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101. 发明申请

WO2010061151A2 PROCEDE DE FABRICATION DE CELLULES MATRICIELLES PHOTOSENSIBLES DANS L'INFRAROUGE COLLEES PAR ADHESION MOLECULAIRE SUR SUBSTRAT OPTIQUEMENT TRANSPARENT ET CAPTEUR ASSOCIE 审中-公开
标题翻译：通过分子粘附生产光学透明基质的红外光敏矩阵细胞的生产方法及相关传感器
公开(公告)号：WO2010061151A2
公开(公告)日：2010-06-03
申请号：PCT/FR2009/052328
申请日：2009-11-27
申请人： SAGEM DEFENSE SECURITE , CORDAT, Arnaud , SIK, Hervé , DEMIGUEL, Stéphane
发明人： CORDAT, Arnaud , SIK, Hervé , DEMIGUEL, Stéphane
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/09 , H01L31/101 , H01L21/34 , H01L31/0352
CPC分类号： H01L27/1465 , H01L27/1469 , H01L27/14694 , H01L31/1032 , H01L31/1035 , H01L31/1892 , Y02E10/50
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication de capteur de rayonnement infrarouge, ledit capteur comportant un réseau de photodiodes infrarouge formé dans un premier matériau et un circuit de lecture formé dans un second matériau, ledit procédé qui comporte les étapes de : collage par adhésion moléculaire d'une tranche (1) à base du premier matériau sur une tranche (5) de matériau cristallin optiquement transparent aux rayonnements infrarouges et ayant un coefficient de dilatation thermique similaire à celui du second matériau à plus ou moins 20% près; amincissement de l'épaisseur de la tranche à base du premier matériau de telle sorte que celle-ci soit inférieure à 25μm; fabrication de photodiodes sensibles dans l'infrarouge (9) sur la tranche à base du premier matériau ainsi amincie; dépôt de billes de contact (11) au niveau des photodiodes infrarouges; montage du circuit de lecture (13) sur la tranche à base du premier matériau par la technologie de puce retournée.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造红外线辐射传感器的方法，所述传感器包括形成在第一材料中的红外光电二极管阵列和形成在第二材料中的读取电路，所述方法包括以下步骤：通过分子粘附将第一材料侧表面（1）到具有类似于第二材料的红外辐射和热膨胀系数的光学透明结晶材料侧表面（5）上，产生或占20％; 使第一材料侧表面的主体变薄使得后者小于25μm; 在这样薄化的第一材料侧表面上产生红外敏感光电二极管（9）; 将接触球轴承（11）沉积到红外光电二极管上; 以及通过倒装芯片技术将读取电路（13）安装到第一材料侧表面上。

102. 发明申请

WO2010057674A3 SOLARZELLENSYSTEM, SOLARZELLENMODUL UND VERFAHREN ZUR ELEKTRISCHEN VERSCHALTUNG RÜCKSEITENKONTAKTIERTER SOLARZELLEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2010057674A3
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：PCT/EP2009/008405
申请日：2009-11-17
申请人： SCHERFF, Maximilian
发明人： SCHERFF, Maximilian
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/042
摘要： Solarzellensystem, Solarzellenmodul und Verfahren zur elektrischen Verschaltung rückseitenkontaktierter Solarzellen, wobei eine erste rückseitenkontaktierte Solarzelle (1) mit einer Rückseite (10), auf der Elektrodenfinger (11) angeordnet sind, die als Basis- Elektrodenfinger (110) und als Emitter-Elektrodenfinger (111) ausgebildet sind, eine zweite rückseitenkontaktierte Solarzelle (2) mit einer Rückseite (20), auf der Elektrodenfinger (21) angeordnet sind, die als Basis-Elektrodenfinger (210) und als Emitter-Elektrodenfinger (211) ausgebildet sind und Zellverbinder (5) vorgesehen sind, die eine Mehrzahl Elektrodenfinger (11) der ersten Solarzelle (1) mit einer Mehrzahl Elektrodenfinger (21) der zweiten Solarzelle (2) verschalten, wobei auf mindestens einer der Solarzellen (1, 2) jeder verschaltete Elektrodenfinger (11, 21) mit jeweils einem der Zellverbinder (5) in elektrischem Kontakt steht, wobei der Zellverbinder (5) in einem Zellverbinderabschnitt (50) entlang des zugehörigen Elektrodenfingers (11, 21) orientiert ist und mit diesem eine Kontaktfläche (51) zur elektrischen Kontaktierung zwischen Elektrodenfinger (11, 21) und Zellverbinder (5) bildet.

103. 发明申请

WO2010005772A8 RECESSED GERMANIUM (Ge) DIODE 审中-公开
标题翻译：残留的锗（Ge）二极体
公开(公告)号：WO2010005772A8
公开(公告)日：2010-05-06
申请号：PCT/US2009048202
申请日：2009-06-23
申请人： ANALOG DEVICES INC , YASAITIS JOHN A , LOWELL LAWRENCE JAY
发明人： YASAITIS JOHN A , LOWELL LAWRENCE JAY
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/105
CPC分类号： H01L31/18 , H01L27/1443 , H01L31/074
摘要： A photodiode is formed in a recessed germanium (Ge) region in a silicon (Si) substrate. The Ge region may be fabricated by etching a hole through a passivation layer on the Si substrate and into the Si substrate and then growing Ge in the hole by a selective epitaxial process. The Ge appears to grow better selectively in the- hole than on a Si or oxide surface. The Ge may grow up some or all of the passivation sidewall of the hole to conformally fill the hole and produce a recessed Ge region that is approximately flush with the surface, of the substrate, without characteristic slanted sides of a mesa. The hole may be etched deep enough so the photodiode is thick enough to obtain good coupling efficiencies to vertical, free-space light entering the photodiode.
摘要翻译：在硅（Si）衬底中的凹入的锗（Ge）区域中形成光电二极管。 Ge区域可以通过蚀刻穿过Si衬底上的钝化层并进入Si衬底然后通过选择性外延工艺在孔中生长Ge来制造。 Ge在孔中看起来比在Si或氧化物表面上更有选择地生长。 Ge可以长大孔的一部分或全部钝化侧壁，以保形地填充孔，并产生与衬底的表面大致齐平的凹陷Ge区域，而没有台面的特征倾斜面。孔可以被蚀刻到足够深的位置，因此光电二极管足够厚以获得进入光电二极管的垂直，自由空间光的良好的耦合效率。

104. 发明申请

WO2009049087A3 TYPE II QUANTUM DOT SOLAR CELLS 审中-公开
标题翻译：第二类量子太阳能电池
公开(公告)号：WO2009049087A3
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：PCT/US2008079412
申请日：2008-10-09
申请人： UNIV MICHIGAN , UNIV PRINCETON , FORREST STEPHEN R , WEI GUADAN , SHIU KUEN-TING
发明人： FORREST STEPHEN R , WEI GUADAN , SHIU KUEN-TING
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/072 , H01L31/18
CPC分类号： B82Y30/00 , H01L31/03046 , H01L31/035281 , H01L31/0735 , Y02E10/544 , Y10S977/932 , Y10S977/948
摘要： A device comprises a plurality of fence layers of a semiconductor material and a plurality of alternating layers of quantum dots of a second semiconductor material embedded between and in direct contact with a third semiconductor material disposed in a stack between a p-type and n-type semiconductor material. Each quantum dot of the second semiconductor material and the third semiconductor material form a heterojunction having a type Il band alignment. A method for fabricating such a device is also provided.
摘要翻译：一种器件包括多个半导体材料栅栏层和第二半导体材料的量子点的多个交替层，该第二半导体材料的第二半导体材料的交替层被嵌入在p型和n型之间的堆叠中并与第三半导体材料直接接触半导体材料。第二半导体材料的每个量子点和第三半导体材料形成具有II型带对准的异质结。还提供了一种制造这种装置的方法。

105. 发明申请

WO2009150654A2 SOLAR VOLUMETRIC STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：太阳能体积结构
公开(公告)号：WO2009150654A2
公开(公告)日：2009-12-17
申请号：PCT/IL2009000587
申请日：2009-06-14
申请人： YISSUM RES DEV CO , SHENKAR COLLEGE OF ENGINEERING , SHAPPIR JOSEPH , BEN-YOSEF NISSIM , LEVY URIEL
发明人： SHAPPIR JOSEPH , BEN-YOSEF NISSIM , LEVY URIEL
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L27/142 , H01L31/0352
CPC分类号： H01L31/03529 , H01L31/02363 , H01L31/047 , Y02E10/50
摘要： The present invention provides a volumetric solar structure comprising one or more solar cells. The solar structure comprises a semiconductor substrate of a first conductivity type having a patterned surface thereof, the pattern defining an array of spaced-apart grooves of a funnel-like shape, and a second opposite conductivity type material layer positioned on at least a part of the patterned surface of the substrate. The structure thereby defines junction regions, in which charge carriers are generated by incident radiation energy to which the structure is exposed. The junction regions are located at different heights upon the patterned surface of the substrate.
摘要翻译：本发明提供一种包含一个或多个太阳能电池的体积太阳能结构。太阳能结构包括具有其图案化表面的第一导电类型的半导体衬底，该图案限定具有漏斗状形状的间隔开的凹槽的阵列，以及位于至少一部分上的第二相反导电型材料层衬底的图案化表面。因此，该结构限定了结区，其中电荷载体由结构暴露于的入射辐射能产生。接合区域位于衬底的图案化表面上的不同高度处。

106. 发明申请

WO2009013307A3 METHOD FOR PRODUCING A SILICON SOLAR CELL WITH A BACK-ETCHED EMITTER AS WELL AS A CORRESPONDING SOLAR CELL 审中-公开
标题翻译：用背照式发射器以及相应的太阳能电池制造硅太阳能电池的方法
公开(公告)号：WO2009013307A3
公开(公告)日：2009-10-22
申请号：PCT/EP2008059647
申请日：2008-07-23
申请人： UNIV KONSTANZ , FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , HAHN GISO , HAVERKAMP HELGE , RAABE BERND , DASTGHEIB-SHIRAZI AMIR , BOOK FELIX
发明人： HAHN GISO , HAVERKAMP HELGE , RAABE BERND , DASTGHEIB-SHIRAZI AMIR , BOOK FELIX
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/068
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： A method is presented for producing a silicon solar cell with a back-etched emitter preferably with a selective emitter and a corresponding solar cell. According to one aspect, the method comprises the following method steps: producing a two-dimensionally extending emitter (5) at an emitter surface of a solar cell substrate (21); applying an etching barrier (25) onto first partial zones (7) of the emitter surface; etching the emitter surface in second partial zones (9) of the emitter surface not covered by the etching barrier (25); removing the etching barrier (25); and producing metal contacts (17) at the first partial zones (7). During the method, especially during the etching of the emitter surface in the second partial zones, a porous silicon layer is advantageously produced, which is then oxidised. This oxidised porous silicon layer can subsequently be etched away together with any phosphorus glass (23) that may be present. The method makes use of conventional screen-printing and etching technologies and is thus compatible with current industrial production plants.
摘要翻译：提出了一种制造具有背蚀刻发射器的硅太阳能电池的方法，所述背蚀优选具有选择性发射器和相应的太阳能电池。根据一个方面，该方法包括以下方法步骤：在太阳能电池衬底（21）的发射极表面处产生二维延伸的发射极（5）; 将蚀刻阻挡层（25）施加到发射体表面的第一分区（7）上; 在未被所述蚀刻阻挡层（25）覆盖的所述发射极表面的第二部分区（9）中蚀刻所述发射极表面; 去除蚀刻阻挡层（25）; 并在第一分区（7）处产生金属触点（17）。在该方法期间，特别是在蚀刻第二分区中的发射极表面期间，有利地产生多孔硅层，然后将其氧化。随后可以将该氧化的多孔硅层与可能存在的任何磷玻璃（23）一起蚀刻掉。该方法利用传统的丝网印刷和蚀刻技术，并且因此与当前的工业生产工厂兼容。

107. 发明申请

WO2009109445A2 PHOTOVOLTAIC DEVICES WITH HIGH-ASPECT-RATIO NANOSTRUCTURES 审中-公开
标题翻译：具有高纵横比纳米结构的光伏器件
公开(公告)号：WO2009109445A2
公开(公告)日：2009-09-11
申请号：PCT/EP2009/051541
申请日：2009-02-11
申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION , IBM UNITED KINGDOM LIMITED , GUHA, Supratik , GUNAWAN, Oki
发明人： GUHA, Supratik , GUNAWAN, Oki
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/052 , H01L31/0232 , H01L31/0352
CPC分类号： H01L31/035281 , B82Y20/00 , H01L31/0216 , H01L31/072 , H01L31/1884 , Y02E10/50
摘要： Photovoltaic devices and techniques for enhancing efficiency thereof are provided. In one aspect, a photovoltaic device is provided. The photovoltaic device comprises a photocell having a first photoactive layer and a second photoactive layer adjacent to the first photoactive layer so as to form a heterojunction between the first photoactive layer and the second photoactive layer; and a plurality of high-aspect-ratio nanostructures on one or more surfaces of the second photoactive layer. The plurality of high-aspect-ratio nanostructures are configured to act as a scattering media for incident light. The plurality of high-aspect-ratio nanostructures can also be configured to create an optical resonance effect in the incident light.
摘要翻译：提供了用于提高其效率的光伏器件和技术。在一个方面中，提供了一种光伏装置。所述光伏器件包括光电池，所述光电池具有第一光敏层和与所述第一光敏层相邻的第二光敏层，以在所述第一光敏层和所述第二光敏层之间形成异质结; 以及在第二光敏层的一个或多个表面上的多个高纵横比纳米结构。多个高纵横比纳米结构被配置成充当入射光的散射介质。多个高纵横比纳米结构也可以被配置为在入射光中产生光学共振效应。

108. 发明申请

WO2009086820A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES PHOTOAKTIVEN SCHICHTENVERBUNDS, PHOTOAKTIVER SCHICHTENVERBUND UND ANWENDUNG 审中-公开
标题翻译：用于生产PHOTO活性层分组，光有源层的复合及应用
公开(公告)号：WO2009086820A2
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：PCT/DE2009/000013
申请日：2009-01-07
申请人： HELMHOLTZ ZENTRUM BERLIN FÜR MATERIALIEN UND ENERGIE GMBH , AGGOUR, Mohammed , LEWERENZ, Hans-Joachim , SKORUPSKA, Katarzyna
发明人： AGGOUR, Mohammed , LEWERENZ, Hans-Joachim , SKORUPSKA, Katarzyna
IPC分类号： H01L31/0352
CPC分类号： H01L31/0284 , C25D11/32 , C25F3/12 , H01G9/2045 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/07 , H01L31/18 , Y02E10/542 , Y02P70/521
摘要： Durch die Verwendung von Schottky-Kontakten zwischen einem dotierten Silizium-Substrat als Makroabsorber und gleichrichtenden Nanoemittern entfallen deren aufwändige Hochdotierung und deren Beschattungseinfluss. Bekannt ist eine nasschemische Herstellung, die auf einer selbstorganisierten Nanoporenformation in Siliziumoxid unter Photostromoszillationsbedingungen beruht. Auf einem derartigen Schichtenverbund aufbauende photovoltaische Bauelemente zeigen aber nur unzureichende Wirkungsgrade bei der Energieumwandlung. Das erfindungsgemäße Verfahren beruht daher in einem ersten Verfahrensabschnitt auf einer Oxidbildung und selbstorganisierten Nanostrukturierung auf einem Silizium-Substrat in einer Phthalat-haltigen Elektrolytlösung. In nachfolgenden Verfahrensabschnitten wird die Nanostrukturierung dann bis in den Makroabsorber und mit einem Auskleidungs- metall belegt. Alle Verfahrensabschnitte werden messtechnisch überwacht. Dabei werden spezielle Parameter, insbesondere bezüglich des angelegten Potenzials, durchfahren. Eine auf einer photoaktiven Verbundschicht nach der Erfindung aufbauende photoelektrochemische Solarzelle mit einem lod-lodid-Elektrolytsystem zeigt einen effizienten Wirkungsgrad bei der Energieum- Setzung von 10,5 %. Grundsätzlich ist der Schichtenverbund nach der Erfindung einsetzbar für die lichtinduzierte Strom- und Brennstoffgewinnung.
摘要翻译：通过掺杂的硅衬底之间的使用肖特基接触的作为宏吸收剂和整流nanoemitters其复杂的高掺杂和它们的影响的阴影删去。公开了一种湿化学制剂，其基于Photostromoszillationsbedingungen下在硅的自组装纳米孔的形成。但建立在能量转换这样的层压光生伏打器件表现出效率不足。因此，根据本发明的方法在于在第一方法部分以氧化物在含邻苯二甲酸酯的电解质溶液在硅衬底上形成和自组装纳米结构。在该过程的后续阶段中的纳米结构，然后金属是向上在宏吸收器和衬片。在诉讼的各个阶段被测量监控。下面是具体的参数，特别是相对于所施加的电位，驱动通过。根据与碘 - 碘化物电解质系统的本发明的光电化学太阳能电池的光活性化合物层上形成的构成是Energieum-减少10.5％的有效效率。基本上，层压体可根据本发明用于光诱导电和燃料恢复。

109. 发明申请

WO2009032413A1 METHOD FOR REUSE OF WAFERS FOR GROWTH OF VERTICALLY-ALIGNED WIRE ARRAYS 审中-公开
标题翻译：用于再生用于垂直对准的线阵列的生长的方法
公开(公告)号：WO2009032413A1
公开(公告)日：2009-03-12
申请号：PCT/US2008/070523
申请日：2008-07-18
申请人： CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY , SPURGEON, Joshua M. , PLASS, Katherine E. , LEWIS, Nathan S. , ATWATER, Harry A.
发明人： SPURGEON, Joshua M. , PLASS, Katherine E. , LEWIS, Nathan S. , ATWATER, Harry A.
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/0352
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , H01L21/02381 , H01L21/0256 , H01L21/02562 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/16 , H01L29/20 , H01L29/22 , Y10S438/962
摘要： Reusing a Si wafer for the formation of wire arrays by transferring the wire arrays to a polymer matrix, reusing a patterned oxide for several array growths, and finally polishing and reoxidizing the wafer surface and reapplying the patterned oxide.
摘要翻译：通过将线阵列转移到聚合物基质上来重新使用Si晶片来形成线阵列，重新使用用于几个阵列生长的图案化氧化物，最后抛光和再氧化晶片表面并重新施加图案化氧化物。

110. 发明申请

WO2009016600A2 LIGHT SENSOR ARRANGEMENT 审中-公开
标题翻译：光传感器布置
公开(公告)号：WO2009016600A2
公开(公告)日：2009-02-05
申请号：PCT/IB2008/053069
申请日：2008-07-30
申请人： NXP B.V. , SOUCHKOV, Vitali , VAN DALEN, Rob
发明人： SOUCHKOV, Vitali , VAN DALEN, Rob
IPC分类号： H01L27/144 , H01L31/0352 , H01L31/02 , H01L31/103
CPC分类号： H01L27/14647 , G01J1/4204 , G01J1/4228 , G01J5/60
摘要： Ambient light is sensed for use in determining luminous flux. According to an example embodiment, ambient light is sensed using two light sensor arrangements that respectively respond differently to light of different relative wavelengths. The output of the sensors is nonlinearly combined to generate data indicative of the luminous flux. This luminous flux data is used to generate a control output for controlling an electronic display.
摘要翻译：感测环境光用于确定光通量。根据示例性实施例，使用分别对不同相对波长的光进行不同响应的两个光传感器装置感测环境光。传感器的输出被非线性组合以产生指示光通量的数据。该光束数据用于产生用于控制电子显示器的控制输出。

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