comprenant de sa face arrière vers sa face avant un substrat support (4), une couche d'isolant (3), et une couche utile (2), la couche utile (2) présentant une surface libre (S), la structure étant placé dans une atmosphère comprenant des espèces chimiques (6), les espèces chimiques (6) étant susceptibles de réagir chimiquement avec la couche utile (2); ce procédé de traitement étant remarquable en ce que la couche utile (2) est chauffée par un faisceau (8) laser à impulsions, le faisceau (8) balayant la surface libre (S), la longueur d'onde du faisceau (8) s'étendant à plus ou moins 15 nm d'une longueur d'onde centrale, la longueur d'onde centrale étant choisie de sorte à ce que la sensibilité de la réflectivité de la structure (1) par rapport à la couche d'isolant (3) soit nulle.
    • 本发明涉及一种用于处理结构的方法,该结构从其背侧到其前侧包括载体基板(4),绝缘层(3)和有用层(2),有用层(2) )具有自由表面(S),所述结构被放置在含有化学物质(6)的气氛中,化学物质(6)能够与有用层(2)化学反应; 该处理过程值得注意的是,有用层(2)被脉冲激光束(8)加热,光束(8)扫掠自由表面(S),波束(8)的波长最多相差不超过 或从中心波长减去15nm,选择中心波长使得结构(1)相对于绝缘层(3)的反射率的灵敏度为零。