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1. 发明申请

WO2006114886A1 マスク形成方法、及び三次元微細加工方法审中-公开
标题翻译：掩模形成方法和三维微晶化方法
公开(公告)号：WO2006114886A1
公开(公告)日：2006-11-02
申请号：PCT/JP2005/007792
申请日：2005-04-25
申请人：学校法人関西学院 , 佐野直克 , 金子忠昭
发明人：佐野直克 , 金子忠昭
IPC分类号： H01L21/203 , H01L21/302
CPC分类号： H01L21/31105 , B81C1/00428 , B82Y10/00 , G03F7/0043 , H01L21/02395 , H01L21/02546 , H01L21/02631 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/2636 , H01L21/3086 , Y10S430/143 , Y10S430/145 , Y10S430/146
摘要：　Ａｌ X Ｇａ Y Ｉｎ 1-X-Y Ａｓ Z Ｐ 1-Z 又はＡｌ X Ｇａ Y Ｉｎ 1-X-Y Ｎ Z Ａｓ 1-Z （０≦Ｘ≦１，０≦Ｙ≦１，０≦Ｚ≦１）の層の表面に選択的なマスクを形成する方法であって、ナノ領域の微細加工に好適な微細幅のマスクを形成する方法を提供する。　（１）Ａｌ X Ｇａ Y Ｉｎ 1-X-Y Ａｓ Z Ｐ 1-Z 又はＡｌ X Ｇａ Y Ｉｎ 1-X-Y Ｎ Z Ａｓ 1-Z の層１の表面に形成されている自然酸化膜２にエネルギービーム４ａ，４ｂを選択的に照射する。（２）加熱することによって、前記自然酸化膜２のうち、前記エネルギービーム４ａ，４ｂを照射した部分以外の部分を除去する。（３）加熱温度の上昇及び下降を交互に行いながら加熱することによって、前記エネルギービーム４ａ，４ｂを照射した部分の前記自然酸化膜２の一部を除去する。
摘要翻译：在式（I-1）中的一层的表面上选择性掩模形成的方法，其中，在1-XY N Z中，在一个或多个Y-1中， 1-Z（0 = X = 1,0 = Y = 1,0 = Z = 1），其中可以形成具有适合于纳米微细加工的微宽度的掩模。步骤（1）：在式（1）的表面上产生的自然氧化物膜（2）在式（1-XY）中，在1-XY 1-Z 1 / 用能量束（4a，4b）选择性地照射1-Z 。步骤（2）除了在自然氧化膜（2）中照射能量束（4a，4b）以外的区域通过加热除去。工序（3）：在照射能量束（4a，4b）的区域中的自然氧化膜（2）的一部分通过加热而被除去，同时交替地进行加热温度的升高和降低。

2. 发明申请

WO2017016997A1 PROCEDE DE GRAVURE DE MATERIAUX DURS 审中-公开
标题翻译：蚀刻硬质材料的方法
公开(公告)号：WO2017016997A1
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：PCT/EP2016/067492
申请日：2016-07-22
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , ARNANO
发明人： SALVETAT, Thierry , AUBERT, Jean-Jacques , REY, Alain-Marcel
IPC分类号： B81C1/00 , H01L21/033 , H01L41/332
CPC分类号： B81C1/00428 , B81C2201/0133 , B81C2201/0135 , H01L41/332 , H03H3/02
摘要： Procédé de gravure d'au moins une couche de matériau dur (100), comportant au moins la mise en œuvre des étapes suivantes : - collage direct, sur la couche de matériau, d'un premier masque dur (105) métallique et/ou en semi-conducteur, le premier masque dur étant traversé par au moins une première ouverture (114) débouchant sur la couche de matériau et correspondant à un motif destiné à être gravé dans la couche de matériau; - gravure d'au moins une portion de la couche de matériau au niveau de la première ouverture par la mise en œuvre d'au moins une gravure ionique dans un système ICP, et/ou par la mise en œuvre d'au moins une implantation ionique dans la portion de la couche de matériau et d'au moins une gravure chimique de la portion de la couche de matériau ayant subie l'implantation ionique.
摘要翻译：至少蚀刻至少一层硬质材料（100）的方法，包括至少实现以下步骤：直接粘合到材料层，金属和/或半导体第一硬掩模（105），第一硬掩模通过穿过穿过材料层上的至少一个第一孔（114），并且对应于待在材料层中蚀刻的图案; 以及通过在ICP系统中实施至少一个离子蚀刻和/或将至少一个离子注入到所述材料层的所述部分中并且至少一种化学物质来蚀刻具有所述第一孔的所述材料层的至少一个部分蚀刻已经经历离子注入的材料层的截面。

3. 发明申请

WO2015087005A1 PROCÉDÉ PERMETTANT LA CRÉATION DE STRUCTURES NANOMÉTRIQUES PAR L'AUTO-ASSEMBLAGE DE COPOLYMÈRES A BLOCS 审中-公开
标题翻译：通过嵌段共聚物自组装制备纳米结构的方法
公开(公告)号：WO2015087005A1
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：PCT/FR2014/053279
申请日：2014-12-11
申请人： ARKEMA FRANCE , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE , INSTITUT POLYTECHNIQUE DE BORDEAUX , UNIVERSITE DE BORDEAUX
发明人： MUMTAZ, Muhammad , AISSOU, Karim , BROCHON, Cyril , CLOUTET, Eric , FLEURY, Guillaume , HADZIIOANNOU, Georges , NAVARRO, Christophe , NICOLET, Celia , CHEVALIER, Xavier
IPC分类号： C09D153/00 , B82Y40/00 , G03F1/00 , H01L21/033
CPC分类号： C09D183/00 , B81C1/00428 , B81C2201/0149 , B82Y40/00 , C08G77/00 , C09D153/00 , G03F7/0002
摘要： L'invention concerne un procédé permettant la création de structures nanométriques par l'auto-assemblage de copolymères à blocs dont au moins un des blocs est cristallisable ou présente au moins une phase cristal liquide.
摘要翻译：本发明涉及通过自组装嵌段共聚物制备纳米结构的方法，其中至少一个嵌段可以结晶或具有至少一个液晶相。

4. 发明申请

WO2015084120A1 단량체 및 블록 공중합체 审中-公开
标题翻译：单体和嵌段共聚物
公开(公告)号：WO2015084120A1
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：PCT/KR2014/012023
申请日：2014-12-08
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 김정근 , 이제권 , 박노진 , 윤성수
IPC分类号： C07C43/215 , C08F297/00 , C08F212/08
CPC分类号： C08F293/005 , B81C1/00428 , B81C1/00531 , B81C2201/0149 , B82Y40/00 , C07C35/48 , C07C43/215 , C07C43/225 , C07C217/84 , C07C2601/16 , C07D209/48 , C07F7/1852 , C08F12/20 , C08F12/22 , C08F12/26 , C08F12/32 , C08F212/14 , C08F220/10 , C08F220/30 , C08F2438/03 , C08J5/18 , C08J7/123 , C08J7/14 , C08J2353/00 , C09D153/00 , G03F7/0002 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/162
摘要： 본 출원은 단량체, 블록 공중합체의 제조 방법, 블록 공중합체 및 그 용도에 관한 것이다. 본 출원의 단량체는, 우수한 자기 조립 특성 내지 상분리 특성을 가지며, 필요에 따라서 요구되는 다양한 기능도 자유롭게 부여된 블록 공중합체를 형성할 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及单体，嵌段共聚物的制备方法，嵌段共聚物及其用途。本发明的单体可以形成嵌段共聚物，其具有优异的自组装性和相分离性，根据需要可任选地提供各种所需的官能团。

5. 发明申请

WO2012037780A1 激光微纳加工系统及方法审中-公开
公开(公告)号：WO2012037780A1
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：PCT/CN2011/001567
申请日：2011-09-15
申请人：中国科学院理化技术研究所 , 段宣明 , 陈述 , 曹洪忠 , 董贤子 , 赵震声
发明人：段宣明 , 陈述 , 曹洪忠 , 董贤子 , 赵震声
IPC分类号： B23K26/00 , B23K26/06
CPC分类号： B23K26/0624 , B23K26/048 , B23K26/0613 , B23K26/064 , B23K26/0643 , B23K26/0648 , B23K26/0676 , B81C1/00428 , G03F7/2053 , G03F7/70375 , H01L21/02107

6. 发明申请

WO2016140031A1 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム审中-公开
标题翻译：基板处理方法，计算机存储介质和基板处理系统
公开(公告)号：WO2016140031A1
公开(公告)日：2016-09-09
申请号：PCT/JP2016/053988
申请日：2016-02-10
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：村松　誠 , 冨田　忠利 , 源島　久志 , 楊　元 , 北野　高広 , 西　孝典
IPC分类号： H01L21/027 , B82Y40/00 , C08F297/00
CPC分类号： B81C1/00031 , B81C1/00428 , B81C2201/0149 , B82Y40/00 , C08F297/00 , H01L21/0271 , H01L21/0337 , H01L21/67178 , H01L21/67742
摘要：　親水性ポリマー（４１１）と疎水性ポリマー（４１２）とを含むブロック共重合体を用いた基板処理方法はポリマー分離工程を有し、ブロック共重合体における親水性ポリマーの分子量の比率は、ポリマー分離工程後に親水性ポリマー（４１１）が平面視において六方最密構造に対応する位置に配列するように２０％～４０％に調整され、ポリマー分離工程においては、疎水性の塗布膜による円形状の各パターン（４０４）上に円柱状の第１の親水性ポリマー（４１１ａ）をそれぞれ相分離させ、各第１の親水性ポリマー（４１１ａ）の間に、円柱状の第２の親水性ポリマー（４１１ｂ）を相分離させて、第１の親水性ポリマー（４１１ａ）と第２の親水性ポリマー（４１１ｂ）が平面視において六方最密構造に対応する位置に配列するように、円形状のパターン（４０４）の直径が定められている。
摘要翻译：使用包含亲水性聚合物（411）和疏水性聚合物（412）的嵌段共聚物的基板处理方法具有聚合物分离工序; 将嵌段共聚物中的亲水性聚合物的分子量的比例调整为20-40％，使得亲水性聚合物（411）在聚合物分离步骤之后的平面图中排列在对应于六方密堆积结构的位置 ; 并且在聚合物分离步骤期间基于疏水性涂膜在圆形图案（404）上的柱状第一亲水性聚合物（411a）彼此分离，柱状第二亲水性聚合物（411b）在相间分离确定第一亲水性聚合物（411a）和圆形图案（404）的直径，使得第一亲水性聚合物（411a）和第二亲水性聚合物（411b）布置在与六方密堆积结构相对应的位置在平面图。

7. 发明申请

WO2015084132A1 블록 공중합체 审中-公开
公开(公告)号：WO2015084132A1
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：PCT/KR2014/012035
申请日：2014-12-09
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 김정근 , 이정규 , 이제권 , 이미숙 , 박노진 , 구세진 , 최은영 , 윤성수
IPC分类号： C08F297/00 , C08F299/00 , C08F212/08 , C08F220/10 , C08L53/00 , C08J5/00
CPC分类号： C08F293/005 , B81C1/00428 , B81C1/00531 , B81C2201/0149 , B82Y40/00 , C07C35/48 , C07C43/215 , C07C43/225 , C07C217/84 , C07C2601/16 , C07D209/48 , C07F7/1852 , C08F12/20 , C08F12/22 , C08F12/26 , C08F12/32 , C08F212/14 , C08F220/10 , C08F220/30 , C08F2438/03 , C08J5/18 , C08J7/123 , C08J7/14 , C08J2353/00 , C09D153/00 , G03F7/0002 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/162
摘要： 본 출원은 블록 공중합체 및 그 용도에 관한 것이다. 본 출원은, 자기 조립 특성이 우수하여 다양한 용도에서 효과적으로 사용될 수 있는 블록 공중합체 및 그 용도를 제공할 수 있다.

8. 发明申请

WO2012087352A3 SUPERHYDROPHOBIC AND SUPEROLEOPHOBIC NANOSURFACES 审中-公开
标题翻译：超级离子和超疏水纳米微粒
公开(公告)号：WO2012087352A3
公开(公告)日：2013-01-24
申请号：PCT/US2011001995
申请日：2011-12-20
申请人： UNIV CALIFORNIA , JIN SUNGHO , CHOI CHULMIN
发明人： JIN SUNGHO , CHOI CHULMIN
IPC分类号： B05D5/00 , B05C3/12 , B32B3/26 , G03F7/00
CPC分类号： B32B7/02 , A01N25/34 , B05D5/00 , B05D5/08 , B05D5/083 , B81B2203/0361 , B81B2207/11 , B81C1/00111 , B81C1/00206 , B81C1/00404 , B81C1/00428 , B81C1/00531 , B82B3/0038 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/3065 , H01L21/3086 , H01L31/0236 , H01L31/02366 , Y02E10/50 , Y10T428/249924 , Y10T428/24994
摘要： Devices, systems and techniques are described for producing and implementing articles and materials having nanoscale and microscale structures that exhibit superhydrophobic, superoleophobic or omniphobic surface properties and other enhanced properties. In one aspect, a surface nanostructure can be formed by adding a silicon-containing buffer layer such as silicon, silicon oxide or silicon nitride layer, followed by metal film deposition and heating to convert the metal film into balled-up, discrete islands to form an etch mask. The buffer layer can be etched using the etch mask to create an array of pillar structures underneath the etch mask, in which the pillar structures have a shape that includes cylinders, negatively tapered rods, or cones and are vertically aligned. In another aspect, a method of fabricating microscale or nanoscale polymer or metal structures on a substrate is made by photolithography and/or nano imprinting lithography.
摘要翻译：描述了用于生产和实施具有显示超疏水，超疏油或无所不在的表面性质和其它增强性能的纳米级和微结构的制品和材料的装置，系统和技术。在一个方面，可以通过加入硅，氧化硅或氮化硅层等含硅缓冲层，然后进行金属膜沉积和加热来形成表面纳米结构，将金属膜转变成球状的离散的岛以形成蚀刻掩模可以使用蚀刻掩模蚀刻缓冲层，以在蚀刻掩模下方形成柱状结构的阵列，其中柱状结构具有包括圆柱体，负圆锥形棒或锥体并且垂直对准的形状。在另一方面，通过光刻和/或纳米压印光刻法制造在衬底上制造微米级或纳米级聚合物或金属结构的方法。

9. 发明申请

WO2006111766A3 METHODS AND APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OF MICROSTRUCTURES 审中-公开
标题翻译：制备微结构的方法和装置
公开(公告)号：WO2006111766A3
公开(公告)日：2007-01-18
申请号：PCT/GB2006001468
申请日：2006-04-21
申请人： 3T TECHNOLOGIES LTD , SPEAKMAN STUART PHILIP
发明人： SPEAKMAN STUART PHILIP
IPC分类号： G03F7/12 , C23C14/04
CPC分类号： G03F7/12 , B81C1/00428 , H01L27/1292 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78603 , H01L29/7869 , H01L51/0017
摘要： A method of manufacturing microstructures is disclosed, the method comprising a applying a mask to substrate; forming a pattern in the mask; processing the substrate according to the pattern; and mechanically removing the mask from the substrate. A polymer mask is disclosed for manufacturing micro scale structure, the polymer mask comprising a thin, preferably ultra thin flexible film. A method of manufacturing an integrated circuit is disclosed, the method comprising forming a plurality of isolated semiconductor devices on a common substrate; and connecting some of the devices. Apparatus for manufacturing microstructures is disclosed comprising: a mechanism for coating a mass substrate to create a structure; a mechanism for removing a mask from the substrate; and processing apparatus. A thin film transistor is disclosed comprising drain source and gate electrodes, the drain and source electrode being separated by a semiconductor, and the gate electrode being separated from the semiconductor by an insulator, comprising a bandgap alignment layer disposed between a semiconductor and the insulator.
摘要翻译：公开了一种制造微结构的方法，所述方法包括将掩模施加于基底; 在面具中形成图案; 根据图案处理基板; 并从衬底机械地去除掩模。公开了用于制造微尺度结构的聚合物掩模，聚合物掩模包括薄的，优选超薄的柔性膜。公开了一种制造集成电路的方法，所述方法包括在公共基板上形成多个隔离半导体器件; 并连接一些设备。公开了用于制造微结构的装置，包括：用于涂覆质量基底以产生结构的机构; 用于从基板去除掩模的机构; 和处理装置。公开了一种薄膜晶体管，其包括漏源极和栅电极，漏极和源极由半导体分隔开，并且栅电极通过绝缘体与半导体分离，包括设置在半导体和绝缘体之间的带隙对准层。

10. 发明申请

WO2015047830A1 EXPOSURE ACTIVATED CHEMICALLY AMPLIFIED DIRECTED SELF-ASSEMBLY (DSA) FOR BACK END OF LINE (BEOL) PATTERN CUTTING AND PLUGGING 审中-公开
标题翻译：用于线后退（BEOL）图案切割和插入的接触激活化学引导的自组装（DSA）
公开(公告)号：WO2015047830A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：PCT/US2014/056126
申请日：2014-09-17
申请人： INTEL CORPORATION
发明人： NYHUS, Paul A. , HAN, Eungnak , SIVAKUMAR, Swaminathan , PUTNA, Ernisse S.
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/12
CPC分类号： G03F7/0392 , B81C1/00428 , B81C2201/0149 , G03F7/0002 , G03F7/0045 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/2004 , G03F7/2037 , G03F7/26 , H01L21/0337 , H01L21/31058 , H01L21/32 , H01L21/3205 , H01L21/32139 , H01L21/76816
摘要： Self-aligned via and plug patterning for back end of line (BEOL) interconnects are described. In an example, a structure for directed self-assembly includes a substrate and a block co-polymer structure disposed above the substrate. The block co-polymer structure has a polystyrene (PS) component and a polymethyl methacrylate (PMMA) component. One of the PS component or the PMMA component is photosensitive.
摘要翻译：描述了用于后端（BEOL）互连的自对准通孔和插头图案。在一个示例中，用于定向自组装的结构包括设置在衬底上方的衬底和嵌段共聚物结构。嵌段共聚物结构具有聚苯乙烯（PS）组分和聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）组分。 PS组件或PMMA组件之一是光敏的。

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