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1. 发明申请

WO2013044913A2 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES LASERS 审中-公开
标题翻译：制造激光器的方法
公开(公告)号：WO2013044913A2
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/DE2012/200062
申请日：2012-09-12
申请人： HUMBOLDT-UNIVERSITÄT ZU BERLIN , MASSELINK, William, Ted , SEMTSIV, Mykhaylo, Petrovych , CHASHNIKOVA, Mikaela
发明人： MASSELINK, William, Ted , SEMTSIV, Mykhaylo, Petrovych , CHASHNIKOVA, Mikaela
CPC分类号： H01S5/0425 , H01S5/02461 , H01S5/2072 , H01S5/2214 , H01S5/2224 , H01S5/2275
摘要： Die Erfindung bezieht sich u. a. auf ein Verfahren zum Herstellen eines Lasers. Erfindungsgemäß ist bei dem Verfahren vorgesehen, dass auf oder über einem auf einem Träger (10) befindlichen Halbleiterkörper (40), der einen wellenführenden und zur Erzeugung von Photonen geeigneten aktiven Laserabschnitt (41) und einen darüber befindlichen, eine niedrigere Brechzahl als der Laserabschnitt aufweisenden Mantelabschnitt (42) umfasst, eine Materialschicht (50, 120) ganzflächig unselektiv aufgebracht wird, deren Brechzahl kleiner als die Brechzahl des aktiven Laserabschnitts ist, die elektrische Leitfähigkeit der Materialschicht (50, 120) derart lokal verändert wird, dass der über dem aktiven Laserabschnitt befindliche Schichtabschnitt (51, 122) eine größere elektrische Leitfähigkeit als der oder die seitlich neben dem aktiven Laserabschnitt befindlichen Schichtabschnitte (52, 121) aufweist, und zumindest auf dem über dem aktiven Laserabschnitt (41) befindlichen Schichtabschnitt (51, 122) der Materialschicht (50, 120) eine Kontaktschicht (70) zum elektrischen Kontaktieren des Halbleiterkörpers (40) aufgetragen wird.
摘要翻译：
本发明涉及u。一。涉及制造激光的方法。发明＆AUML;大街体（40），其具有的光子的波导航用途hrenden和产生合适的活性激光部（41）和一个表示OVER;在此，上或上方一个上的支撑BEAR位于GER（10）Halbleiterk＆OUML该方法提供，位于低的折射率比具有激光器部鞘部（42）包括材料层（50，120）ganzfl BEAR被chig非选择性施加其折射率比所述激光器激活部分的折射率小，所述材料层的导电性的承受能力（50， 120），使得在本地一个版本BEAR被改变时，该导航使用位于有源激光部层部（51，122）上方的GR＆ouml;道路ERE电导率BEAR能力大于或位于横向相邻的活性激光部分的层区段（52，121）并且至少在有源激光器部分（41）上的材料层（50,120）上，用于电接触半导体本体（40）的接触层（70）被应用

2. 发明申请

WO0188993A3 A METHOD FOR LOCALLY MODIFYING THE EFFECTIVE BANDGAP ENERGY IN INDIUM GALLIUM ARSENIDE PHOSPHIDE (InGaAsP) QUANTUM WELL STRUCTURES 审中-公开
标题翻译：一种用于局部修改氮化镓镓（InGaAsP）量子阱结构中有效带状能量的方法
公开(公告)号：WO0188993A3
公开(公告)日：2002-02-28
申请号：PCT/CA0100523
申请日：2001-04-09
申请人： UNIV MCMASTER , THOMPSON DAVID A , ROBINSON BRADLEY J , LETAL GREGORY J , LEE ALEX S W
发明人： THOMPSON DAVID A , ROBINSON BRADLEY J , LETAL GREGORY J , LEE ALEX S W
IPC分类号： H01L21/18 , H01L29/15 , H01L29/201 , H01L33/06 , H01L33/30 , H01S5/026 , H01S5/20 , H01S5/34 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L21/182 , H01L29/155 , H01L29/201 , H01L33/30 , H01S5/0265 , H01S5/2068 , H01S5/2072 , H01S5/3414 , Y10S257/929
摘要： A novel quantum well intermixing method for regionally modifying the bandgap properties of InGaAsP quantum well structures is disclosed. The method induces bandgap wavelength blue shifting and deep states for reducing carrier lifetime within InGaAsp quantum well structures. The novel quantum well intermixing technique is applied to the modulator section of an integrated DFB laser/electro-absorption modulator, wherein the modulator exhibits fast switching times with efficient optical coupling between the DFB laser and modulator region.
摘要翻译：公开了一种用于区域性修饰InGaAsP量子阱结构的带隙特性的量子阱混合方法。该方法诱导带隙波长蓝移和深状态，以降低InGaAsp量子阱结构中的载流子寿命。新型量子阱混合技术应用于集成DFB激光/电吸收调制器的调制器部分，其中调制器通过DFB激光器和调制器区域之间的有效光耦合展现出快速的开关时间。

3. 发明申请

WO2005057744A1 半導体素子の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：WO2005057744A1
公开(公告)日：2005-06-23
申请号：PCT/JP2004/018695
申请日：2004-12-15
申请人：エムシー・ファイテル株式会社 , 山田由美
发明人：山田由美
IPC分类号： H01S5/16
CPC分类号： H01S5/16 , B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/168 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2072 , H01S5/34313 , Y10S438/962
摘要：　窓構造を形成する際の熱的悪影響を防止して高出力で長期信頼性に優れた半導体素子の製造方法を提供する。　半導体基板１上に、量子井戸活性層からなる活性層４ｂを少なくとも含む所定の半導体層２～９を積層する第１のステップと、半導体層２～９表面の第１の部分に第１の誘電体膜１０を形成する第２のステップと、半導体層２～９表面の第２の部分に前記第１の誘電体膜１０と同一の材料からなり且つ第１の誘電体膜１０よりも低い密度を有する第２の誘電体膜１２を形成する第３のステップと、半導体層２～９、第１の誘電体膜１０及び第２の誘電体膜１２を含んでなる積層体を熱処理して第２の誘電体膜下部１２の下の量子井戸層を混晶化する第４のステップとを有する。
摘要翻译：一种制造具有高输出和长期可靠性优异的半导体器件的方法，该方法通过防止形成窗结构时产生的热不利影响。该方法包括在半导体衬底上形成至少包括由量子阱有源层构成的有源层（4b）的预定半导体层（2-9）的第一步骤，形成第一介电膜（10）的第二步骤半导体层（2-9）的第一部分，形成与第一电介质膜（10）相同材料制成的第二电介质膜（12）的密度低于第一绝缘膜在半导体层（2-9）的第二部分上的介电膜（10），以及对由半导体层（2-9）和第一和第二电介质膜（10）构成的多层体进行热处理的第四工序， 12）将第二电介质膜下部（12）下的量子阱层变换为混合晶体。

4. 发明申请

WO2003044907A2 SEMICONDUCTOR LASER WITH DISORDERED AND NON-DISORDERED QUANTUM WELL REGIONS 审中-公开
标题翻译：具有异常和非恶化量子区域的半导体激光器
公开(公告)号：WO2003044907A2
公开(公告)日：2003-05-30
申请号：PCT/US2002/030934
申请日：2002-09-30
申请人： FOX-TEK , JOLLY, Gary
发明人： SARGENT, Edward, H.
IPC分类号： H01S
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0424 , H01S5/18308 , H01S5/2068 , H01S5/2072 , H01S5/3413
摘要： In a semiconductor laser, non-disordered quantum well active region functions as a lasing region. Surrounding the non-disordered quantum well active region is a disordered quantum well active region which prevents diffusion of injected carriers from the non-disordered quantum well active region or provides a lateral heterobarrier. The disordered quantum well active region is formed by rapid thermal annealing in which defects from one or two InP defect layers diffuse into the parts of the quantum well active region to be disordered.
摘要翻译：在半导体激光器中，非无序量子阱有源区域用作激光区域。围绕非无序量子阱有源区域是无序的量子阱有源区域，其阻止注入的载流子从非无序量子阱活性区域的扩散或提供横向异质势垒。通过快速热退火形成无序的量子阱有源区，其中来自一个或两个InP缺陷层的缺陷扩散到量子阱有源区的部分以使其无序。

5. 发明申请

WO2012137426A1 半導体光デバイス及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体光学器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2012137426A1
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：PCT/JP2012/001876
申请日：2012-03-16
申请人：古河電気工業株式会社 , 谷口英広 , 大木泰
发明人：谷口　英広 , 大木　泰
IPC分类号： H01S5/16
CPC分类号： H01S5/0421 , B82Y20/00 , H01L33/005 , H01L33/305 , H01S5/028 , H01S5/2004 , H01S5/2068 , H01S5/2072 , H01S5/22 , H01S5/3054 , H01S5/3063 , H01S5/343 , H01S5/34313 , H01S2304/04
摘要：　第１導電型の半導体基板と、半導体基板の上方に順次堆積された第１導電型の第１クラッド層と、活性層と、第２導電型の第２クラッド層と、コンタクト層とを備え、活性層は、空孔の拡散により混晶化した窓部と、窓部より混晶度が小さい非窓部とを有し、コンタクト層は、第１領域と、第１領域よりも水素との親和性が高く、第１領域の下側にある第２領域とを有する半導体光デバイス。
摘要翻译：该半导体光学器件设置有：第一导电型半导体衬底; 以及顺序地淀积在半导体衬底上方的第一导电型第一包覆层，有源层，第二导电型第二覆层和接触层。有源层具有由于空穴扩散而处于混晶状态的窗口部分和具有小于窗口部分的晶体混合比的非窗口部分，并且接触层具有第一区域，而第二区域具有第二区域区域，其具有比第一区域高的氢气的亲和性，并且设置在第一区域的下侧。

6. 发明申请

WO2011135803A1 SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
标题翻译：半导体激光元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2011135803A1
公开(公告)日：2011-11-03
申请号：PCT/JP2011/002278
申请日：2011-04-19
申请人： Furukawa Electric Co., Ltd. , TANIGUCHI, Hidehiro , KINUGAWA, Kouhei
发明人： TANIGUCHI, Hidehiro , KINUGAWA, Kouhei
IPC分类号： H01S5/16 , H01S5/20 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/162 , B82Y20/00 , H01S5/2072 , H01S5/22 , H01S5/2202 , H01S5/2231 , H01S5/34313
摘要： It is an objective to provide a semiconductor laser element that can achieve higher optical output. The semiconductor laser element (100) includes a substrate (5) of a first conduction type and a layered semiconductor structure (17) formed on the substrate (5). The layered semiconductor structure (17) includes a first semiconductor layer of the first conduction type formed on the substrate (5), an active layer (10) formed on the first semiconductor layer (9), and a second semiconductor layer (15) of a second conduction type formed on the active layer (10), the second conduction type being opposite to the first conduction type. The first semiconductor layer, the active layer, and the second semiconductor layer include a non-window region (17a) through which a light emitted from the active layer (10) passes and a window region (17b) surrounding the non-window region (17a). Band gap energy of the active layer (10) is larger in the window region (17b) than in the non-window region (17a). The second semiconductor layer (15) includes a current confinement layer (16) that narrows a current path through which a current is injected into the active layer (10) and that protrudes toward the non-window region (17a) from an interface between the window region (17b) and the non-window region (17a).
摘要翻译：目的是提供一种能够实现更高光输出的半导体激光器元件。半导体激光元件（100）包括形成在基板（5）上的第一导电类型的基板（5）和层状半导体结构（17）。层状半导体结构（17）包括在基板（5）上形成的第一导电类型的第一半导体层，形成在第一半导体层（9）上的有源层（10）和第二半导体层形成在有源层（10）上的第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反。第一半导体层，有源层和第二半导体层包括非活性层（10）发射的光通过的非窗口区域（17a）和围绕非窗口区域的窗口区域（17b） 17A）。活性层（10）的带隙能量在窗口区域（17b）中大于非窗口区域（17a）。第二半导体层（15）包括电流限制层（16），该电流限制层使电流注入有源层（10）的电流通路变窄，并且从电流通路（16）的界面向非窗口区域窗口区域（17b）和非窗口区域（17a）。

7. 发明申请

WO2011004674A1 半導体光デバイスの製造方法、半導体光レーザ素子の製造方法および半導体光デバイス审中-公开
标题翻译：用于制造半导体光学器件的方法，制造半导体光学激光元件的方法和半导体光学器件
公开(公告)号：WO2011004674A1
公开(公告)日：2011-01-13
申请号：PCT/JP2010/059770
申请日：2010-06-09
申请人：古河電気工業株式会社 , 谷口英広
发明人：谷口　英広
IPC分类号： H01S5/16
CPC分类号： H01S5/22 , H01S5/162 , H01S5/2072 , H01S5/2077 , H01S5/2205
摘要：　本発明にかかる半導体層を含む半導体光デバイスの製造方法は、半導体積層構造（１２－１８）表面の第１の領域に第１の誘電体膜（２６）を形成し、半導体積層構造（１２－１８）表面の第２の領域に、第１の誘電体膜（２６）よりも高い密度を有する第２の誘電体膜（２５）を形成し、第２の誘電体膜（２５）下部の半導体層の熱処理によるバンドギャップの変化量が、第１の誘電体膜（２６）下部の半導体層の熱処理によるバンドギャップの変化量よりも大きくなる温度領域で熱処理を施して、第１の誘電体膜（２６）下部の半導体積層構造（１２－１８）に窓領域（２３）を形成する。
摘要翻译：提供一种半导体光学器件的制造方法，其包括半导体层，其中在半导体层叠结构（12-18）的表面的第一区域上形成第一电介质膜（26），第二电介质膜（25）在半导体叠层结构（12-18）的表面的第二区域上形成比第一电介质膜（26）更高的密度，并且在半导体层叠结构（12-18）中形成窗口区域（23））通过在第二介电膜（25）下的半导体层的热处理导致的带隙变化大于由于热处理导致的带隙变化的温度范围内进行热处理而在第一绝缘膜（26）下方进行热处理的第一介电膜（26）下方的半导体层。

8. 发明申请

WO2018152312A1 VERTICAL-CAVITY SURFACE-EMITTING DEVICE WITH EPITAXIAL INDEX GUIDE 审中-公开
公开(公告)号：WO2018152312A1
公开(公告)日：2018-08-23
申请号：PCT/US2018/018350
申请日：2018-02-15
申请人： UNIVERSITY OF CENTRAL FLORDIA RESEARCH FOUNDATION, INC. , SDPHOTONICS, LLC
发明人： DEPPE, Dennis, G.
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18333 , H01S5/183 , H01S5/18308 , H01S5/18327 , H01S5/1833 , H01S5/18358 , H01S5/18361 , H01S5/18391 , H01S5/187 , H01S5/2018 , H01S5/2059 , H01S5/2063 , H01S5/2072 , H01S5/2086 , H01S2301/166
摘要： A semiconductor vertical resonant cavity light source includes an upper and lower mirror that define a vertical resonant cavity. An active region is within the cavity for light generation between the upper and lower mirror. At least one cavity spacer region is between the active region and the upper mirror or lower mirror. The cavity includes an inner mode confinement region and an outer current blocking region. An index guide in the inner mode confinement region is between the cavity spacer region and the upper or lower mirror. The index guide and outer current blocking region each include a lower and upper epitaxial material layer thereon with an epitaxial interface region in between. At least a top surface of the lower material layer includes aluminum in the interface region throughout a full area of an active part of the vertical light source.

9. 发明申请

WO2010067845A1 半導体レーザ素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体激光元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2010067845A1
公开(公告)日：2010-06-17
申请号：PCT/JP2009/070693
申请日：2009-12-10
申请人：古河電気工業株式会社 , 今井英 , 高木啓史 , 岩井則広 , 田邉衣加 , 清水均 , 石井宏辰
发明人：今井　英 , 高木　啓史 , 岩井　則広 , 田邉　衣加 , 清水　均 , 石井　宏辰
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18341 , H01S5/0425 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18369 , H01S5/2072
摘要：　半導体レーザ素子は、第１、第２の電極と、第１、第２の反射鏡と、第１および前記第２の反射鏡との間の共振器であって、活性層と、電流が流れる第１の領域と電流の流れを制限する第２の領域とを有する電流経路制限層と、電流経路制限層に対して活性層とは反対側に位置する第１の半導体層と、第１の半導体層と電流経路制限層との間に位置する第２の半導体層と、を備える前記共振器と、を備え、第１の半導体層は、電流経路制限層とは反対側に一主面を有し、第１の半導体層は、電流経路制限層の第１の領域と対向する第１の領域と、電流経路制限層の第２の領域と対向する第２の領域とを備え、第１の半導体層の第２の領域の一主面の少なくとも一部に接して第１の電極が設けられ、第１の半導体層は、第１の電極を構成する成分または第１の電極を構成する成分の少なくとも一部の成分が第１の半導体層に拡散した拡散部を有し、第２の半導体層は、第１の半導体層よりも高いドーパント濃度を有し、第２の半導体層は、第１の半導体層の拡散部と接すると共に、拡散部と接した領域から電流経路制限層の第１の領域に対向する位置まで延在する。
摘要翻译：半导体激光元件设置有：第一和第二电极; 第一和第二反射镜; 以及设置在第一和第二反射镜之间的谐振器，并且设置有有源层，具有电流流动的第一区域的电流通路调节层和电流流动被调节的第二区域，第一半导体层相对于电流路径调节层位于与有源层相反的一侧，以及位于第一半导体层和电流通路调节层之间的第二半导体层。第一半导体层在与电流路径调整层相反的一侧具有一个主表面，并且设置有面向电流通路调节层的第一区域的第一区域和面向电流路径调节层的第二区域的第二区域路径调节层。第一电极设置成与第一半导体层的第二区域的一个主表面的至少一部分接触，并且第一半导体层具有扩散部分，其中构成第一电极的部件或构成第一电极的至少一些部件的部件第一电极在第一半导体层中扩散。第二半导体层的掺杂浓度高于第一半导体层的掺杂浓度，与第一半导体层的扩散部接触并从第二半导体层与扩散部接触的区域延伸到第二半导体层面向电流路径调节层的第一区域。

10. 发明申请

WO01088993A2 A METHOD FOR LOCALLY MODIFYING THE EFFECTIVE BANDGAP ENERGY IN INDIUM GALLIUM ARSENIDE PHOSPHIDE (InGaAsP) QUANTUM WELL STRUCTURES 审中-公开
标题翻译：一种用于局部修改氮化镓镓（InGaAsP）量子阱结构中有效带状能量的方法
公开(公告)号：WO01088993A2
公开(公告)日：2001-11-22
申请号：PCT/CA2001/000523
申请日：2001-04-09
IPC分类号： H01L21/18 , H01L29/15 , H01L29/201 , H01L33/06 , H01L33/30 , H01S5/026 , H01S5/20 , H01S5/34 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L21/182 , H01L29/155 , H01L29/201 , H01L33/30 , H01S5/0265 , H01S5/2068 , H01S5/2072 , H01S5/3414 , Y10S257/929
摘要： A novel quantum well intermixing method for regionally modifying the bandgap properties of InGaAsP quantum well structures is disclosed. The method induces bandgap wavelength blue shifting and deep states for reducing carrier lifetime within InGaAsp quantum well structures. The novel quantum well intermixing technique is applied to the modulator section of an integrated DFB laser/electro-absorption modulator, wherein the modulator exhibits fast switching times with efficient optical coupling between the DFB laser and modulator region.
摘要翻译：公开了一种用于区域性修饰InGaAsP量子阱结构的带隙特性的量子阱混合方法。该方法诱导带隙波长蓝移和深状态，以降低InGaAsp量子阱结构中的载流子寿命。新型量子阱混合技术应用于集成DFB激光/电吸收调制器的调制器部分，其中调制器通过DFB激光器和调制器区域之间的有效光耦合展现出快速的开关时间。

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