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1. 发明申请

WO2019096794A1 SYSTEME OPTIQUE/ELECTRONIQUE HYBRIDE AMELIORE 审中-公开
公开(公告)号：WO2019096794A1
公开(公告)日：2019-05-23
申请号：PCT/EP2018/081093
申请日：2018-11-13
申请人： THALES , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： REVERCHON, Jean-Luc , LE GOFF, Florian
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14634 , H01L27/1465 , H01L27/1469 , H01L27/14694
摘要： L'invention concerne un système optique et/ou électronique (10) hybride comprenant : une première structure planaire (S1) présentant une première fonctionnalité réalisée dans au moins un premier matériau (M1) et une deuxième structure (S2) planaire présentant une deuxième fonctionnalité réalisée dans au moins un deuxième matériau (M2) différent du premier matériau, la première et la deuxième structure planaire étant assemblées par une couche d'assemblage (11), au moins une des structures planaires étant disposée sur un substrat rigide (Sub), le système comprenant au moins une zone active (Zact) utilisée pour mettre en œuvre lesdites fonctionnalités, et au moins une zone neutre (Zn) non utilisée pour mettre en œuvre lesdites fonctionnalités et disposée en périphérie de ladite zone active, le système comprenant en outre des évidements (Ev) réalisés dans au moins une zone neutre de la structure planaire qui n'est pas disposée sur le substrat rigide, dénommée structure planaire évidée (Se).

2. 发明申请

WO2017103098A1 ELÉMENT DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT ET IMAGEUR COMPRENANT UN ENSEMBLE D'ÉLÉMENTS DÉTECTEURS DE RAYONNEMENT 审中-公开
标题翻译：包含一组辐射探测器元件的辐射探测器元件和成像器
公开(公告)号：WO2017103098A1
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：PCT/EP2016/081412
申请日：2016-12-16
申请人： THALES , COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： LEGOFF, Florian , REVERCHON, Jean-Luc , KAZMIERSKI, Christophe , DECOBERT, Jean
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14694 , H01L27/14601 , H01L27/14603 , H01L27/14636 , H01L27/14638 , H01L27/14649 , H01L27/14652
摘要： L'invention concerne un élément (10) détecteur de rayonnements comprenant un empilement (15) de couches superposées selon une direction d'empilement (Z), l'empilement (15) comportant une première face (25) et une deuxième face (30) et comprenant une couche absorbante de rayonnement (35) réalisée en un premier matériau semi-conducteur présentant une première valeur de gap et au moins une couche barrière (40) réalisée en un deuxième matériau semi-conducteur présentant une deuxième valeur de gap, la deuxième valeur de gap étant supérieure strictement à la première valeur de gap. L'empilement (15) délimite en outre un trou primaire (32) traversant chacune des couches de l'empilement (15), le trou primaire (32) accueillant au moins en partie une électrode primaire (55). La couche barrière (40) comporte une première zone conductrice (75) présentant une densité de porteurs libres supérieure ou égale à 1.10 17 cm -3 .
摘要翻译：本发明涉及一种辐射探测器（10），其包括在堆叠方向（Z）上的叠置层（15），堆叠（15）具有第一面（25）和第二面（30）并且包括由第一半导体材料制成的辐射吸收层（35），所述第一半导体材料呈现第一表面间隙值和形成在具有第二间隙值的第二半导体材料中的至少一个阻挡层（40），所述第二间隙值。严格高于＆gt; 第一个差距值。堆（15）进一步限制穿过堆（15）的每个层的主孔（32），主孔（32）容纳主电极（55）的至少一部分。阻挡层（40）具有具有密度的第一导电区（75）自由运营商的上涨或下跌; 1.10 ^{17 厘米^-3}

3. 发明申请

WO2014187840A1 MATRICE DE PHOTODIODE À ABSORPTION RÉGLABLE DE CHARGE 审中-公开
标题翻译：具有可调节充电吸收的光电子阵列
公开(公告)号：WO2014187840A1
公开(公告)日：2014-11-27
申请号：PCT/EP2014/060395
申请日：2014-05-21
申请人： NEW IMAGING TECHNOLOGIES
发明人： NI, Yang
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/103
CPC分类号： H01L27/14649 , H01L27/1463 , H01L27/14694
摘要： L'invention concerne une matrice de photodiodes comprenant une première électrode commune d'une jonction PN, comprenant au moins une couche de substrat (4) et une couche active (5), - une couche de passivation (6), et au moins deux sortes de zones dopées de même type: - des premières zones dopées (3) formées au moins en partie dans la couche active (5), définissant des secondes électrodes pour former, avec la première électrode commune, des photodiodes connectées à des circuits de lecture pour la formation d'images, - au moins une seconde zone dopée (10) formant une troisième électrode adaptée pour absorber des porteurs de charge excédentaires pour les évacuer, des moyens de polarisation étant adaptés pour appliquer à ladite seconde zone dopée un potentiel électrique (Vring) par lequel est réglable l'absorption des porteurs de charge par ladite seconde zone dopée (10), ladite au moins une seconde zone dopée (10) étant formée dans la couche de passivation (6) et étant séparée de la couche active (5) par une portion de ladite couche de passivation (6).
摘要翻译：本发明涉及一种包括具有PN结的第一公共电极的光电二极管阵列，包括至少一个衬底层（4）和一个有源层（5），钝化层（6）和至少两种掺杂区域相同类型： - 至少部分地形成在有源层（5）中的第一掺杂区域（3），限定第二电极与第一公共电极形成连接到读取电路以形成图像的光电二极管，至少一个第二掺杂区域区域（10）形成能够吸收过量的电荷载体以便放电的第三电极，所述极化装置能够向所述第二掺杂区域施加电位（Vring），借助于该电位（Vring），电荷载流子的吸收由所述第二掺杂区域（10）可被调节，所述至少一个第二掺杂区域（10）形成在所述钝化层（6）中并且通过所述钝化层（6）的一部分与所述有源层（5）分离，。

4. 发明申请

WO2013064753A1 IMAGEUR MONOLITHIQUE MULTISPECTRAL VISIBLE ET INFRAROUGE 审中-公开
标题翻译：单色多目标可见和红外成像器
公开(公告)号：WO2013064753A1
公开(公告)日：2013-05-10
申请号：PCT/FR2011/000587
申请日：2011-11-03
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , GIFFARD, Benoit , CAZAUX, Yvon , MOUSSY, Norbert
发明人： GIFFARD, Benoit , CAZAUX, Yvon , MOUSSY, Norbert
IPC分类号： H01L27/146 , G02B5/28
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/14621 , H01L27/14634 , H01L27/14645 , H01L27/14647 , H01L27/14649 , H01L27/14694 , H01L31/02165 , H01L31/18
摘要： L'invention concerne un dispositif de détection de rayonnement comprenant un substrat en silicium (11) et une photodiode infrarouge (21) en un matériau optimisé pour la détection infrarouge (22). Le substrat comprend une zone photosensible (13), des circuits de lecture (12) et des interconnexions (15) formées dans un matériau électriquement isolant (16). Les interconnexions (15) et le contact métallique (15-IR) relient les circuits de lecture, les zones photosensibles (13) et la photodiode infrarouge (21). Le dispositif de détection de rayonnement comprend également une structure de filtrage de rayonnement infrarouge (18') qui recouvre la zone photosensible (13) sans recouvrir la photodiode infrarouge (21).
摘要翻译：本发明涉及一种辐射检测装置，其包括硅基板（11）和红外光电二极管（21），所述红外光电二极管由为红外线检测而优化的材料（22）制成。衬底包括形成在电绝缘材料（16）中的光敏区（13），读电路（12）和互连（15）。互连（15）和金属接触（15-IR）连接读取电路，感光区域（13）和红外光电二极管（21）。辐射检测装置还包括用于过滤红外辐射的结构（18'），其覆盖感光区（13）而不覆盖红外光电二极管（21）。

5. 发明申请

WO2004097938A8 CONDUCTIVE ADHESIVE BONDED SEMICONDUCTOR SUBSTRATES FOR RADIATION IMAGING DEVICES 审中-公开
标题翻译：用于辐射成像装置的导电粘合的半导体基板
公开(公告)号：WO2004097938A8
公开(公告)日：2005-10-27
申请号：PCT/US0313332
申请日：2003-04-28
申请人： AJAT OY LTD
发明人： VUORELA MIKKO LLMARI
IPC分类号： G01N23/04 , G01T1/161 , H01L27/00 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14661 , H01L27/14634 , H01L27/14658 , H01L27/1469 , H01L27/14694 , H01L27/14696
摘要： The radiation detector/imaging substrate arrays (20) in an x-ray and gamma-ray radiation energy imaging device are described which use an electrically conductive adhesive (38) to provide electron charge signaling continuity between the detector and read-out substrates (21) of the device. The present device utilizes a plurality of electrically conductive bonds (25) each discretely connecting a pixel contact (22) in the pixel pattern to a signal contact in the signal contact pattern, the bonds (25) being electrically conductive adhesive (38). This bonding technique is especially useful in detection/imaging arrays having detector substrates comprising Cadmium and Tellurium compositions. The present invention is practicable with semiconductor detector and read-out substrates with or without "bumped" electrical contact. The electrically conductive bonds (25) utilize either isotropically or anisotropically conductive adhesives (38).
摘要翻译：描述了X射线和γ射线能量成像装置中的辐射检测器/成像衬底阵列（20），其使用导电粘合剂（38）来提供检测器和读出衬底（21）之间的电子电荷信号连续性）的设备。本装置使用多个导电接合（25），每个导电键（25）将像素图案中的像素触点（22）离散地连接到信号接触图案中的信号触点，所述键（25）是导电粘合剂（38）。该接合技术在具有包含镉和碲组合物的检测器基底的检测/成像阵列中特别有用。本发明对于具有或不具有“凸起”电接触的半导体检测器和读出基板是可行的。导电键（25）利用各向异性或各向异性导电粘合剂（38）。

6. 发明申请

WO2017005511A1 SPECTROMÈTRE MULTICANAL MUNI D'UNE COUCHE PHOTOSENSIBLE À GRADIENT LATÉRAL DE COMPOSITION 审中-公开
标题翻译：配有具有侧向组成梯度的感光层的多通道光谱仪
公开(公告)号：WO2017005511A1
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：PCT/EP2016/064718
申请日：2016-06-24
申请人： CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS
发明人： DUBOZ, Jean-Yves
IPC分类号： G01J3/28 , H01L27/146 , H01L31/103
CPC分类号： G01J3/2803 , H01L27/14694 , H01L31/1032 , H01L31/1035 , H02S40/44
摘要： La présente invention concerne un spectromètre (100) comprenant une couche photosensible en un alliage semi-conducteur divisée en une pluralité de photodétecteurs (110), les photodétecteurs étant organisés en au moins une colonne s'étendant dans une première direction (210) et un circuit de traitement de signaux délivrés par les photodétecteurs (110) en réponse à un rayonnement électromagnétique incident, et dans lequel l'alliage semi-conducteur de la couche photosensible présente un gradient de composition dans la première direction (210) de sorte qu'une partie au moins des photodétecteurs (110) de ladite colonne aient des réponses spectrales au rayonnement électromagnétique incident décalées en longueur d'onde.
摘要翻译：本发明涉及一种光谱仪（100），包括：由半导体合金制成的感光层，该层被分成多个光电检测器（110），光电检测器被组织成沿第一方向延伸的至少一个列（210 ）; 以及用于响应于入射电磁辐射处理由光电检测器（110）传送的信号的电路，并且其中感光层的半导体合金在第一方向（210）上具有组成梯度，使得至少一些光电检测器所述列的110（110）对波长偏移的入射电磁辐射具有光谱响应。

7. 发明申请

WO2014061561A1 光電変換装置および光電変換装置の製造方法审中-公开
标题翻译：光电转换装置及制造光电转换装置的方法
公开(公告)号：WO2014061561A1
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：PCT/JP2013/077648
申请日：2013-10-10
申请人：ローム株式会社 , 独立行政法人産業技術総合研究所
发明人：前川　拓滋 , 仁木　栄 , 石塚　尚吾 , 柴田　肇
IPC分类号： H01L31/10 , H01L27/146 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/0322 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L27/14694 , H01L31/022466 , H01L31/03923 , H01L31/10 , H01L31/18 , Y02E10/541 , Y02E10/543 , Y02P70/521
摘要：　本発明の光電変換装置は、基板と、前記基板上に配置された下部電極層と、前記下部電極層を覆うように前記下部電極層上に配置されたＣＩＧＳ系の化合物半導体層と、前記化合物半導体層上に配置された透明電極層とを含み、前記化合物半導体層の層厚方向のＧａの組成差が最大５％以上であり、前記層厚方向のＩｎの組成差が最大６％以上である。
摘要翻译：该光电转换装置包括：基板; 布置在基板上的下电极层; CIGS化合物半导体层，设置在下电极层上以覆盖下电极层; 以及布置在化合物半导体层上的透明电极层。化合物半导体层的层厚方向的Ga的组成的最大差为5％以上，层厚方向的In的组成的最大差为6％以上。

8. 发明申请

WO2013179901A1 受光素子、半導体エピタキシャルウエハ、検出装置および受光素子の製造方法审中-公开
标题翻译：光接收元件，半导体外延波形，检测装置和光接收元件制造方法
公开(公告)号：WO2013179901A1
公开(公告)日：2013-12-05
申请号：PCT/JP2013/063668
申请日：2013-05-16
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：三浦　広平 , 稲田　博史 , 猪口　康博 , 斉藤　格
IPC分类号： H01L31/10 , H01L21/205 , H01L27/144 , H01L27/146
CPC分类号： H01L31/18 , B82Y20/00 , H01L21/02392 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02507 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L27/1446 , H01L27/14634 , H01L27/1469 , H01L27/14694 , H01L31/03046 , H01L31/035236 , H01L31/103 , H01L31/105
摘要：近赤外域～中赤外域にわたって高い受光感度を持ち、経済性を維持しながら安定して高品質が得られる、受光素子等を提供する。波長３μｍ～１２μｍの光に透明なＩｎＰ基板と、ＩｎＰ基板上にエピタキシャル成長した中間層と、その中間層に接して位置するＧａＳｂバッファ層と、ＧａＳｂバッファ層上にエピタキシャル成長したタイプ２の多重量子井戸構造である受光層とを備え、ＧａＳｂバッファ層が形式的な格子整合条件の範囲を超えながら、中間層にエピタキシャル成長していることを特徴とする。
摘要翻译：提供了一种在近红外区域对中红外区具有高的光接收灵敏度的光接收元件等，并且在保持成本性能的同时具有稳定的高品质。该光接收元件的特征在于具有：相对于波长为3-12μm的光是透明的InP衬底; 在InP衬底上外延生长的中间层; 位于与中间层接触的GaSb缓冲层; 以及在GaSb缓冲层上外延生长的光接收层，即2型多量阱结构。光接收元件的特征还在于GaSb缓冲层在形式晶格匹配条件范围之外的条件下外延生长在中间层上。

9. 发明申请

WO2012133448A1 フォトダイオードアレイモジュール及びその製造方法审中-公开
标题翻译：光电子阵列模块及其制造方法
公开(公告)号：WO2012133448A1
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/JP2012/057994
申请日：2012-03-27
申请人：浜松ホトニクス株式会社 , 石原正敏 , 井上直 , 山本宙和
发明人：石原　正敏 , 井上　直 , 山本　宙和
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/14 , H04N1/028 , H04N5/369
CPC分类号： H01L27/14645 , H01L25/167 , H01L27/14634 , H01L27/14694 , H01L2224/16225 , H01L2924/0002 , H04N1/03 , H01L2924/00
摘要：　このフォトダイオードアレイモジュールは、第１波長帯域の光に感応する第１フォトダイオードアレイを有する第１半導体基板２と、第２波長帯域の光に感応する第２フォトダイオードアレイを有する第２半導体基板２'と、複数のアンプＡＭＰが形成されると共に第１及び第２半導体基板２，２'が重なることなく横に並べ、各フォトダイオードをバンプを介してアンプＡＭＰに接続した第３半導体基板３とを備えている。第１半導体基板２及び第２半導体基板２'の隣接する端部には、段差部が形成されており、これにより各画素を双方の基板に渡って連続して整列させた場合においても、低ノイズで計測ができるようになる。
摘要翻译：提供了一种光电二极管阵列模块，其包括：第一半导体衬底（2），具有对第一波长带中的光敏感的第一光电二极管阵列; 具有对第二波长带中的光敏感的第二光电二极管阵列的第二半导体衬底（2'）; 以及形成有多个放大器（AMP）的第三半导体基板（3），所述第一和第二半导体基板（2,2'）彼此重叠配置，并且所述光电二极管与所述放大器（ AMP）通过颠簸。在第一半导体衬底（2）和第二半导体衬底（2'）相邻的端部形成有电平差异部分，因此即使在两个衬底上布置和连接像素，测量也可以以低噪声进行测量。

10. 发明申请

WO2011118399A1 受光素子、受光素子アレイ、ハイブリッド型検出装置、光学センサ装置、および受光素子アレイの製造方法审中-公开
标题翻译：光接收元件，光接收元件阵列，混合检测装置，光传感器装置和用于生产接收光元件阵列的方法
公开(公告)号：WO2011118399A1
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：PCT/JP2011/055588
申请日：2011-03-10
申请人：住友電気工業株式会社 , 猪口康博 , 稲田博史 , 永井陽一 , 中幡英章 , 秋田勝史 , 石塚貴司 , 藤井慧
发明人：猪口　康博 , 稲田　博史 , 永井　陽一 , 中幡　英章 , 秋田　勝史 , 石塚　貴司 , 藤井　慧
IPC分类号： H01L27/14 , H01L31/10
CPC分类号： H01L27/1464 , H01L27/14652 , H01L27/14694
摘要：　本発明は、近赤外域に高い受光感度を持つ、受光素子アレイ等、光学センサ装置、および受光素子アレイの製造方法を提供する。受光素子アレイ５５は、ＩｎＰ基板１上に位置するｎ型バッファ層２と、タイプ２型のＭＱＷからなる受光層３と、受光層の上に位置するコンタクト層５と、受光層３を経てｎ型バッファ層２に至るｐ型領域６とを備え、選択拡散によるｐ型領域は、隣の受光素子におけるｐ型領域とは、選択拡散されていない領域により隔てられており、ｎ型バッファ層内において、ｐ型領域のｐ型キャリア濃度と該バッファ層のｎ型キャリア濃度との交差面でｐｎ接合１５が形成されていることを特徴とする。
摘要翻译：公开了在近红外光谱中具有高的光接收灵敏度的光接收元件阵列等; 光学传感器装置; 以及光接收元件阵列的制造方法。光接收元件阵列（55）的特征在于：设置有位于InP衬底（1）上的n型缓冲层（2），包含2型MQW的光接收层（3）位于光接收层上方的接触层（5）和穿过光接收层（3）并到达n型缓冲层（2）的p型区域（6）; 由选择性扩散产生的p型区域通过未被选择性扩散的区域与相邻的光接收元件的p型区域分离; 以及在所述缓冲层中的n型载流子浓度的交叉平面和p型区域的p型载流子浓度的n型缓冲层内形成的pn结（15）。

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