基本信息:
- 专利标题： 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
- 专利标题（英）：Substrate-processing method, computer storage medium, and substrate-processing system
- 专利标题（中）：基板处理方法，计算机存储介质和基板处理系统
- 申请号：PCT/JP2016/053988 申请日：2016-02-10
- 公开(公告)号：WO2016140031A1 公开(公告)日：2016-09-09
- 发明人： 村松 誠 , 冨田 忠利 , 源島 久志 , 楊 元 , 北野 高広 , 西 孝典
- 申请人： 東京エレクトロン株式会社
- 申请人地址： 〒1076325 東京都港区赤坂五丁目3番1号 Tokyo JP
- 专利权人： 東京エレクトロン株式会社
- 当前专利权人： 東京エレクトロン株式会社
- 当前专利权人地址： 〒1076325 東京都港区赤坂五丁目３番１号 Tokyo JP
- 代理机构： 金本 哲男
- 优先权： JP2015-043551 20150305
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027 ; B82Y40/00 ; C08F297/00
摘要：
親水性ポリマー（４１１）と疎水性ポリマー（４１２）とを含むブロック共重合体を用いた基板処理方法はポリマー分離工程を有し、ブロック共重合体における親水性ポリマーの分子量の比率は、ポリマー分離工程後に親水性ポリマー（４１１）が平面視において六方最密構造に対応する位置に配列するように２０％～４０％に調整され、ポリマー分離工程においては、疎水性の塗布膜による円形状の各パターン（４０４）上に円柱状の第１の親水性ポリマー（４１１ａ）をそれぞれ相分離させ、各第１の親水性ポリマー（４１１ａ）の間に、円柱状の第２の親水性ポリマー（４１１ｂ）を相分離させて、第１の親水性ポリマー（４１１ａ）と第２の親水性ポリマー（４１１ｂ）が平面視において六方最密構造に対応する位置に配列するように、円形状のパターン（４０４）の直径が定められている。
摘要（中）：
使用包含亲水性聚合物（411）和疏水性聚合物（412）的嵌段共聚物的基板处理方法具有聚合物分离工序; 将嵌段共聚物中的亲水性聚合物的分子量的比例调整为20-40％，使得亲水性聚合物（411）在聚合物分离步骤之后的平面图中排列在对应于六方密堆积结构的位置 ; 并且在聚合物分离步骤期间基于疏水性涂膜在圆形图案（404）上的柱状第一亲水性聚合物（411a）彼此分离，柱状第二亲水性聚合物（411b）在相间分离 确定第一亲水性聚合物（411a）和圆形图案（404）的直径，使得第一亲水性聚合物（411a）和第二亲水性聚合物（411b）布置在与六方密堆积结构相对应的位置 在平面图。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |