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11. 发明申请

WO2005067022A1 シャワープレート、プラズマ処理装置、及び製品の製造方法审中-公开
标题翻译：淋浴板，等离子体加工系统以及生产产品的方法
公开(公告)号：WO2005067022A1
公开(公告)日：2005-07-21
申请号：PCT/JP2004/014421
申请日：2004-09-24
申请人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 後藤哲也
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 後藤哲也
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/45565 , H01J37/3244 , H01J37/32449
摘要：シャワープレートに配置するガス放出孔の単位面積あたりの配置数を、シャワープレート中心から離れるに従って増加させる、もしくは、ガス放出孔の孔半径をシャワープレート中心から離れるに従って増加させることにより、プラズマ励起ガス流を均一にし、これによって、被処理基板の均一処理を可能にする。
摘要翻译：一种用于通过增加从喷淋板的中心退出的喷淋板的每单位面积排列的排气孔的数量而均匀地处理基板的系统，或者从喷淋中心离开时增加排气孔的半径从而使等离子体激发气体流动均匀。

12. 发明申请

WO2004006319A1 プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体加工设备
公开(公告)号：WO2004006319A1
公开(公告)日：2004-01-15
申请号：PCT/JP2003/008491
申请日：2003-07-03
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 平山昌樹 , 後藤哲也
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 後藤哲也
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： C23C16/45568 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01J37/3244
摘要：プラズマ処理装置は、外壁により画成され、被処理基板を保持する保持台を備えた処理容器と、前記処理容器に結合された排気系と、前記処理容器上に、前記保持台上の被処理基板に対面するように、前記外壁の一部として設けられたマイクロ波透過窓と、前記処理容器中にプラズマガスを供給するプラズマガス供給部と、前記処理容器上に、前記マイクロ波に対応して設けられたマイクロ波アンテナよりなり、前記プラズマガス供給部は多孔質媒体を含み、前記多孔質媒体を介して前記プラズマガスを前記処理容器に供給する。
摘要翻译：一种等离子体处理设备，包括由外壁形成并具有用于保持处理基板的保持台的处理容器，连接到处理容器的排气系统，作为外壁的一部分设置的微波传输窗，处理基板，用于将等离子体气体进料到处理容器中的等离子体气体进料部分和安装在处理容器上以便与微波匹配的微波天线，等离子体气体进料部分还包括多孔介质，其中等离子体气体通过多孔介质供给到处理容器。

13. 发明申请

WO2002080254A1 マイクロ波プラズマプロセス装置、プラズマ着火方法、プラズマ形成方法及びプラズマプロセス方法审中-公开
标题翻译：微波等离子体处理装置，等离子体点火方法，等离子体成型方法和等离子体处理方法
公开(公告)号：WO2002080254A1
公开(公告)日：2002-10-10
申请号：PCT/JP2002/003113
申请日：2002-03-28
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01J37/32192 , C23C16/517 , H01J37/32009 , H01J37/32339
摘要： A microwave plasma process device (10) is provided with a plasma ignition enhancing means for enhancing plasma ignition by microwaves. The plasma ignition enhancing means comprises a deuterium lamp (30) which generates vacuum ultraviolet rays, and a penetration window (32) guiding the vacuum ultraviolet rays, which have penetrated the same, to a plasma excitation space (26). The penetration window (32) is constructed as a convex lens, focusing the vacuum ultraviolet rays to enhance the ionization of the plasma excitation gas. Such arrangement makes it possible to effect plasma ignition easily and rapidly.
摘要翻译：微波等离子体处理装置（10）具有用于通过微波增强等离子体点火的等离子体点火提高装置。等离子体点火提高装置包括产生真空紫外线的氘灯（30）和将其穿透的真空紫外线引导到等离子体激发空间（26）的穿透窗（32）。穿透窗（32）被构造为凸透镜，聚焦真空紫外线以增强等离子体激发气体的离子化。这样的布置使得可以容易且快速地实现等离子体点火。

14. 发明申请

WO2009031413A1 天板及びこれを用いたプラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：顶板和等离子体加工设备使用它
公开(公告)号：WO2009031413A1
公开(公告)日：2009-03-12
申请号：PCT/JP2008/064915
申请日：2008-08-21
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 石橋清隆 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 桶作正広
发明人：石橋清隆 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 桶作正広
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/511 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/50 , H01J37/32192 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , Y10T83/0481
摘要：　開示される天板は、内部が真空引き可能なプラズマ処理装置の処理容器の天井における開口部に設けられる一体化された天板であって、天板の平面方向に沿って形成された複数のガス通路と、複数のガス通路に連通し、処理容器内に臨む天板の第１の面に開口するガス噴出孔とを含む。
摘要翻译：顶板整体设置有等离子体处理装置的处理容器的天花板上的开口部分，其内部可以处于真空状态。顶板设置有沿着顶板的平面方向形成的多个气体通道，以及与气体通道连通并在面向处理容器内部的顶板第一表面上打开的气体喷射口。

15. 发明申请

WO2008126811A1 マグネトロンスパッタ装置审中-公开
标题翻译： MAGNETRON喷射装置
公开(公告)号：WO2008126811A1
公开(公告)日：2008-10-23
申请号：PCT/JP2008/056819
申请日：2008-04-04
申请人：国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明
发明人：大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3455
摘要：　本発明の課題は、ターゲット上での瞬時瞬時のプラズマ密度を上昇させて成膜速度を向上させるようにしたマグネトロンスパッタ装置を提供することにある。　本発明のマグネトロンスパッタ装置は、被処理基板と被処理基板に対向して設置されたターゲットと、ターゲットの被処理基板とは反対側に設置された回転磁石とを有し、ターゲット表面に複数のプラズマループが形成されると共に、当該プラズマループが回転磁石の回転にしたがって回転磁石の軸方向に発生、移動、消滅するマグネトロンスパッタ装置である。
摘要翻译：一种磁控溅射装置，其能够通过增加目标上的瞬时等离子体密度来提高成膜速率。磁控管溅射装置包括待加工的基板，与要加工的基板相对的靶，以及设置在待加工基板上的靶的相反侧的旋转磁体。在靶的表面上形成等离子体环。等离子体回路沿着旋转磁体的轴线形成，当旋转磁体旋转时移动并消失。

16. 发明申请

WO2008114718A1 マグネトロンスパッタ装置审中-公开
标题翻译： MAGNETRON喷射装置
公开(公告)号：WO2008114718A1
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：PCT/JP2008/054730
申请日：2008-03-14
申请人：国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明
发明人：大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明
IPC分类号： C23C14/35 , H01L21/285
CPC分类号： H01J37/3455 , C23C14/35 , H01J37/32495 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01J37/345 , H01J37/3452
摘要：　本発明の課題は、回転磁石群によってターゲット表面の磁場パターンが時間と共に移動するように構成されたマグネトロンスパッタ装置において、プラズマ着火や消去の際に被処理基板の不良率が高くなる問題を解決し、被処理基板の不良率が従来よりも小さいマグネトロンスパッタ装置を提供することにある。　本発明のマグネトロンスパッタ装置はターゲットに対して回転磁石群と反対側にスリットを備えたプラズマ遮蔽部材を設け、当該プラズマ遮蔽部材と被処理基板との間の距離を電子の平均自由工程よりも短くするか、或いは、シース幅よりも短くする。更に、スリット幅及び長さを制御することにより、被処理基板にプラズマが当らないようにする。これによって、被処理基板の不良率を小さくすることができる。　
摘要翻译：本发明是为了解决在磁控管溅射装置中的等离子体点火或消光时提高待处理基板的百分比不良的问题，该磁控管溅射装置构成为目标表面的磁性图案随着时间旋转而移动从而提供一种磁控溅射装置，其中处理过的衬底的缺陷百分比低于现有技术。提供的磁控管溅射装置包括等离子体屏蔽构件，其在相对于靶的旋转磁体组的相对侧上具有狭缝，从而使等离子体屏蔽构件和处理过的衬底之间的距离比平均自由程电子或鞘宽。此外，控制狭缝宽度和长度以保护经处理的基板免受等离子体的轰击。因此，可以减少经处理的基材的百分比缺陷。

17. 发明申请

WO2008078636A1 イオン注入装置およびイオン注入方法审中-公开
标题翻译：离子注入装置和离子注入方法
公开(公告)号：WO2008078636A1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：PCT/JP2007/074480
申请日：2007-12-20
申请人：国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 寺本章伸 , 松岡孝明
发明人：大見忠弘 , 後藤哲也 , 寺本章伸 , 松岡孝明
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/317 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/265 , H01J37/3222 , H01J37/32412 , H01J37/32706 , H01J2237/20 , H01J2237/26 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L29/30 , H01L29/7833
摘要：　被処理基板に正電荷のイオン注入の際、被処理基板にチャージアップダメージが発生することがある。　正電荷のイオン注入の際、被処理基板から２次電子が放出されて、チャージアップされるのを軽減するために、被処理基板と対向する位置に、導体部材を設け、当該導体部材を電気的に高周波的に接地する。また、被処理基板に与えられるＲＦ電力をパルス状に制御することによって、被処理基板に発生する電界強度を低減させても良い。
摘要翻译：在将正电荷的离子注入到对象基板中时，可能在对象基板中发生电荷损坏。为了在注入正电荷的离子时，通过发射二次电子可以使对象基板的电荷较少，导电部件设置在与物体基板对置的位置，从而以高频电接地到地球或者，也可以通过以脉动的方式控制要施加到对象基板的RF功率，来减少在对象基板中发生的场强。

18. 发明申请

WO2007145230A1 シャワープレート、並びにそれを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法审中-公开
标题翻译：淋浴板，使用其的等离子体处理装置，等离子体处理方法和制造电子装置的方法
公开(公告)号：WO2007145230A1
公开(公告)日：2007-12-21
申请号：PCT/JP2007/061858
申请日：2007-06-13
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 桶作正広 , 後藤哲也 , 大見忠弘 , 石橋清隆
发明人：桶作正広 , 後藤哲也 , 大見忠弘 , 石橋清隆
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/455 , C23C16/45565 , C23C16/45572 , C23C16/511 , H01J37/3244
摘要：　カバープレートが不要なシャワープレートを提供する。プラズマ処理装置の処理室１０２に配置され、処理室１０２にプラズマを発生させるためにプラズマ励起用ガスを放出するシャワープレート１０５において、シャワープレート１０５を一体物とし、このシャワープレート１０５に、プラズマ処理装置のガス導入ポート１１０からのプラズマ励起用ガスを導入する横孔１１１と、この横孔１１１に連通する縦孔１１２とを設けた。
摘要翻译：公开了一种不需要盖板的喷淋板。具体公开了一种喷淋板（105），其布置在用于在处理室（102）中排出用于产生等离子体的等离子体激发气体的等离子体处理装置的处理室（102）中。淋浴板（105）形成为一体的构件，其设置有用于从等离子体处理装置的气体导入口（110）引入等离子体激发气体的水平孔（111），以及连通与水平孔（111）。

19. 发明申请

WO2005064998A1 プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体加工设备
公开(公告)号：WO2005064998A1
公开(公告)日：2005-07-14
申请号：PCT/JP2004/019318
申请日：2004-12-24
申请人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 後藤哲也
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 後藤哲也
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32467
摘要：　シャワープレート上面とこれに部分的に当接するカバープレート下面との間に設けられたガス流通空間でプラズマ放電が起こってしまい、そのため供給されたマイクロ波がこの不所望の放電によって浪費されてパワーが損失していた。　ガスを放出する複数の放出孔を持つシャワープレートとマイクロ波アンテナと前記シャワープレートおよび前記マイクロ波アンテナの間に介設されたカバープレートとを備えたプラズマ処理装置において、前記カバープレートの材料として前記シャワープレートの材料よりも比誘電率の小さい材料を用いる。
摘要翻译：在喷淋板的上表面和与喷淋板部分接触的盖板的下表面之间的气体循环空间中发生等离子体放电，并且所供应的微波无用地被这种不期望的放电消耗，从而失去功率。等离子体处理装置包括具有用于喷射气体的喷射孔的喷淋板，微波天线和插在喷淋板和微波天线之间的盖板。盖板的材料的相对介电常数小于喷淋板材料的相对介电常数。

20. 发明申请

WO2002080252A1 プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体加工装置
公开(公告)号：WO2002080252A1
公开(公告)日：2002-10-10
申请号：PCT/JP2002/003111
申请日：2002-03-28
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32192 , H01J37/32238
摘要： In a microwave plasma-processing device, a shower plate or plasma penetration window opposed to a board to be processed is recessed on the side opposed to the board to be processed, whereby a decrease in plasma density in the peripheral region of the board to be processed is compensated. As a result, even when plasma processing at low pressure, such as etching, is effected, stabilized uniform plasma is maintained in the vicinity of the surface of the board to be processed. Further, such arrangement enhances ignition of plasma.
摘要翻译：在微波等离子体处理装置中，与被处理板相对的喷淋板或等离子体渗透窗凹陷在与被处理板相对的一侧，由此板的周边区域的等离子体密度的降低为处理得到补偿。结果，即使进行了诸如蚀刻等低压等离子体处理，也能够在被处理板的表面附近保持均匀的均匀等离子体。此外，这种布置增强了等离子体的点燃。

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