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11. 发明申请

WO2009110404A1 回転マグネットスパッタ装置审中-公开
标题翻译：旋转磁铁溅射装置
公开(公告)号：WO2009110404A1
公开(公告)日：2009-09-11
申请号：PCT/JP2009/053815
申请日：2009-03-02
申请人：国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明
发明人：大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/34 , H01L21/31
CPC分类号： C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3447 , H01J37/3455 , H01J37/3497
摘要：　プラズマ遮蔽部材とグランドに接続された外壁とを備え、プラズマ遮蔽部材と外壁間に、直列共振回路、及び、並列共振回路を有する回転マグネットスパッタ装置が得られる。直列共振回路は、共振周波数においてのみ非常に低いインピーダンスを有し、並列共振回路は、共振周波数においてのみ非常に高いインピーダンスを有する。このような構造とすることにより、基板ＲＦ電力とプラズマ遮蔽部材との間のインピーダンスが非常に高くなり、被処理基板１０とプラズマ遮蔽部材との間でのプラズマ発生を抑制することができる。また、ターゲットとグランドとの間は、直列共振回路が設けられているため、被処理基板がターゲットの下を通過する領域のみに効率よくＲＦ電力が供給され、セルフバイアス電圧が発生する。
摘要翻译：旋转磁体溅射装置设置有等离子体阻挡构件和连接到地面的外壁，并且该装置在等离子体阻挡构件和外壁之间具有串联谐振电路和并联谐振电路。串联谐振电路仅具有谐振频率的极低阻抗，并联谐振电路只有谐振频率具有极高的阻抗。利用这种结构，衬底RF功率和等离子体阻挡构件之间的阻抗变得非常高，并且可以抑制待处理衬底（10）和等离子体阻挡构件之间的等离子体的产生。由于串联谐振电路配置在目标和地之间，所以RF功率仅被有效地提供给基板通过目标以下的区域，并且产生自偏压。

12. 发明申请

WO2009044917A1 半導体基板および半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体衬底和半导体器件
公开(公告)号：WO2009044917A1
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：PCT/JP2008/068183
申请日：2008-10-06
申请人：国立大学法人東北大学 , 信越半導体株式会社 , 大見忠弘 , 寺本章伸 , 諏訪智之 , 黒田理人 , 工藤秀雄 , 速水善範
发明人：大見忠弘 , 寺本章伸 , 諏訪智之 , 黒田理人 , 工藤秀雄 , 速水善範
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/045 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L29/78
摘要：　半導体基板表面に原子ステップで段状とされた複数のテラスを実質的に同一方向に形成する。さらにこの半導体基板を使用し、キャリア走行方向（ソース－ドレイン方向）にステップが存在しないようにＭＯＳトランジスタを形成する。
摘要翻译：通过原子台阶形成的多个台阶基本上在半导体衬底表面上沿相同的方向形成。此外，通过使用半导体衬底，以在载体行进方向（源极 - 漏极方向）上不存在台阶的方式形成MOS晶体管。

13. 发明申请

WO2008050567A1 ガス放出孔部材を一体焼結したシャワープレートおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：用气体释放孔组件烧结的淋浴板及其制造方法
公开(公告)号：WO2008050567A1
公开(公告)日：2008-05-02
申请号：PCT/JP2007/068613
申请日：2007-09-26
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 桶作正広 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明 , 野沢俊久 , 井ノ口敦智 , 石橋清隆
发明人：桶作正広 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明 , 野沢俊久 , 井ノ口敦智 , 石橋清隆
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455 , H01L21/3065 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/45565 , C23C16/45568 , H01J37/32192 , H01J37/32449 , H01J37/32477 , H01J37/3255
摘要：　プラズマの逆流防止のためにシャワープレートの縦孔内に配置されるガス放出孔部材（セラミックス部材あるいは多孔質ガス流通体）が隙間無く一体的に焼結結合され、シャワープレートの使用時に縦孔から脱落することがなく、また各縦孔からのガス放出量のバラツキがなく、プラズマの逆流の発生をより完全に防止でき、効率の良いプラズマ励起が可能なシャワープレートを提供する。プラズマ処理装置の処理室１０２に配置され、処理室１０２にプラズマを発生させるためにプラズマ励起用ガスを放出するシャワープレート１０５において、プラズマ励起用ガスの放出経路となる多数個の縦孔１０５内に、孔径が２０μｍ乃至７０μｍのガス放出孔を複数個有するセラミックス部材、および／または最大気孔径が７５μｍ以下のガス流通方向に連通した気孔を有する多孔質ガス流通体を一体的に焼結結合して配置した。
摘要翻译：本发明提供了一种喷淋板，其包括通过一体烧结而没有任何空间结合的气体释放孔构件（陶瓷构件或多孔气体流动体），用于等离子体回流防止目的在淋浴板的垂直孔内。上述结构的优点在于，在淋浴板使用期间气体释放构件不从垂直孔脱落，从每个垂直孔释放的气体量没有变化，等离子体的反向流动可以更完全可以实现高效率的等离子体激发。喷淋板（105）设置在等离子体处理装置的处理室（102）中，等离子体激发气体释放到用于产生等离子体的处理室（102）中。具有多个直径为20μm至70μm的气体释放孔的陶瓷构件和/或具有气体流动方向上彼此连通的最大直径不大于75μm的孔的多孔气体流动体是通过与作为等离子体激发气体的释放路径的多个垂直孔（105）中的每一个的内部一体地烧结而结合。

14. 发明申请

WO2008035416A1 フレックスリジッドプリント配線板およびフレックスリジッドプリント配線板の製造方法审中-公开
标题翻译：柔性刚性印刷电路板以及制造柔性刚性印刷电路板的方法
公开(公告)号：WO2008035416A1
公开(公告)日：2008-03-27
申请号：PCT/JP2006/318691
申请日：2006-09-21
申请人：株式会社大昌電子 , 国立大学法人東北大学 , 佐藤昭博 , 佐々木正弘 , 大見忠弘 , 森本明大
发明人：佐藤昭博 , 佐々木正弘 , 大見忠弘 , 森本明大
IPC分类号： H05K1/02
CPC分类号： H05K3/4691 , C23F1/02 , C23F1/18 , C23F4/00 , C23F4/04 , H05K3/064 , H05K3/243 , H05K3/4652 , H05K2201/09736 , H05K2203/0369 , Y10T29/49117 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165 , Y10T156/10
摘要：　フレキシブル部の可撓性を確保しつつ、フレキシブル部の折り曲げに対する耐久性を向上することができ、かつ、リジッド部における導通を確保できるフレックスリジッドプリント配線板およびその製造方法を提供する。　ベースフィルムの少なくとも一方の面に導体層が形成され、該ベースフィルムを含む一領域はリジッド領域であり、該ベースフィルムを含むその他の領域はフレキシブル領域となっているフレックスリジッドプリント配線板である。フレキシブル領域に形成されたベースフィルム上の導体層の平均厚みｔｆと該リジッド領域に形成されたベースフィルム上の導体層の平均厚みｔＲとは、ｔｆ＜ｔＲの関係を満たす。
摘要翻译：提供了一种柔性刚性印刷电路板，其可以在保持柔性部分的柔性并且可以保持刚性部分中的传导的同时提高对柔性部分的折叠的耐久性，以及制造印刷电路板的方法。在柔性刚性印刷电路板中，在基膜的至少一个面上形成导体层，并且包含基膜的一个区域是刚性区域，而含有基膜的剩余区域是柔性区域。在基膜上形成的柔性区域中的导体层的平均厚度（tf）和在刚性区域中形成的导体层的平均厚度（t R）在基膜上的平均厚度（tf）满足tf

15. 发明申请

WO2008007748A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2008007748A1
公开(公告)日：2008-01-17
申请号：PCT/JP2007/063926
申请日：2007-07-12
申请人：国立大学法人東北大学 , 財団法人国際科学振興財団 , 大見忠弘 , 寺本章伸 , 黒田理人
发明人：大見忠弘 , 寺本章伸 , 黒田理人
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/045 , H01L21/02057 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/823807 , H01L21/823835 , H01L21/82385 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/41766 , H01L29/456 , H01L29/518 , H01L29/785 , H01L2029/7857
摘要：　遮光状態で窒素雰囲気において、シリコン表面を水素添加超純水で洗浄することにより、ピーク・トゥ・バレイ(P-V)値で、0.3nm以下の平坦度を実現すると共に、電極とシリコンとの間の仕事関数差を0.2eV以下にすることにより、接触抵抗を10 -11 Ωcm 2 以下を実現する。これによって、10GHz以上の周波数で動作可能な半導体装置を得ることができる。
摘要翻译：本发明提供一种半导体器件，其中以峰 - 谷（PV）值表示的平坦度为0.3nm以下的程度是通过在遮光状态下用加氢超纯水冲洗硅表面而实现的，在氮气气氛中，通过将电极和电极之间的功函数差设定为0.2eV以下，可以实现10〜10Ω·cm 2以下的接触电阻硅。如此提供的半导体器件可以在10GHz或更高的频率下工作。

16. 发明申请

WO2008001680A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2008001680A1
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：PCT/JP2007/062541
申请日：2007-06-21
申请人：国立大学法人東北大学 , 財団法人国際科学振興財団 , 大見忠弘 , 寺本章伸 , 程 ▲イ▼涛
发明人：大見忠弘 , 寺本章伸 , 程 ▲イ▼涛
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78654 , H01L29/78603 , H01L29/78648
摘要：　ＳＯＩ層を支持するシリコン基板の不純物濃度を調整すると共に、ＳＯＩ層と接するシリコン基板表面に形成された埋込絶縁層の厚さを制御することにより、閾値を調整できるトランジスタが得られる。　
摘要翻译：公开了一种晶体管，其可以通过控制支撑SOI层的硅衬底的杂质浓度，同时控制形成在与SOI层接触的硅衬底的表面中的掩埋绝缘层的厚度来调节其阈值。

17. 发明申请

WO2007145256A1 発光素子の製造装置および発光素子の製造方法审中-公开
标题翻译：制造发光装置的装置及制造发光装置的方法
公开(公告)号：WO2007145256A1
公开(公告)日：2007-12-21
申请号：PCT/JP2007/061925
申请日：2007-06-13
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 茂山和基 , 八木靖司 , 野沢俊久 , 大見忠弘 , 河村忠一 , 吉野公彦
发明人：茂山和基 , 八木靖司 , 野沢俊久 , 大見忠弘 , 河村忠一 , 吉野公彦
IPC分类号： H05B33/10 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/001 , C23C14/12 , C23C14/28 , H01L51/0021 , H01L51/56
摘要：　被処理基板上に、有機層を含む複数の層を有する発光素子を形成するための複数の処理室を有し、複数の処理室に被処理基板が順次搬送される発光素子の製造装置であって、複数の処理室が実質的に直線状に接続されるとともに、隣接する２つの処理室の間で被処理基板が搬送される場合、２つの処理室が被処理基板上の層と反応性を有しないガスで満たされるよう構成されていることを特徴とする発光素子の製造装置が開示される。
摘要翻译：公开了一种用于制造发光器件的设备，其包括多个处理室，用于形成具有包括待处理对象上的有机层的多个层的发光器件，并且其中待处理的衬底为依次传送到处理室。该装置的特征在于，处理室基本上线性地连接，并且当待处理的基板在两个相邻的处理室之间传送时，两个处理室被填充有不与基板上的层反应的气体。

18. 发明申请

WO2007088848A1 半導体装置の製造方法及び半導体表面のマイクロラフネス低減方法审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法和减少半导体表面微观的方法
公开(公告)号：WO2007088848A1
公开(公告)日：2007-08-09
申请号：PCT/JP2007/051487
申请日：2007-01-30
申请人：国立大学法人東北大学 , 財団法人国際科学振興財団 , 大見忠弘 , 森永均
发明人：大見忠弘 , 森永均
IPC分类号： H01L21/304 , G01B11/06
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/02074
摘要：　半導体表面に光があたらないように遮光しつつ液による表面処理を行なう。本発明を、半導体表面の洗浄、エッチング、現像などのウェットプロセスの表面処理に用いれば、表面マイクロラフネスの増大を低減する事が出来る。これにより、半導体デバイスの電気的特性や歩留まりが向上する。
摘要翻译：用液体进行表面处理，同时将半导体表面从光屏蔽。当在诸如清洁，蚀刻和半导体表面的显影的湿法中使用该方法进行表面处理时，可以降低表面微粗糙度的增加。因此，提高了半导体器件的电特性和产量。

19. 发明申请

WO2007029671A1 成膜装置、成膜装置系、成膜方法、及び電子装置または有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法审中-公开
标题翻译：薄膜成型装置，薄膜成型系统，薄膜成型方法和制造电子器件或有机电致发光元件的方法
公开(公告)号：WO2007029671A1
公开(公告)日：2007-03-15
申请号：PCT/JP2006/317499
申请日：2006-09-05
申请人：国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社 , 株式会社豊田自動織機 , 大見忠弘 , 松岡孝明 , 中山尚三 , 伊藤日藝
发明人：大見忠弘 , 松岡孝明 , 中山尚三 , 伊藤日藝
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/12 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC分类号： H01L51/001 , C23C14/12 , C23C14/243 , C23C14/568 , H01L51/56
摘要：　高価な有機ＥＬ原料を無駄なく利用すると共に、有機ＥＬ膜を長時間に亘って均一に成膜できる成膜装置及びそのための治具を提供する。　単一の原料容器部に対して、複数の吹き出し容器を備え、原料容器部の有機ＥＬ原料を気化してキャリアガスと共に各吹き出し容器に供給する配管系を他の吹き出し容器の配管系へ切り替える切替器を備えている。このように、複数の吹き出し容器に対して、単一の原料容器部から有機ＥＬ原料を切り替え供給することにより、有機ＥＬ原料の利用効率を改善できる。
摘要翻译：提供一种成膜装置，通过该成膜设备可以使用昂贵的有机EL材料而不浪费它，并且可以长时间均匀地形成有机EL膜，以及用于这种成膜装置的夹具。单个材料容器部分设置有多个吹出容器。提供了一种开关装置，用于切换管道系统，该管道系统使材料容器部分中的有机EL材料蒸发，并将每个吹出容器中的气化材料与载气供应到其它吹出容器的管道系统。通过切换从单一材料容器部分向吹出容器提供有机EL材料来改善有机EL材料的使用效率。

20. 发明申请

WO2007020810A1 プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体加工设备
公开(公告)号：WO2007020810A1
公开(公告)日：2007-02-22
申请号：PCT/JP2006/315464
申请日：2006-08-04
申请人：国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 平山昌樹
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/511
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32192
摘要：　被処理基板が大面積化しても均一処理を可能とするプラズマ処理装置は、導波管１０２に導入されたマイクロ波を、スロット１０３を通して誘電体板１０４に伝搬させ、真空容器１０１中に供給されたガスをプラズマ化させて基板１０７表面にプラズマ処理を施す装置であって、複数の導波管１０２を並列配置し、各導波管１０２毎に複数の誘電体板１０４を設け、隣り合う誘電体板１０４間に導体からなり接地された仕切り部材１０６を配置する。プランジャ１１１を上下に動かして、導波管１０２の管内波長を最適値に調整する。また、誘電体板と隣接する部材との隙間で意図しないプラズマが発生することがなく、安定したプラズマを効率よく発生させることができる。結果として、高速かつ均一なエッチング、成膜、クリーニング、アッシング等の処理を可能とする。
摘要翻译：提供一种等离子体处理装置，即使在待处理基板面积大的情况下也能够进行均匀的处理。等离子体处理装置通过槽（103）将引入导波管（102）的微波传播到电介质板（104），通过将供给到真空容器（101）的气体进行转换，对基板（107）的表面进行等离子体处理）进入等离子体状态。在等离子体处理装置中，多个波导管（102）平行配置，分别配置有用于波导管（102）的多个电介质板（104）和由导体形成的分隔部件（106）布置在相邻的电介质板（104）之间。通过垂直移动柱塞（111）将波导管（102）的管内波长调节为最佳值。此外，在电介质板和相邻构件之间的空间中消除了意外的等离子体产生，并且可以有效地产生稳定的等离子体。结果，可以进行诸如蚀刻，成形，清洁，灰化等高速均匀的处理。

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